JPS6233766A - 陰極スパツタリング装置で基板を被覆するスパツタリング陰極 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、陰極基体と、該基体上（二装置された、スパ
ッタリング面を有する非磁性材料から成るターゲットと
、永久磁石を有しかつ磁界線から成る、スパッタリング
面を内包する、自体で閉じたトンネルを発生させるため
の磁界線の出入のための、空気に境界を接した極面を有
する磁石系と、スパッタリングに利用されない面を内包
しかつ少なくとも磁石系をおおうシールドとを有してお
り、その際 ａ）ターゲットは少なくとも２個の、自体で閉じた、同
心的（−内外に嵌合された、非磁性材料だけから成る突
出部を備え、該突出部が包囲しかつ相互（−向かい合っ
た壁面の間に少なくとも１つのスノξツタリング面を有
し上記壁面の導線がスパッタリング面に対して実質的に
垂直に延び、かつ ｂ）極面は、突出部及びそれらの間に位置するス・ξツ
クリング面の両側に、かつスパッタリング面が位置する
面上にあって、磁界線の大部分が実質的に垂直な方向で
、一方の突出部の一方の壁面が出て、スパッタリング面
を横切った後に他方の一方の壁面から出て、スパッタリ
ング面に実質的に垂直な方向で入るように設定されてい
る 形式の陰極スパッタリング装置で基板を被覆するスパッ
タリング陰極に関する。

従来の技術 製品被覆用スパッタリング陰極は、スノξツタリング面
の多数の幾何学的形態を有するものが公知である。全て
の系は、スパッタリング面全体に亘ってその後に配置さ
れた磁石系（二よって磁界線から成る閉じたトンネルが
発生せしめられ、該トンネルがプラズマを濃縮するため
に役立ちかつグロー放電を形成するために必要なイオン
化確率が低圧でも著しく高められる点１共通している。

その結果として、あらゆる場合、スパッタリングすべき
同一材料に対してその（也は同じ操作パラメータで、磁
界支持装置が存在しない場合よりも著しく高いスパッタ
リング速度が生じる。

前記用語“磁気トンネル“とは、磁界線がわん曲した、
スノξツタリング面にまで達するために十分な経過を有
するか、又は専らトラフ状溝の終端部を成す、わん曲し
てない経過を有するどうかとは無関係に、磁界線による
立体的に制限された範囲のトンネル状閉鎖帯であると理
解されるべきである。

前記用語”突出部″とは、スパッタリング面が位置する
Ｅ−５面を基準として見るべきである。従って、突出部
の方向は、少なくとも夫々のスパッタリング面に面した
、各突出部の壁面を基準として、上記面Ｅ−Ｅに対して
法線方向に延びる。更（−１用語°突出部″はターゲッ
トの初期の（処女的）状態を基準とし、かつ公知技術水
準（−おいて侵食溝の両側に残っている隆起部と混同さ
れるべき１ない。これは、既に前記面Ｅ−Ｅに対して斜
めに延びる壁面のためにプラズマの許容される封入条件
を満足することができない。この場合、突起部と、ター
ゲットのスパッタリング面を有する部分は、例えばター
ゲット縁部の両側に突出するケーシング部分がターゲッ
トによって絶縁された西独国特許出願公開第３４１１５
３６号明細書記載の公知技術水準とは異なり、電気的及
び機械的ユニットを構成する、従ってこれらは操作）ξ
ラメークに起因する中間電位に調整することができる。

従って、突起部の高さに関しては、有利には僅かな暗室
間隔の寸法、例えば約６　ｍｍの寸法で十分である。

“磁界線の主要成分が一方の壁面から実質的に垂直な方
向フ出て、他方の壁面に再び入る″という記載は、厳密
には９００の覗き角度１あると見なされるべき雫ない。

経験的に、この角度から約１５〜２００のずれは無害で
あることが判明した、従って出入角度は７００の角度を
有することもフきる。

冒頭に記載した形式のスパッタリング陰極は、米国特許
第４，４８６，２８７号明細書から公知である。しかし
ながら、該公知スパッタリング陰極においては、永久磁
石は突起部に対して直角方向に、すなわちスパッタリン
グ面に対して平行に磁化される。従って、円形リング状
スパッタリング面の場合には、磁化方向は半径方向フあ
る。この事実は一方では陰極の大きな外径をもたらし、
他方では陰極の中心部で永久磁石の比較的大きな体積及
び該永久磁石を基体と連結するヨークの比較的大きな容
積が占有される、従って小さな陰極は実際に製造されな
い。同様なことは、細長い又は長方形の陰極についても
当嵌る。

