JP5653257B2 - スパッタリング装置及びスパッタリング方法 - Google Patents
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Description
隣接する二個のターゲットをターゲット組1211〜121nにすると、ターゲット組1211〜121nは一列に並べられている。
本発明はスパッタリング装置であって、前記ターゲット組の前記オン電圧と前記オフ電圧とを繰り返す周期は互いに同じ長さにされたスパッタリング装置である。
本発明はスパッタリング装置であって、前記一列の両端の前記ターゲット組の間の前記ターゲット組では、前記オン電圧の印加期間は同一にされたスパッタリング装置である。
本発明はスパッタリング装置であって、前記真空槽は接地電位に接続され、前記オン電圧は負電圧、前記オフ電圧は正電圧又は接地電位にされたスパッタリング装置である。
本発明はスパッタリング装置であって、前記ターゲットのうち、前記一列の両端よりも内側に位置する前記ターゲットと対面する基板が配置される基板ホルダーを有し、前記一列の端に位置する前記ターゲットは、少なくとも一部が前記基板と対面する範囲よりも外側に位置されたスパッタリング装置である。
本発明は、長手方向が互いに平行で、スパッタされる面が同一平面に位置し、側面が対面するように並んで真空槽内に配置された細長形状の複数のターゲットのうち、隣接する二個の前記ターゲットを一組のターゲット組にすると、スパッタリングが行われるオン電圧とスパッタリングが停止するオフ電圧とを、一組の前記ターゲット組内の二個の前記ターゲットに交互に印加して前記ターゲットをスパッタし、前記真空槽内に配置された基板に薄膜を形成するスパッタリング方法であって、前記ターゲット組と前記ターゲットとは一列に並べられており、前記ターゲットに前記オン電圧と前記オフ電圧とを印加する際には、前記一列の端に位置する前記ターゲット組内では、前記一列の端の方に位置する前記ターゲットの前記オン電圧の印加期間を、他方の前記ターゲットの前記オン電圧の印加期間よりも長くし、前記一列の端に位置する前記ターゲットの前記オン電圧の印加期間は、他の前記ターゲットの前記オン電圧の印加期間よりも長くし、前記一列の端より一つ内側の前記ターゲットの前記オン電圧の印加期間は、他の前記ターゲットの前記オン電圧の印加期間よりも短くするスパッタリング方法である。
本発明はスパッタリング方法であって、前記ターゲットに前記オン電圧と前記オフ電圧とを印加する際には、前記ターゲット組の前記オン電圧と前記オフ電圧とを繰り返す周期を互いに同じ長さにするスパッタリング方法である。
本発明はスパッタリング方法であって、前記ターゲットに前記オン電圧と前記オフ電圧とを印加する際には、前記一列の両端の前記ターゲット組の間の前記ターゲット組では、前記オン電圧の印加期間を同一にするスパッタリング方法である。
本発明はスパッタリング方法であって、前記真空槽を接地電位に接続しておき、前記ターゲットに前記オン電圧と前記オフ電圧とを印加する際には、前記オン電圧は負電圧、前記オフ電圧は正電圧又は接地電位にするスパッタリング方法である。
本発明はスパッタリング方法であって、前記ターゲットに前記オン電圧と前記オフ電圧とを印加する前に、前記基板を前記一列の両端よりも内側に位置する前記ターゲットと対面させ、前記一列の端に位置する前記ターゲットの少なくとも一部を前記基板と対面する範囲よりも外側に位置させるスパッタリング方法である。
本発明のスパッタリング装置の構造を説明する。
図1はスパッタリング装置10の内部構成図である。
ここでは各ターゲット241、251〜24n、25nは互いに同形状であり、互いに同じ大きさである。ターゲット241、251〜24n、25nは導電性材料でもよいし絶縁性材料でもよい。
また隣り合うターゲット241、251〜24n、25nの側面の間は同一間隔空けられている。
ターゲット241、251〜24n、25nのうち、隣接する二個のターゲットを一組のターゲット組にすると、ターゲット組は一列に並べられている。符号211〜21nはターゲット組を示している。
なお、ここではオフ電圧は正電圧であったが、オフ電圧は接地電位でもよいし、オフ電圧の印加期間中に接地電位から正電圧又は正電圧から接地電位に変化させもよい。
