JPH08329464A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH08329464A JPH08329464A JP13668895A JP13668895A JPH08329464A JP H08329464 A JPH08329464 A JP H08329464A JP 13668895 A JP13668895 A JP 13668895A JP 13668895 A JP13668895 A JP 13668895A JP H08329464 A JPH08329464 A JP H08329464A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気記録層として安価なＣｏ−Ｓｍ合金系材
料を用いて、高記録密度対応の高保磁力を有する磁気記
録媒体を実現する。 【構成】 アモルファスカーボン基板上に、基板温度 4
00℃以下で、下地層としてＣｒ、磁気記録層としてＣｏ
（ 100−ｘ−ｙ）−Ｓｍ（ｘ）−Ｒ（ｙ）合金（ＲはＳ
ｍ以外の希土類元素；ｘ＝１〜30at％，ｙ＝０〜10at
％）、上地層としてＣｒを成膜した後、不活性ガス中あ
るいは真空中にて 250〜 650℃の温度で加熱処理する。
料を用いて、高記録密度対応の高保磁力を有する磁気記
録媒体を実現する。 【構成】 アモルファスカーボン基板上に、基板温度 4
00℃以下で、下地層としてＣｒ、磁気記録層としてＣｏ
（ 100−ｘ−ｙ）−Ｓｍ（ｘ）−Ｒ（ｙ）合金（ＲはＳ
ｍ以外の希土類元素；ｘ＝１〜30at％，ｙ＝０〜10at
％）、上地層としてＣｒを成膜した後、不活性ガス中あ
るいは真空中にて 250〜 650℃の温度で加熱処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータ等の外部
記録装置に使用される磁気ディスク等の磁気記録媒体の
製造方法に関し、特に、高記録密度対応の高保磁力な磁
気記録媒体の製造方法に関するものである。
記録装置に使用される磁気ディスク等の磁気記録媒体の
製造方法に関し、特に、高記録密度対応の高保磁力な磁
気記録媒体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
情報量の増大により、コンピュータの外部記録装置に用
いられている磁気ディスクの大容量化／高記録密度化が
益々促進されている。一般に、線記録密度と、磁気記録
媒体の保磁力Ｈｃ、残留磁束密度Ｂｒ、磁性層膜厚ｔと
の間には、次式の関係がある。
情報量の増大により、コンピュータの外部記録装置に用
いられている磁気ディスクの大容量化／高記録密度化が
益々促進されている。一般に、線記録密度と、磁気記録
媒体の保磁力Ｈｃ、残留磁束密度Ｂｒ、磁性層膜厚ｔと
の間には、次式の関係がある。
【０００３】線記録密度∝Ｈｃ／（Ｂｒ＊ｔ） 従って、記録密度を高めるためには、保磁力を高めるこ
とが必要となる。現状でも、保磁力として1800Ｏｅ以上
が要求されており、今後の技術動向を考慮すると、350
0、4500Ｏｅといったさらなる高保磁力化が想定されて
いる。このような磁気記録媒体の高保磁力化に対して、
主に大きな結晶磁気異方性を有するＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合
金系材料、Ｃｏ−Ｓｍ合金系材料が検討されている。
とが必要となる。現状でも、保磁力として1800Ｏｅ以上
が要求されており、今後の技術動向を考慮すると、350
0、4500Ｏｅといったさらなる高保磁力化が想定されて
いる。このような磁気記録媒体の高保磁力化に対して、
主に大きな結晶磁気異方性を有するＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合
金系材料、Ｃｏ−Ｓｍ合金系材料が検討されている。
【０００４】Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金系材料としては、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ−Ｂ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ等が用いられてい
るが、非常に高価な貴金属であるＰｔを用いるために、
コストの大幅な上昇は免れない。Ｃｏ−Ｓｍ合金系材料
を用いた媒体としては、幾例かの研究がなされている。
例えば、H.C.Theuerer等は、Ｃｏ−Ｓｍ合金を用い、基
板温度 500℃の条件にて高保磁力の面内磁化結晶膜を作
製している（J.Appl.Phys.40,2944(1969) ）。また、最
近では、E.M.T.Velu and D.N.Lambeth等が、ガラス及び
アルミ基板上に形成したＣｏ（82at％）−Ｓｍ（18at
