JP2013144840A - スパッタリング装置、絶縁膜の形成方法 - Google Patents
スパッタリング装置、絶縁膜の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013144840A JP2013144840A JP2012006481A JP2012006481A JP2013144840A JP 2013144840 A JP2013144840 A JP 2013144840A JP 2012006481 A JP2012006481 A JP 2012006481A JP 2012006481 A JP2012006481 A JP 2012006481A JP 2013144840 A JP2013144840 A JP 2013144840A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- targets
- voltage
- phase
- insulating film
- phase difference
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 61
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910018119 Li 3 PO 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910012305 LiPON Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229910012851 LiCoO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】
真空槽11と、真空槽11内の同一平面内に一列に並んで配置され、スパッタ面が同一方向に向けられた複数の絶縁体のターゲット211〜214と、各ターゲットにそれぞれ同一周波数の交流電圧を印加する電源部15とを有し、各スパッタ面と対面する基板30a〜30dには、各スパッタ面からスパッタされたスパッタ粒子が到達するスパッタリング装置10であって、各ターゲット211〜214に印加される交流電圧のターゲット211〜214間の位相差を決定する位相差決定部17を有し、電源部15は、位相差決定部17の決定した位相差で、各ターゲット211〜214に交流電圧を印加するように構成されている。
【選択図】図1
Description
通常、固体電解質薄膜(絶縁膜)144は、交流(RF)電源を用いたスパッタリング法により成膜されている(例えば、特許文献1の段落0038参照)。
本発明はスパッタリング装置であって、前記ターゲットの数は4個であり、前記位相差決定部は、前記ターゲットの列の一端と他端の前記ターゲットには第一の位相で前記交流電圧が印加され、他の二個の前記ターゲットには前記第一の位相とは180°異なる第二の位相で前記交流電圧が印加されるように構成されたスパッタリング装置である。
本発明はスパッタリング装置であって、前記ターゲットの数は3個であり、前記位相差決定部は、各前記ターゲットには、互いに120°異なる位相差で前記交流電圧が印加されるように構成されたスパッタリング装置である。
本発明は、真空槽内の同一平面内に一列に並んで配置され、スパッタ面が同一方向に向けられた複数の絶縁体のターゲットにそれぞれ同一周波数の交流電圧を印加して、各前記スパッタ面をスパッタし、各前記スパッタ面から放出されたスパッタ粒子を各前記スパッタ面と対面する基板に到達させ、前記基板に絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法であって、前記ターゲットの数は4個であり、前記ターゲットの列の一端と他端の前記ターゲットには第一の位相で前記交流電圧を印加し、他の二個の前記ターゲットには前記第一の位相とは180°異なる第二の位相で前記交流電圧を印加する絶縁膜の形成方法である。
本発明は、真空槽内の同一平面内に一列に並んで配置され、スパッタ面が同一方向に向けられた複数の絶縁体のターゲットにそれぞれ同一周波数の交流電圧を印加して、各前記スパッタ面をスパッタし、各前記スパッタ面から放出されたスパッタ粒子を各前記スパッタ面と対面する基板に到達させ、前記基板に絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法であって、前記ターゲットの数は3個であり、各前記ターゲットには、互いに120°異なる位相差で前記交流電圧を印加する絶縁膜の形成方法である。
本発明のスパッタリング装置の構造を説明する。
図1は本発明のスパッタリング装置10の一例の内部構成図である。
真空槽11には、真空槽11内を真空排気する真空排気部12と、真空槽11内にスパッタガスを供給するスパッタガス供給部13とがそれぞれ接続されている。ここでは真空排気部12はロータリーポンプとクライオポンプとを有している。
本発明の絶縁膜の形成方法を、上述のスパッタリング装置10を用いて説明する。
ここではターゲット211〜214にはLi3PO4を用いる。なお、本発明のターゲット211〜214は絶縁体であればLi3PO4に限定されない。
各移相器181〜184の位相変化量をそれぞれ調整して、各ターゲット211〜214に印加される交流電圧の各ターゲット211〜214間の位相差を決定する。
真空排気部12により真空槽11内を真空排気し、真空雰囲気を形成する。以後、真空排気部12による真空排気を継続し、真空槽11内の真空雰囲気を維持する。
真空槽11内にスパッタガス供給部からスパッタガス(ここではArガスとN2ガスとの混合ガス)を供給し、各交流電源161〜164から同時に同一周波数の交流電圧を、ここでは同一位相で出力させると、交流電圧は移相器181〜184によりそれぞれ所定の位相変化量(ゼロを含む)だけ位相変化され、ターゲット211〜214の列の一端と他端のターゲット211、214には第一の位相で交流電圧が印加され、他の二個のターゲット212、213には第一の位相とは180°異なる第二の位相で交流電圧が印加される。
基板移動部32により、基板30a〜30dを基板保持部31と一緒に成膜位置の外側に移動させ、成膜済みの基板30a〜30dを回収する。
また、上述の説明ではターゲット211〜214の数が4個であったが、本発明ではターゲット211〜214の数は4個に限定されず、2個以上であればよい。
