JP2005226091A - スパッタ方法及びスパッタ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 対向ターゲット1,1aを用いたスパッタ方法及び装置において、スパッタ面1b’を有する第3ターゲット1bを、該スパッタ面1b’が基板13の被成膜面13’に対向するように、且つ、空間5に面するように臨設し、成膜にあたり、第3ターゲット1bのスパッタ面1b’に対して所定の磁界を発生させる。
【選択図】 図1
Description
及びスパッタ装置を提供する。
それぞれがスパッタ面を有し、真空容器内に前記両スパッタ面が互いに対向するように所定の間隔をおいて配置される第1及び第2の対向ターゲットの前記それぞれのスパッタ面に対して垂直な方向に磁界を発生させるとともに、該対向ターゲットをスパッタリングし、該スパッタリングされた対向ターゲットから飛散するスパッタ粒子を、被成膜面が前記対向ターゲットにより前記両スパッタ面間に形成される空間に面するように臨設される基板の該被成膜面に付着させて該基板上に膜を形成するスパッタ方法において、前記対向ターゲットを、該対向ターゲットの両スパッタ面が平行になるように配置するか、又は該両スパッタ面がいずれも当該基板の被成膜面に向くように傾斜させて配置するとともに該両スパッタ面のなす角度を0°より大きく、且つ、45°以下にし、スパッタ面を有する第3ターゲットを、該第3ターゲットのスパッタ面が当該基板の被成膜面に対向するように、且つ、前記空間に面するように臨設し、成膜にあたり、前記第3ターゲットのスパッタ面に対して所定の磁界を発生させることを特徴とするスパッタ方法。
それぞれがスパッタ面を有し、真空容器内に前記両スパッタ面が互いに対向するように所定の間隔をおいて配置される第1及び第2の対向ターゲットと、前記対向ターゲットの前記それぞれのスパッタ面に対して垂直な方向に磁界を発生させる第1及び第2の磁界発生手段と、前記対向ターゲットを支持する第1及び第2のターゲットホルダーと、基板を支持するとともに当該基板の被成膜面が前記対向ターゲットにより前記両スパッタ面間に形成される空間に面するように臨設させる基板ホルダーとを備え、前記第1及び第2のターゲットホルダーに支持される前記対向ターゲットの前記それぞれのスパッタ面に対して垂直な方向に前記第1及び第2の磁界発生手段にて磁界を発生させるとともに、該対向ターゲットをスパッタリングし、該スパッタリングされた対向ターゲットから飛散するスパッタ粒子を、前記基板ホルダーに支持されるとともに被成膜面が前記空間に面するように臨設される基板の該被成膜面に付着させて該基板上に膜を形成するスパッタ装置において、スパッタ面を有する第3ターゲットと、前記第3ターゲットのスパッタ面に対して所定の磁界を発生させる第3磁界発生手段と、前記第3ターゲットを支持する第3ターゲットホルダーとを備えており、前記対向ターゲットは、該対向ターゲットの両スパッタ面が平行になるように配置されるか、又は該両スパッタ面がいずれも当該基板の被成膜面に向くように傾斜して配置されるとともに該両スパッタ面のなす角度が0°より大きく、且つ、45°以下であり、前記第3ターゲットは、該第3ターゲットのスパッタ面が当該基板の被成膜面に対向するように、且つ、前記空間に面するように臨設され、成膜にあたり、前記第3ターゲットホルダーに支持される前記第3ターゲットのスパッタ面に対して前記第3磁界発生手段にて前記所定磁界を発生させることを特徴とするスパッタ装置。
図1は本発明に係るスパッタ方法を実施する本発明に係るスパッタ装置の一例Aを示す概略構成図である。
次に、実施例として図1に示すスパッタ装置Aにおいて対向ターゲット1,1aの両スパッタ面1’,1a’のなす角度αを20°にするとともにスパッタ面1’,1a’の基板被成膜面13’に対する角度βをいずれも80°にした場合と、参考例として前記実施例のスパッタ装置において第3ターゲット1b、第3ターゲットホルダー3b等を除去することで対向ターゲットを傾斜させただけの状態にした場合と、比較例として前記参考例のスパッタ装置において対向ターゲット1,1aを両スパッタ面1’,1a’が平行になるように配置した場合、すなわち両スパッタ面1’,1a’のなす角度αを0°にするとともにスパッタ面1’,1a’の基板被成膜面13’に対する角度をいずれも90°にした場合との成膜速度を調べたので、それについて以下に説明する。但し、本発明は本実施例に限定されるものではない。