％）合金媒体に関する論分を発表しており（J.Appl.Phy
s.69,5175(1992) 、および、IEEE Trans.Magn.28,3249
(1992) ）、保磁力として、最大3000Ｏｅの媒体が得ら
れている。しかしながら、前述したようにさらなる高保
磁力媒体が望まれている。
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ−Ｂ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ等が用いられてい
るが、非常に高価な貴金属であるＰｔを用いるために、
コストの大幅な上昇は免れない。Ｃｏ−Ｓｍ合金系材料
を用いた媒体としては、幾例かの研究がなされている。
例えば、H.C.Theuerer等は、Ｃｏ−Ｓｍ合金を用い、基
板温度 500℃の条件にて高保磁力の面内磁化結晶膜を作
製している（J.Appl.Phys.40,2944(1969) ）。また、最
近では、E.M.T.Velu and D.N.Lambeth等が、ガラス及び
アルミ基板上に形成したＣｏ（82at％）−Ｓｍ（18at
％）合金媒体に関する論分を発表しており（J.Appl.Phy
s.69,5175(1992) 、および、IEEE Trans.Magn.28,3249
(1992) ）、保磁力として、最大3000Ｏｅの媒体が得ら
れている。しかしながら、前述したようにさらなる高保
磁力媒体が望まれている。
【０００５】また、特公平５−７１１６５号公報に、強
磁性薄膜の形成方法として、Ｃｏ（85〜65at％）−Ｓｍ
（15〜35at％）合金を形成後、真空中もしくは非酸化性
雰囲気中において、 650〜 800℃でアニールする手法が
開示されている。本発明者らもＣｏ−Ｓｍ合金媒体に関
する実験を行う中で、特公平５−７１１６５号公報に記
載されているように１ｍTorrの真空中で 700℃／１分間
の熱処理を施してみた。その結果は次の通りである。
磁性薄膜の形成方法として、Ｃｏ（85〜65at％）−Ｓｍ
（15〜35at％）合金を形成後、真空中もしくは非酸化性
雰囲気中において、 650〜 800℃でアニールする手法が
開示されている。本発明者らもＣｏ−Ｓｍ合金媒体に関
する実験を行う中で、特公平５−７１１６５号公報に記
載されているように１ｍTorrの真空中で 700℃／１分間
の熱処理を施してみた。その結果は次の通りである。
【０００６】本発明者らの実験では、先ず特公平５−７
１１６５号公報に準じて（本公報では基板の材質につい
ては全く言及されていない）、アモルファスカーボン基
板上に直接Ｃｏ−Ｓｍ合金膜を形成し、 700℃で加熱処
理を行ったが、これは保磁力は低く、全く満足のいくも
のではなかった。そこで、次に、アモルファスカーボン
基板上に、下地層Ｃｒ、磁気記録層Ｃｏ（83at％）−Ｓ
ｍ（17at％）、上地層Ｃｒ、保護層ＳｉＯ2 を順次形成
して、 700℃で加熱処理を行った。しかし、これでも保
磁力は満足できるものではなかった。
１１６５号公報に準じて（本公報では基板の材質につい
ては全く言及されていない）、アモルファスカーボン基
板上に直接Ｃｏ−Ｓｍ合金膜を形成し、 700℃で加熱処
理を行ったが、これは保磁力は低く、全く満足のいくも
のではなかった。そこで、次に、アモルファスカーボン
基板上に、下地層Ｃｒ、磁気記録層Ｃｏ（83at％）−Ｓ
ｍ（17at％）、上地層Ｃｒ、保護層ＳｉＯ2 を順次形成
して、 700℃で加熱処理を行った。しかし、これでも保
磁力は満足できるものではなかった。
【０００７】本発明者らは、この原因につき種々推測し
たが、加熱処理温度が高すぎて、Ｃｒの拡散が促進され
すぎる結果、保磁力が満足されないのではないかと考え
た。そこで、アモルファスカーボン基板上に前記の各層
を形成し、加熱処理温度を250〜 650℃とすると、満足
できる保磁力を持つ磁気記録媒体を得ることができた。
たが、加熱処理温度が高すぎて、Ｃｒの拡散が促進され
すぎる結果、保磁力が満足されないのではないかと考え
た。そこで、アモルファスカーボン基板上に前記の各層
を形成し、加熱処理温度を250〜 650℃とすると、満足
できる保磁力を持つ磁気記録媒体を得ることができた。
【０００８】つまり、特公平５−７１１６５号公報の技
術をそのままアモルファスカーボン基板の磁気記録媒体
に適用しても満足できるものは得られないことが判明し
たのである。本発明は、上記の点に鑑み、アモルファス
カーボン基板を用い、磁気記録層としてはＰｔを含まな
い安価なＣｏ−Ｓｍ合金系材料を用いて、高記録密度対
応の高保磁力を有する磁気記録媒体を実現するための製
造方法を提供することを目的とする。
術をそのままアモルファスカーボン基板の磁気記録媒体
に適用しても満足できるものは得られないことが判明し
たのである。本発明は、上記の点に鑑み、アモルファス
カーボン基板を用い、磁気記録層としてはＰｔを含まな