もう１つの欠点は、ターゲット材料が規定どおりに消費
される際には、磁界からその都度の瞬間的スパッタリン
グ面ま１の距離、ひいてはプラズマを包囲する磁界の張
度が変化することにある。このことは測定技術的にはマ
グネトロンの特性線の好ましくない移動により検出され
かつ実際に変化するスパッタリング及び析出速度（基板
への）において現われる。

発明が解決しようとする問題点 従って、本発明の課題は、時間的に一定なスパッタリン
グ挙動を示しかつ厚いターゲットのスパッタリングを可
能にする、冒頭に述べた形式のスパッタリング陰極を提
供すること１あった。

問題点を解決するための手段 前記課題は、本発明により、冒頭に記載した形式のスパ
ッタリング陰極において、磁石系（７，３７）が突出部
に対して平行に磁化された永久磁石を有し、該永久磁石
が突出部の反対側に、スパッタリング面に対して形状が
類似した軟磁性基体によって結合されており、かつ突出
部（二面した側に軟磁性極片を備え、該極片が突出部の
高さの少なくとも一部分に亘って延びていることにより
解決される。

“極面″としては、磁界線が出るか又は再び入る磁石系
の面が理解されるべき１ある。この場合、極面はターゲ
ットに面した、軟磁性極片の表面によって形成され、該
極片は意味の上から”ディフューザ″（磁界線のための
）と称することもできる。

発明の効果 軟磁性極片ないしは°デフユーザは以下の利点をもたら
す。

常用の永久磁石は、磁界強度における極めて高い勾配を
有する。この効果は軟磁性極片によって著しく減少せし
められる、従ってそれ（二より極めて厚いターゲットの
スパッタリングを可能となり、しかも操作条件は許容さ
れない程（＝は変化されずかつターゲット（二対する磁
石系の機械的調節を必要としない。更に、本発明対象は
、同じ大きさのスパッタリング面積で半径方向の磁化方
向を有するマグネトロンよりも極めて著しく少ないス啄
−スを必要とするにすぎない。このことは直線状スパッ
タリング面を有する細長い陰極においても、これらの直
線状スパッタリング面間に極めて著しく小さい最小間隙
をもたらす、従って析出速度分布を調和させる際に著し
く大きな自由度が与えられる。

従来のマグネトロン陰極を、過度に大きな費用を必要と
せずに本発明対象に改造することができる、それという
のも永久磁石上に本発明による軟磁性極片を載せるだけ
１よいからである。寸法の違った軟磁性極片を取付ける
ことにより、マグネトロン陰極全体を急速かつ簡単に別
の厚さを有するターゲットに装備することができる。更
に、簡単に加工される軟鉄極片の特殊な成形により磁界
ないし磁気トンネルの幾何学的形状が容易に至適化可能
であり、かつ最後に本発明対象は感熱性として知られた
永久磁石の良好な冷却可能性を保証するという利点が生
じる、それというのもこの磁石は熱作用に曝されること
の少ない位置（二装置することができるからである。

留意すべきことは、本発明は非磁性材料から成るターゲ
ットを使用することに関し、−力強磁性材料から成るタ
ーゲットをスパッタリングするために、磁石系をターゲ
ット前面（二施すか、又はターゲットに少なくとも１つ
の空隙によって分離された突出する極片を又は陰極基体
に属する、同様に強磁性材料から成る突起部を配属させ
、それによりターゲット前面上に磁界線から成る少なく
とも１種のトンネルを形成するための主な前提条件を構
成するは公知である。