前記一列の端に位置するターゲット241、25nは、少なくとも一部が基板41と対面する範囲よりも外側に位置されている。すなわち、基板41の表面はターゲット241〜25nと対面する範囲の内側に含まれており、ターゲット241〜25nと対面する範囲の外側にはみ出さないようになっている。
上述のスパッタリング装置10を用いた成膜方法を説明する。
前記一列の端に位置するターゲット組211、21n内において、前記一列の端の方に位置するターゲット241、25nのオン電圧の印加期間T3と他方のターゲット251、24nのオン電圧の印加期間T4との割合を、基板41表面に形成される薄膜のうち前記一列の端の方に位置するターゲット241、25nと対面する範囲の膜厚と、他方のターゲット251、24nと対面する範囲の膜厚とが同一になるように、前記一列の端の方に位置するターゲットのオン電圧の印加期間T3の方が他方のオン電圧の印加期間T4よりも長くなる値に、シミュレーションや試験によりあらかじめ定めておく。
真空排気装置12により真空槽11内を真空排気して真空雰囲気を形成する。以後真空排気装置12による真空排気を継続して、真空槽11内の真空雰囲気を維持する。
ガス導入部から真空槽11内にスパッタリングガスを導入する。ここではスパッタリングガスにArガスを使用する。
各ターゲット組211〜21nのオン電圧とオフ電圧の周期を互いに同じにし、ここでは0.1kHz〜5kHzの周期にする。
一組のターゲット組内の隣接する二つのターゲットに互いに逆極性の電圧を印加すると、二つのターゲットの表面の間で放電が発生し、導入されたスパッタリングガスがプラズマ化される。
各磁石装置261、271〜26n、27nの構造は互いに同じであり、符号261の磁石装置で代表して説明する。
磁石装置261は環状にされた第一の磁石26aと、第一の磁石26aのリングの内側に配置された第二の磁石26bとを有している。第一、第二の磁石26a、26bはそれぞれ厚み方向の両端に磁極を有している。
ここでは第一の磁石26aのN極と第二の磁石26bのS極がカソード電極221の裏面と対面されているが、第一の磁石26aのS極と第二の磁石26bのN極がカソード電極221の裏面と対面されていてもよい。
ターゲット241にオン電圧が印加されると、プラズマ中のイオンは磁力線に捕捉されながらターゲット241の表面に入射して、ターゲット241をスパッタする。
図1を参照し、スパッタされたターゲット241、251〜24n、25nの粒子は基板41表面に到達して付着し、基板41表面に薄膜が形成される。
または前記一列の両端より内側のターゲット組212〜21n-1に印加する電圧の大きさを減少させて、前記中央領域の膜厚を減少させ、前記端部領域と前記中央領域の膜厚の差を縮めてもよい。
または前記一列の両端より内側のターゲット組212〜21n-1に印加する電圧の大きさを増加させて、前記中央領域の膜厚を増加させ、前記端部領域と前記中央領域の膜厚の差を縮めてもよい。
このようにして、基板41表面のうち前記端部領域と前記中央領域には互いに同じ膜厚の薄膜が形成される。
電源装置30のオン電圧とオフ電圧の周期を1kHzに設定し、前記一列の端の方に位置するターゲット241のオン電圧の印加期間T3を0.5msec、他方のターゲット251のオン電圧の印加期間T4を0.5msecに設定した。一周期に対する前記一列の端の方に位置するターゲット241のオン電圧の印加期間T3をデューティー比と呼ぶと、デューティー比は50%である。
薄膜を形成した後、ターゲット241、251への電圧印加を停止し、真空槽11内へのArガスの導入を停止し、真空槽11内の真空雰囲気を維持しながら基板41を真空槽11の外側に搬出した。
測定したシート抵抗を1.2Ω/□で割ってシート抵抗規格値[%]を得た。測定結果を図7に示す。なお、薄膜はCu膜であり、シート抵抗規格値は薄膜の膜厚に反比例する。
11……真空槽
211〜21n……ターゲット組
221、231〜22n、23n……カソード電極
241、251〜24n、25n……ターゲット
30……電源装置
41……基板
42……基板ホルダー
Claims (10)
- 真空槽と、
前記真空槽内に配置された細長の複数のカソード電極と、
細長形状であり、各前記カソード電極上に、長手方向が各前記カソード電極の長手方向に沿って配置されたターゲットとを有し、
各前記カソード電極は、長手方向が互いに平行で、各前記カソード電極上の前記ターゲットのスパッタされる面が同一平面に位置し、前記ターゲットの側面が対面するように並んで配置され、