い安価なＣｏ−Ｓｍ合金系材料を用いて、高記録密度対
応の高保磁力を有する磁気記録媒体を実現するための製
造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明では、基板とし
て、1000℃以上の耐熱性を有するアモルファスカーボン
基板を用いた。現在一般に使用されているＮｉ−Ｐメッ
キを施したＡｌ合金基板では、Ｎｉ−Ｐの磁化温度であ
る約 290℃が最大使用温度である。また、強化ガラス基
板では、高温加熱により強化処理層中のイオンが膜中に
拡散する問題や約500℃付近に軟化点があり基板の変形
が生じる可能性が高い。よって、これらは本発明での基
板としては適さない。
て、1000℃以上の耐熱性を有するアモルファスカーボン
基板を用いた。現在一般に使用されているＮｉ−Ｐメッ
キを施したＡｌ合金基板では、Ｎｉ−Ｐの磁化温度であ
る約 290℃が最大使用温度である。また、強化ガラス基
板では、高温加熱により強化処理層中のイオンが膜中に
拡散する問題や約500℃付近に軟化点があり基板の変形
が生じる可能性が高い。よって、これらは本発明での基
板としては適さない。
【００１０】本発明では、アモルファスカーボン基板上
に、下地層としてＣｒあるいはＣｒ合金、磁気記録層と
してＣｏ−Ｓｍ−Ｒ（ＲはＳｍ以外の希土類元素）合金
（但しＲ成分０at％を含む）、上地層としてＣｒ、Ｃｒ
合金あるいはＣｒの窒化物を具備する磁気記録媒体を前
提とする。本発明では、磁気記録層としてのＣｏ−Ｓｍ
−Ｒ合金をＣｏ（ 100−ｘ−ｙ）−Ｓｍ（ｘ）−Ｒ
（ｙ）合金（ｘ＝１〜30at％，ｙ＝０〜10at％）とし、
基板温度 400℃以下で、下地層、磁気記録層、上地層を
成膜後、不活性雰囲気中（不活性ガス中あるいは真空
中）で 250〜 650℃の加熱処理を施すことにより、磁気
記録媒体を得る。
に、下地層としてＣｒあるいはＣｒ合金、磁気記録層と
してＣｏ−Ｓｍ−Ｒ（ＲはＳｍ以外の希土類元素）合金
（但しＲ成分０at％を含む）、上地層としてＣｒ、Ｃｒ
合金あるいはＣｒの窒化物を具備する磁気記録媒体を前
提とする。本発明では、磁気記録層としてのＣｏ−Ｓｍ
−Ｒ合金をＣｏ（ 100−ｘ−ｙ）−Ｓｍ（ｘ）−Ｒ
（ｙ）合金（ｘ＝１〜30at％，ｙ＝０〜10at％）とし、
基板温度 400℃以下で、下地層、磁気記録層、上地層を
成膜後、不活性雰囲気中（不活性ガス中あるいは真空
中）で 250〜 650℃の加熱処理を施すことにより、磁気
記録媒体を得る。
【００１１】尚、磁気記録層としてのＣｏ−Ｓｍ−Ｒ合
金は、ｙ＝０を含むように、Ｒ成分無しのＣｏ−Ｓｍ合
金を含むものである。また、Ｒ成分としての希土類元素
としては、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｇｄなどを挙げることができ
る。下地層の役割は、磁気記録層（磁性層）の結晶配向
性を制御して、さらに保磁力を高めることにある。
金は、ｙ＝０を含むように、Ｒ成分無しのＣｏ−Ｓｍ合
金を含むものである。また、Ｒ成分としての希土類元素
としては、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｇｄなどを挙げることができ
る。下地層の役割は、磁気記録層（磁性層）の結晶配向
性を制御して、さらに保磁力を高めることにある。
【００１２】上地層の役割は、磁気記録層（磁性層）の
成分であるＳｍの酸化を防止すると共に、磁性層中へＣ
ｒを拡散させて高保磁力を達成することにある。上地層
として、Ｃｒ、Ｃｒ合金あるいはＣｒの窒化物に代え
て、非拡散性金属元素、該非拡散性金属元素を含む合金
あるいは該非拡散性金属元素の窒化物を用いてもよい。
成分であるＳｍの酸化を防止すると共に、磁性層中へＣ
ｒを拡散させて高保磁力を達成することにある。上地層
として、Ｃｒ、Ｃｒ合金あるいはＣｒの窒化物に代え
て、非拡散性金属元素、該非拡散性金属元素を含む合金
あるいは該非拡散性金属元素の窒化物を用いてもよい。
【００１３】ここでいう非拡散性とは、ＣｒやＣよりも
拡散しにくいことを意味し、非拡散性金属元素として
は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗを例
示できる。但し、上地層として非拡散性金属元素、該非
拡散性金属元素を含む合金あるいは該非拡散性金属元素
の窒化物を用いる場合、上地層の効果は、Ｓｍの酸化防
止効果のみである。
拡散しにくいことを意味し、非拡散性金属元素として
は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗを例
示できる。但し、上地層として非拡散性金属元素、該非
拡散性金属元素を含む合金あるいは該非拡散性金属元素
の窒化物を用いる場合、上地層の効果は、Ｓｍの酸化防
止効果のみである。
【００１４】また、磁気記録層を、Ｃｏ−Ｓｍ−Ｒ合金
