JP2720363B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JP2720363B2 JP2720363B2 JP2412629A JP41262990A JP2720363B2 JP 2720363 B2 JP2720363 B2 JP 2720363B2 JP 2412629 A JP2412629 A JP 2412629A JP 41262990 A JP41262990 A JP 41262990A JP 2720363 B2 JP2720363 B2 JP 2720363B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハードディスク装置等
に使用される磁気記録媒体に関する。
に使用される磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置は大容量化、
小型化の傾向にあり、この種の装置に用いられる磁気記
録媒体には、より高い記録密度が要求されている。上述
した高記録密度を実現するために、金属薄膜を磁性体層
として有する磁気記録媒体が実用化に向けて研究されて
いる。この種の磁気記録媒体のうち、基板上にクロム非
磁性層を積層し、この上にコバルト合金強磁性層を積層
した二層構造の磁気記録媒体は、良好な保磁力を示すこ
とが第１１回日本応用磁気学会学術講演概要集（１９８
７年）第１８頁に記載されている。更に、ここでは、ス
パッタリングによる各膜積層の際、基板温度を上昇させ
ることによりさらに高い保磁力が得られることが指摘さ
れている。上記した二層構造の磁気記録媒体を実際に製
造する場合、スパッタリングの前工程に基板の予備加熱
を行って基板温度を上昇させ、この状態で、クロム非磁
性層及びコバルト合金強磁性層を基板上に積層してい
る。具体的に言えば、インライン型スパッタリング装置
による磁気記録媒体の製造工程においては、多数枚のデ
ィスク基板をパレットに装着してスパッタリングする工
程の前に、この多数枚のディスク基板をパレットごと予
備加熱している。しかし、前述したような予備加熱処理
では所定の温度まで加熱し、しかも各基板の均一な温度
分布を得るためには長時間を要するという問題点があ
る。また、スパッタリング中は各基板温度の正確な制御
が困難なため、製造された各磁気記録媒体の保磁力がば
らつくという問題点がある。一方、第５１回応用磁気学
会学術講演予稿集（１９９０年秋季）２６ａ−ＭＤ−５
には、２５０℃に加熱した基板上にクロム層、その上に
コバルト合金強磁性層を形成した後、この積層体を適当
な条件でアニールすることにより磁気記録媒体を製造
し、これによって保磁力を向上させている。この方法
は、保磁力がアニール温度及びアニール時間に依存する
とを利用したものである。
小型化の傾向にあり、この種の装置に用いられる磁気記
録媒体には、より高い記録密度が要求されている。上述
した高記録密度を実現するために、金属薄膜を磁性体層
として有する磁気記録媒体が実用化に向けて研究されて
いる。この種の磁気記録媒体のうち、基板上にクロム非
磁性層を積層し、この上にコバルト合金強磁性層を積層
した二層構造の磁気記録媒体は、良好な保磁力を示すこ
とが第１１回日本応用磁気学会学術講演概要集（１９８
７年）第１８頁に記載されている。更に、ここでは、ス
パッタリングによる各膜積層の際、基板温度を上昇させ
ることによりさらに高い保磁力が得られることが指摘さ
れている。上記した二層構造の磁気記録媒体を実際に製
造する場合、スパッタリングの前工程に基板の予備加熱
を行って基板温度を上昇させ、この状態で、クロム非磁
性層及びコバルト合金強磁性層を基板上に積層してい
る。具体的に言えば、インライン型スパッタリング装置
による磁気記録媒体の製造工程においては、多数枚のデ
ィスク基板をパレットに装着してスパッタリングする工
程の前に、この多数枚のディスク基板をパレットごと予
備加熱している。しかし、前述したような予備加熱処理
では所定の温度まで加熱し、しかも各基板の均一な温度
分布を得るためには長時間を要するという問題点があ
る。また、スパッタリング中は各基板温度の正確な制御
が困難なため、製造された各磁気記録媒体の保磁力がば
らつくという問題点がある。一方、第５１回応用磁気学
会学術講演予稿集（１９９０年秋季）２６ａ−ＭＤ−５
には、２５０℃に加熱した基板上にクロム層、その上に
コバルト合金強磁性層を形成した後、この積層体を適当
な条件でアニールすることにより磁気記録媒体を製造
し、これによって保磁力を向上させている。この方法
は、保磁力がアニール温度及びアニール時間に依存する
とを利用したものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した熱処