しかしながら、このような磁気トンネルの磁界線は、少
なくとも１個の空隙（＝よって分離された部分の狭い隣
接のために少なくとも大部分が比較的強度にわん曲した
経過曲線を有する、従ってこの種の公知システムにおい
ては侵食溝は狭い範囲に制限されている。

実施例 次に図示の実施例につき本発明の詳細な説明する。

第１図には、陰極基体５が示されており、該基体は強磁
性製作材料から成りかつ同時に以下（＝詳説する磁石系
のための磁石ヨークを形成する。陰極基体５は上方面６
を有し、該面内に磁石系７の永久磁石のための環状に閉
じた支持面６ａ及び６ｂが位置する。この場合には、内
部環状磁石７ａ及び閉じた外部列の棒磁石７ｂが問題で
あり、これらは全て装置の軸線Ａ−Ａを基準として、評
言すれば内側の環状磁石７ａの極性方向が逆に外部棒磁
石７ｂの極性方向に向かって延びるように軸方向！磁化
されている。

極位置は第１図に記入されている。磁石は陰極基体５の
反対側に、共通の面内にある端面７ｃ及び７ｄに載って
いる。

端面７Ｃ及び７ｄ上には、また軟磁性極片２３及び２４
が載っており、この場合には永久磁石と極片との間（−
中空円筒状空間２６が形成され、該空間は軸線Ａ−Ａの
回りを取り囲むように延びておりかつ上に向かって開放
している。

支持面６ａと６ｂとの間に環状に閉じた支持面８が位置
し、該支持面は中空円筒状空間２６の底を形成する。こ
の支持面８上に、絶縁体１１が載り、該絶縁体はターゲ
ット９を支持するために役立つ。このターゲットは、基
体３０上に析出させるべき形成される層のための出発物
質を形成する。該出発物質はこの場合には開示されてい
る（二すぎない。ターゲット９は平坦なスパッタリング
面９ａを有し、該面は両側が閉じた、同心的（−内外（
二位置する突出部９ｂ及び９Ｃによって制限されており
、該突出部はターゲットの他の部分と同じ非磁性製作材
料からなる。突出部９ｂ及び９Ｃは相互に向かい合った
壁面９ｄ及び９ｅを−有し、これらの導線はスパッタリ
ング面９ａに対して垂直に延びる。この場合には、円筒
体面が問題となる。

極片２３及び２４はその端面の領域内並びにその中空円
筒体空間２６を制限する壁面の領域内に極面２３ａ及び
２４ａを有する。図面には、スペース上の理由から極面
の端面側部分だけに符号が付けである。極片２３ａ及び
２４ａは、前方突出部９ｂ及び９Ｃとそれらの間にある
スパッタリング面９ａとの両側ｔかつスパッタリング面
の全面上にあって、磁界線の主要分が一方の突出部９Ｃ
の一方の壁面９ｅから実質的に垂直な方向ｆ出て、スパ
ッタリング面９ａを横切った後に他方の突出部９ｂの他
方の、向かい側の壁面９ｄに実質的に垂直方向で再び入
るようにスパッタリング方向に広がっている。

それにより、前記の有利な作用は、スパッタリング面９
ａの極めて均一な侵食並びに高い平均的スパッタリング
速度に関して達成される。

スパッタリング過程は、当初のスパッタリング面９ａが
その下グ）破線位置に達した際に中断させるのが有利で
ある。極面２３ａから極面２４ａに延びる磁界線はその
大部分がスパッタリング面９ａの上に同様に破線で示さ
れている。

スパッタリングの際にターゲット９内に流入する熱量を
導出することが１きるように、ターゲット９の下側に冷
却通路１２が配置されており、該冷却通路はその全長の
大部分が円心的に延びかつターゲット９の下側で環状板
１２ｂで閉鎖されている。陰極基体５も、同じ形式で冷
却通路２５を備えている。