よりなる複数の磁性層と、これらの磁性層間を隔てるＣ
ｒあるいはＣｒ合金よりなる非磁性層とを積層すること
により形成してもよい。このように磁性層を非磁性層で
分断することにより、非磁性層中のＣｒが磁性層のＣｏ
の結晶粒間に進入することで、磁性結晶粒間の磁気的相
互作用が低減されて、さらなる高保磁力化が達成でき
る。
よりなる複数の磁性層と、これらの磁性層間を隔てるＣ
ｒあるいはＣｒ合金よりなる非磁性層とを積層すること
により形成してもよい。このように磁性層を非磁性層で
分断することにより、非磁性層中のＣｒが磁性層のＣｏ
の結晶粒間に進入することで、磁性結晶粒間の磁気的相
互作用が低減されて、さらなる高保磁力化が達成でき
る。
【００１５】上地層の外側には、従来の一般的な磁気記
録媒体と同様に、保護層を成膜するが、保護層には、カ
ーボン、水素化カーボン、ＳｉＣ、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2
等が用いられる。また、加熱処理は保護層形成前でもよ
いし、形成後でもよい。但し、保護層形成後に加熱処理
を行う場合は、保護層の下の層に拡散しにくい材料で保
護層を形成することが好ましい。例えばＳｉＯ2 は好ま
しく、一般にＣを含む材料は好ましいとは言えない。
録媒体と同様に、保護層を成膜するが、保護層には、カ
ーボン、水素化カーボン、ＳｉＣ、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2
等が用いられる。また、加熱処理は保護層形成前でもよ
いし、形成後でもよい。但し、保護層形成後に加熱処理
を行う場合は、保護層の下の層に拡散しにくい材料で保
護層を形成することが好ましい。例えばＳｉＯ2 は好ま
しく、一般にＣを含む材料は好ましいとは言えない。
【００１６】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。 〔実施例１〕基板には、密度 1.5ｇ／cm3 、ビッカース
硬度 650なる特性を有する1.89”（外径48mm）のアモル
ファスカーボン基板を用いた。そして、この基板を精密
洗浄（アルカリ洗浄→リンス→リンス→温純水乾燥）
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。尚、図１に実施例１の膜構
造を示す。
硬度 650なる特性を有する1.89”（外径48mm）のアモル
ファスカーボン基板を用いた。そして、この基板を精密
洗浄（アルカリ洗浄→リンス→リンス→温純水乾燥）
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。尚、図１に実施例１の膜構
造を示す。
【００１７】１）下地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層：Ｃｏ（83at％）−Ｓｍ（17at％） Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚25ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 300℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、以下の手法により保磁
力を求めた。
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層：Ｃｏ（83at％）−Ｓｍ（17at％） Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚25ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 300℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、以下の手法により保磁
力を求めた。
【００１８】保磁力は、ＶＳＭ（振動試料型磁力計）に
より最大磁界15ｋＯｅまで印加して得られたＭ−Ｈルー
プより求めた。結果を表１に示す。 〔実施例２〕基板は、実施例１と同じであり、精密洗浄
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。
より最大磁界15ｋＯｅまで印加して得られたＭ−Ｈルー
プより求めた。結果を表１に示す。 〔実施例２〕基板は、実施例１と同じであり、精密洗浄
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。
【００１９】１）下地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層：Ｃｏ（83at％）−Ｓｍ（17at％） Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚35ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 600℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、実施例１と同様に、保
