JPS6045932A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS6045932A JPS6045932A JP58153688A JP15368883A JPS6045932A JP S6045932 A JPS6045932 A JP S6045932A JP 58153688 A JP58153688 A JP 58153688A JP 15368883 A JP15368883 A JP 15368883A JP S6045932 A JPS6045932 A JP S6045932A
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- Japan
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- metal
- magnetic recording
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録媒体、特に非磁性基体上に金属磁性薄
膜を被着したいわゆる金属薄膜型磁気記録媒体に係わる
。
膜を被着したいわゆる金属薄膜型磁気記録媒体に係わる
。
背景技術とその問題点
従来一般に普及されている磁気記録媒体線針状の磁性粉
と高分子結合剤とを主体とする磁性塗料を非磁性基体上
に塗布して磁性層を形成した塗布型の磁気記録媒体であ
る。
と高分子結合剤とを主体とする磁性塗料を非磁性基体上
に塗布して磁性層を形成した塗布型の磁気記録媒体であ
る。
これに比し、Co、Fe、N1等の磁性金属、或いはこ
れらの合金を真空蒸着、ス・母ツタリング、或いはイオ
ングレーティング等のいわゆるフィジカルベーパーデポ
ジション技術によって非磁性基体上に形成する金属薄膜
型の磁気記録媒体はその磁性層中に非磁性の結合剤が混
入されていないために著しく高い残留磁束密度を得るこ
とができること、また磁性層を極めて薄く形成すること
ができるために高出力且つ短波長応答性に優れていると
いう利点を有する。
れらの合金を真空蒸着、ス・母ツタリング、或いはイオ
ングレーティング等のいわゆるフィジカルベーパーデポ
ジション技術によって非磁性基体上に形成する金属薄膜
型の磁気記録媒体はその磁性層中に非磁性の結合剤が混
入されていないために著しく高い残留磁束密度を得るこ
とができること、また磁性層を極めて薄く形成すること
ができるために高出力且つ短波長応答性に優れていると
いう利点を有する。
しかしながら、この種の薄膜型の磁気記録媒体において
そのCo等の磁性金属を単に非磁性基体上に例えば蒸着
しただけでは充分高い抗磁力Hcを有する磁性層を得る
とと拡困難である。このような薄膜型磁気記録媒体にお
いて高い抗磁力Hcを有する磁性層を得る方法としては
非磁性基体に対して上述の磁性金属の蒸着粒子を斜めに
入射させる斜め蒸着法が提案されている。しかしながら
、このような斜め蒸着法による場合においても必ずしも
安定して充分高い抗磁力HCが得られるものではない。
そのCo等の磁性金属を単に非磁性基体上に例えば蒸着
しただけでは充分高い抗磁力Hcを有する磁性層を得る
とと拡困難である。このような薄膜型磁気記録媒体にお
いて高い抗磁力Hcを有する磁性層を得る方法としては
非磁性基体に対して上述の磁性金属の蒸着粒子を斜めに
入射させる斜め蒸着法が提案されている。しかしながら
、このような斜め蒸着法による場合においても必ずしも
安定して充分高い抗磁力HCが得られるものではない。
このような点に鑑み非磁性基体上にB1等の下地層を被
着し、これの上に垂直、或いは斜め蒸着によって金属磁
性薄膜を形成したものが提案されたこのような下地層が
形成された金属薄膜型の磁気記録媒体においては、高い
抗磁力I[cを得ること≠Iできるものの、この抗磁力
Haは下地層の厚さに依存し1.また角型比軸も、この
下地層の厚さに依存するe第1図中、実線曲線及び破線
曲線は、夫々下地層の厚さに対する抗磁力Hcと角型比
Rsの関係を示したもので、これよシ明らか力ように下
地層Blの厚さを厚くすれば抗磁力Hcは増大するが、
角型比R6は小さくなってしまう。一方、角型比R3を
大きくさせるために下地層Bit薄くすると抗磁力He
が低下してしまう。またこれら抗磁力Haと角型比Rg
は、例えばこの下地層上に形成する金属磁性薄膜の厚さ
及びその組成等にも依存するものであるが、仁れらいず
れについても両抗磁力HCと角型比R8の関係は相容れ
危いものでおる6そして、従来のこの種磁気記録媒体に
おいて得られる角型比は最大85%程度であシ、このと
