JPH0643630B2 - 陰極スパツタリング装置で基板を被覆するスパツタリング陰極 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、陰極基体と、該陰極基体上に配置された、ス
パッタリング面を有する非磁性材料からなるターゲット
と、永久磁石を有しかつ磁力線からなる、スパッタリン
グ面を包囲する閉じたトンネルを発生するための磁力線
の出入ための、空気に境界を接した磁極面を有する磁石
系と、スパッタリングの利用されない面をカバーしかつ
少なくとも磁石系をおおうシールドとを有する、陰極ス
パッタリング装置で基板を被覆するスパッタリング陰極
であって、 （ａ）ターゲットが少なくとも２個の、閉じた、同心的
に内外に位置する、専ら非磁性材料からなる突出部を備
え、該突出部が少なくとも１つのスパッタリング面を、
包囲する壁面と、それに対向する壁面の間に有し、該壁
面の導線がスパッタリング面に対して実質的に垂直に延
びており、その際 ｂ）磁極面は、突出部及び該突出部の間に位置するスパ
ッタリング面の両側で、スパッタリング面が位置する面
（Ｅ−Ｅ）を越えてスパッタリング方向に、磁力線の大
部分が一方の突出部の一方の壁面から実質的に垂直な方
向で出て、スパッタリング面を横切った後に他方の突出
部の他方の対向壁面に実質的に垂直な方向で入るような
距離まで引き延ばされている形式のものに関する。

［従来の技術］ 物品被覆用スパッタリング陰極は、スパッタリング面の
多数の形状を有するものが公知である。全ての系は、ス
パッタリング面全体に亙ってその後方に配置された磁石
系によって磁力線からなる閉じたトンネルが発生せしめ
られ、該トンネルがプラズマを濃縮するために役立ちか
つグロー放電を形成するために必要なイオン化確率が低
圧でも著しく高められる点で共通している。その結果と
して、あらゆる場合、スパッタすべき同一材料に対して
その他は同じ操作パラメータで、磁界補助手段が存在し
ない場合よりも著しく高いスパッタリング速度が生じ
る。

前記用語“磁気トンネル”とは、磁力線がスパッタリン
グ面にまで達するまでの全過程で湾曲した経路をたどる
か、又はむしろトラフ形溝のカバーをなす、直線状経路
をたどるかとは無関係に、磁力線により立体的に制限さ
れた領域のトンネル形の閉鎖帯域であると理解されるべ
きである。

前記用語“突出部”とは、スパッタリング面が位置する
Ｅ−Ｅ面を基準として見るべきである。従って、突出部
の方向は、少なくともそれぞれのスパッタリング面に面
した、各突出部の壁面を基準として、上記Ｅ−Ｅ面に対
して法線方向に延びる。更に、用語“突出部”はターゲ
ットの初期の（処女的）状態に関し、かつ公知技術水準
において侵食溝の両面に残っている隆起と混同されるべ
きでない。これらの隆起は既に前記Ｅ−Ｅ面に対して斜
めに延びる壁面のためにプラズマの許容される封入条件
を満足することができない。この場合、突出部と、ター
ゲットのスパッタリング面を有する部分とは、例えばタ
ーゲット縁部の両側に突出するケーシング部分が、それ
らを操作パラメータに起因する中間電位に調整すること
ができるように、ターゲットから絶縁された西独国特許
出願公開３４１１５３６号明細書記載の公知技術とは異
なり、１つの電気的及び機械的単位を構成する。従っ
て、突出部の高さに関して、有利には僅かな暗室隔壁の
寸法、例えば約８ｍｍの寸法で十分である。

“磁力線の主要成分が実質的に垂直な方向で一方の壁面
から出て、再び他方の壁面に入る”という記載は、厳密
に９０゜の視角を意味するものではない。経験的に、こ
の角度から約１５〜２０゜のずれは無害であることが判
明した。従って、出入角度は７０゜の角度を有すること
もできる。

