CN204162777U - 一种靶材组件 - Google Patents
一种靶材组件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN204162777U CN204162777U CN201420387187.0U CN201420387187U CN204162777U CN 204162777 U CN204162777 U CN 204162777U CN 201420387187 U CN201420387187 U CN 201420387187U CN 204162777 U CN204162777 U CN 204162777U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- target
- conduction sheet
- magnetic conduction
- backboard
- loading plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Abstract
本实用新型提供了一种靶材组件,包括靶材、背板及导磁片,所述靶材与所述背板层叠设置,所述导磁片设置于所述靶材与所述背板之间,且所述导磁片至少部分嵌于所述背板中,所述靶材采用矩形平面靶材。本实用新型的靶材组件通过设置导磁片,使得磁控溅射过程中的磁场分布均匀,靶材的蚀刻速率一致,从而延长矩形平面靶材使用寿命,降低生产成本,提高靶材的使用效率。
Description
技术领域
本实用新型涉磁控溅射技术领域,特别涉及一种靶材组件。
背景技术
磁控溅射是指在电场作用下电子与氩原子发生碰撞,并且电离出氩离子和新的电子,氩离子在电场加速运动撞击阴极靶材,发生溅射。溅射粒子沉积在基底表面形成薄膜。磁场可以改变电子的运动方向,束缚并延长了电子运动的轨迹,使电子对氩离子的电离以及对靶材的撞击更加有效。磁控溅射可以在低温条件下进行,并且高速运动的粒子提高了溅射效率。
目前,用于磁控溅射矩形平面靶材镀制薄膜过程中,通常会形成长圆形的蚀刻环路,该蚀刻环路包括中部的直线部及两端的弧形部。在相同使用功率条件下,不同区域的磁场分布不均匀,例如,在靶材的中部磁场强度小于靶材两端的磁场密度,从而使得蚀刻环路的弧形部的蚀刻深度远大于直线部的蚀刻深度,导致当蚀刻环路的弧形部已经贯穿而需要更换靶材时,靶材的蚀刻环路的直线部仍远未充分利用,从而降低了靶材使用效率,提高了生产成本。
实用新型内容
提供一种可使磁场分布均匀,从而提升靶材蚀刻均匀度的靶材组件。
一种靶材组件,包括靶材、导磁片、背板及承载板,所述靶材与承载板层叠设置于所述背板的两侧,所述承载板设有承载板顶面,所述导磁片设有导磁片顶面,所述导磁片的导磁片顶面与所述承载板的承载板顶面平齐,且所述导磁片顶面贴紧所述背板。
进一步的,所述承载板采用非导磁材料制成,所述导磁片采用高导磁性材料制成。
进一步的,所述承载板采用非导磁不锈钢制成,所述导磁片采用稀土材料制成。
进一步的,所述矩形平面靶材包括设置于中部的平行区域及设置于平行区域端部且临近所述靶材端部的弧形区域,所述导磁片对应所述矩形平面靶材的弧形区域设置。
进一步的,所述背板采用无氧铜背板或者钼背板。
进一步的,所述靶材与背板之间设有连接层,所述连接层用于将所述靶材与背板相互连接。
进一步的,所述连接层铟金属粘结层或银金属粘结层。
本实用新型的靶材组件于承载板中设置导磁片。进行磁控溅射时,通过增强导磁片处的导磁性,使磁场分布均匀,从而获取适用的区域蚀刻效果。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型较佳实施方式提供的一种靶材组件在正视图下的剖面示意图;
图2是本实用新型较佳实施方式提供的靶材组件的靶材的俯视图;
图3是本实用新型较佳实施方式提供的靶材组件的承载板及导磁片的俯视图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1至图3,本实用新型较佳实施方式提供一种靶材组件10,包括靶材11、导磁片13、背板15及承载板17。所述靶材11与承载板17层叠设置于所述背板15的两侧,所述导磁片13嵌于所述承载板17中。本实用新型的靶材11组件10放置于磁控溅射工艺腔室内阴极座表面,用于交流/直流磁控溅射工艺。
如图2所示,在本实施例中,所述靶材11为矩形平面靶材,在磁控溅射镀膜过程中,靶材11表面形成长圆形的蚀刻环路110。所述蚀刻环路110为封闭状,其包括中部的直线部及直线部两端且邻近所述靶材11端部的弧形部。其中所述直线部的相应位置为矩形平面靶材11的平行区域111,所述弧形部的相应位置为矩形平面靶材11的弧形区域113。所述靶材11为一体成型或者是由多块较小的子靶材拼接而成。
请一并参见图3,所述导磁片13用于增强其设置位置处的导磁性。在本实施例中,所述导磁片13连接于所述承载板17并对应所述靶材11的弧形区域113设置。在本实施例中,所述导磁片13采用具有高导磁性材料制成,如稀土材料及所述稀土材料所制成的合金。