磁石系７はシールド１６によって包囲され、該シールド
は円板状中央部分１６ａ及び環状外周部分１６ｂから成
る。外周部分１６ｂはスペーサリング２７を介して陰極
基体５と導電性接続され、一方中央部分１６ａはねじ１
７を介して陰極基体５と導電性接続されている。第１図
から明らかなように、向かい合ったエラ）１６Ｃ及び１
６ｄは突出部９ｂ及び９ｃの基板３０に向いた端面をも
包括する。この場合には、第６図を参照してなお詳細（
二説明する関連に基づＮ１グロー放電の形成はシールド
１６の内部に抑制される、従ってまた突出部の前記端面
のスパッタリングを生じない。外部から内部へのライン
・オン・サイト・コネクションを阻止することにより、
導電性材料が絶縁体１１上（：析出される事態も有効に
阻止される。突出部９ｄ（＝対する中央部分１６ａの軸
方向距離はスペーサリング２８によって固定される。

第２図には、第１図とは以下の点１異なっている。

この場合（＝は、ターゲット２９は異種材料、すなわち
同様に非磁性特性を有する不錆鉱（クロム−ニッケル鋼
）から成る突出部２９ｂ及び２９Ｃを有する。該突出部
２９ｂ及び２９ｃは、同時にスパッタリング面２９ａを
有するターゲット２９の部分のための締付は条片として
役立つ。突出部２９ｂ及び２９Ｃはターゲット２９と同
心列のねじ３１及び３２によって支持板３３に対して締
付けられており、該支持板には実質的に同心的な冷却通
路１２、並びに該冷却通路の両側に、パツキンが嵌合さ
れた（詳細には図示せず）環状溝３４が配置されている
。熱伝達はなお、冷却通路１２を閉じる、ターゲット２
９の下側の位置に、表面積を拡大するフィンを設けるこ
と；−より一層改良することができる。その際には、タ
ーゲット２９は突出部２９ｂ及び２９Ｃ及び支持板３３
で、第１図に示されていると同様に絶縁体１１の上に載
る。この固定については、なお詳細に第６図につき説明
する。第２図による配置形式は、特にプレスもしくは焼
結成形されたターゲット２９又は誘電性材料から成るも
ののために適当フある。しかしながら、作動原理は、特
に磁界線の点線で示された曲線からも明らかなように、
実質的に変らない。

しかしながら、この場合には磁石ヨークの代用となる軟
磁性陰極基体は、磁石ヨークとは無関係に構成されてい
てもよ（かつ例えば銅から成っていてもよい。

第３図は、第１図のマグネトロンのいわゆる゛マグネト
ロン特性曲線°を示す。この場合には、ターゲットは銅
から成っており、かつ平均磁界強度はスパッタリング面
の上方約１ｍｍの間隔で載面に対して平行方向で測定し
て平均１７．３ｋＡ／ｍ　　〒あった。磁界線の壁面９
ｅ及び９ｄの透磁角度は外側？２０グレード及び内側で
１５グレード〒あった。外側壁面の直径は１５３ｍｍ及
び内側壁面の直径は７０ｍｍであった。第３図の線図は
、横軸にスノにツタリング電流をアンペアでかつ縦軸に
スパッタリング電圧をビルト１示す。上方の短い曲線は
、陰極上での３　ｋＷｈの仕事が経過した後の特性曲線
を示し、下方の長い曲線は、陰極上での１４０ｋＷｈの
仕事が経過した後の特性曲線を示す。

この場合には、特性曲線が限界値（破線）示された水平
線）に近づく特に平坦な曲線が認められる。このことか
ら、電流消費量を著しく上昇させることができ、しかも
電圧をほとんど高める必要はないことが明らかである。

あらゆる場合、入力可能な最大電力密度（壁面間に形成
されるス・ξツクリング面に対して）は明らかに１２０
Ｗ／Ｃｍ２よりも大きかった。平均的化析出速度はスパ
ッタリング面積に対してＷ／ｃｍ２当り０．７５　ｎｍ
／Ｓｅｃであった。この場合、速度分布は全スパッタリ
ング電力とは十分に無関係１あった。ｌ　４　Ｑ　ｋＷ
ｈの全スパッタリング動作後に、５８．９％の材料効率
が測定かつ計算された、かつ積分した比スパッタリング
速度は６１１ｍｍ３／ｋＷｈであった。