各ターゲットで同時に1時間、ターゲットの列の一端と他端のターゲットには第一の位相で交流電圧を印加し、他の二個のターゲットには第一の位相とは180°異なる第二の位相で交流電圧を印加した。
各ターゲットで同時に1時間、各ターゲットに同一位相で交流電圧を印加した。
(比較例2)
各ターゲットに一つずつ順番に1時間ずつ交流電圧を印加した。
11……真空槽
15……電源部
17……位相差決定部
211〜214……ターゲット
30a〜30d……基板
Claims (5)
- 真空槽と、
前記真空槽内の同一平面内に一列に並んで配置され、スパッタ面が同一方向に向けられた複数の絶縁体のターゲットと、
各前記ターゲットにそれぞれ同一周波数の交流電圧を印加する電源部と、
を有し、
各前記スパッタ面と対面する基板には、各前記スパッタ面からスパッタされたスパッタ粒子が到達するスパッタリング装置であって、
各前記ターゲットに印加される前記交流電圧の前記ターゲット間の位相差を決定する位相差決定部を有し、
前記電源部は、前記位相差決定部の決定した前記位相差で、各前記ターゲットに前記交流電圧を印加するように構成されたスパッタリング装置。 - 前記ターゲットの数は4個であり、
前記位相差決定部は、前記ターゲットの列の一端と他端の前記ターゲットには第一の位相で前記交流電圧が印加され、他の二個の前記ターゲットには前記第一の位相とは180°異なる第二の位相で前記交流電圧が印加されるように構成された請求項1記載のスパッタリング装置。 - 前記ターゲットの数は3個であり、
前記位相差決定部は、各前記ターゲットには、互いに120°異なる位相差で前記交流電圧が印加されるように構成された請求項1記載のスパッタリング装置。 - 真空槽内の同一平面内に一列に並んで配置され、スパッタ面が同一方向に向けられた複数の絶縁体のターゲットにそれぞれ同一周波数の交流電圧を印加して、各前記スパッタ面をスパッタし、各前記スパッタ面から放出されたスパッタ粒子を各前記スパッタ面と対面する基板に到達させ、前記基板に絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法であって、
前記ターゲットの数は4個であり、
前記ターゲットの列の一端と他端の前記ターゲットには第一の位相で前記交流電圧を印加し、他の二個の前記ターゲットには前記第一の位相とは180°異なる第二の位相で前記交流電圧を印加する絶縁膜の形成方法。 - 真空槽内の同一平面内に一列に並んで配置され、スパッタ面が同一方向に向けられた複数の絶縁体のターゲットにそれぞれ同一周波数の交流電圧を印加して、各前記スパッタ面をスパッタし、各前記スパッタ面から放出されたスパッタ粒子を各前記スパッタ面と対面する基板に到達させ、前記基板に絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法であって、
前記ターゲットの数は3個であり、
各前記ターゲットには、互いに120°異なる位相差で前記交流電圧を印加する絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012006481A JP5891040B2 (ja) | 2012-01-16 | 2012-01-16 | スパッタリング装置、絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012006481A JP5891040B2 (ja) | 2012-01-16 | 2012-01-16 | スパッタリング装置、絶縁膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013144840A true JP2013144840A (ja) | 2013-07-25 |
JP5891040B2 JP5891040B2 (ja) | 2016-03-22 |
Family
ID=49040786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012006481A Active JP5891040B2 (ja) | 2012-01-16 | 2012-01-16 | スパッタリング装置、絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5891040B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015059238A (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
WO2019039070A1 (ja) * | 2017-08-22 | 2019-02-28 | 株式会社アルバック | 成膜方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02156080A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
JPH05148644A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-15 | Asahi Glass Co Ltd | スパツタリング装置 |
WO2011158828A1 (ja) * | 2010-06-17 | 2011-12-22 | 株式会社アルバック | スパッタ成膜装置及び防着部材 |
JP5328995B2 (ja) * | 2011-02-08 | 2013-10-30 | シャープ株式会社 | マグネトロンスパッタリング装置、マグネトロンスパッタリング装置の制御方法、及び成膜方法 |
-
2012
- 2012-01-16 JP JP2012006481A patent/JP5891040B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02156080A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
JPH05148644A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-15 | Asahi Glass Co Ltd | スパツタリング装置 |