米国特許第４４８６２８７号明細書から、冒頭に記載し
た形式のスパッタリング陰極は公知である。しかしなが
ら、該スパッタリング陰極の場合には、永久磁石は突出
部の対して横方向に、則ちスパッタリング面に対して平
行に磁化されている。従って、該円環状スパッタリング
面の場合は、磁化方向は半径方向である。このことは一
面では陰極の大きな外径を生じ、他面では陰極の中心に
おいて比較的大きな容積が永久磁石及び該永久磁石を基
本と結合するヨークによって占有され、それにより小さ
な陰極は実際に製造されない。類似したことは細長いな
いしは長方形の陰極についても当てはまる。

この公知の装置のもう１つの欠点は、ターゲット材料が
ある程度消耗すると磁界からその都度の瞬間的なスパッ
タリング面までの距離、ひいてはプラズマを包囲する磁
界の強度が変化することにある。このことは測定技術的
にはマグネトロンの特性曲線の好ましくない変化により
把握されかつ実際に（基板上の）変化するスパッタリン
グ及び析出速度において現れる。

［発明が解決しようとする課題］ 従って、本発明の課題は、時間的に一定のスパッタリン
グ特性を示し、かつ厚いターゲットのスパッタリングを
可能にする、冒頭に記載した形式のスパッタリング陰極
を提供することであった。

［課題を解決するための手段］ 前記課題は、冒頭に記載した形式のスパッタリング陰極
において、 ｃ）磁石系の永久磁石の磁化方向が突出部に対して平行
に延びており、かつ永久磁石が突出部から離れた側にス
パッタリング面に対して形状が類似した軟磁性基体によ
って結合されておりかつ突出部に面した側に軟磁性磁極
片を備えており、該磁極片が突出部の高さの少なくとも
一部分に亙って延びており、 ｄ）永久磁石と磁極片の投影面が実質的に合同であり、
かつ ｅ）磁極片の端面が突出部の端面に対してスパッタリン
グ面に対する法線方向で後退していることにより解決さ
れる。

“磁極面”とは、磁力線が出る、又は再び入る磁石系の
面であると理解されるべきである。この場合、磁極面は
ターゲットに面した軟磁性磁極片の面から形成され、該
磁極片は意味の上から“ディフューザ”（磁力線のため
の）と称することもできる。

［発明の効果］ 軟磁性磁極片もしくは“ディフューザ””は以下の利点
をもたらす。

一般的に使用される永久磁石は、磁界強度における極め
て高い勾配を有する。この効果は軟磁性磁極片によって
著しく減少せしめられる。従って、極めて厚いターゲッ
トのスパッタリングが可能となり、しかも操作条件は許
容されない程には変化されず、かつターゲットに対する
磁石系の機械的調節を必要としない。更に、本発明の対
象は、同じ大きさのスパッタリング面積で半径方向の磁
化方向を有するマグネトロンよりも極めて著しく少ない
スペースを必要とするにすぎない。このことは直線状ス
パッタリング面を有する細長い陰極においても、これら
の直線状スパッタリング面間に極めて著しく小さい最小
間隙をもたらす。従って、スッパタ速度分布を調和させ
る際に著しく大きな自由度が与えられる。

従来のマグネトロン陰極を、過度に大きな費用を必要と
せずに本発明のスパッタリング陰極に改造することがで
きる。それというのも、永久磁石上に本発明による軟磁
性磁極片を設置するだけでよいからである。寸法の違っ
た軟磁性磁極片を取り付けることにより、マグネトロン
陰極全体を急速かつ簡単に別の厚さを有するターゲット
に装着することができる。更に、簡単に加工される軟鉄
磁極片の特殊な成形により磁界ないし磁気トンネルの幾
何学的形状が容易に最適化可能であり、かつ最後に本発
明の対象は熱に敏感であることが知られている永久磁石
の良好な冷却可能性を保証するという利点が生じる。そ
れというのも、この磁石は熱の作用にさらされることの
少ない位置に配置することができるからである。

