KR100951007B1 - 마그네트론 스퍼터링 장치 - Google Patents

마그네트론 스퍼터링 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 스퍼터링 타겟이 자석 시스템의 극편 사이에 배치된 수평식 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것이다. 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치는 자석 시스템의 영구자석을 극편 위에 배치하고 타겟을 영구자석 사이에 배치하여 마그네트론 방출의 강도 및 플라즈마 방전의 균일성을 확보할 뿐만 아니라, 애노드에 양전위를 인가하여 플라즈마의 안정성을 향상시키고 기판의 표면온도를 감소시킨다. 또한, 애노드 역할을 하는 가스공급 시스템을 자석 시스템의 주위에 배치하고 가스 분배구를 타겟 쪽으로 연장하며 가스공급 시스템의 내부를 단계식으로 형성함으로써 타겟 표면 전체에 골고루 가스를 공급하여 기판에 균일한 박막을 증착하고 필요한 가스량만 공급하여 가스 사용량을 줄이고 고진공 펌프의 가스 하중을 감소시킨다. 아울러, 타겟의 이용률을 60~70%로 향상시키고 기판의 박막 증착속도를 증가시킨다.
마그네트론 스퍼터링, 자석 시스템, 양전위 애노드, 가스공급 시스템, 증착속도

Description

마그네트론 스퍼터링 장치{MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS}
본 발명은 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것으로서, 구체적으로는 스퍼터링 타겟이 자석 시스템의 극편 사이에 배치된 수평식 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
스퍼터링(sputtering)은 진공을 이용하는 대표적인 물리증착(physical vapor deposition; PVD) 기술의 하나이다. 스퍼터링의 원리는 플라즈마 상태의 양이온을 캐소드 상의 타겟(target)에 충돌시켜 타겟 표면으로부터 입자를 방출시키고 그 입자가 기판에 증착되도록 하는 것이다.
지금까지 다양한 스퍼터링 방식이 개발되어 이용되고 있는데, 그 중의 하나가 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)이다. 마그네트론 스퍼터링의 원리는 캐소드 타겟 배면에 자석을 부착하여 전기장에 수직한 자기장을 형성함으로써 전자들의 움직임을 타겟 주위로 구속하고 이동 경로를 길게 연장시켜 스퍼터 효율을 높이는 것이다.
이하, 도 1을 참조하여 전형적인 마그네트론 스퍼터링 장치에 대하여 설명한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 마그네트론 스퍼터링 장치(10)는 스퍼터링 타겟(11) 이 자석 시스템(12) 위에 배치되는 구조이다. 이러한 구조에서 플라즈마 전자를 구속하는 자기력선은 원호 모양을 이루기 때문에, 플라즈마 전자는 타겟 표면(11a)의 일부 지역에만 집중된다. 따라서 박막 증착속도가 비교적 느리고, 타겟 표면(11a)이 스퍼터링 작용에 의해 침식되는 부분(13)이 한정되므로 타겟(11)의 이용률이 25~30%에 불과한 것으로 알려져 있다.
스퍼터링이 타겟(11)의 일부 지역에만 국한되다 보면, 타겟(11)에 큰 전력을 인가했을 때 타겟(11)이 국지적으로 과열되고 그로 인해 열역학적 굴곡이 초래될 뿐만 아니라, 결국에는 자석 시스템(12)의 파괴로까지 이어질 수 있다. 게다가 스퍼터링 작용이 일어나지 않는 부분은 절연막이 형성되어 아킹(arcking)을 유발하는 것으로 알려져 있다.
한편, 도 1의 마그네트론 스퍼터링 장치(10)에서는 원호 모양의 자기력선 분포로 인하여 기판이 가열되는 문제도 발생한다. 도 2를 참조하면, 자기력선의 분포는 기판(21) 쪽으로도 이어지며, 500eV에 이르는 고에너지의 전자나 이온이 자기력선을 따라 기판(21) 쪽으로 이동하면서 플라즈마의 흐름을 형성한다. 이로 인해 기판(21)에는 높은 열이 가해지기 때문에, 비내열성 기판, 즉 폴리머 필름(polymer film)이나 직물과 같이 열에 민감한 기판에는 효율적인 증착을 진행할 수가 없다.