きの抗磁力は30000程度である。この場合、抗磁力
tieを高くしようとすると最大30000s以上のも
のを得るととt−きるが、このとき角型比は65%以下
になってしまう。
着し、これの上に垂直、或いは斜め蒸着によって金属磁
性薄膜を形成したものが提案されたこのような下地層が
形成された金属薄膜型の磁気記録媒体においては、高い
抗磁力I[cを得ること≠Iできるものの、この抗磁力
Haは下地層の厚さに依存し1.また角型比軸も、この
下地層の厚さに依存するe第1図中、実線曲線及び破線
曲線は、夫々下地層の厚さに対する抗磁力Hcと角型比
Rsの関係を示したもので、これよシ明らか力ように下
地層Blの厚さを厚くすれば抗磁力Hcは増大するが、
角型比R6は小さくなってしまう。一方、角型比R3を
大きくさせるために下地層Bit薄くすると抗磁力He
が低下してしまう。またこれら抗磁力Haと角型比Rg
は、例えばこの下地層上に形成する金属磁性薄膜の厚さ
及びその組成等にも依存するものであるが、仁れらいず
れについても両抗磁力HCと角型比R8の関係は相容れ
危いものでおる6そして、従来のこの種磁気記録媒体に
おいて得られる角型比は最大85%程度であシ、このと
きの抗磁力は30000程度である。この場合、抗磁力
tieを高くしようとすると最大30000s以上のも
のを得るととt−きるが、このとき角型比は65%以下
になってしまう。
発明の目的
本発明においては、上述した金属薄膜型の磁気記録媒体
においてその角型比と抗磁力の両者を同時に高めること
ができる磁気記録媒体を提供するものである。
においてその角型比と抗磁力の両者を同時に高めること
ができる磁気記録媒体を提供するものである。
発明の概要
本発明においては、第2図に示すように非磁性基体(1
)上に、凝固時に体積膨張する金属の下地層(2)と、
これの上に基体温度が120℃以上で入射角が40°以
上の斜め蒸着によって形成された金属磁性薄膜(3)と
を有してなる。
)上に、凝固時に体積膨張する金属の下地層(2)と、
これの上に基体温度が120℃以上で入射角が40°以
上の斜め蒸着によって形成された金属磁性薄膜(3)と
を有してなる。
実施例
本発明においては、非磁性基体(1)上に液状体から凝
固時に体積膨張する金属の下地層(2)と、これの上に
金属磁性薄膜(3)とを形成するものであるが、非磁性
基体(1)は下地層(2)及び金属磁性薄膜(3)の被
着形成時の基体加熱温度に耐える耐熱性を有す例えば、
fリアミド、ポリイミド等の高分子フィルム、若しく轢
ガラスセラミック、表面酸化した金属板等の焦機物等を
用い得る。
固時に体積膨張する金属の下地層(2)と、これの上に
金属磁性薄膜(3)とを形成するものであるが、非磁性
基体(1)は下地層(2)及び金属磁性薄膜(3)の被
着形成時の基体加熱温度に耐える耐熱性を有す例えば、
fリアミド、ポリイミド等の高分子フィルム、若しく轢
ガラスセラミック、表面酸化した金属板等の焦機物等を
用い得る。
また、下地層(2)は、凝固時に体積が膨張する金属、
例えばBi 、Ga 、8b 、Go 、81 を或い
はこれら゛金属の合金5i−Cu、5l−An、Ge−
AutGe−In等を例えば3ON300Xの厚さに蒸
着して形成する。表1に各金属の液体から凝固時に膨張
する体積の膨張(吻と融点m、pを示す。
例えばBi 、Ga 、8b 、Go 、81 を或い
はこれら゛金属の合金5i−Cu、5l−An、Ge−
AutGe−In等を例えば3ON300Xの厚さに蒸
着して形成する。表1に各金属の液体から凝固時に膨張
する体積の膨張(吻と融点m、pを示す。
表 1
金属磁性薄膜(3)社Co IF e FN i e或
いはこれらの合金の例えばNlがO〜40原子チ含むC
o−N1合金等を100〜1000 Xに斜め蒸着して
形成する。この金属磁性薄膜(3)の蒸着は特に基体温
度120”C以上好ましくは130℃以上とし、基体面
に対する入射角すなわち基体面の法線に対するh度が4
0°以上となる斜め蒸着によって形成する。
いはこれらの合金の例えばNlがO〜40原子チ含むC
o−N1合金等を100〜1000 Xに斜め蒸着して
形成する。この金属磁性薄膜(3)の蒸着は特に基体温
度120”C以上好ましくは130℃以上とし、基体面
に対する入射角すなわち基体面の法線に対するh度が4
0°以上となる斜め蒸着によって形成する。
第3図は、基体(1)に対する下地層(2)及び金属磁
性薄膜(3)の蒸着装置の一例を示す。図中O)は真空
容器で、(ロ)はその真空ポンプ等の排気系に連結され
る排気口を示す。真空容器αカ内には例えばフィルム状