前記ターゲットのうち、隣接する二個の前記ターゲットを一組のターゲット組とすると、スパッタリングが行われるオン電圧と、スパッタリングが停止するオフ電圧とを、前記カソード電極を介して、一組の前記ターゲット組内の二個の前記ターゲットに交互に印加する電源装置が設けられ、
前記電源装置は、一組の前記ターゲット組内では、少なくとも一個の前記ターゲットに前記オフ電圧を印加するスパッタリング装置であって、
前記ターゲット組と前記ターゲットとは一列に並べられており、前記電源装置により、前記一列の端に位置する前記ターゲット組内では、前記一列の端の方に位置する前記ターゲットの前記オン電圧の印加期間が、他方の前記ターゲットの前記オン電圧の印加期間よりも長くされ、
前記一列の端に位置する前記ターゲットの前記オン電圧の印加期間は、他の前記ターゲットの前記オン電圧の印加期間よりも長くされ、
前記一列の端より一つ内側の前記ターゲットの前記オン電圧の印加期間は、他の前記ターゲットの前記オン電圧の印加期間よりも短くされたスパッタリング装置。 - 前記ターゲット組の前記オン電圧と前記オフ電圧とを繰り返す周期は互いに同じ長さにされた請求項1記載のスパッタリング装置。
- 前記一列の両端の前記ターゲット組の間の前記ターゲット組では、前記オン電圧の印加期間は同一にされた請求項1又は請求項2のいずれか1項記載のスパッタリング装置。
- 前記真空槽は接地電位に接続され、前記オン電圧は負電圧、前記オフ電圧は正電圧又は接地電位にされた請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載のスパッタリング装置。
- 前記ターゲットのうち、前記一列の両端よりも内側に位置する前記ターゲットと対面する基板が配置される基板ホルダーを有し、
前記一列の端に位置する前記ターゲットは、少なくとも一部が前記基板と対面する範囲よりも外側に位置された請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載のスパッタリング装置。 - 長手方向が互いに平行で、スパッタされる面が同一平面に位置し、側面が対面するように並んで真空槽内に配置された細長形状の複数のターゲットのうち、隣接する二個の前記ターゲットを一組のターゲット組にすると、
スパッタリングが行われるオン電圧とスパッタリングが停止するオフ電圧とを、一組の前記ターゲット組内の二個の前記ターゲットに交互に印加して前記ターゲットをスパッタし、前記真空槽内に配置された基板に薄膜を形成するスパッタリング方法であって、
前記ターゲット組と前記ターゲットとは一列に並べられており、前記ターゲットに前記オン電圧と前記オフ電圧とを印加する際には、前記一列の端に位置する前記ターゲット組内では、前記一列の端の方に位置する前記ターゲットの前記オン電圧の印加期間を、他方の前記ターゲットの前記オン電圧の印加期間よりも長くし、
前記一列の端に位置する前記ターゲットの前記オン電圧の印加期間は、他の前記ターゲットの前記オン電圧の印加期間よりも長くし、
前記一列の端より一つ内側の前記ターゲットの前記オン電圧の印加期間は、他の前記ターゲットの前記オン電圧の印加期間よりも短くするスパッタリング方法。 - 前記ターゲットに前記オン電圧と前記オフ電圧とを印加する際には、前記ターゲット組の前記オン電圧と前記オフ電圧とを繰り返す周期を互いに同じ長さにする請求項6記載のスパッタリング方法。
- 前記ターゲットに前記オン電圧と前記オフ電圧とを印加する際には、前記一列の両端の前記ターゲット組の間の前記ターゲット組では、前記オン電圧の印加期間を同一にする請求項6又は請求項7のいずれか1項記載のスパッタリング方法。
- 前記真空槽を接地電位に接続しておき、前記ターゲットに前記オン電圧と前記オフ電圧とを印加する際には、前記オン電圧は負電圧、前記オフ電圧は正電圧又は接地電位にする請求項6乃至請求項8のいずれか1項記載のスパッタリング方法。
- 前記ターゲットに前記オン電圧と前記オフ電圧とを印加する前に、前記基板を前記一列の両端よりも内側に位置する前記ターゲットと対面させ、前記一列の端に位置する前記ターゲットの少なくとも一部を前記基板と対面する範囲よりも外側に位置させる請求項6乃至請求項9のいずれか1項記載のスパッタリング方法。
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