磁力を求めた。結果を表１に示す。 〔実施例３〕基板は、実施例１と同じであり、精密洗浄
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。尚、図２に実施例３の膜構
造を示す。
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層：Ｃｏ（83at％）−Ｓｍ（17at％） Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚35ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 600℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、実施例１と同様に、保
磁力を求めた。結果を表１に示す。 〔実施例３〕基板は、実施例１と同じであり、精密洗浄
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。尚、図２に実施例３の膜構
造を示す。
【００２０】１）下地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層（磁性層／非磁性層／磁性層／非磁性層
／磁性層／非磁性層／磁性層／非磁性層／磁性層の９
層） ・磁性層：Ｃｏ（83at％）−Ｓｍ（17at％） ×５層 Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚７ｎｍ ・非磁性層：Ｃｒ ×４層 Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚２ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 600℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、実施例１と同様に、保
磁力を求めた。結果を表１に示す。 〔実施例４〕磁気記録層の組成以外は、実施例１と同じ
であり、磁気記録層の組成は下記の通りである。
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層（磁性層／非磁性層／磁性層／非磁性層
／磁性層／非磁性層／磁性層／非磁性層／磁性層の９
層） ・磁性層：Ｃｏ（83at％）−Ｓｍ（17at％） ×５層 Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚７ｎｍ ・非磁性層：Ｃｒ ×４層 Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚２ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 600℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、実施例１と同様に、保
磁力を求めた。結果を表１に示す。 〔実施例４〕磁気記録層の組成以外は、実施例１と同じ
であり、磁気記録層の組成は下記の通りである。
【００２１】磁気記録層：Ｃｏ（78at％）−Ｓｍ（15at
％）−Ｐｒ（７at％） 〔実施例５〕磁気記録層の組成以外は、実施例１と同じ
であり、磁気記録層の組成は下記の通りである。 磁気記録層：Ｃｏ（80at％）−Ｓｍ（18at％）−Ｃｅ
（２at％） 〔実施例６〕磁気記録層の組成以外は、実施例１と同じ
であり、磁気記録層の組成は下記の通りである。
％）−Ｐｒ（７at％） 〔実施例５〕磁気記録層の組成以外は、実施例１と同じ
であり、磁気記録層の組成は下記の通りである。 磁気記録層：Ｃｏ（80at％）−Ｓｍ（18at％）−Ｃｅ
（２at％） 〔実施例６〕磁気記録層の組成以外は、実施例１と同じ
であり、磁気記録層の組成は下記の通りである。
【００２２】磁気記録層：Ｃｏ（81at％）−Ｓｍ（17at
％）−Ｇｄ（２at％） 〔比較例１〕基板は、実施例１と同じであり、精密洗浄
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。 １）下地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層：Ｃｏ（65at％）−Ｓｍ（35at％） Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚35ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 700℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、実施例１と同様に、保