WO2011158828A1 (ja) * | 2010-06-17 | 2011-12-22 | 株式会社アルバック | スパッタ成膜装置及び防着部材 |
JP5328995B2 (ja) * | 2011-02-08 | 2013-10-30 | シャープ株式会社 | マグネトロンスパッタリング装置、マグネトロンスパッタリング装置の制御方法、及び成膜方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015059238A (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
WO2019039070A1 (ja) * | 2017-08-22 | 2019-02-28 | 株式会社アルバック | 成膜方法 |
CN110997973A (zh) * | 2017-08-22 | 2020-04-10 | 株式会社爱发科 | 成膜方法 |
JPWO2019039070A1 (ja) * | 2017-08-22 | 2020-04-16 | 株式会社アルバック | 成膜方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5891040B2 (ja) | 2016-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6863699B1 (en) | Sputter deposition of lithium phosphorous oxynitride material | |
KR102000769B1 (ko) | 박막 배터리들의 제조시 리튬 증착 프로세스에서 사용하기 위한 마스킹 디바이스, 리튬 증착 프로세스를 위해 구성된 장치, 박막 배터리들의 전극들을 제조하기 위한 방법, 및 박막 배터리 | |
US8753724B2 (en) | Plasma deposition on a partially formed battery through a mesh screen | |
JP2017529662A (ja) | 界面の抵抗及び過電圧を減少させるための中間層を含む電気化学デバイススタック | |
US20030175585A1 (en) | Secondary battery and method of producing the same | |
KR101006057B1 (ko) | 스퍼터링 장치 및 성막 방법 | |
CN109004283B (zh) | 一种全固态锂电池及其制备方法 | |
JP2014524974A (ja) | ピンホールフリー誘電体薄膜製造 | |
US20130092533A1 (en) | Sputter deposition apparatus | |
JP2017503323A (ja) | リチウム金属上の固体電解質およびバリアならびにその方法 | |
JP2017506409A (ja) | 電気化学デバイスの電極層上への固体電解質の堆積 | |
JP2009179867A (ja) | 平行平板型マグネトロンスパッタ装置、固体電解質薄膜の製造方法、及び薄膜固体リチウムイオン2次電池の製造方法 | |
JP5891040B2 (ja) | スパッタリング装置、絶縁膜の形成方法 | |
CN203411601U (zh) | 分区多靶磁控溅射设备 | |
KR101200306B1 (ko) | 음극 성능이 개선된 박막전지 및 이의 제조방법 | |
JP5653257B2 (ja) | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 | |
US11195700B2 (en) | Etching apparatus | |
WO2010045026A2 (en) | Control of erosion profile on a dielectric rf sputter target | |
JP7163154B2 (ja) | 薄膜製造方法、対向ターゲット式スパッタリング装置 | |
JP2020002441A (ja) | 対向ターゲット式スパッタ成膜装置 | |
JP2014095122A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
US20180171466A1 (en) | Carrier for supporting at least one substrate during a sputter deposition process, apparatus for sputter deposition on at least one substrate, and method for sputter deposition on at least one substrate | |
US9722278B2 (en) | Method for producing a lithium-based electrolyte for a solid microbattery | |
JP4715736B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
KR100985145B1 (ko) | 박막 증착 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141113 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150721 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20150917 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150917 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160216 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160222 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5891040 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |