JP5363166B2 - スパッタリング方法 - Google Patents
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Description
11 スパッタ室
20 ガス導入系
30 マルチカソード体
301〜303 ターゲット対
E1〜E3 交流電源
S 被処理基板
Claims (3)
- 真空チャンバ内で、被処理基板に対向させて、少なくとも3つのターゲットを同一平面上に並設し、このターゲットの後方に磁気回路を平行配置し、上記各ターゲットに接続されたスパッタ電源から電力を供給してターゲットと上記被処理基板との間に電界を形成してプラズマを発生させると共に、上記電界と直交する方向に磁界を形成させ、上記各ターゲットをスパッタリングすることにより、上記被処理基板上に薄膜を形成するスパッタリング方法であって、
並設方向両端のターゲットに接続されたスパッタ電源から、所定の電力比に従って、上記両端のターゲットに挟まれたターゲットに接続されたスパッタ電源よりも大きな電力を供給すると共に、上記磁気回路の並設方向と直交する方向の両端部の磁場強度を上げることを特徴とするスパッタリング方法。 - 上記少なくとも3つのターゲットに代えて、少なくとも3対のターゲット対を同一平面上に並設し、各ターゲット対に対応させて上記磁気回路を対で平行配置し、上記スパッタ電源としてターゲット対ごとに交流電源を接続し、両端のターゲット対に接続された交流電源から、所定の電力比に従って、上記両端のターゲット対に挟まれたターゲット対に接続された交流電源よりも大きな電力を供給することを特徴とする請求項1記載のスパッタリング方法。
- 上記磁気回路の並設方向と直交する方向の両端部に、各々補助磁石片を追加設置し、上記両端部の磁場強度を上げることを特徴とする請求項1または2記載のスパッタリング方法。
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