在本实施例中,所述导磁片13大体为U型片状,其包括连接部131及分别连接于连接部131两端的延伸部133,所述两个延伸部133相互平行。所述导磁片13的连接部131相对于所述延伸部133设置于所述靶材11的外侧,所述延伸部133相对于所述连接部131靠近所述靶材11的中部设置。
进一步的,所述连接部131大体对应所述靶材11的弧形区域113设置,所述导磁片13的延伸部133于所述靶材11的投影与所述蚀刻环路110的直线部重合。可以理解的是,所述连接部131也可设置为弧形,并可设置为与所述蚀刻环路110的弧形部的弧度及形状一致。
所述背板15为板状,其用于承托靶材11。在本实施例中,背板15采用无氧铜背板15或者钼背板15。
承载板17设置于所述背板15背离所述靶材11一侧,所述承载板17用于承载导磁片13及背板15。在本实施例中,进一步的,所述承载板17采用非导磁材料制成,优选的,所述承载板17采用非导磁不锈钢制成,从而便于使磁控溅射的磁场均匀分布。所述承载板17平面尺寸与所述靶材11相同,其厚度为1毫米。
所述承载板17设有承载板顶面175,所述导磁片13设有导磁片顶面135。述承载板顶面175朝向所述靶材11设置。在本实施例中,当导磁片13嵌入所述承载板17时,所述导磁片13的导磁片顶面135与所述承载板17的承载板顶面175平齐。
在本实施例中,所述承载板顶面175开设有安装槽(图未示),所述导磁片13设置于所述安装槽。所述安装槽相对于所述背板顶面155凹入或将所述背板15贯通,其形状与导磁片13相同,使得所述导磁片13完全设置于所述背板15之中。
在本实施例中,所述靶材11与背板15之间设有连接层(图未示),所述连接层用于将所述靶材11与背板15相互连接。所述连接层为铟金属粘结层或银金属粘结层。
本实用新型的靶材11组件10于承载板17中设置导磁片13。进行磁控溅射时,通过增强导磁片13处的导磁性,使磁场分布均匀,从而获取适用的区域蚀刻效果。在本实施例中,通过在矩形平面靶材磁场环形区域的相应位置设置具有强导磁性的导磁片13,使得整套靶材11平行磁场区域及环形磁场区域蚀刻效率相当,避免靶材溅射深度差异较大,从而延长矩形平面靶材11使用寿命,降低生产成本,提高靶材11使用效率。
以上所揭露的仅为本实用新型一种较佳实施例而已,当然不能以此来限定本实用新型之权利范围,本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程,并依本实用新型权利要求所作的等同变化,仍属于实用新型所涵盖的范围。
Claims (7)
1.一种靶材组件,其特征在于:包括靶材、导磁片、背板及承载板,所述靶材与承载板层叠设置于所述背板的两侧,所述承载板设有承载板顶面,所述导磁片设有导磁片顶面,所述导磁片的导磁片顶面与所述承载板的承载板顶面平齐,且所述导磁片顶面贴紧所述背板。
2.如权利要求1所述的靶材组件,其特征在于:所述承载板采用非导磁材料制成,所述导磁片采用高导磁性材料制成。
3.如权利要求1所述的靶材组件,其特征在于:所述承载板采用非导磁不锈钢制成,所述导磁片采用稀土材料制成。
4.如权利要求1至3中任一项所述的靶材组件,其特征在于:所述靶材为矩形平面靶材,所述矩形平面靶材包括设置于中部的平行区域及设置于平行区域端部且临近所述靶材端部的弧形区域,所述导磁片对应所述矩形平面靶材的弧形区域设置。
5.如权利要求1至3中任一项所述的靶材组件,其特征在于:所述背板采用无氧铜背板或者钼背板。
6.如权利要求1至3中任一项所述的靶材组件,其特征在于:所述靶材与背板之间设有连接层,所述连接层用于将所述靶材与背板相互连接。
7.如权利要求6所述的靶材组件,其特征在于:所述连接层铟金属粘结层或银金属粘结层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201420387187.0U CN204162777U (zh) | 2014-07-14 | 2014-07-14 | 一种靶材组件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201420387187.0U CN204162777U (zh) | 2014-07-14 | 2014-07-14 | 一种靶材组件 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN204162777U true CN204162777U (zh) | 2015-02-18 |
Family
ID=52536486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201420387187.0U Expired - Fee Related CN204162777U (zh) | 2014-07-14 | 2014-07-14 | 一种靶材组件 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN204162777U (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105296944A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-02-03 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种具有抗氧化镀层的靶材组件 |