이러한 문제를 해결하기 위해 제안된 것이 수평식 마그네트론 스퍼터링 장치이다. 도 3을 참조하면, 종래의 수평식 마그네트론 스퍼터링 장치(30)는 스퍼터링 타겟(31)이 자석 시스템(32)의 극편(32a) 사이에 배치되고 극편(32a)이 영구자석(32b) 위에 위치하는 구조이다. 이러한 구조에서는 자기력선이 타겟 표면(31a)에 거의 평행하게 형성될 뿐만 아니라 타겟 표면(31a)의 거의 전부분에 영향을 미친다. 이에 따라 플라즈마 전자들은 타겟(31)과 수직 방향으로의 움직임이 제한을 받으면서 수평 방향으로만 움직일 수 있게 된다.
따라서 수평식 마그네트론 스퍼터링 장치(30)에서는 스퍼터링 효율과 타겟 이용률이 개선되고, 타겟 표면(31a)에서 스퍼터되지 않는 부분이 거의 없어지게 된다. 게다가 타겟(31)에 직접 음전압을 인가하고 자석 시스템(32)은 플로팅 전위(floating potential)로 만들어 전기장을 형성하지 않기 때문에, 수평식 마그네트론 스퍼터링 장치(30)에서는 전자나 이온의 에너지를 약 10eV로 감소시킬 수 있고 하전된 입자가 기판(도시되지 않음) 쪽으로 가속되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 기판에 높은 열이 가해지지 않음으로써 비내열성 기판이라도 효율적인 증착을 진행할 수 있게 된다.
그러나 이러한 수평식 마그네트론 스퍼터링 장치(30)도 아직 개선할 여지가 많이 남아있다. 그 중의 하나로, 종래의 수평식 마그네트론 스퍼터링 장치(30)에서는 자기력선의 수직 성분이 타겟 표면(31a)의 단지 한 지점에서만 영이 된다. 그리고 그 지점에서는 마그네트론 방출의 강도가 최대로 되어 타겟(31)의 폭 방향으로 플라즈마 방전에 불균일이 발생한다. 또한, 종래의 장치(30)는 접지된 애노드(도시되지 않음)를 사용하는데, 이는 시간이 지남에 따라 플라즈마의 안정성을 저해하는 것으로 알려져 있다. 아울러, 기판에 보다 균일한 박막을 증착하기 위해서는 타겟 표면(31a) 전체에 가스를 고루 공급해야 하는데, 종래의 장치(30)에서는 가스공급부가 챔버의 한쪽 부분에만 형성되는 것이 일반적이다.
따라서 본 발명의 목적은 개선된 수평식 마그네트론 스퍼터링 장치를 제공하기 위한 것으로, 구체적으로는 타겟 표면에서의 자기력선 분포를 변화시켜 마그네트론 방출의 강도 및 플라즈마 방전의 균일성을 확보하고, 애노드와 관련된 플라즈마 안정성 문제를 해소하며, 타겟 표면 전체에 골고루 가스를 공급하기 위한 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 수평식 마그네트론 스퍼터링 장치의 개선을 통해 박막 증착속도를 증가시키고 기판의 표면온도를 감소시키는 동시에 박막의 균일한 증착을 도모하고 가스 사용량을 줄여 고진공 펌프의 가스 하중을 감소시키기 위한 것이다.
이를 위하여, 본 발명에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치는 자석 시스템, 캐소드 역할을 하는 타겟, 애노드 역할을 하는 가스공급 시스템을 포함하여 구성된다. 상기 자석 시스템은 수평으로 떨어져 있는 두 개 이상의 영구자석을 구비하며, 상기 타겟은 상기 영구자석 사이에 수평으로 배치된다. 또한, 상기 가스공급 시스템은 상기 자석 시스템의 주위를 둘러싸도록 배치되고, 상기 타겟의 표면을 향하는 가스 분배구를 구비한다.