磁力を求めた。結果を表１に示す。 〔比較例２〕基板は、実施例１と同じであり、精密洗浄
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。
％）−Ｇｄ（２at％） 〔比較例１〕基板は、実施例１と同じであり、精密洗浄
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。 １）下地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層：Ｃｏ（65at％）−Ｓｍ（35at％） Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚35ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 700℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、実施例１と同様に、保
磁力を求めた。結果を表１に示す。 〔比較例２〕基板は、実施例１と同じであり、精密洗浄
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。
【００２３】１）下地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層：Ｃｏ（65at％）−Ｓｍ（35at％） Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚35ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 600℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、実施例１と同様に、保
磁力を求めた。結果を表１に示す。
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層：Ｃｏ（65at％）−Ｓｍ（35at％） Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚35ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 600℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、実施例１と同様に、保
磁力を求めた。結果を表１に示す。
【００２４】
【表１】 上記の結果から、実施例１〜６では、十分な保磁力が得
られ、磁気記録層をＣｏ（ 100−ｘ−ｙ）−Ｓｍ（ｘ）
−Ｒ（ｙ）合金（ｘ＝１〜30at％，ｙ＝０〜10at％）と
し、基板温度 400℃以下で、下地層、磁気記録層、上地
層を成膜後、不活性雰囲気中で 250〜 650℃の加熱処理
を施すことにより、高保磁力が得られることが確認され
た。
られ、磁気記録層をＣｏ（ 100−ｘ−ｙ）−Ｓｍ（ｘ）
−Ｒ（ｙ）合金（ｘ＝１〜30at％，ｙ＝０〜10at％）と
し、基板温度 400℃以下で、下地層、磁気記録層、上地
層を成膜後、不活性雰囲気中で 250〜 650℃の加熱処理
を施すことにより、高保磁力が得られることが確認され
た。
【００２５】また、実施例３のように、磁気記録層を、
Ｃｏ−Ｓｍ合金よりなる複数の磁性層と、これらの磁性
層間を隔てるＣｒあるいはＣｒ合金よりなる非磁性層と
を積層して形成することで、さらなる高保磁力化を達成
できることも確認された。一方、比較例１では、Ｃｏ−
Ｓｍの組成が範囲外の65−35％であり、また加熱処理温
度が範囲外の 700℃であることにより、高保磁力は得ら
なかった。
Ｃｏ−Ｓｍ合金よりなる複数の磁性層と、これらの磁性
層間を隔てるＣｒあるいはＣｒ合金よりなる非磁性層と
を積層して形成することで、さらなる高保磁力化を達成
できることも確認された。一方、比較例１では、Ｃｏ−
Ｓｍの組成が範囲外の65−35％であり、また加熱処理温
度が範囲外の 700℃であることにより、高保磁力は得ら
なかった。
【００２６】また、比較例２では、加熱処理温度は範囲
内の 600℃であるが、Ｃｏ−Ｓｍの組成が範囲外の65−
35％であることにより、高保磁力は得られなかった。
内の 600℃であるが、Ｃｏ−Ｓｍの組成が範囲外の65−
35％であることにより、高保磁力は得られなかった。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、磁
気記録層としてＰｔを含まない安価なＣｏ−Ｓｍ−Ｒ合
金を用いて、高記録密度対応の高保磁力を有する磁気記
録媒体を実現することができるという効果が得られる。
また、磁気記録層を、Ｃｏ−Ｓｍ−Ｒ合金よりなる複数