注目すべきことは、本発明は非磁性材料からなるターゲ
ットを使用することに関し、一方強磁性材料からなるタ
ーゲットをスパッタリングするために、磁石系をターゲ
ット前面に設置する、又はターゲットに少なくとも１つ
の空隙によって分離された突出する磁極片を又は陰極基
体に属する、同様に強磁性材料からなる突出部を配属さ
せ、それによりターゲット前面上に磁力線からなる少な
くとも１種の閉じたトンネルを形成するための主な前提
条件を構成することは公知である。しかしながら、この
ような磁気トンネルの磁力線は、少なくとも１個の空隙
によって分離された部分の狭い隣接のために少なくとも
大部分が比較的強度に湾曲した経過曲線を有する、した
がってこの種の公知系においては侵食溝は狭い領域に制
限されている。

［実施例］ 次に図示の実施例につき本発明を詳細に説明する。

第１図には、陰極基体５が示されており、該陰極基体は
強磁性材料からなりかつ同時に以下に詳細に説明する磁
石系のための磁石ヨークを形成する。陰極基体５は上方
面６を有し、該面内に磁石系７の永久磁石のための環状
に閉じた支持面６ａ及び６ｂが位置する。この場合に
は、内部環状磁石７ａ及び閉じた外側の列の棒磁石７ｂ
が使用され、これらは全系の軸線Ａ−Ａを基準として、
詳細に説明すれば内側の環状磁石７ａの陰極が外部棒磁
石７ｂの陰極に対して逆方向に向かうように軸方向で磁
化されている。磁極の位置は第１図に記入されている。
磁石は陰極基体５の反対側に、共通の面内にある端面７
ｃ及び７ｄを有する。

また端面７ｃ及び７ｄ上には、軟磁性磁極片２３及び２
４が載っており、この場合には永久磁石と磁極片との間
に中空円筒状空間２６が形成され、該空間は軸線Ａ−Ａ
の回りを取り囲むように延びておりかつ上に向かって解
放されている。

支持面６ａと６ｂとの間に環状に閉じた支持面８が位置
し、該支持面は中空円筒状空間２６の底を形成する。こ
の支持面８の上に絶縁体１１が載り、該絶縁体はターゲ
ット９を支持するために役立つ。このターゲットは、基
体３０に折出させるべき形成層のための出発物質であ
る。該出発物質は、この場合には略示されているにすぎ
ない。ターゲット９は平坦なスパッタリング面９ａを有
し、該面は両側が、閉じた、同心的に内外に位置する２
つの突出部９ｂ及び９ｃによって制限されており、該突
出部はターゲットの他の部分と同じ非磁性材料からな
る。突出部９ｂ同じ９ｃは相互に向かい合った壁面９ｄ
同じ９ｅを有し、これらの導線はスパッタリング面９ａ
に対して垂直に延びる、この場合には、円筒状表面が存
在する。

磁極片２３及び２４は、その端面の領域内並びにその中
空円筒状空間２６を制限する壁面の領域内に磁極面２３
ａ，２４ａを有する。図面には、スペースの理由から磁
極面の端面部分だけに符号が付けてある。磁極面２３
ａ，２４ａは、前方突出部９ｂ，９ｃと、それらの間に
あるスパッタリング面９ａとの両側で、スパッタリング
面が位置する面（Ｅ−Ｅ）を越えてスパッタリング方向
に、磁力線の大部分が一方の突出部９ｃの一方の壁面９
ｅから実質的に垂直な方向で出て、スパッタリング面９
ａを横切った後に他方の突出部９ｂの他方の対向壁面９
ｄに実質的に垂直な方向で再び入るような距離まで引き
延ばされている。

それにより、前記の有利な作用は、スパッタリング面９
ａの極めて均一な浸食並びに高い平均的スパッタ速度に
関して達成される。スパッタリング過程は、初期のスパ
ッタリング面９ａがその下の破線位置に達した際に中断
させるのが有利である。磁極面２３ａから磁極面２４ａ
に延びる磁力線は、その大部分がスパッタリング面９ａ
の上に同様に破線で示されている。

スパッタリングの際にターゲット９内に流入する熱量を
導出することができるように、ターゲット９の下側に冷
却通路１２が配置されており、該冷却通路はその全長の
大部分の亙って同心的に延びかつターゲット９の下側で
環状板１２ｂで閉鎖されている。陰極基体５も、同じ形
式で冷却通路２５を備えている。

磁石系７はシールド１６によって包囲され、該シールド
は円板状中央部分１６ａ及び環状外周部分１６ｂからな
る。外周部分１６ｂはスペーサリング２７を介して陰極
基体５と導電性接続され、一方中央部分１６ａはねじ１
７を介して陰極基体５と導電性接続されている。第１図
から明らかなように、向かい合ったエッジ１６ｃ，１６
ｄは突出部９ｂ，９ｃの基板３０に向いた端面をも包囲
する。この場合には、第６図を参照してなお詳細に説明
することに関連して、グロー放電の形成はシールド１６
内部に抑制される。従ってまた、突出部の前記端面のス
パッタリングを生じない。外部から内部への可視接続を
回避するために、導電性材料が絶縁体１１上に折出され
事態も有効に阻止される。突出部９ｄに対する中央部分
１６ａの軸方向距離はスペーサリング２８によって固定
される。

第２図には、第１図とは異なり、以下のことが示されて
いる。

この場合には、ターゲット２９は異種材料、即ち同様に
非磁性特性を有する不錆鋼（クロムニッケル鋼）からな
る突出部２９ｂ，２９ｃを有する。該突出部２９ｂ，２
９ｃは、同時にスパッタリング面２９ａを有するターゲ
ット２９の部分のための締付け状片として役立つ。突出
部２９ｂ，２９ｃはターゲット２９と同心列のねじ３
１，３２によって支持板３３に対して締付けられてお
り、該支持板には実質的に同心的な冷却通路１２、並び
に該冷却通路の両側に、パッキンが嵌合された（詳細に
は図示せず）環状溝３４が配置されている。熱伝達はな
お、冷却通路１２を閉じる、ターゲット２９の下側の位
置に、表面積を拡大するフィンを設けることにより一層
改善することができる。その際には、ターゲット２９は
突出部２９ｂ，２９ｃ及び支持板３３で、第１図に示さ
れているのと同様に絶縁体１１の上に載る。この固定に
ついては、なお詳細に第６図を参照して説明する。第２
図による配置形式は、特にプレスもしくは焼結成形され
たターゲット２９又は誘電性材料からなるもののために
適当である。しかしながら、作動原理は、特に磁力線の
点線で示された曲線からも明らかのように、実質的に変
わらない。

しかしながら、この場合には磁石ヨークの代わりになる
軟磁性陰極基体は、磁石ヨークとは無関係に構成されて
いてもよくかつ例えば銅からなっていてもよい。

第３図は、第１図のマグネトロンのいわゆる“マグネト
ロン特性曲線”を示す。この場合には、ターゲットは銅
からなっており、かつ平均磁界強度はスパッタリング面
の上方約１ｍｍの間隔で該面に対して平行方向で測定し
て平均１７．３ｋＡ／ｍであった。磁力線の壁面９ｅ，
９ｄの透磁角度は外側で２０゜及び内側で１５゜であっ
た。外側壁面の直径は１５３ｍｍ及び内側壁面の直径は
７０ｍｍであった。第３図のグラフは、横軸にスパッタ
リング電流をアンペアでかつ縦軸にスパッタリング電圧
をボルトで示す。上方の（短い）曲線は、陰極上での４
０ｋＷｈの仕事が経過した特性曲線を示す。下方の（長
い）曲線は、陰極上で１４０ｋＷｈの仕事が経過した特
性曲線を示す。この場合には、特性曲線が限界値（破線
で示された水平線）に近づく特に平坦な曲線が認められ
る。このことから、充電率を著しく上昇させることがで
き、しかも電圧を著しく高める必要がないことが明らか
である。あらゆる場合、入力可能な最大電力密度（壁面
間に形成されるスパッタリング面に対して）は明らかに
１２０Ｗ／ｃｍ^２よりも大きかった。平均的比析出速度
はスパッタリング面積に対してＷ／ｃｍ^２当たり０．７
５ｎｍ／ｓｅｃであった。この場合、速度分布は全スパ
ッタリング効率に殆ど依存しなかった、１４０ｋＷｈの
全スパッタリング作業後に、５８３．９％の材料効率が
測定かつ計算され、かつ積分した比スパッタリング速度
は６１１ｍｍ^３／ｋＷｈであった。

