KR960019428A - 평면 마그네트론 스퍼터링 방법 및 장치 - Google Patents

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라일 크라우스 데니스
씨. 워제워다 데이비드
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엘리 웨이스
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract

내측 도관을 포함하는 냉각 블록을 가지고 있는 마그네트론 스퍼터링 장치가 개시되어 있다. 제1표면에 제1 및 제2홈들을 가지는 타깃이 제공되어 있고, 그 타깃의 제1표면의 적어도 일부분이 냉각 블록의 제1표면과 접촉하여 있다. 제1극편이 타깃의 제1홈내에 배치되고, 제2극편이 제2홈내에 배치되어 있다. 제1극편과 접촉하여 제1극성을 가지는 제1자석과, 제2극편과 접촉하여 제1자석의 극성과 반대의 극성을 가지는 제2자석이 배치되어 있다. 냉각 블록의 제2표면과 제1 및 제2자석들과 접촉하여 판이 제공되어 있고, 냉각 블록의 내측 도관에 냉각제를 공급하기 위한 수단과 냉각 블록에 전압을 인가하기 위한 수단이 제공되어 있다. 제1 및 제2극편들이 제1 및 제2자석들에 의해 생성된 자속을 타깃의 반대쪽 제2표면쪽으로 전도한다.

Description

평면 마그네트론 스퍼터링 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 분해 사시도,
제2도는 제1도의 선 2-2에 따른 본 발명의 장치의 단면도,
제3도는 바람직한 실시예에 따른 스퍼터링 체임버의 부분 단면 평면도,
제4도는 제3도의 선 4-4를 따라 취한 장치의 단면도.

Claims (20)

  1. 내측 도관을 가진 냉각 블록; 제1표면에 제1 및 제2홈들을 가지고 있고, 그 제1표면의 적어도 일 부분이 상기 냉각 블록의 제1표면과 접촉하여 있는 타깃; 상기 제1홈내에 배치되는 제1극편, 상기 제2홈내에 배치되는 제2극편; 상기 제1극편과 접촉하여 제1극성을 가지는 제1자석; 상기 제2극편과 접촉하여 상기 제1자석의 극성과 반대의 극성을 가지는 제2자석; 상기 냉각 블록의 제2표면과 상기 제1 및 제2자석들과 접촉하여 있는 판; 상기 냉각 블록의 내측 도관에 냉각제를 공급하기 위한 수단; 및 상기 냉각 블록에 전압을 인가하기 위한 수단을 포함하고; 상기 제1 및 제2극편들이 상기 제1 및 제2자석들에 의해 생성된 자속을 상기 타깃의 반대쪽 제2표면쪽으로 전도하는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2자석이 상기 제1자석의 가장자리와 사실상 동일 평면상에 있는 가장자리를 가지고 있고, 상기 제1자석을 둘러싸는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 타깃의 제2홈이 제1홈을 둘러싸는 폐쇄된 루우프를 이루는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2극편이 상기 제1극편을 둘러싸는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 냉각 블록이 중앙 개방부를 가지는 폐쇄된 고리인 마그네트론 스퍼터링 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1자석이 상기 냉각 블록의 상기 중앙 개방부내에 배치되고, 상기 제2자석이 상기 냉각 블록을 둘러싸고 배치되는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 냉각 블록의 표면이 상기 제1 및 제2자석들의 가장자리들과 사실상 동일 평면상에 있는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 타깃의 제1 및 제2홈들이 그 안에 배치되는 상기 제1 및 제2극편들의 두께를 명목상 초과하는 깊이를 가지는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 타깃이 상기 냉각 블록의 제1표면과 견고히 접촉되게 하는데 적합하게 된 접합수단을 더 포함하는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2극편들이 연철로 만들어진 마그네트론 스퍼터링 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 타깃이 구리, 티탄, 및 티탄-팔라듐 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 된 마그네트론 스퍼터링 장치.
  12. 타깃으로부터 입자들을 기판상에 스퍼터링하기 위한 마그네트론 스퍼터링 시스템으로서, 기판과 문 조립체를 장착하기 위한 수단을 안에 가지고 있는 배기가능한 체임버; 상기 문 조립채네에 설치되고 그 문 조립체로 부터 전기적으로 절연되어 있는 냉각 블록; 제1 및 제2홈들을 가진 제1표면과, 상기 기판에 인접한 제2표면을 가지고 있고, 상기 제1표면의 적어도 일 부분이 상기 냉각 블록의 제1표면과 접촉하여 있는 타깃; 상기 제1홈내에 배치되는 제1극편; 상기 제2홈내에 배치되는 제2극편; 상기 제1극편과 접촉하여 제1극성을 가지는 제1자석; 상기 제2극편과 접촉하여 상기 제1자석의 극성과 반대의 극성을 가지는 제2자석; 상기 냉각 블록의 제2표면과 상기 제1 및 제2자석들과 접촉하여 있는 판; 상기 냉각 블록의 내측 도관에 냉각제를 공급하기 위한 수단; 및 상기 타깃내에서 이온들을 가속시켜 그 타깃의 반대쪽 제2표면으로부터 입자들을 스퍼터링하도록 그 타깃에 사실상 수직인 전계를 생성시키기 위해 상기 냉각 블록에 전압을 인가하기 위한 수단을 포함하고; 상기 제1 및 제2극편들이 상기 제1 및 제2자석들에 의해 생성된 자속을 상기 타깃의 제2표면쪽으로 전도하는 마그네트론 스퍼터링 시스템.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제2자석이 상기 제1자석을 둘렀는 폐쇄된 루우프로서 형성된 마그네트론 스퍼터링 시스템.
  14. 제13항에 있어서, 상기 타깃의 제2홈이 제1홈을 둘러싸는 루우프를 이루는 마그네트론 스퍼터링 시스템.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제2극편이 상기 제1극편을 둘러싸는 마그네트론 스퍼터링 시스템.
  16. 제12항에 있어서, 상기 타깃의 제1 및 제2홈들이 그 안에 배치되는 상기 제1 및 제2극편들의 두께를 명목상 초과하는 깊이를 가지는 마그네트론 스퍼터링 시스템.
  17. 스퍼터링 체임버내 기판상에 물질을 스퍼터링하는 방법으로서, 냉각 블록의 제1표면과 자속을 생성하는 제1 및 제2자석들로 향하는 타깃의 제1표면에 형성된 제1 및 제2홈들내에 제1 및 제2극편들이 배치되도록 상기 스퍼터링 체임버내에 스퍼터링 물질의 타깃을 배치하는 단계; 상기 제1 및 제2자석들이 상기 타깃의 반대쪽 제2표면으로 자속을 전도하는 상기 제1 및 제2극편들과 접촉하여 있도록 상기 타깃의 제1표면을 상기 냉각 블록에 견고히 접합시키는 단계; 상기 냉각 블록의 제2표면과 상기 제1 및 제2자석들에 판을 접촉시키는 단계; 상기 기판과 상기 타깃의 제2표면과의 사이에서 상기 스퍼터링 체임버내에 스퍼터링 지역을 형성하도록 상기 타깃의 제2표면에 대향하는 관계로 상기 스퍼터링 체임버내에 상기 기판을 배치하는 단계; 및 스퍼터링 물질이 상기 기판상에 부착되도록 상기 스퍼터링 체임버내 상기 스퍼터링 지역을 가로질로 상기 타깃의 제2표면으로부터 물질을 스퍼터링하는 단계를 포함하는 스퍼터링 방법.
  18. 제17항에 있어서, 스퍼터링 작동중에, 상기 타깃과 접촉하여 잇는 상기 냉각 블록의 내측 도관에 냉각제를 공급함으로써 상기 타깃을 냉각시키는 것을 더 포함하는 스퍼터링 방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 제2자석이 상기 제1자석을 둘러싸고 있고, 상기 제2극편이 상기 제1극편을 둘러싸고 있는 스퍼터링 방법.
  20. 제17항에 있어서, 상기 타깃의 제1표면에 형성된 상기 제1 및 제2홈들의 깊이가 상기 제1 및 제2극편들의 두께를 명목상 초과하는 스퍼터링 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950044787A 1994-11-30 1995-11-29 평면 마그네트론 스퍼터링 방법 및 장치 KR960019428A (ko)