理のように、アニール温度及びアニール時間を定めただ
けでは、製造された磁気記録媒体の保磁力がばらつくこ
とが判明した。更に、上記した金属薄膜を磁性体層とす
る磁気記録媒体は主に二層構造のものに限られており、
多層構造のものについては考慮されていないのが実情で
ある。本発明の課題は、高い保磁力を有するとともに、
ばらつきが少なく、したがって、再現性の高い磁気記録
媒体の製造方法を提供することである。本発明の他の課
題は多層構造にしても、高い保磁力を得ることができる
磁気記録媒体の製造方法を提供することである。
理のように、アニール温度及びアニール時間を定めただ
けでは、製造された磁気記録媒体の保磁力がばらつくこ
とが判明した。更に、上記した金属薄膜を磁性体層とす
る磁気記録媒体は主に二層構造のものに限られており、
多層構造のものについては考慮されていないのが実情で
ある。本発明の課題は、高い保磁力を有するとともに、
ばらつきが少なく、したがって、再現性の高い磁気記録
媒体の製造方法を提供することである。本発明の他の課
題は多層構造にしても、高い保磁力を得ることができる
磁気記録媒体の製造方法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板上
に少なくとも非磁性体である金属を含む第１の層と該第
１の層上に強磁性体である金属を含む第２の層とを積層
してなる積層体を製造する工程と、少くとも前記第２の
層を熱処理する工程とを有する磁気記録媒体の製造方法
において、少くとも前記第２の層を熱処理するに際し、
熱処理温度まで１℃／分乃至４０℃／分の昇温速度で昇
温し、この後、前記熱処理温度で維持して前記第１の層
の非磁性体を第２の層の結晶粒界へ熱拡散させることを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法が得られる。本発明
によればまた、前記積層体を製造する工程中に、非磁性
体である金属を含む第３の層を前記第２の層上に設ける
工程を含むことを特徴とする前記磁気記録媒体の製造方
法が得られる。本発明によればさらに、前記第１および
第３の層のうち少くとも一方が、クロム、ケイ素、アル
ミニウム、チタン、ビスマス、バナジウム、マンガン、
錫、亜鉛、ゲルマニウム、鉛、インジウム、銅、モリブ
デン、タングステンのグループから選ばれた少くとも１
つの非磁性体である金属から成り、前記第２の層がコバ
ルト、ニッケル、鉄のグループから選ばれた少くとも１
つの強磁性体である金属から成ることを特徴とする前記
磁気記録媒体の製造方法が得られる。本発明によればさ
らにまた、前記熱処理温度が３００℃以上であることを
特徴とする前記磁気記録媒体の製造方法が得られる。
に少なくとも非磁性体である金属を含む第１の層と該第
１の層上に強磁性体である金属を含む第２の層とを積層
してなる積層体を製造する工程と、少くとも前記第２の
層を熱処理する工程とを有する磁気記録媒体の製造方法
において、少くとも前記第２の層を熱処理するに際し、
熱処理温度まで１℃／分乃至４０℃／分の昇温速度で昇
温し、この後、前記熱処理温度で維持して前記第１の層
の非磁性体を第２の層の結晶粒界へ熱拡散させることを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法が得られる。本発明
によればまた、前記積層体を製造する工程中に、非磁性
体である金属を含む第３の層を前記第２の層上に設ける
工程を含むことを特徴とする前記磁気記録媒体の製造方
法が得られる。本発明によればさらに、前記第１および
第３の層のうち少くとも一方が、クロム、ケイ素、アル
ミニウム、チタン、ビスマス、バナジウム、マンガン、
錫、亜鉛、ゲルマニウム、鉛、インジウム、銅、モリブ
デン、タングステンのグループから選ばれた少くとも１
つの非磁性体である金属から成り、前記第２の層がコバ
ルト、ニッケル、鉄のグループから選ばれた少くとも１
つの強磁性体である金属から成ることを特徴とする前記
磁気記録媒体の製造方法が得られる。本発明によればさ
らにまた、前記熱処理温度が３００℃以上であることを
特徴とする前記磁気記録媒体の製造方法が得られる。
【０００５】
【作用】本発明では、基板上に常温にて非磁性体である
金属から成る第１の層を室温乃至２００℃で積層し、第
１の層上に常温にて強磁性体である金属から成る第２の
層を室温乃至２００℃で積層して積層体を製造し、つづ
いて前記積層体を常温から３００℃以上まで所定の昇温
速度で昇温し、所定の時間熱処理しているので、第１の
層の非磁性体が第２の層の結晶粒界へ熱拡散し、強磁性
体の各粒子間の強い磁気的相互作用を断ち切ることがで