1’,1a’,1b’…スパッタ面 2…真空容器
3,3a…第1及び第2のターゲットホルダー 3b…第3ターゲットホルダー
5…空間 10,10a…第1及び第2磁界発生手段 10b…第3磁界発生手段
13…基板 13’…被成膜面 14…基板ホルダー
α…両スパッタ面1’,1a’のなす角度 A…スパッタ装置
Claims (3)
- それぞれがスパッタ面を有し、真空容器内に前記両スパッタ面が互いに対向するように所定の間隔をおいて配置される第1及び第2の対向ターゲットの前記それぞれのスパッタ面に対して垂直な方向に磁界を発生させるとともに、該対向ターゲットをスパッタリングし、該スパッタリングされた対向ターゲットから飛散するスパッタ粒子を、被成膜面が前記対向ターゲットにより前記両スパッタ面間に形成される空間に面するように臨設される基板の該被成膜面に付着させて該基板上に膜を形成するスパッタ方法において、
前記対向ターゲットを、該対向ターゲットの両スパッタ面が平行になるように配置するか、又は該両スパッタ面がいずれも当該基板の被成膜面に向くように傾斜させて配置するとともに該両スパッタ面のなす角度を0°より大きく、且つ、45°以下にし、
スパッタ面を有する第3ターゲットを、該第3ターゲットのスパッタ面が当該基板の被成膜面に対向するように、且つ、前記空間に面するように臨設し、
成膜にあたり、前記第3ターゲットのスパッタ面に対して所定の磁界を発生させることを特徴とするスパッタ方法。 - それぞれがスパッタ面を有し、真空容器内に前記両スパッタ面が互いに対向するように所定の間隔をおいて配置される第1及び第2の対向ターゲットと、前記対向ターゲットの前記それぞれのスパッタ面に対して垂直な方向に磁界を発生させる第1及び第2の磁界発生手段と、前記対向ターゲットを支持する第1及び第2のターゲットホルダーと、基板を支持するとともに当該基板の被成膜面が前記対向ターゲットにより前記両スパッタ面間に形成される空間に面するように臨設させる基板ホルダーとを備え、前記第1及び第2のターゲットホルダーに支持される前記対向ターゲットの前記それぞれのスパッタ面に対して垂直な方向に前記第1及び第2の磁界発生手段にて磁界を発生させるとともに、該対向ターゲットをスパッタリングし、該スパッタリングされた対向ターゲットから飛散するスパッタ粒子を、前記基板ホルダーに支持されるとともに被成膜面が前記空間に面するように臨設される基板の該被成膜面に付着させて該基板上に膜を形成するスパッタ装置において、
スパッタ面を有する第3ターゲットと、前記第3ターゲットのスパッタ面に対して所定の磁界を発生させる第3磁界発生手段と、前記第3ターゲットを支持する第3ターゲットホルダーとを備えており、
前記対向ターゲットは、該対向ターゲットの両スパッタ面が平行になるように配置されるか、又は該両スパッタ面がいずれも当該基板の被成膜面に向くように傾斜して配置されるとともに該両スパッタ面のなす角度が0°より大きく、且つ、45°以下であり、
前記第3ターゲットは、該第3ターゲットのスパッタ面が当該基板の被成膜面に対向するように、且つ、前記空間に面するように臨設され、
成膜にあたり、前記第3ターゲットホルダーに支持される前記第3ターゲットのスパッタ面に対して前記第3磁界発生手段にて前記所定磁界を発生させることを特徴とするスパッタ装置。 - 前記第1及び第2の対向ターゲットのカソードの電位を、該対向したカソードのうち一方の電極を接地電位にすると同時に他方のカソードの電極を負電位に置き、該対向した一対の電極の電位を交互に切り替える請求項1記載のスパッタ方法。
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