スパッタリング陰極の全体的構造は、第６図に示されて
いる。

第１図及び第２図は夫々回転対称形のスパッタリング陰
極の半径方向の軸方向断面図を示すが、第４図には、い
わゆるロングカソードのために特に有利に使用されるよ
うなターゲット３９が斜視図で示されている。第４図の
ターゲット３９は、第１図の円形リング状投影面を有す
るターゲットを直径方向面で切離しかつ細長い区分３９
ｆを嵌合したものであると見なすことができる。この際
には、スパッタリング面３９ａは、両側が壁面３９ｄ及
び３９ｅを有する垂直な突出部３９ｂ及び３９ｃによっ
て制限された“サーキット”の形を有する。細長い卵形
の中心部に、この図面には示されていない固定部材を貫
通させることができる貫通口３９ｇが設けられている。
ターゲット３９は、第１図から明らかなように、その全
周の内外が幾何学的に類似して形成された磁石系を伴
う。このようなターゲットは特に簡単に鋳造法により製
造することができる。また、鋳造成形体を切離すること
により円弧状末端区分を製造し、それらの間にストラン
ド状成形体又はわん曲した成形体からなる線状区分を嵌
合させる製法も考えられ得る。

第４図によるターゲット３９を有するいわゆるロングカ
ソードを使用する際には、基板は一般にスパッタリング
面３９ａの直線状に延びる部分に対して横方向に運動せ
しめられる。このことから、基板の幅が大きくなるに伴
い、区分３９ｆの長さだけを拡大すればよく、但し突出
部ｂと３９ｃの間の距離は拡大する必要は無いことが明
らかである。

第４図はまた、その記載から理解されるように、突出部
３９ｂ及び３９ｃは自体で閉じておりかつ内外に同心的
に配置されていることを示す。この場合、前記突出部は
エンドレスでありかつ自体間に実質的に同一幅のトラフ
を形成することが重要である。いずれにせよ、両者の突
出部の質量重心は合致する。

第６図は、原則的に第１図及び第２図からのターゲット
の夫々が嵌合可能である完全なスパッタリング陰極を示
す。

そこには、給電板１が示されており、該給電板は支持絶
縁体２を介して真空室３と接続されており、該真空室は
アース４に接続されている。給電板１はリード線４１を
介して給電ユニット４０と接続されており、該給電ユニ
ット４０は金属もしくは導電性ターゲットのスパッタリ
ングために直流電源として構成されている。

給電板１と、陰極基体５とが絶縁されて、詳言すればカ
ラー１５ａを有する絶縁体１５の介在下に固定結合され
ており、上記カラーは多数のものが外周に分配されてい
るが、但しそのうちの１つだけが断面図で示されてい
る。ターゲット９は、第１図に示したものとほとんど同
じであるが、但しこの場合には専ら冷却通路１２は正方
形の横断面を有する２条巻きされた管によって形成さ
れ、該管はターゲット９と絶縁体１１の間に外周上に分
配された多数の引張りねじ１０によって、良好な熱伝達
を保証するために、締込まれている。

引張りねじ１０は給電板１、及び絶縁体１５の介在下
に、また陰極基体５を貫通し、かつターゲット９と電気
的に接続されている。このために、ターゲット９はその
下側に、引張りねじ１０が嵌合するねじ孔を有する環状
リップ９ｆを備えている。