スパッタリング陰極の全体的構造は、第６図に示されて
いる。

第１図及び第２図は夫々回転対称形のスパッタリング陰
極の半径方向の軸方向断面図を示すが、第４図には、い
わゆるロングカソードのために特に有利に使用されるよ
うなターゲット３９が斜視図１示されている。第４図の
ターゲット３９は、第１図の円形リング状投影面を有す
るターゲットを直径方向面で切離しかつ細長い区分３Ｑ
ｆを嵌合したもの１あると見なすことが１きる。この際
には、スパッタリング面３９ａ、は、両側が壁面３９ｄ
及び３９ｅを有する垂直な突出部３９ｂ及び３９ｃによ
って制限された”サーキット″の形を有する。細長い卵
形の中心部に、この図面には示されていない固定部材を
貫通させることができる貫通口３９ｇが設けられている
。ター・ゲット３９は、第１図から明らかなように、そ
の全周の内外が幾何学的に類似して成形された磁石系を
伴う。このようなターゲットは特に簡単に鋳造法により
製造することができる。また、鋳造成形体を切離するこ
とにより円弧状末端区分を製造し、それらの間にスライ
ド状成形体又はわん曲した成形体から成る線状区分を嵌
合させる製法も考えられうる。

第４図によるターゲット３９を有するいわゆるロングカ
ソードを使用する際には、基体は一般にスパッタリング
面３９ａの直線状に延びる部分に対して横方向に運動せ
しめられる。このことから、基体の幅が大きくなるに伴
い、区分３９ｆの長さだけを拡大すればよく、但し突出
部３９ｂと３９Ｃの間の距離は拡大する必要は無いこと
が明らかである。

第４図はまた、その記載から理解されるように、突出部
３９ｂ及び３９Ｃは自体で閉じておりかつ内外に同心的
に配置されていることを示す。この場合、前記突出部は
エンドレスｔありかつ自体間に実質的に同一幅のトラフ
を形成することが重要１ある。いずれにせよ、両者の突
出部の質量重心は合致する。

第６図は、原則的に第１図及び第２図からのターゲット
の夫々が嵌合可能フある完全なスパッタリング陰極を示
す。

そこには、給電板１が示されており、該給電板は支持絶
縁体２を介して真空室３と接続されており、該真空室は
アース手に接続されている。給電板１はリード線４１を
介して給電ユニット４０と接続されており、該電ユニッ
１−４−○は金属もしくは導電性ターゲットのために直
流電源として構成されている。

給電板１と、陰極基体５とが絶縁されて、詳言すればカ
ラー１５８を有する絶縁体１５の介在下に固定結合され
ており、上記カラーは多数のものが外周に分配されてい
るが、但しそのうちの１つだけが断面図で示されている
。ターゲット９は、第１図に示したものとほとんど同じ
であるが、但しこの場合（＝は専ら冷却通路１２は正方
形の横断面を有する２条巻きされた管によって形成され
、肢管はターゲット９と絶縁体１１の間に外周上に分配
された多数の引張りねじ１０によって、良好な熱伝達を
保証するために、締込まれている。

引張りねじ１０は給電板１、及び絶縁体１５の介在下に
、また陰極基体５を貫通し、かつターゲット９と電気的
に接続されている。このために、ターゲット９はその下
側に、引張りねじ１０が嵌合するねじ孔を有する環状リ
ップ９ｆを備えている。

ねじ山が設けられた端部１２ｂと１２ｃは、十分な絶縁
距離をもって陰極基体内の孔及び給電板肉の半径方向切
欠き１ａに貫通している。

絶縁体１１の厚さ及び／又は極片２３及び２４の軸方向
の長さを適当に選択することにより、スパッタリング面
９ａを極面２３ａ及び２４ａに対する一定の位置（第６
図の右側）に移動させることが可能である。