상기 자석 시스템은 요크와 상기 요크의 가장자리 및 중앙에서 상향 돌출되는 극편을 더 구비할 수 있으며, 이때 상기 영구자석은 상기 극편 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 타겟의 표면과 상기 영구자석의 상단은 서로 동일면상에 있을 수 있다. 상기 애노드에는 양전위가 인가될 수 있으며, 상기 타겟은 가장자리에 형성된 돌출부를 구비할 수 있다.
또한, 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치는 상기 타겟의 하부에 체결되는 냉각 시스템을 더 포함할 수 있으며, 상기 자석 시스템은 상기 타겟 및 상기 가스공급 시스템과 각각 전기적으로 절연되는 것이 바람직하다. 상기 가스공급 시스템은 금속 튜브와 두 개 이상의 칸막이를 더 구비할 수 있으며, 이때 상기 칸막이는 상기 금속 튜브 내부에 일정 간격으로 배치되고, 각각의 상기 칸막이에는 가스가 통과할 수 있는 여러 개의 구멍이 뚫리며, 상기 구멍은 위쪽 칸막이로 갈수록 점점 많아지고 촘촘해지는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치는 자석 시스템의 영구자석을 극편 위에 배치하고 타겟을 영구자석 사이에 배치함으로써, 자기력선이 타겟 표면에 평행해지도록 하여 마그네트론 방출의 강도 및 플라즈마 방전의 균일성을 확보할 수 있다.
또한, 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치는 애노드에 접지 전위가 아닌 양전위를 인가함으로써, 불필요한 전자들을 끌어들여 플라즈마의 안정성을 향상시키고 접지 전위에 놓인 기판 쪽으로 흐르는 이온과 전자의 흐름을 제어하여 기판의 표면온도를 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치는 애노드 역할을 하는 가스공급 시스템을 자석 시스템의 주위에 배치하고 가스 분배구를 타겟 쪽으로 연장하며 가스공급 시스템의 내부를 단계식으로 형성함으로써, 타겟 표면 전체에 골고루 가스를 공급하여 기판에 균일한 박막을 증착할 수 있을 뿐만 아니라, 필요한 가스량만 공급할 수 있기 때문에 가스 사용량을 줄이고 고진공 펌프의 가스 하중을 감소시킬 수 있다.
아울러, 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치는 타겟의 이용률을 60~70%로 대폭 향상시키고 기판의 박막 증착속도를 증가시킬 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 다만, 실시예들을 설명함에 있어서 본 발명이 속하는 기술 분야에 잘 알려져 있고 본 발명과 직접적으로 관련이 없는 기술 내용에 대해서는 가급적 설명을 생략한다. 이는 불필요한 설명을 생략함으로써 본 발명의 핵심을 흐리지 않고 더욱 명확히 전달하기 위함이다.
한편, 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되며, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다. 첨부 도면을 통틀어 동일하거나 대응하는 구성요소에는 동일한 참조번호를 부여한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치의 사시도이고, 도 5는 도 4의 A-A선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4와 도 5를 참조하면, 본 실시예의 마그네트론 스퍼터링 장치(40)는 스퍼 터링 타겟(41)이 자석 시스템(42)의 영구자석(42b) 사이에 배치되는 수평식 구조이다. 종래의 수평식 마그네트론 스퍼터링 장치와 달리, 본 실시예의 장치(40)는 영구자석(42b)이 극편(42a) 위에 위치하며, 나아가 타겟 표면(41a)과 영구자석(42b)의 상단은 서로 동일면상에 있는 것이 바람직하다. 이러한 배치 변경은 타겟 표면(41a)에서의 자기력선 분포를 실질적으로 변화시켜, 즉 자기력선이 타겟 표면(41a)에 더욱더 평행하도록 하여 타겟 표면(41a)에서 자기력선의 수직 성분이 영이 되는 지점을 대폭 확대시킨다.