の磁性層と、これらの磁性層間を隔てるＣｒあるいはＣ
ｒ合金よりなる非磁性層とを積層して形成することで、
さらなる高保磁力化を達成することができるという効果
が得られる。
気記録層としてＰｔを含まない安価なＣｏ−Ｓｍ−Ｒ合
金を用いて、高記録密度対応の高保磁力を有する磁気記
録媒体を実現することができるという効果が得られる。
また、磁気記録層を、Ｃｏ−Ｓｍ−Ｒ合金よりなる複数
の磁性層と、これらの磁性層間を隔てるＣｒあるいはＣ
ｒ合金よりなる非磁性層とを積層して形成することで、
さらなる高保磁力化を達成することができるという効果
が得られる。
【図１】 実施例の膜構造を示す図
【図２】 実施例の膜構造を示す図
Claims (4)
- 【請求項１】アモルファスカーボン基板上に、下地層と
してＣｒあるいはＣｒ合金、磁気記録層としてＣｏ−Ｓ
ｍ−Ｒ（ＲはＳｍ以外の希土類元素）合金（但しＲ成分
０at％を含む）、上地層としてＣｒ、Ｃｒ合金あるいは
Ｃｒの窒化物を具備する磁気記録媒体において、 磁気記録層としてのＣｏ−Ｓｍ−Ｒ合金をＣｏ（ 100−
ｘ−ｙ）−Ｓｍ（ｘ）−Ｒ（ｙ）合金（ｘ＝１〜30at
％，ｙ＝０〜10at％）とし、基板温度 400℃以下で、下
地層、磁気記録層、上地層を成膜後、不活性雰囲気中で
250〜 650℃の加熱処理を施すことを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法。 - 【請求項２】前記上地層として、Ｃｒ、Ｃｒ合金あるい
はＣｒの窒化物に代えて、非拡散性金属元素、該非拡散
性金属元素を含む合金あるいは該非拡散性金属元素の窒
化物を用いることを特徴とする請求項１記載の磁気記録
媒体の製造方法。 - 【請求項３】前記非拡散性金属元素は、Ｓｉ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、又はＷであることを特徴
とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】前記磁気記録層を、Ｃｏ−Ｓｍ−Ｒ合金よ
りなる複数の磁性層と、これらの磁性層間を隔てるＣｒ
あるいはＣｒ合金よりなる非磁性層とを積層することに
より形成することを特徴とする請求項１〜請求項３のい
ずれか１つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13668895A JPH08329464A (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13668895A JPH08329464A (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08329464A true JPH08329464A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15181153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13668895A Pending JPH08329464A (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08329464A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000077778A1 (fr) * | 1999-06-14 | 2000-12-21 | Fujitsu Limited | Support d'enregistrement magnetique, son procede de fabrication et dispositif a disque magnetique |
-
1995
- 1995-06-02 JP JP13668895A patent/JPH08329464A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000077778A1 (fr) * | 1999-06-14 | 2000-12-21 | Fujitsu Limited | Support d'enregistrement magnetique, son procede de fabrication et dispositif a disque magnetique |
| US7270897B2 (en) | 1999-06-14 | 2007-09-18 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, method of manufacturing the same medium and magnetic disc drive |
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