絶縁体１１及び１５のために、給電板１及びターゲット
９は磁石系７を有する陰極基体５に対して並びに真空室
３もしくはアース４に対して電気絶縁されている。ター
ゲット９は給電板１上で規定された負の電位にもたらす
ことができ、かつまたアース手は規定の電位（○電位）
であるので、陰極基体５は磁石系及びシールド１６と電
気的にフリーでありかつ運転条件により予め決定された
中間電位に調整することができ、この中間電位が達成さ
れると極めて短時間内で自動的に、シールド１６、ひい
ては磁石系７のスパッタリングが行われないという効果
が生じる。給電板１は暗室シールド（図示せず）を備え
ていてもよく、その際には背面に向かう給電板のスパッ
タリングも遮断される。

既に第４図及び第５図につき説明したように、本発明は
全く回転対称形の配置に制限されるもの１はない。第６
図による横断面図（縦方向断面図）は第５図によるター
ゲット３９を有するいわゆるロングカソードの横断面図
のため（＝も代用できる。その際には、スノぐツタリン
グカッ−Ｐを図面（二対して垂直な方向（＝相応して延
長するだけでよい。この種の陰極は約３Ｏ−４ｏ　ｃｍ
Ｏ幅でそのまま約４ｍの全高を達成することが１きる。

円形と長方形の全ての中間形も考えられうる。その際に
は、基体３０は陰極に対して矢印３０ａの方向で相対移
動する際に著しく均一に被覆することができる。

この場合には、一方１は永久磁石７ａ及び７ｂ１他方で
は極片２３及び２４の投影面が実質的に合同であるのが
特に有利である。この場合には、投影面はスパッタリン
グ面に対して平行に延びる面内にあると仮想されている
。

更に、永久磁石７ａ及び７ｂの、基体の反対側の端面７
Ｃ及び７ｄがスパッタリング面９ａもしくは２９ａに対
して後退せしめられており、かつ極片２３及び２４の極
面２３ａ及び２４ａがス・にツタリング面に対して法線
方向で突出部９ｂ／９Ｃ又は２９ｂ／２９Ｃ又は３９ｂ
／３９Ｃの範囲内に延びているのが有利！ある。

最後に、極片２３及び２４の端面は突出部の端面からス
パッタリング面に対して法線方向で後退しているのが特
に有利である。

前記のよう（ユ、磁界線の放出位置は、可能なかぎり均
一なスパッタリングのために長い運転時間に亘ってかつ
厚いターゲットの材料を十分、に利用する際に最適であ
る範囲内にある。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、夫々スパッタリング陰極の主要部
分の異なった実施例の軸方向断面図、第３図は本発明に
よるターゲット構成を用いたスパッタリング陰極の特性
曲線を示す線図、第４図は大面積の基体を被覆するため
のターゲットの斜視図、第５図は第４図の■−■線に沿
った断面図及び第６図は異なった電位差のための絶縁体
を含む全ての詳細部分を有する組込まれたスノξツタリ
ング陰極の軸方向断面図である。 ５・・・陰極基体、７，３７・・・磁石系１．７ａ。 ７ｂ・・・永久磁石、７ｃ、７ｄ・・・永久磁石の端面
、９，２９．３９・・・ターゲット、９ａ、２９ａ、３
９ａ・・・スノξツタリング面、Ｑｂ、９ｃ：２９ｂ　
ｌ　２９Ｃ；３９ｂ　、３９Ｃ・・・突出部、９ａ、９
ｅ　：　２９ｄ　、２９ｅ　：　３９ｄ　、３９ｅ−・
・壁面、１６・・・シールド、２３．２４・・・極片、
２３ａ　、　２４ａ・・・極面、３ｏ・・・基体ｍ　、
　２．６３０ ９．２９．３９　　ターゲット　９ａ、２９ａ　　ス・
ξツタリン面ｇｂ、りｃ：２９ｅ、２Ｑｃ　　突出ｐ　
　９ａ、９ｅ：２９ａ、２ｑｅ−ｊＮＬｎｌ　６・−ｖ
−ルド　２３，２４−’３面　２３ａ　、２４ａ−・極
面　３０　　基板３９ａ・　スノぐツタリング面 ＦＩＧ、　５