きる。また、第１および第２の層を積層する際の温度は
上記のように室温乃至２００℃が好ましく、更に好まし
くは室温乃至１００℃以下、もっと好ましいのは室温で
ある。他方、２００℃を越えると各基板の温度がばらつ
き、結果として、磁気特性がばらつくため好ましくな
い。
金属から成る第１の層を室温乃至２００℃で積層し、第
１の層上に常温にて強磁性体である金属から成る第２の
層を室温乃至２００℃で積層して積層体を製造し、つづ
いて前記積層体を常温から３００℃以上まで所定の昇温
速度で昇温し、所定の時間熱処理しているので、第１の
層の非磁性体が第２の層の結晶粒界へ熱拡散し、強磁性
体の各粒子間の強い磁気的相互作用を断ち切ることがで
きる。また、第１および第２の層を積層する際の温度は
上記のように室温乃至２００℃が好ましく、更に好まし
くは室温乃至１００℃以下、もっと好ましいのは室温で
ある。他方、２００℃を越えると各基板の温度がばらつ
き、結果として、磁気特性がばらつくため好ましくな
い。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。本発明の実施例に用いたスパッタリング装置（図示
せず）は、複数のターゲットを備えたスパッタリングを
行うスパッタリング室と、アニールを行うアニール室を
備えている。両室はバルブを備えたチューブで連通して
おり、ガラス基板を大気にさらすことなく両室間を移動
させることができる。また、両室はそれぞれ真空ポンプ
を備えている。以下、本発明の第１の実施例について説
明する。まず、ガラス基板を常温であるスパッタリング
室にセットした後、室内を真空度が３×１０-6Ｔｏｒｒ
に到達するまで排気した。続いて、Ａｒガスを導入し
た。このときのＡｒガス圧は１×１０-2Ｔｏｒｒであっ
た。ガラス基板上にスパッタリングによって第１の層と
してクロム非磁性体層を３５０Ａ／分の速度で３０００
Ａ積層し、この上に第２の層としてＣｏ60−Ｎｉ32.5−
Ｃｒ7.5 強磁性体層を３０Ａ／分の速度で５００Ａ積層
し、更に、この上に第３の層としてクロム非磁性体層を
３５０Ａ／分の速度で６０Ａ積層した。このようにし
て、三層構造を有する第１の積層体ができた。第１の積
層体をアニール室に移動して、室内を真空度が２×１０
-5Ｔｏｒｒに到達するまで排気した。この状態で種々の
温度条件にてアニールを行い、磁気記録媒体を製造し
た。製造された第１の磁気記録媒体の磁気特性を、試料
振動型磁力計を用いて測定した。測定結果を図１乃至図
３に示す。各図中の数字は磁気記録媒体の保磁力（Ｏ
ｅ）を表している。図１はアニール温度とアニール時間
を変化させたときの保磁力の値を示す。図１よりアニー
ル温度３００℃乃至６００℃、アニール時間１５分乃至
１０時間なる条件のとき、保磁力が１４４８（Ｏｅ）乃
至２３５１（Ｏｅ）となり、保磁力向上に効果的である
ことが分かる。なかでもアニール温度４００℃乃至５０
０℃、アニール時間１時間乃至５時間のときが、保磁力
が２０００（Ｏｅ）以上となり特に効果的である。図２
はアニール温度と昇温速度を変化させたときの保磁力の
値を示す。図２より昇温速度が１℃／分乃至４０℃／分
のとき、保磁力が１６８３（Ｏｅ）乃至２３５１（Ｏ
ｅ）となり、保磁力向上に効果的であることが分かる。
また、昇温速度が４０℃／分を越えると、保磁力向上効
果の減少に加えて、第１の層が剥離し易いため好ましく
ない。図３はアニール温度と降温速度を変化させたとき
の保磁力の値を示す。図３より降温速度が３０℃／時間
以上のとき、保磁力が１５０８（Ｏｅ）乃至２４０８
（Ｏｅ）となり、保磁力向上に効果的であることが分か
る。
る。本発明の実施例に用いたスパッタリング装置（図示
せず）は、複数のターゲットを備えたスパッタリングを
行うスパッタリング室と、アニールを行うアニール室を
備えている。両室はバルブを備えたチューブで連通して
おり、ガラス基板を大気にさらすことなく両室間を移動
させることができる。また、両室はそれぞれ真空ポンプ
を備えている。以下、本発明の第１の実施例について説
明する。まず、ガラス基板を常温であるスパッタリング
室にセットした後、室内を真空度が３×１０-6Ｔｏｒｒ
に到達するまで排気した。続いて、Ａｒガスを導入し
た。このときのＡｒガス圧は１×１０-2Ｔｏｒｒであっ
た。ガラス基板上にスパッタリングによって第１の層と
してクロム非磁性体層を３５０Ａ／分の速度で３０００
Ａ積層し、この上に第２の層としてＣｏ60−Ｎｉ32.5−
Ｃｒ7.5 強磁性体層を３０Ａ／分の速度で５００Ａ積層
し、更に、この上に第３の層としてクロム非磁性体層を
３５０Ａ／分の速度で６０Ａ積層した。このようにし
て、三層構造を有する第１の積層体ができた。第１の積
層体をアニール室に移動して、室内を真空度が２×１０