도 6은 타겟 표면의 폭 방향에 따른 자기력선 분포를 나타내는 그래프로서, 도 6의 (a)는 전술한 종래의 장치에 대한 것이고, 도 6의 (b)는 본 실시예의 장치에 대한 것이다. 도 6의 (a)에서 볼 수 있듯이 종래의 장치에서 자기력선의 수직 성분은 타겟 표면의 한 지점에서만 영이 되지만, 도 6의 (b)에서 보듯이 본 실시예에서 자기력선의 수직 성분은 여러 지점에서 영이 됨을 알 수 있다. 따라서 본 실시예의 장치(40)는 마그네트론 방출의 강도가 균일해지고 이에 따라 플라즈마 방전의 균일성을 확보할 수 있다.
스퍼터링 타겟(41)은 음전위가 인가되어 캐소드로 작용하며, 애노드(43)는 종래의 애노드와 달리 양전위가 인가된다. 또한, 자석 시스템(42)은 플로팅 전위에 있도록 한다. 타겟(41)에 직접 음전위를 인가하고 자석 시스템(42)을 플로팅 전위로 만들면 이온과 전자의 에너지가 약 10eV로 대폭 감소하여 기판의 표면온도를 낮게 유지할 수 있다. 더욱이, 접지 전위가 아닌 양전위를 애노드(43)에 인가하면, 타겟(41) 근처의 플라즈마 밀도는 증가하는 반면, 기판(도시되지 않음) 근처의 플 라즈마 밀도는 낮아진다. 이는 불필요한 전자들을 끌어들여 플라즈마의 안정성을 향상시킬 뿐만 아니라, 접지 전위에 놓인 기판 쪽으로 흐르는 이온과 전자의 흐름을 제어함으로써 기판의 표면온도를 더욱 낮게 유지할 수 있도록 한다. 한편, 타겟(41)의 가장자리에는 돌출부(41b)가 형성된다. 이 돌출부(41b)는 타겟 표면(41a)에 구속된 전자가 옆쪽으로 이동하여 이탈하지 않도록 하기 위한 것이다.
자석 시스템(42)은 극편(42a)과 영구자석(42b)과 요크(42c, yoke)로 구성된다. 극편(42)과 요크(42c)는 자성물질로 이루어지고, 요크(42c)는 평판 형태로서 자석 시스템(42)의 기반을 이룬다. 극편(42a)은 요크(42c) 위에 일체로 형성되며 요크(42c)의 가장자리를 따라 상향 돌출될 뿐만 아니라 중앙에서 상향 돌출된다. 또한, 영구자석(42b)은 극편(42a) 위에 놓인다. 요크(42c)의 가장자리를 따라 형성되는 극편(42a)과 영구자석(42b)의 전체 형태는 도 4로부터 알 수 있듯이 마치 경주트랙과 흡사한 형태이다. 결과적으로 자석 시스템(42)에는 극편(42a)과 영구자석(42b)이 형성되지 않은 빈 공간이 생기며, 이 부분에 타겟(41)과 냉각 시스템(44)이 삽입된다.
냉각 시스템(44)은 타겟(41) 하부에 제1 나사(45a)를 통해 체결된다. 냉각 시스템(44)은 요크(42c)를 관통하는 제1 냉각수 튜브(44a)와 연결되며, 내부로 냉각수가 흐르도록 되어 있다. 제1 냉각수 튜브(44a)는 전원공급부(PS)의 음단자와 연결되어 타겟(41)에 음전위를 인가하는 역할도 한다. 냉각 시스템(44)이 제2 나사(45b)를 통해 요크(42c)와 체결됨으로써 타켓(41)도 자석 시스템(42)의 빈 공간 안에서 고정될 수 있다. 제1 냉각수 튜브(44a)를 비롯하여 냉각 시스템(44)과 타 겟(41)은 자석 시스템(42)과 서로 접촉하지 않도록 일정 간격 떨어짐으로써 전기적으로 절연된다. 제2 나사(45b)는 제1 절연물질(46a)로 둘러싸여 요크(42c)와 전기적으로 절연된다. 전기적 절연의 이유는 자석 시스템(42)을 플로팅 전위에 두기 위한 것이다.