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、陰極基体（５）と、該基体上に配置された、スパッ
   タリング面（９ａ、２９ａ）を有する非磁性材料から成
   るターゲット（９、２９）と、永久磁石を有しかつ磁界
   線から成る、スパッタリング面（９ａ、２９ａ）を内包
   する、自体で閉じたトンネルを発生させるための磁界線
   の出入のための、空気に境界を接した極面を有する磁石
   系（７）と、スパッタリングに利用されない面を内包し
   かつ少なくとも磁石系をおおうシールド（１６）とを有
   しており、その際 ａ）ターゲット（９、２９、３９）は少なくとも２個の
   、自体で閉じた、同心的に内外に嵌合された、非磁性材
   料だけから成る突出部（９ｂ、９ｃ；２９ｂ、２９ｃ；
   ３９ｂ、３９ｃ）を備え、該突出部が包囲しかつ相互に
   向かい合つた壁面（９ｄ、９ｅ；２９ｄ、２９ｅ；３９
   ｄ、３９ｅ）の間に少なくとも１つのスパッタリング面
   （９ａ、２９ａ、３９ａ）を有し上記壁面の導線がスパ
   ッタリング面（９ａ）に対して実質的に垂直に延び、か
   つ ｂ）極面（２３ａ、２４ａ）は、突出部（９ｂ、９ｃ；
   ２９ｂ、２９ｃ；３９ｂ、３９ｃ）及びそれらの間に位
   置するスパッタリング面（９ａ、２９ａ、３９ａ）の両
   側に、かつスパッタリング面（９ａ、２９ａ、３９ａ）
   が位置する面（Ｅ−Ｅ）上にあつて、磁界線の大部分が
   実質的に垂直な方向で、一方の突出部（９ｃ、２９ｃ、
   ３９ｃ）の一方の壁面（９ｅ、２９ｅ、３９ｅ）から出
   て、スパッタリング面（９ａ、２９ａ、３９ａ）を横切
   つた後に他方の反対突出部（９ｂ、２９ｂ、３９ｂ）の
   他方の対向壁面（９ｄ、２９ｄ、３９ｄ）に実質的に垂
   直な方向で入るように設定されている形式の陰極スパッ
   タリング装置で基板を被覆するスパッタリング陰極にお
   いて、 ｃ）磁石系（７、３７）が突出部（９ｂ、９ｃ；２９ｂ
   、２９ｃ；３９ｂ、３９ｃ）に対して平行に磁化された
   永久磁石（７ａ、７ｂ）を有し、該永久磁石が突出部の
   反対側に、スパッタリング面（９ａ、２９ａ、３９ａ）
   に対して形状が類似した軟磁性基体（５）によつて結合
   されており、かつ突出部（９ｂ、９ｃ；２９ｂ、２９ｃ
   ；３９ｂ、３９ｃ）に面した側に軟磁性極片（２３、２
   ４）を備え、該極片が突出部（９ｂ、９ｃ）の高さの少
   なくとも一部分に亘つて延びている ことを特徴とする、陰極スパッタリング装置で基板を被
   覆するスパッタリング陰極。 ２、永久磁石（７ａ、７ｂ）と極片（２３、２４）の投
   影面が実質的に合同である、特許請求の範囲第１項記載
   のスパッタリング陰極。 ３、永久磁石（７ａ、７ｂ）の、基体（５）とは反対側
   の端面（７ｃ、７ｄ）がスパッタリング面（９ａ、２９
   ａ）に対して後退しており、かつ極片（２３、２４）の
   極面（２３ａ、２４ａ）がスパッタリング陰極に対して
   法線方向で突出部（９ｂ、９ｃ；２９ｂ、２９ｃ；３９
   ｂ、３９ｃ）の範囲まで延びている、特許請求の範囲第
   １項記載のスパッタリング陰極。 ４、極片（２３、２４）の端面が突出部（９ｂ、９ｃ；
   ２９ｂ、２９ｃ；３９ｂ、３９ｃ）の端面に対してスパ
   ッタリング面に対して法線方向で後退している、特許請
   求の範囲第３項記載のスパッタリング陰極。