-5Ｔｏｒｒに到達するまで排気した。この状態で種々の
温度条件にてアニールを行い、磁気記録媒体を製造し
た。製造された第１の磁気記録媒体の磁気特性を、試料
振動型磁力計を用いて測定した。測定結果を図１乃至図
３に示す。各図中の数字は磁気記録媒体の保磁力（Ｏ
ｅ）を表している。図１はアニール温度とアニール時間
を変化させたときの保磁力の値を示す。図１よりアニー
ル温度３００℃乃至６００℃、アニール時間１５分乃至
１０時間なる条件のとき、保磁力が１４４８（Ｏｅ）乃
至２３５１（Ｏｅ）となり、保磁力向上に効果的である
ことが分かる。なかでもアニール温度４００℃乃至５０
０℃、アニール時間１時間乃至５時間のときが、保磁力
が２０００（Ｏｅ）以上となり特に効果的である。図２
はアニール温度と昇温速度を変化させたときの保磁力の
値を示す。図２より昇温速度が１℃／分乃至４０℃／分
のとき、保磁力が１６８３（Ｏｅ）乃至２３５１（Ｏ
ｅ）となり、保磁力向上に効果的であることが分かる。
また、昇温速度が４０℃／分を越えると、保磁力向上効
果の減少に加えて、第１の層が剥離し易いため好ましく
ない。図３はアニール温度と降温速度を変化させたとき
の保磁力の値を示す。図３より降温速度が３０℃／時間
以上のとき、保磁力が１５０８（Ｏｅ）乃至２４０８
（Ｏｅ）となり、保磁力向上に効果的であることが分か
る。
【０００７】次に、第１の実施例と同じ装置を用いて行
った第２の実施例を説明する。まず、ガラス基板を常温
であるスパッタリング室にセットした後、室内を真空度
が３×１０-6Ｔｏｒｒに到達するまで排気した。続い
て、Ａｒガスを導入した。このときのＡｒガス圧は１×
１０-2Ｔｏｒｒであった。ガラス基板上にスパッタリン
グによって第１の層としてクロム非磁性体層を３５０Ａ
／分の速度で３０００Ａ積層し、この上に第２の層とし
てＣｏ60−Ｎｉ32.5−Ｃｒ7.5 強磁性体層を３０Ａ／分
の速度で厚さ５００Ａ積層した。このようにして、二層
構造を有する第２の積層体ができた。次に、第２の積層
体をアニール室に移動して、室内を真空度が２×１０-5
Ｔｏｒｒに到達するまで排気した。この状態で種々の温
度条件にてアニールを行い、第２の磁気記録媒体を製造
した。製造された第２の磁気記録媒体の磁気特性を、試
料振動型磁力計を用いて測定したところ、第１の実施例
と同様の結果が得られた。図４はアニール温度と昇温速
度を変化させたときの保磁力の値を示す。図４より昇温
速度が１℃／分乃至４０℃／分のとき、保磁力が１２０
２（Ｏｅ）乃至１８２１（Ｏｅ）となり、保磁力向上に
効果的であることが分かる。また、昇温速度が４０℃／
分を越えると、保磁力向上効果の減少に加えて、第１の
層が剥離し易いため好ましくない。図５はアニール温度
を変化させたときの保磁力の値を示す。尚、このときの
アニール時間はいずれも３０分である。図５よりアニー
ル温度３００℃乃至６００℃のときが、保磁力向上に効
果的であることが分る。図６はアニール温度を４００℃
に保ち、アニール時間を変化させたときの保磁力の値を
示す。図６よりアニール時間１５分乃至１０時間のとき
が、保磁力向上に効果的であることが分かる。
った第２の実施例を説明する。まず、ガラス基板を常温
であるスパッタリング室にセットした後、室内を真空度
が３×１０-6Ｔｏｒｒに到達するまで排気した。続い
て、Ａｒガスを導入した。このときのＡｒガス圧は１×
１０-2Ｔｏｒｒであった。ガラス基板上にスパッタリン
グによって第１の層としてクロム非磁性体層を３５０Ａ
／分の速度で３０００Ａ積層し、この上に第２の層とし
てＣｏ60−Ｎｉ32.5−Ｃｒ7.5 強磁性体層を３０Ａ／分
の速度で厚さ５００Ａ積層した。このようにして、二層
構造を有する第２の積層体ができた。次に、第２の積層
体をアニール室に移動して、室内を真空度が２×１０-5
Ｔｏｒｒに到達するまで排気した。この状態で種々の温
度条件にてアニールを行い、第２の磁気記録媒体を製造
した。製造された第２の磁気記録媒体の磁気特性を、試
料振動型磁力計を用いて測定したところ、第１の実施例
と同様の結果が得られた。図４はアニール温度と昇温速
度を変化させたときの保磁力の値を示す。図４より昇温
速度が１℃／分乃至４０℃／分のとき、保磁力が１２０
２（Ｏｅ）乃至１８２１（Ｏｅ）となり、保磁力向上に
効果的であることが分かる。また、昇温速度が４０℃／
分を越えると、保磁力向上効果の減少に加えて、第１の
層が剥離し易いため好ましくない。図５はアニール温度
を変化させたときの保磁力の値を示す。尚、このときの
アニール時間はいずれも３０分である。図５よりアニー
ル温度３００℃乃至６００℃のときが、保磁力向上に効
果的であることが分る。図６はアニール温度を４００℃
