JPS6043225A - 磁気記録媒体の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気記録媒体、特に非磁性支持体」−に金属磁
性薄）映を被着したいわゆる金属薄膜型磁気記録媒体の
製法に係わる。

背景技術とその問題点 ｉｊＥ来一般に普及されている磁気記録媒体は、剣状の
磁性粉とＩ［］１分子結合剤とを主体とする磁性層＊、
１を非磁性支持体上に塗布して磁性層を形成した塗布型
の磁気記録媒体である。

これに比し、Ｇｏ、　Ｆｅ、旧等の磁１１４金属、或い
はこれらの合金を直空Δ１スパッタリング、或いはイオ
ンプレーテインク等のいわゆるフィジカル・ペーパー・
デポジション技術によって非磁性支持体上に形成する金
属薄成型の磁気記録媒体は、その磁性層中に非磁性の結
合剤が混入されζいないために著しく商い残留磁束密度
をＲるごとができること、また磁性層を極めて薄く形成
することができるために西出力几つバＩ波１↓Ｌｆ’ｚ
答性に１１くれているという利点を有する。

しかしながら、ごの種の薄膜型の磁気記録媒体において
、そのＧｏ等の留性金属をＪ″１１に非俳慴支Ｂ＋体」
−に例えば蒸着したたりでは、充分１（１１い抗０り力
１１Ｇを有する磁性層を得ることは困ｅＭｆである。、
二のような薄１晩型硼気記録媒体Ｇこおいて、ｌ用い抗
（ｄ力１１（を有する磁性層を得る方法としては、ｄ＋
−＜＆！ｉ　４１１１支持体に対し゛（、上述の母性金
属の蒸発粒子を斜めに入射さ・ける斜め蒸着法が提案さ
れている。ところがこのような斜め蒸着法による場合、
范着りノ率が低く生産性に劣るという欠点かある。

発明の目的 本発明は、斜め蒸着法によらノ、（い場合に十９いζも
、非磁Ｐ１°支持体上に容易に晶い抗磁力を有し、その
面内で磁気特性が等方的とされた磁性金属薄成型の磁気
記録媒体の製法を提供するものである。

発明の概要 本発明においては、第１図に示すように、非磁性支持体
上（１）に、固化時に体積が膨張する金属による下地層
（２）と、これの上に形成された金属磁性薄膜（３）と
を設け、その−ト地１背または金属磁性薄膜の少くとも
一方を、酸素が導入された雰囲気中でゝ蒸着する。

非磁性支持体は、例えばポリエチレンテレフタレート、
ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド等の高分子
フィルム、ガラスセラミック、ザファイア或いは表面を
酸化した金属板等を用いることができる。

実施例 非磁性支持体１１１−の−１・地ＩＮ　（２１と、これ
の上の金属磁性薄膜（３）は、夫々例えば第２図に示す
共通のへルジャー（４）中におりる真空蒸着によっ゛ζ
形成するが、これらド地屓（２）及び金属磁性Ｓ　Ｎ’
Ａ　１３）の双方、或いはいずれか一方は酸素ガスが導
入され、この酸素分圧が他のガスの分圧より最も、Ｗｉ
　＜されノこ雰囲気中での蒸着による。この酸素ガス導
入による蒸着は、ベルジ中−（４）内を、５　Ｘ　１０
’　ｔｏｒｒより、１＋Ｉ真空の例えばＩ　Ｘ　１Ｏ−
５ｔｏｒｒとし、これに０２ガスを導入することによっ
ζＩ　Ｘ　１Ｏ−４ｔｏｒｒ以−トの雰囲気とするごと
によって、−ト地層（２）及び（または）金属磁性’？
ｊ　ＩＩ　＋３）の蒸着を行う。　−ド地漸（２）は、
その蒸着材が非磁性支持体（１）ヒで凝固、すなわち固
化するとき、体積膨張する金属例えば１３＋、　Ｇａ、
　ｓｂ、　Ｇｅ、　Ｓｔの夫々或いはこれらのいずれか
を含む金属例えば５ｉ−Ｃｕ、Ｓｉ−篩、　Ｇｅ−篩。

Ｇｅ−Ｉｎ等の合金によって構成され、そのｊすさは、
５０〜３００人に選定される。表１は、上述した各相料
の同化時の体積膨張率ΔＶ／Ｖ　（ごこに■は液状時の
体積、Δ■はその同化による体積変化分をボず）と、融
点＋ｎ、ｐを小したものである。

表　１ □□− 金属磁性薄膜（３）は、Ｃｏ、　Ｆｅ、　Ｎｉのいずれ
か或いはこれら金属の合金により構成され、その厚さは
１００〜１０００人に選定される。

第２図において、（５）は、上述の下地層（２）を形成
する金属の蒸着源、（６）は上述の金属磁性薄膜（３）
を形成する磁性金属の蒸着源で、これら蒸着源（５）及
び（ム）に対向して例えばフィルム状の非磁性支持体（
１）を、その供給ロール（７）から巻取りロール（８）
側へと移行さ−Ｕる。第２図において（９）は加熱手段
、例えばハロゲンランプを示す。（１０）は、両蒸着源
（５）及び（６）間に設＆Ｊられた隔壁である。

