JPH0226292B2 - - Google Patents
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- JPH0226292B2 JPH0226292B2 JP10858681A JP10858681A JPH0226292B2 JP H0226292 B2 JPH0226292 B2 JP H0226292B2 JP 10858681 A JP10858681 A JP 10858681A JP 10858681 A JP10858681 A JP 10858681A JP H0226292 B2 JPH0226292 B2 JP H0226292B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、短波長記録に適した金属薄膜型磁気
記録媒体の製造方法に関し、保磁力の大きい、角
形比の大きい強磁性薄膜を高速で得る方法の提供
を目的とする。
記録媒体の製造方法に関し、保磁力の大きい、角
形比の大きい強磁性薄膜を高速で得る方法の提供
を目的とする。
金属薄膜型の磁気記録媒体の製造方法として、
真空蒸着法、スパツタリング法、イオンプレーテ
イング法、湿式めつき法等があるが、低速オーデ
イオシステムとして近年注目を集めている、マイ
クロカセツトレコーダ用の蒸着テープの実用化に
より、蒸着法が工業技術として一歩先行したとい
える。
真空蒸着法、スパツタリング法、イオンプレーテ
イング法、湿式めつき法等があるが、低速オーデ
イオシステムとして近年注目を集めている、マイ
クロカセツトレコーダ用の蒸着テープの実用化に
より、蒸着法が工業技術として一歩先行したとい
える。
しかし、ビデオ用途のように、1μm以下の記録
波長で高感度のテープを得るには、マイクロカセ
ツト用テープの保磁力より、はるかに高い保磁力
が必要とされるとともに、角形比の向上も強く望
まれている。
波長で高感度のテープを得るには、マイクロカセ
ツト用テープの保磁力より、はるかに高い保磁力
が必要とされるとともに、角形比の向上も強く望
まれている。
本発明はかかる点に鑑みなされたもので、第１
図を用い説明する。
図を用い説明する。
図に示すように円筒状キヤン２の周側面に沿つ
て、送り出し軸６より送り出された高分子成形物
基板１は、矢印Ａの方向に移動し、捲き取り軸７
により捲き取られる。移動する基板１上に、蒸発
源３より発生した蒸発原子により、特定の入射角
以上に限定するためのマスク５で制限された強磁
性層の形成が行われる。
て、送り出し軸６より送り出された高分子成形物
基板１は、矢印Ａの方向に移動し、捲き取り軸７
により捲き取られる。移動する基板１上に、蒸発
源３より発生した蒸発原子により、特定の入射角
以上に限定するためのマスク５で制限された強磁
性層の形成が行われる。
ここで円筒状キヤン２の中心をＯとし、蒸発源
３の中心に立てた法線をg1、中心をＳとする。な
お第１図ではキヤン２の中心Ｏの真下に蒸発源３
の中心Ｓがない構成をとつてあるが、これにこだ
わらないのは勿論である。
３の中心に立てた法線をg1、中心をＳとする。な
お第１図ではキヤン２の中心Ｏの真下に蒸発源３
の中心Ｓがない構成をとつてあるが、これにこだ
わらないのは勿論である。
Ｓからみて、入射角が90゜となる点をP0とする
と、ＯとP0を結ぶ直線l1上か、それに近い位置に
電極４を配設する。
と、ＯとP0を結ぶ直線l1上か、それに近い位置に
電極４を配設する。
円筒状キヤン２は真空槽（通常、アースに保持
される。）から絶縁される。例えば軸受をデルリ
ン等の絶縁物で保持するような構成で絶縁するこ
とができるが、絶縁方法については、これにこだ
わらない。
される。）から絶縁される。例えば軸受をデルリ
ン等の絶縁物で保持するような構成で絶縁するこ
とができるが、絶縁方法については、これにこだ
わらない。
又電極４も、同様に真空槽から絶縁される。電
極４は、必要に応じてガスが供給できるよう中空
状に構成されてもよい。
極４は、必要に応じてガスが供給できるよう中空
状に構成されてもよい。
電極４は複数本あつてもよいし、パイプ状であ
る必要もなく、高入射（入射角が80゜〜90゜に近い
範囲）の成膜が行われるところで放電が維持され
る構成であれば良い。
る必要もなく、高入射（入射角が80゜〜90゜に近い
範囲）の成膜が行われるところで放電が維持され
る構成であれば良い。
円筒状キヤン２、電極４の絶縁が、蒸着により
劣化しないように、絶縁物の蒸気からの遮へいは
適宜工夫される。
劣化しないように、絶縁物の蒸気からの遮へいは
適宜工夫される。
次に具体的に実施例を説明する。
実施例 １
φ500の幅600mmの円筒状キヤンを、絶縁抵抗
AC1000V、15MΩに絶縁保持し、電極はφ25、幅
600とし同じく、AC1000V、25MΩに絶縁保持し
た。酸素ガスを該電極の近傍から0.3／min導
入しながら、円筒状キヤンと電極の間に、商用周
波数の交流電圧を印加し、放電電流をパラメータ
にして、ポリエチレンテレフタレート10.5μ上に
Co100φの強磁性層0.15μを入射角40゜で形成した
時の保磁力と角形比を第２図に示した。第２図に
おいて放電電流Ｏの場合が従来例にあたる訳であ
るが、本発明におけるこの例では、保磁力で40φ
向上し、角形比が0.85から1.0にまで高められた。
その結果記録波長0.8μでの再生出力は、従来より
も3dB高くすることができた。
AC1000V、15MΩに絶縁保持し、電極はφ25、幅
600とし同じく、AC1000V、25MΩに絶縁保持し
た。酸素ガスを該電極の近傍から0.3／min導
入しながら、円筒状キヤンと電極の間に、商用周
波数の交流電圧を印加し、放電電流をパラメータ
にして、ポリエチレンテレフタレート10.5μ上に
Co100φの強磁性層0.15μを入射角40゜で形成した
時の保磁力と角形比を第２図に示した。第２図に
おいて放電電流Ｏの場合が従来例にあたる訳であ
るが、本発明におけるこの例では、保磁力で40φ
向上し、角形比が0.85から1.0にまで高められた。
その結果記録波長0.8μでの再生出力は、従来より