타겟(41)과 냉각 시스템(44)은 제1 나사(45a) 대신에 솔더링(soldering)과 같은 저온 본딩법을 이용하거나 다른 기계적 체결수단을 이용하여 서로 체결될 수도 있다. 마찬가지로 냉각 시스템(44)과 자석 시스템(42)은 제2 나사(45b)가 아닌 절연성 접착수단을 이용하거나 다른 기계적 체결수단을 이용하여 서로 체결될 수 있다. 자석 시스템(42)도 과열을 방지하기 위해 냉각수를 공급받으며, 이를 위해 요크(42c)의 하부로 제2 냉각수 튜브(42d)가 연결된다. 아울러, 극편(42a)과 영구자석(42b)의 표면은 열전도물질(47)로 둘러싸여 자석 시스템(42)의 열방출을 돕는다.
애노드(43)는 가스공급 시스템에 형성된다. 바꾸어 말하면, 가스공급 시스템은 전원공급부(PS)의 양단자와 연결됨으로써 애노드 역할을 하는 것이다. 가스공급 시스템(43)은 자석 시스템(42)의 주위를 둘러싸도록 배치되며 제2 절연물질(46b)에 의해 자석 시스템(42)과 전기적으로 절연된다. 가스공급 시스템(43)은 자석 시스템(42)의 가장자리 상단에서 타겟(41) 쪽으로 연장된 가스 분배구(43a)를 구비한다. 이를 통해 타겟 표면(41a) 전체에 골고루 가스를 공급할 수 있고 궁극적으로는 기판에 균일한 박막을 증착할 수 있다. 또한, 가스공급 시스템(43)에는 제3 냉각수 튜브(43b)가 형성된다. 도면의 이해를 돕기 위해, 도 4에는 가스공급 시스템(43)을 도시하지 않았다.
이어서, 도 7을 참조하여 가스공급 시스템의 실시예를 설명한다. 가스공급 시스템(43)은 금속 튜브(71)에 의해 외형이 이루어지고 금속 튜브(71) 내부에 여러 개의 칸막이(72)를 구비한다. 각각의 칸막이(72)는 금속 튜브(71) 내부에서 가로 방향으로 설치되며 세로 방향으로 서로 일정 간격을 두고 배치된다. 각 칸막이(72)에는 가스가 통과할 수 있는 여러 개의 구멍(72a)이 뚫리는데, 이러한 구멍(72a)은 위쪽 칸막이로 갈수록 점점 많아지고 촘촘해진다. 맨 위쪽의 칸막이를 통과한 가스는 앞서 언급했던 가스 분배구(43a)를 통해 타겟 표면으로 공급되며, 가스 분배구(43a)의 개수는 맨 위쪽 칸막이의 구멍 수보다 더 많다.
가스공급 시스템(43)은 이러한 단계식 구조를 통해 가스의 흐름을 고르게 분배할 수 있다. 따라서 기판에 균일한 박막을 증착할 수 있을 뿐만 아니라, 필요한 가스량만 적절히 공급하는 것이 가능해지기 때문에 가스 사용량을 줄여 고진공 펌프의 가스 하중을 감소시킬 수도 있다.
이상 설명한 본 발명의 실시예에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치는 챔버 내의 진공 레벨이 약 10-3Pa 이하이며, 아르곤과 같은 가스가 약 0.1Pa 이하의 압력으로 애노드 겸 가스공급 시스템을 통해 공급된다. 전원공급부로부터 애노드에 인가되는 양전위는 +10V 내지 +500V이고 캐소드에 인가되는 음전위는 -300V 내지 -1000V이다. 타겟 표면에는 마그네트론이 방출되고, 이때 자석 시스템의 포텐셜 전위는 대략 -10V이다. 이 값은 대개 챔버 내의 잔류가스의 조성에 의존한다. 애노드 와 캐소드에 공급되는 전력은 단지 타겟으로부터 냉각 시스템으로의 열전도에 의해 제한되며, 기판의 열적 부하는 단지 증착되는 입자의 에너지에 기인한다.