CN106435501A (zh) * | 2016-10-15 | 2017-02-22 | 凯盛光伏材料有限公司 | 双闭环磁控溅射阴极 |
CN112899628A (zh) * | 2021-01-18 | 2021-06-04 | 福建阿石创新材料股份有限公司 | 一种可均匀溅射旋转硅靶材及其制备方法 |
-
2014
- 2014-07-14 CN CN201420387187.0U patent/CN204162777U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105296944A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-02-03 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种具有抗氧化镀层的靶材组件 |
CN106435501A (zh) * | 2016-10-15 | 2017-02-22 | 凯盛光伏材料有限公司 | 双闭环磁控溅射阴极 |
CN112899628A (zh) * | 2021-01-18 | 2021-06-04 | 福建阿石创新材料股份有限公司 | 一种可均匀溅射旋转硅靶材及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5262028A (en) | Planar magnetron sputtering magnet assembly | |
US4865708A (en) | Magnetron sputtering cathode | |
US20040231973A1 (en) | Sputter source, sputtering device, and sputtering method | |
CN201068469Y (zh) | 可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶 | |
EP0442939A4 (en) | Improved magnetron sputtering cathode | |
CN204162777U (zh) | 一种靶材组件 | |
KR20080045031A (ko) | 플라즈마 데미지 프리 스퍼터 건 및 이를 구비한 스퍼터장치와 이를 이용한 플라즈마 처리장치 및 성막 방법 | |
CN209836293U (zh) | 一种高效率磁控溅射平面阴极 | |
US20110186421A1 (en) | Target assembly for a magnetron sputtering apparatus, a magnetron sputtering apparatus and a method of using the magnetron sputtering apparatus | |
CN104878361B (zh) | 磁控溅射镀膜设备 | |
CN204162776U (zh) | 一种靶材组件 | |
TW201315828A (zh) | 平面磁控濺射陰極 | |
CN109881167A (zh) | 一种高效率磁控溅射平面阴极 | |
CN201534876U (zh) | 一种平面磁控溅射装置 | |
WO2001029874A1 (en) | Planar magnetron sputtering apparatus | |
TW201321539A (zh) | 圓柱磁控濺射陰極 | |
CN110791742A (zh) | 一种磁控溅射阴极的磁源结构及其调节磁场的方法 | |
CN103290378B (zh) | 磁控溅射镀膜阴极机构 | |
JP4473852B2 (ja) | スパッタ装置及びスパッタ方法 | |
CN211112196U (zh) | 一种磁控溅射阴极的磁源结构 | |
JP2021001382A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置用のカソードユニット | |
CN104968829A (zh) | 溅射设备 | |
CN106367724A (zh) | 溅射装置 | |
CN203462120U (zh) | 一种矩形平面磁控溅射阴极 | |
CN210215524U (zh) | 一种手机玻璃镀膜用的磁控溅射靶组件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150218 Termination date: 20190714 |