実施例１ 第２図に示した蒸着装置によって、フィルム状の非磁性
支持体（１）を供給ロール（７）から巻取ロール（８）
へと移行させながら蒸若柳（５）及び（６）より、人々
ＢｉとＧｏ−Ｎｉとを同時に蒸発さ−ヒで支持体（１１
上に、その移行に伴ってＢｉＦ地１＠（２１とＣｏ　−
３０原子％Ｎｉ０）金属磁性薄膜（３）とを順次蒸着し
６行く。そし′ζ、特にこの蒸着に際しては、この蒸着
に先立−９゛（・＼ルジャー（４）内を排気して、Ｉ　
Ｘ　１ｏ−５ｔｏｒｒの真空となし、その後０２ガスを
３７．５ｃｃ／分をもってヘルジャ−（４）内に導入し
てＩ　Ｘ　１０−’、ｔｏｒｒとし、この雰囲気−トで
上述したＢｉと、Ｃｏ−Ｎｉの蒸着を行った。

この時、加熱手段（９）による非磁性支持体＋１１の加
ｊ′ハ温度は１５０℃とし、Ｒ４ｌ’地１ｍ　（２１の
蒸着厚は）３０人、Ｃ６−Ｎｉ金属磁性薄膜（３）の蒸
着厚は３５０人とした。

この実施例１におい゛ζ０２ガスの導入口を第２図にお
いて、符号ａ、ｂ、ｃで人々７］＜ずように、支持体（
１）の供給側巻取側、これらの中間位置の３つの位置に
夫々切り換え選定し、且つ人々そのイバ給流量（ｃｃ／
分）を変化させ°乙Ｒｉド地１ｉＡ（２１と、Ｃｏ−Ｎ
ｉ金属磁性￥Ｉ＃１１￥（３）を蒸着して磁気記録媒体
を作成し、夫々についてその磁気１）、’？　（ＩＩを
測定した。

その測定結果を第３図ないし第５図に小ず。

第３図は０２ガス流量を変化させた場合の夫々飽和磁束
密度の変化率、すなわち酸素を供給しない場合の飽和磁
束密度ψｓｏに対し酸素を導入した場合のそれψＳの比
ψＳ／ψｓｏの測定結果を示し、同図中曲線（３１）　
、（３２）及び（３３）は夫々　０２ガス導入口を、第
２図９導入口ａ、ｂ及びＣとした場合である。また第４
図及びｆＡ５図は夫々　０２ガス流量を変化させた場合
の、夫々の角型比Ｒｓ、及び抗磁ノ月１ｃの測定結果を
示し、これら図において、（４１）及び（５１）は導入
口ａの場合、（４２）及び（５２）は導入口すの場合、
（４３）及び（５３）は導入口Ｃの場合である。

これら第３図〜第５図より明らかなように、０２ガスの
導入口の位置に係わらず、０２ガス流量を人にするにつ
れ、ｌｌｃは商くなりＲｓは低くなる傾向を示ずが、Ｒ
ｓの低下については、０２ガス導入口をｂ　４Ｙ′Ｌ置
とするとき最も顕著となる。したがって０２ガス導入に
よてｌｌｃの向上がはかられることは明らかであるが、
Ｒｓを考慮して、ガス導入口は、下地層（２）の蒸着源
（５）側（ａ位置）、或いは、下地層（２）及び金属磁
性薄膜（３）の各蒸着高１　（５１及び（６）の境界部
側とすることが望ましいことがわかる。

向、上述した例においては、非磁性支持体（１）上に一
ト地層（２）を形成した場合であるが、下地層（２）が
Ｓｉ或いはＳｉの化合物例えば５ｔ０２以外のものを用
いるときは、非磁性支持体（１１１にＳｉ、　５ｉｆ２
等の非晶質膜を形成し、これの」二にト地則（２）を形
成することによって、よりＩＩＲ生成の向上をはかるこ
とができる。

また、金属磁性膜は一層に限られるものではなく上述の
下地層を介在させた多層構造とすることもできる。

発明の効果 上述したように本発明によれば、非俳性支持体ｆｌｌ上
に、その凝固時に体積膨張の７＝トシる金属１〜地層（
２）を介して金属磁性薄１１９　（３１を夫々蒸着する
ことによって、斜め蒸着によらずとも、１・地層の凝固
時の膨張に因る磁性薄膜の表面に依存し°にの（ｔＨ性
薄薄膜微細化され、これに因ゲＣ＃Ｉｉい抗磁〕月ＩＣ
を得ることができるのであるが、更にその藻着に当っ′
ζ０２ガスを導入することにょっ°Ｃ安定してよりｉｌ
’ｌｉいｌｌｃの向」−をはかることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による磁気記録媒体の一例の路線的断面
図、第２図は蒸着装置の一例の構成図、第３１ヌ１ない
し第５図ｃＬ＠素ガスの流量と各磁気的特性を示す曲線
図である。 ｉｌｌは非磁性支持体、（３）は金Ｊ、ｌ！磁性ＨＶＩ
央、（２）は］・地層である。 第３図 覧／Ｖｓ。 ０２力゛討り量（ＣＣ／、介） ０２プ１“スンｔＬＩ　（ＣＣ／Ｇ） 第５図 ０２　’７’７；ｔ］［（ＣＣ／ｅ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性支１４体上に、同化時に体積が膨張する金属によ
   る下地層と、これの上に形成された金属磁性薄睦とを、
   順次上記１・地階または」二記金属磁性踏膜の少くとも
   一方を、酸素が導入された雰囲気中で４着する磁気記録
   媒体の製法。