に保ち、アニール時間を変化させたときの保磁力の値を
示す。図６よりアニール時間１５分乃至１０時間のとき
が、保磁力向上に効果的であることが分かる。
【０００８】第１及び第２の実施例におけるアニールに
よる保磁力向上の原因を調べるために各磁気記録媒体を
ＴＥＭによって観察した。第２の層である強磁性体層中
の結晶粒径は５００Ａ乃至１０００Ａであった。また、
ＴＥＭ微小領域分析によりこの層中の結晶粒界のクロム
濃度が約３５ａｔ％と、結晶粒内のクロム濃度７．５ａ
ｔ％に比べて明らかに高いことが定量的に確認できた。
このことから、アニールによって強磁性体層中に拡散し
た非磁性体であるクロムが、各強磁性体結晶粒の周囲を
包囲したことが分かる。更に、上述した結晶粒界のクロ
ム濃度（約３５ａｔ％）が強磁性体であるコバルト合金
を非磁性化できることをコバルト−クロム系の平衡状態
図より確認した。このことから、非磁性体が強磁性体層
中に拡散することによって、各結晶粒間に存在していた
強い磁気的相互作用が断ち切られ各結晶粒が磁気的に孤
立するため、高い保磁力が得られると考えられる。
よる保磁力向上の原因を調べるために各磁気記録媒体を
ＴＥＭによって観察した。第２の層である強磁性体層中
の結晶粒径は５００Ａ乃至１０００Ａであった。また、
ＴＥＭ微小領域分析によりこの層中の結晶粒界のクロム
濃度が約３５ａｔ％と、結晶粒内のクロム濃度７．５ａ
ｔ％に比べて明らかに高いことが定量的に確認できた。
このことから、アニールによって強磁性体層中に拡散し
た非磁性体であるクロムが、各強磁性体結晶粒の周囲を
包囲したことが分かる。更に、上述した結晶粒界のクロ
ム濃度（約３５ａｔ％）が強磁性体であるコバルト合金
を非磁性化できることをコバルト−クロム系の平衡状態
図より確認した。このことから、非磁性体が強磁性体層
中に拡散することによって、各結晶粒間に存在していた
強い磁気的相互作用が断ち切られ各結晶粒が磁気的に孤
立するため、高い保磁力が得られると考えられる。
【０００９】尚、上記実施例における第１及び第３の層
の非磁性体から成る金属としては、例えば、クロム、ケ
イ素、アルミニウム、チタン、ビスマス、バナジウム、
マンガン、錫、亜鉛、ゲルマニウム、鉛、インジウム、
銅、モリブデン、タングステンの内から選ばれた少なく
とも１つであればよい。また、第２の層の強磁性体から
成る金属としては、コバルト、ニッケル、鉄の内から選
ばれた少なくとも１つであればよい。更に、アニールの
際の雰囲気はアルゴン、窒素、及び大気等でもよい。
の非磁性体から成る金属としては、例えば、クロム、ケ
イ素、アルミニウム、チタン、ビスマス、バナジウム、
マンガン、錫、亜鉛、ゲルマニウム、鉛、インジウム、
銅、モリブデン、タングステンの内から選ばれた少なく
とも１つであればよい。また、第２の層の強磁性体から
成る金属としては、コバルト、ニッケル、鉄の内から選
ばれた少なくとも１つであればよい。更に、アニールの
際の雰囲気はアルゴン、窒素、及び大気等でもよい。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、基板上に非磁性体層及
び強磁性体層とが積層された積層体を製造した後、常温
から３００℃以上まで所定の昇温速度で昇温し、所定の
時間熱処理しているから、高い保磁力を有するととも
に、ばらつきが少なく、したがって、再現性の高い磁気
記録媒体を製造することができる。
び強磁性体層とが積層された積層体を製造した後、常温
から３００℃以上まで所定の昇温速度で昇温し、所定の
時間熱処理しているから、高い保磁力を有するととも
に、ばらつきが少なく、したがって、再現性の高い磁気
記録媒体を製造することができる。
【図１】アニール温度及びアニール時間と磁気記録媒体
の保磁力との関係を示す図である。
の保磁力との関係を示す図である。
【図２】アニール温度及び昇温速度と磁気記録媒体の保
磁力との関係を示す図である。
磁力との関係を示す図である。
【図３】アニール温度及び降温速度と磁気記録媒体の保
磁力との関係を示す図である。
磁力との関係を示す図である。
【図４】アニール温度及び昇温速度と磁気記録媒体の保
磁力との関係を示す図である。
磁力との関係を示す図である。
【図５】アニール温度と磁気記録媒体の保磁力との関係
を示す図である。
を示す図である。
【図６】アニール時間と磁気記録媒体の保磁力との関係
を示す図である。