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5985115A (en) * 1997-04-11 1999-11-16 Novellus Systems, Inc. Internally cooled target assembly for magnetron sputtering
CN1109127C (zh) * 1998-10-09 2003-05-21 北京振涛国际钛金技术有限公司 非平衡平面磁控溅射阴极及其镀膜装置
US6299740B1 (en) 2000-01-19 2001-10-09 Veeco Instrument, Inc. Sputtering assembly and target therefor
EP1835524A1 (de) * 2006-03-16 2007-09-19 Sulzer Metco AG Befestigungsvorrichtung für eine Sputterquelle
JP5265149B2 (ja) 2006-07-21 2013-08-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド マルチカソード設計用冷却暗部シールド
CN102234776A (zh) * 2010-04-22 2011-11-09 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 磁控溅镀装置
TW201144462A (en) * 2010-06-10 2011-12-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Coating device
RU198710U1 (ru) * 2020-02-10 2020-07-23 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Дагестанский федеральный исследовательский центр Российской академии наук" Распылительный магнетрон
CN114481072B (zh) * 2022-02-16 2023-10-13 青岛科技大学 一种旋转式中间预热磁控溅射靶装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3878085A (en) * 1973-07-05 1975-04-15 Sloan Technology Corp Cathode sputtering apparatus
US4407708A (en) * 1981-08-06 1983-10-04 Eaton Corporation Method for operating a magnetron sputtering apparatus
US4486289A (en) * 1982-02-05 1984-12-04 University Of British Columbia, Canada Planar magnetron sputtering device
US4434042A (en) * 1982-03-01 1984-02-28 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Planar magnetron sputtering apparatus
US4606802A (en) * 1983-12-21 1986-08-19 Hitachi, Ltd. Planar magnetron sputtering with modified field configuration
DE3624150C2 (de) * 1986-07-17 1994-02-24 Leybold Ag Zerstäubungskatode nach dem Magnetronprinzip
US5317006A (en) * 1989-06-15 1994-05-31 Microelectronics And Computer Technology Corporation Cylindrical magnetron sputtering system
DE3929695C2 (de) * 1989-09-07 1996-12-19 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
DE4135939A1 (de) * 1991-10-31 1993-05-06 Leybold Ag, 6450 Hanau, De Zerstaeubungskathode
US5277779A (en) * 1992-04-14 1994-01-11 Henshaw William F Rectangular cavity magnetron sputtering vapor source
US5262028A (en) * 1992-06-01 1993-11-16 Sierra Applied Sciences, Inc. Planar magnetron sputtering magnet assembly
US5282947A (en) * 1992-08-13 1994-02-01 Vlsi Technology, Inc. Magnet assembly for enhanced sputter target erosion
US5286361A (en) * 1992-10-19 1994-02-15 Regents Of The University Of California Magnetically attached sputter targets

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US5441614A (en) 1995-08-15
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CN1130215A (zh) 1996-09-04

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