ねじ山が設けられた端部１２ｂと１２ｃは、十分な絶縁
距離をもって陰極基体５内の孔及び給電板内の半径方向
切欠き１ａに貫通している。

絶縁体１１の厚さ及び／又は磁極片２３および２４の軸
方向の長さを適当に選択することにより、スパッタリン
グ面９ａを磁極面２３ａ及び２４ａに対する一定の位置
（第６図の右側）に移動させることが可能である。

絶縁体１１及び１５のために、給電板１及びターゲット
９は磁石系７を有する陰極基体５に対して並びに真空室
３もしくはアース４に対して電気絶縁されている。ター
ゲット９は給電板１上で規定された負の電位にすること
ができ、かつまたはアース４は規定の電位（０電位）で
あるので、陰極基体５は磁石系及びシールド１６と電気
的にフリーでありかつ運転条件により予め決定された中
間電位に調整することができ、この中間電位が達成され
ると極めて短時間内で自動的に、シールド１６、ひいて
は磁石系７のスパッタリングが行われないという効果が
生じる。給電板１は暗室シールド（図示せず）を備えて
いてもよく、その際には背面に向かう給電板のスパッタ
リングも遮断される。

既に第４図及び第５図につき説明したように、本発明は
全く回転対称形の配置に制限されるものではない。第６
図による横断面図（縦方向断面図）は第５図によるター
ゲット３９を有するいわゆるロングカソードの横断面図
のためにも代用できる。その際には、スパッタリングカ
ソードを図面に対して垂直な方向に相応して延長するだ
けでよい。この種の陰極は約３０〜４０ｃｍの幅でその
まま約４ｍの全高を達成することができる。円形と長方
形の全ての中間形も考えられうる。その際には、基板３
０を陰極に対して矢印３０ａの方向で相対移動させれば
著しく均一に被覆することができる。

この場合には、一方では永久磁石７ａ及び７ｂ、他方で
は磁極片２３及び２４の投影面が実質的に合同であるの
が特に有利である。この場合には、投影面はスパッタリ
ング面に対して平行に延びる面内にあることを意味す
る。

更に、永久磁石７ａ及び７ｂの、基板の反対側の端面７
ｃ及び７ｄがスパッタリング面９ａもしくは２９ａに対
して後退せしめられており、かつ磁極片２３及び２４の
磁極面２３ａ及び２４ａがスパッタリング面に対して法
線方向で突出部９ｂ／９ｃ又は２９ｂ／２９ｃ又は３９
ｂ／３９ｃの領域内に延びているのが有利である。

最後に、磁極片２３及び２４の端面は突出部の端面から
スパッタリング面に対して法線方向で後退しているのが
特に有利である。

前記のように、磁界線の放出位置は、可能なかぎり均一
なスパッタリングのために長い運転時間に亙ってかつ厚
いターゲットの材料を十分に利用する際に最適である範
囲内に位置する。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、それぞれスパッタリング陰極の主
要部分の異なった実施例の軸方向断面図、第３図は本発
明によるターゲット構成を用いたスパッタリング陰極の
特性曲線を示す線図、第４図は大面積の基板を被覆する
ためのターゲットの斜視図、第５図は第４図のVI−VI線
に沿った断面図及び第６図は異なった電位差のための絶
縁体を含む全ての詳細部分を有する組込まれたスパッタ
リング陰極の軸方向断面図である。 ５……陰極基体、７，３７……磁石系、７ａ，７ｂ……
永久磁石、７ｃ，７ｄ……端面、９，２９，３９……タ
ーゲット、９ａ，２９ａ，３９ａ……スパッタリング
面、９ｂ，９ｃ；２９ｂ，２９ｃ；３９ｂ，３９ｃ……
突出部、９ｄ，９ｅ；２９ｄ，２９ｅ；３９ｄ，３９ｅ
……壁面、１６……シールド、２３，２４……軟磁性磁
極片、２３ａ，２４ａ……磁極面、３０……基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−138070（ＪＰ，Ａ) 米国特許4486287（ＵＳ，Ａ)