も3dB高くすることができた。
実施例 ２
実施例１と同じ構成で、ポリアミドフイルム
8μ上にCo80％Ni20％の強磁性層0.13μを形成し
た。全く放電しないで、酸素を0.4／min導入
した場合の保磁力は700Oe、角形比0.8であつた
が、キヤンと電極間に、反射波を0.15KW以下に
保持した13.56MHzの高周波電圧を印加して成膜
した場合、1.2KW投入時、保磁力1200Oe、角形
比0.97で、記録波長0.75μでの再生出力は、6.7dB
と極めて大きい。
8μ上にCo80％Ni20％の強磁性層0.13μを形成し
た。全く放電しないで、酸素を0.4／min導入
した場合の保磁力は700Oe、角形比0.8であつた
が、キヤンと電極間に、反射波を0.15KW以下に
保持した13.56MHzの高周波電圧を印加して成膜
した場合、1.2KW投入時、保磁力1200Oe、角形
比0.97で、記録波長0.75μでの再生出力は、6.7dB
と極めて大きい。
実施例 ３
実施例１、２のそれぞれについて、円筒状キヤ
ンをアースにして得たCo膜と、CoNi膜は、
夫々、およそ0.5dB出力が低い程度であり、キヤ
ンの絶縁構成のはん雑さからすれば充分利点があ
る。
ンをアースにして得たCo膜と、CoNi膜は、
夫々、およそ0.5dB出力が低い程度であり、キヤ
ンの絶縁構成のはん雑さからすれば充分利点があ
る。
実施例 ４
φ1000のキヤンをアースし、放電電極をAlの
φ30の円筒（長さ650）で、中に、アルニコ磁石
をＮ極、Ｓ極、夫々対向するように、26ケ配設
し、電極に直流電圧200Wを印加し、酸素0.35
／minでCo100％、Co80％Ni20％、Co75％
Ni25％、夫々0.15μをポリエチレンテレフタレー
ト15μ上に形成した時の夫々の従来の製造方法で
得たテープに対しての相対出力は、夫々4.2dB、
7.5dB、5.8dB高いものであつた。
φ30の円筒（長さ650）で、中に、アルニコ磁石
をＮ極、Ｓ極、夫々対向するように、26ケ配設
し、電極に直流電圧200Wを印加し、酸素0.35
／minでCo100％、Co80％Ni20％、Co75％
Ni25％、夫々0.15μをポリエチレンテレフタレー
ト15μ上に形成した時の夫々の従来の製造方法で
得たテープに対しての相対出力は、夫々4.2dB、
7.5dB、5.8dB高いものであつた。
なおここで用いた電子ビーム蒸着とは、その変
形としての電界蒸着、イオンプレーテイングも含
むものである。
形としての電界蒸着、イオンプレーテイングも含
むものである。
本発明はガスを導入しない場合についても有効
であつた。又、磁性層の種類も、Co−Cr、Co−
Ti、Co−Mo、Co−Ｖ、Co−Ｗ、Co−Fe、Fe
についてもその効果は類似していた。
であつた。又、磁性層の種類も、Co−Cr、Co−
Ti、Co−Mo、Co−Ｖ、Co−Ｗ、Co−Fe、Fe
についてもその効果は類似していた。
以上のように本発明により、短波長記録用途の
蒸着テープの製造はより確実なものとなり、その
工業的有価値は大である。
蒸着テープの製造はより確実なものとなり、その
工業的有価値は大である。
第１図は本発明による磁気記録媒体の製造方法
を説明するための図、第２図は本発明の効果を説
明するための図である。 １……高分子成形物基板、２……円筒状キヤ
ン、３……蒸発源、４……電極、５……マスク。
を説明するための図、第２図は本発明の効果を説
明するための図である。 １……高分子成形物基板、２……円筒状キヤ
ン、３……蒸発源、４……電極、５……マスク。
Claims (1)
- １ 円筒状キヤンの周側面に沿つて移動する高分
子成形物基板に電子ビーム蒸着にて磁性層を形成
する際、上記基板上の蒸着物質気流の入射角が
90゜となる位置の近傍を放電状態にして上記磁性
層の形成を行なうことを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10858681A JPS5812134A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10858681A JPS5812134A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5812134A JPS5812134A (ja) | 1983-01-24 |
| JPH0226292B2 true JPH0226292B2 (ja) | 1990-06-08 |
Family
ID=14488557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10858681A Granted JPS5812134A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812134A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6052929A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-03-26 | Hitachi Condenser Co Ltd | 磁気記録媒体の製造装置 |
| JPS6059534A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH0294025A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-04 | Tonen Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1981
- 1981-07-10 JP JP10858681A patent/JPS5812134A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5812134A (ja) | 1983-01-24 |
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