본 실시예의 마그네트론 스퍼터링 장치는 타겟의 이용률을 60~70%로 대폭 향상시킨다. 뿐만 아니라, 종래의 수평식 마그네트론 스퍼터링 장치에 비해 타겟 표면의 전력과 기판의 박막 증착속도는 기판의 표면온도를 증가시키지 않으면서도 약 10배 정도 증가하는 효과가 있다.
지금까지 실시예를 통하여 본 발명에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치에 대하여 설명하였다. 본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
본 발명에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치는 금속, 유리, 폴리머 필름, 직물을 포함한 다양한 기판에 금속막이나 유전막을 증착하기 위해 이용할 수 있다. 특히, 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치는 폴리이미드(polyimide)와 같은 폴리머 필름 혹은 직물 등의 비내열성 기판을 대상으로 하는 진공증착 공정에 효율적으로 이용할 수 있으며, 게다가 진공증착 공정이 롤루롤(roll-to-roll) 또는 릴투릴(reel-to-reel) 방식인 경우에도 효과적으로 적용할 수 있다.
도 1은 전형적인 마그네트론 스퍼터링 장치의 주요 부분을 도시한 개략도.
도 2는 도 1의 마그네트론 스퍼터링 장치에서 자기력선을 따라 기판 쪽으로 형성되는 플라즈마의 흐름을 도시한 개략도.
도 3은 종래의 수평식 마그네트론 스퍼터링 장치의 주요 부분을 도시한 개략도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치의 사시도.
도 5는 도 4의 A-A선을 따라 절단한 단면도.
도 6은 타겟 표면의 폭 방향에 따른 자기력선 분포를 나타내는 그래프.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치의 가스공급 시스템의 절개 사시도.

Claims (8)

  1. 수평으로 떨어져 있는 두 개 이상의 영구자석을 구비하는 자석 시스템;
    상기 영구자석 사이에 수평으로 배치되고, 캐소드 역할을 하는 타겟;
    상기 자석 시스템의 주위를 둘러싸도록 배치되고, 애노드 역할을 하며, 상기 타겟의 표면을 향하는 가스 분배구를 구비하는 가스공급 시스템;
    을 포함하며, 상기 가스공급 시스템은 금속 튜브와 두 개 이상의 칸막이를 더 구비하며, 상기 칸막이는 상기 금속 튜브 내부에 일정 간격으로 배치되고, 각각의 상기 칸막이에는 가스가 통과할 수 있는 여러 개의 구멍이 뚫리며, 상기 구멍은 위쪽 칸막이로 갈수록 점점 많아지고 촘촘해지는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  2. 수평으로 떨어져 있는 두 개 이상의 영구자석을 구비하는 자석 시스템;
    상기 영구자석 사이에 수평으로 배치되고, 캐소드 역할을 하는 타겟;
    상기 자석 시스템의 주위를 둘러싸도록 배치되고, 애노드 역할을 하며, 상기 타겟의 표면을 향하는 가스 분배구를 구비하는 가스공급 시스템;
    을 포함하며, 상기 애노드에는 양전위가 인가되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 타겟의 표면과 상기 영구자석의 상단은 서로 동일면상에 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 애노드에는 양전위가 인가되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 타겟은 가장자리에 형성된 돌출부를 구비하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 타겟의 하부에 체결되는 냉각 시스템;
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 자석 시스템은 상기 타겟 및 상기 가스공급 시스템과 각각 전기적으로 절연되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  8. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 자석 시스템은 요크와 상기 요크의 가장자리 및 중앙에서 상향 돌출되는 극편을 더 구비하며, 상기 영구자석은 상기 극편 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.
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