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】陰極基体（５）と、該陰極基体上に配置さ
   れた、スパッタリング面（９ａ，２９ａ）を有する非磁
   性材料からなるターゲット（９，２９）と、永久磁石を
   有しかつ磁力線からなる、スパッタリング面（９ａ，２
   ９ａ）を包囲する閉じたトンネルを発生するための磁力
   線の出入ための、空気に境界を接した磁極面を有する磁
   石系（７）と、スパッタリングの利用されない面をカバ
   ーしかつ少なくとも磁石系をおおうシールド（１６）と
   を有する、陰極スパッタリング装置で基板（３０）を被
   覆するスパッタリング陰極であって、 （ａ）ターゲット（９，２９，３９）が少なくとも２個
   の、閉じた、同心的に内外に位置する、専ら非磁性材料
   からなる突出部（９ｂ，９ｃ；２９ｂ，２９ｃ；３９
   ｂ，３９ｃ）を備え、該突出部が少なくとも１つのスパ
   ッタリング面（９ａ，２９ａ，３９ａ）を、包囲する壁
   面（９ｄ，２９ｄ，３９ｄ）と、それに対向する壁面
   （９ｅ，２９ｅ，３９ｅ）の間に有し、該壁面の導線が
   スパッタリング面（９ａ）に対して実質的に垂直に延び
   ており、その際 ｂ）磁極面（２３ａ，２４ａ）は、突出部（９ｂ，９
   ｃ；２９ｂ，２９ｃ；３９ｂ，３９ｃ）及び該突出部の
   間に位置するスパッタリング面（９ａ，２９ａ，３９
   ａ）の両側で、スパッタリング面（９ａ，２９ａ，３９
   ａ）が位置する面（Ｅ−Ｅ）を越えてスパッタリング方
   向に、磁力線の大部分が一方の突出部（９ｃ，２９ｃ，
   ３９ｃ）の一方の壁面（９ｅ，２９ｅ，３９ｅ）から実
   質的に垂直な方向で出て、スパッタリング面（９ａ，２
   ９ａ，３９ａ）を横切った後に他方の突出部（９ｂ，２
   ９ｂ，３９ｂ）の他方の対向壁面（９ｄ，２９ｄ，３９
   ｄ）に実質的に垂直な方向で入るように距離まで引き延
   ばされている形式のものにおいて、 ｃ）磁石系（７，３７）の永久磁石（７ａ，７ｂ）の磁
   化方向が突出部（９ｂ，９ｃ；２９ｂ，２９ｃ；３９
   ｂ，３９ｃ）に対して平行に延びており、かつ永久磁石
   （７ａ，７ｂ）が突出部から離れた側にスパッタリング
   面（９ａ，２９ａ，３９ａ）に対して形状が類似した軟
   磁性基体（５）によって結合されておりかつ突出部（９
   ｂ，９ｃ；２９ｂ，２９ｃ；３９ｂ，３９ｃ）に面した
   側に軟磁性磁極片（２３，２４）を備えており、該磁極
   片（２３，２４）が突出部（９ｂ，９ｃ）の高さの少な
   くとも一部分に亙って延びており、 ｄ）永久磁石（７ａ，７ｂ）と磁極片（２３，２４）の
   投影面が実質的に合同であり、かつ ｅ）磁極片（２３，２４）の端面が突出部（９ｂ，９
   ｃ；２９ｂ，２９ｃ；３９ｂ，３９ｃ）の端面に対して
   スパッタリング面に対する法線方向で後退している ことを特徴とする、陰極スパッタリング装置で基板を被
   覆するスパッタリング陰極。
2. 【請求項２】永久磁石（７ａ，７ｂ）の、基体（５）と
   は反対側の端面（７ｃ，７ｄ）がスパッタリング面（９
   ａ，２９ａ）に対して後退しており、かつ磁極片（２
   ３，２４）の磁極面（２３ａ，２４ａ）がスパッタリン
   グ陰極に対する法線方向で突出部（９ｂ，９ｃ；２９
   ｂ，２９ｃ；３９ｂ，３９ｃ）の領域まで延びている、
   特許請求の範囲第１項記載のスパッタリング陰極。