の非磁性基体(1)を走行移行させる供給ロール(2)
と巻取リールQ4とが配置される。α→はこの基体(1
)を加熱するハロダンラング等の加熱手段を示す。そし
て容器(l内の基体(1)の移行途上に対向して下地層
の蒸着源Q峰と金属磁性薄膜の蒸着riOf)とを配置
する。傷!Sは両蒸着源←O及び0力間と更に蒸着源α
力と基体(1)との間の一部を遮蔽する遮蔽板で、これ
によシ金属磁性薄膜の蒸着源a″/)からの蒸着粒子の
基体(すに対する入射角θが40°以上の帥、囲にある
ように選定される。ここに基体(1)は、下地層の蒸着
源QQ側から金属磁性薄膜の蒸着源0ηへと移行するよ
うになされて、基体(す上にまず蒸着源0りからの下地
層が蒸着されてのち、これの上に金属磁性薄膜が斜め蒸
着によって被着される′ようになされる。
性薄膜(3)の蒸着装置の一例を示す。図中O)は真空
容器で、(ロ)はその真空ポンプ等の排気系に連結され
る排気口を示す。真空容器αカ内には例えばフィルム状
の非磁性基体(1)を走行移行させる供給ロール(2)
と巻取リールQ4とが配置される。α→はこの基体(1
)を加熱するハロダンラング等の加熱手段を示す。そし
て容器(l内の基体(1)の移行途上に対向して下地層
の蒸着源Q峰と金属磁性薄膜の蒸着riOf)とを配置
する。傷!Sは両蒸着源←O及び0力間と更に蒸着源α
力と基体(1)との間の一部を遮蔽する遮蔽板で、これ
によシ金属磁性薄膜の蒸着源a″/)からの蒸着粒子の
基体(すに対する入射角θが40°以上の帥、囲にある
ように選定される。ここに基体(1)は、下地層の蒸着
源QQ側から金属磁性薄膜の蒸着源0ηへと移行するよ
うになされて、基体(す上にまず蒸着源0りからの下地
層が蒸着されてのち、これの上に金属磁性薄膜が斜め蒸
着によって被着される′ようになされる。
実施例1
第3図で説明した蒸着装置を用いてlXl0−torr
下で基体(1)上に下地層(2)と金属磁性薄膜(3)
とを蒸着する。この蒸着時の基体温度は、150℃とし
蒸着源0QとしてはBi蒸着源を、蒸着源ぐっとしては
Co−30原子%N1合金(Co−N13g)を用いた
。そして基体(1)上にBi下地層(2)を80芙の厚
さに蒸着し、これの上にC0−N13041t!A磁性
薄膜(3)をその厚さが100X〜1000^の間で夫
々変化させて蒸着した各磁気記録媒体を得た。この場合
Co−Ni3gの基体(1)への最低入射角θは40°
に選定した。このようにして得た各磁気記録媒体のCo
+Jl 5(3金属磁性薄膜の膜厚に対する抗磁力H
C及び角型比R8について測定した結果を第4図及び第
5図中、曲線θカ及び6])に示鳴尚、第4図及び第5
図において夫々曲線(ロ)及び幹は非磁性基体上に夫々
下地層及び金属磁性薄膜を垂直に蒸着して得た磁気記録
媒体の同様のCo−Nt、。
下で基体(1)上に下地層(2)と金属磁性薄膜(3)
とを蒸着する。この蒸着時の基体温度は、150℃とし
蒸着源0QとしてはBi蒸着源を、蒸着源ぐっとしては
Co−30原子%N1合金(Co−N13g)を用いた
。そして基体(1)上にBi下地層(2)を80芙の厚
さに蒸着し、これの上にC0−N13041t!A磁性
薄膜(3)をその厚さが100X〜1000^の間で夫
々変化させて蒸着した各磁気記録媒体を得た。この場合
Co−Ni3gの基体(1)への最低入射角θは40°
に選定した。このようにして得た各磁気記録媒体のCo
+Jl 5(3金属磁性薄膜の膜厚に対する抗磁力H
C及び角型比R8について測定した結果を第4図及び第
5図中、曲線θカ及び6])に示鳴尚、第4図及び第5
図において夫々曲線(ロ)及び幹は非磁性基体上に夫々
下地層及び金属磁性薄膜を垂直に蒸着して得た磁気記録
媒体の同様のCo−Nt、。
金属磁性薄膜の膜厚に対する抗磁力Hc及び角型比Rg
の関係の測定結果を示すもので曲線θ→及び輪は、夫々
下地層を形成することなく本発明と同様に最低入射角4
0°で斜め蒸着して得た磁気記録媒体の同様の測定結果
を示すものである。これら第4図及び第5図によって明
らかなように本発明による磁気記録媒体は従来のいずれ
の磁気記録媒体に比しても高い抗磁力Heを得るこ′と
ができるものであシ、シかもその角型比R8においても
下地層を設けない場合と同程度に高くでき、下地層及び
金属磁性薄膜を垂直蒸着した例に比しては数−〜10%
以上向上していることがわかる。
の関係の測定結果を示すもので曲線θ→及び輪は、夫々
下地層を形成することなく本発明と同様に最低入射角4
0°で斜め蒸着して得た磁気記録媒体の同様の測定結果
を示すものである。これら第4図及び第5図によって明
らかなように本発明による磁気記録媒体は従来のいずれ
