JPS6158884B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気ヘツドの製造方法にかかり、特
に１μｍ以下の狭い磁気ギヤツプを形成するのに
適した方法を提供しようとするものである。

一般に、磁気ヘツドにおいて、磁気ギヤツプの
スペーサに常磁性体あるいは反磁性体のような低
透磁率物質の薄層が用いられており、この磁気ギ
ヤツプのスペーサの形成にスパツタリング蒸着法
が有用であることが知られている。この方法は、
たとえば１対の高透磁率磁性体の一方の表面に、
スパツタリング蒸着で、たとえばガラス薄層を
0.5μｍの厚さに沈着され、次にこのガラス薄層
を介して他方の高透磁率磁性体を接着して、磁気
ギヤツプを形成するという方法である。

第１図は、この種のガラス蒸着を実施するため
のスパツタリング装置の原理的な構造を示す。こ
のスパツタリング装置の主要部は、ターゲツト電
極１と、それに対向する位置に配置されたアノー
ド電極２からなる。そして、ターゲツト電極１
の、アノード電極２側の面をガラスにし、ガラス
薄層を被覆すべき高透磁率磁性体３をアノード電
極２の表面に配置して、スパツタリングをしてい
る。しかしながら、高透磁率磁性体としてフエラ
イトを用いた場合、スパツタリング蒸着中、フエ
ライトの表面の磁気特性が電子線の照射やプラズ
マとの反応等により劣化する。すなわち、それら
による高温あるいは電子の射突により発生する機
械的歪はフエライト表面における透磁率を3000程
度の初期値から2000程度まで低下させる。従つ
て、特性の優れた磁気ギヤツプを再現性よく形成
することができなかつた。

発明者らは、このような問題を解決するため
に、スパツタリング蒸着について種々検討した結
果、フエライトの配置場所に最適位置があること
を見つけ、スパツタリング蒸着中におけるフエラ
イト表面の特性劣化を抑えて、特性の優れた磁気
ギヤツプを再現性よく形成する方法を発明した。

第２図は、この方法の一実施例を説明するため
のもので、ガラス薄層蒸着用のスパツタリング装
置を示す。その主要部は、ターゲツト電極１１
と、これに対向したアノード電極１２と、ターゲ
ツト電極１１の側面に配置されたフエライト１３
からなる。図では、側面位置に配置されたホール
ダ１４に、フエライト１３を固定した場合を示し
ている。ターゲツト電極１１の全体または表面
を、スペーサ材料である硬質ガラスで構成する。
これはガラス紛末、焼結体、ガラス板のいずれで
もよい。

このような配置関係でスパツタリング蒸着をす
ると、フエライト表面の特性劣化が著しく抑えら
れる。この側面配置の効果の詳細は明らかでない
が、その理由の一つとして、フエライト１３に対
する、ターゲツト電極１１からの高速電子の照射
やプラズマとの反応が少なくなつたことがあげら
れる。

なお、この種のスパツタリング蒸着は、ターゲ
ツトが、通常、絶縁体であるから、いわゆる高周
波スパツタリング法で実施することが実際的であ
る。また、ターゲツトのスパツタリング蒸着中の
組成変化が酸素雰囲気により抑制されるから、ス
パツタリングの雰囲気は、酸素雰囲気たとえばア
ルゴン50％、酸素50％、ガス圧５×10^-2Torrの
混合ガスを使用すればよい。

スパツタリング蒸着の際に、フエライト１３の
温度を室温から300℃の範囲内に保持することが
望ましい。フエライト１３の温度が300℃を超え
ると、その熱エツチングが発生し、特性が劣化す
る。また、室温よりも低いと、ガラスの付着性が
著しく劣化し、磁気ギヤツプの特性が低下する。
フエライト１３の最適温度範囲は120〜180℃であ
る。この温度範囲ではフエライト１３に対するガ
ラス薄層の付着力が特に優れ、フエライト１３の
磁気特性のスペーサ蒸着加工による劣化も生じて
いなかつた。

第３図は他の実施例を説明するためのものであ
る。ここでは、スパツタリング蒸着において、フ
エライト１３の表面に平行な成分をもつ磁力線１
５を、ターゲツト電極１１や、アノード電極１２
の近傍を含めたスパツタ空間に形成し、ターゲツ
ト電極１１からの高速電子がフエライト１３に照
射されることを防止している。これによりフエラ
イト１３の表面の特性劣化を、前述の実施例より
も一層減少させることができる。

以上の説明では、スペーサ物質として硬質ガラ
スの例を示したが、スペーサ物質はこれに限られ
るものでなく、低透磁率材料であつて、熱膨張率
がフエライトに近くかつ機械的強度が大きいもの
であればよい。たとえば硬質ガラスとフエライト
との混合体でもよい。

以上説明したように、本発明の方法では、フエ
ライトからなる高透磁率磁性体の表面に、低透磁
率物質のガラス層をスパツタリング蒸着によつて
形成して、磁気ギヤツプを構成するに際して、フ
エライトからなる高透磁率磁性体をターゲツト電
極の側面に配置しているので、フエライト表面の
磁気的な性質すなわち透磁率を低下させることな
く、磁気ヘツドを製造することができる。そし
て、ガラスの薄層は、スパツタリング蒸着で形成
するため、その厚さを１μｍ以下とすることも容
易で、狭ギヤツプの磁気ヘツドを再現性よく製造
することができ、より一層磁気記録密度を向上さ
せることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気ヘツドの製造方法を説明す
るための図、第２図、第３図はそれぞれ本発明に
かかる磁気ヘツドの製造方法の実施例を説明する
ための図である。 １１……ターゲツト電極、１２……アノード電
極、１３……フエライト、１４……ホルダー、１
５……磁力線。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ １対のフエライトからなる高透磁率磁性体の
   少なくとも一方の表面に、ガラスの薄層をスパツ
   タリング蒸着法で沈着させ、前記１対の高透磁率
   磁性体を前記ガラスの薄層を介して接合すること
   により、磁気ギヤツプを形成するに際して、前記
   スパツタリング蒸着を、表面が前記ガラスからな
   るターゲツト電極、および前記ターゲツト電極と
   対向する位置に配置されたアノード電極を用い、
   前記ターゲツト電極の側面に前記高透磁率磁性体
   を配置して実施し、前記高透磁率磁性体の表面に
   膜厚が１μｍ以下の前記ガラスの薄層を形成する
   ことを特徴とする磁気ヘツドの製造方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の磁気ヘツドの製
   造方法において、高透磁率磁性体に対するガラス
   のスパツタリング蒸着を高周波スパツタリングで
   実施することを特徴とする方法。 ３ 特許請求の範囲第１項または第２項記載の磁
   気ヘツドの製造方法において、スパツタリング蒸
   着を酸素雰囲気中で実施することを特徴とする方
   法。 ４ 特許請求の範囲第１項、第２項または第３項
   記載の磁気ヘツドの製造方法において、スパツタ
   リング蒸着を、高透磁率磁性体の温度を室温〜
   300℃の範囲内の温度に保つて実施することを特
   徴とする方法。 ５ 特許請求の範囲第１項、第２項、第３項また
   は第４項記載の磁気ヘツドの製造方法においてス
   パツタリング蒸着を、少なくとも高透磁率磁性体
   の表面に平行な成分を有する磁場において実施す
   ることを特徴とする方法。