を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−268225（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−52118（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−292715（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−77024（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−70618（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−117143（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも非磁性体である金属
を含む第１の層と該第１の層上に強磁性体である金属を
含む第２の層とを積層してなる積層体を製造する工程
と、少くとも前記第２の層を熱処理する工程とを有する
磁気記録媒体の製造方法において、少くとも前記第２の
層を熱処理するに際し、熱処理温度まで１゜Ｃ／分乃至
４０゜Ｃ／分の昇温速度で昇温し、この後、前記熱処理
温度で維持して前記第１の層の非磁性体を第２の層の結
晶粒界へ熱拡散させることを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項２】 前記積層体を製造する工程中に、非磁性
体である金属を含む第３の層を前記第２の層上に設ける
工程を含むことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１および第３の層のうち少なくと
も一方が、クロム、ケイ素、アルミニウム、チタン、ビ
スマス、バナジウム、マンガン、錫、亜鉛、ゲルマニウ
ム、鉛、インジウム、銅、モリブデン、タングステンの
グループから選ばれた少なくとも１つの非磁性体である
金属から成り、前記第２の層がコバルト、ニッケル、鉄
のグループから選ばれた少なくとも１つの強磁性体であ
る金属から成ることを特徴とする請求項１または２記載
の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 前記熱処理温度が３００゜Ｃ以上である
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の磁
気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2412629A JP2720363B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2412629A JP2720363B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04221429A JPH04221429A (ja) | 1992-08-11 |
| JP2720363B2 true JP2720363B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=18521446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2412629A Expired - Lifetime JP2720363B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2720363B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5670618A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of cobalt chrome alloy thin film |
| JPS5877024A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH01186484A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パイプ内自走装置 |
| JPH0779495B2 (ja) * | 1988-09-02 | 1995-08-23 | 富士通株式会社 | 交換機におけるサービス制御方式 |
| JPH02292715A (ja) * | 1989-05-02 | 1990-12-04 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-12-21 JP JP2412629A patent/JP2720363B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04221429A (ja) | 1992-08-11 |
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