の磁気記録媒体に比しても高い抗磁力Heを得るこ′と
ができるものであシ、シかもその角型比R8においても
下地層を設けない場合と同程度に高くでき、下地層及び
金属磁性薄膜を垂直蒸着した例に比しては数−〜10%
以上向上していることがわかる。
尚、上述した例においてはBi下地層も斜め蒸着される
がこの下地層に関しては、垂直蒸着する場合も、同等の
効果が得られ、生産性の見地からはこの下地層に関して
は垂直蒸着を適用することが望ましい・ 発明の効果 上述したように本発明による磁気記f!!媒体によれば
、凝固(固化時)体積膨張する金属の下地層(2)を形
成することと仁れの上に金属磁性薄膜(3)を斜め蒸着
することとが相俟って高い抗磁力Heを得ることができ
、しか屯その角型比も85%程度以上に高めることがで
き、所期の目的を達成し得るものである。
がこの下地層に関しては、垂直蒸着する場合も、同等の
効果が得られ、生産性の見地からはこの下地層に関して
は垂直蒸着を適用することが望ましい・ 発明の効果 上述したように本発明による磁気記f!!媒体によれば
、凝固(固化時)体積膨張する金属の下地層(2)を形
成することと仁れの上に金属磁性薄膜(3)を斜め蒸着
することとが相俟って高い抗磁力Heを得ることができ
、しか屯その角型比も85%程度以上に高めることがで
き、所期の目的を達成し得るものである。
尚、下地層を形成することな(Co−Nlの連続斜め蒸
着法による場合において、この蒸着に当って酸素導入を
なせば大きな抗磁力が得られるが、このような酸化によ
る場合飽和磁束密度の低下は免れないものであるが、本
発明による磁気記録媒体によれば、何等酸素導入をする
ことなく、高抗磁力を得るようにしているのでこの酸化
による飽和磁束密度の低下が回避できる。
着法による場合において、この蒸着に当って酸素導入を
なせば大きな抗磁力が得られるが、このような酸化によ
る場合飽和磁束密度の低下は免れないものであるが、本
発明による磁気記録媒体によれば、何等酸素導入をする
ことなく、高抗磁力を得るようにしているのでこの酸化
による飽和磁束密度の低下が回避できる。
第1図は本発明の説明に供する磁気記録媒体の下地層と
抗磁力及び角型比の関係を示す特性曲線図、第2図は本
発明による磁気記録媒体の一例の路線的拡大断面図、第
3図は本発明による磁気記録媒体を得る蒸着装置の一例
の路線的構成図、第4図及び第5図は本発明による磁気
記録媒体と従来の磁気記録媒体の各磁気的特性の対比図
である。 (すは非磁性基体、(2)は下地層、(3)は金属磁性
薄膜である。 第1図 →下ル眉へ厚さ 第2図 第8囚 第4図 第5図
抗磁力及び角型比の関係を示す特性曲線図、第2図は本
発明による磁気記録媒体の一例の路線的拡大断面図、第
3図は本発明による磁気記録媒体を得る蒸着装置の一例
の路線的構成図、第4図及び第5図は本発明による磁気
記録媒体と従来の磁気記録媒体の各磁気的特性の対比図
である。 (すは非磁性基体、(2)は下地層、(3)は金属磁性
薄膜である。 第1図 →下ル眉へ厚さ 第2図 第8囚 第4図 第5図
Claims (1)
- 非磁性基体上に凝固時に体積膨張する金属の下地層と、
これの上に基体温度が120℃以上で、入射角が40°
以上の斜め蒸着によって形成された金属磁性薄膜とを有
して々る磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58153688A JPS6045932A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58153688A JPS6045932A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6045932A true JPS6045932A (ja) | 1985-03-12 |
Family
ID=15567965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58153688A Pending JPS6045932A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6045932A (ja) |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP58153688A patent/JPS6045932A/ja active Pending
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