JPH0610346B2 - 平面マグネトロン・スパッタリング陰極組立体 - Google Patents

平面マグネトロン・スパッタリング陰極組立体

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JPH0610346B2
JPH0610346B2 JP60140636A JP14063685A JPH0610346B2 JP H0610346 B2 JPH0610346 B2 JP H0610346B2 JP 60140636 A JP60140636 A JP 60140636A JP 14063685 A JP14063685 A JP 14063685A JP H0610346 B2 JPH0610346 B2 JP H0610346B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は平面マグネトロン・スパッタリング陰極組立体
(a planar magnetron sputtering cathode assembly)お
よびこのような陰極組立体に組込む磁石組立体に関す
る。基板上に金属その他の物質の薄膜を付着させるため
に平面マグネトロン・スパッタリング装置が広く使用さ
れるようになってきており、種々の用途をもたらしてい
る。このコーティング技術の主たる利点の１つはその汎
用性にある。その能力に対する要求は多くは、高温にさ
らすことなく基板上に被覆しようとする材料を飛散させ
ることにある。一方、この技術は高い基板温度を必要と
する方法にも適用できる。陰極により放出した電子束が
基板に流れて基板を摂氏数百度まで加熱する可能性があ
る。しかしながら、周知のように、陰極に電子を捕獲す
るためのシールドを設けて、基板の低温の状態での操作
を望む場合に電子による加熱を防ぐことができる。基板
の高温の状態での操作法の例としては例えば米国特許第
４，４００，２５５(Kisner)に記載されている。この米
国特許の方法よれば、ガラス化されたジルコニア・シン
ブルにプラチナ・薄膜をスパッター付着させることによ
って排気ガス酸素センサを作るが、スパッタリング作業
中スパッタリング陰極からの電子の流れによってシンブ
ルは高温に加熱される。この米国特許で指摘されている
ように、ニューヨーク州オレンジバーグ市のMaterials
Research Corporationが市販しているModel MRC 902の
直流マグネトロン・スパッタリング装置がこのスパッタ
リング作業で使用されている。ターゲットの使用効率を
改善する試みでは、より新しいスパッタリング陰極装置
が同じ製造業者から市販されており、これは米国特許第
４，１９８，２８３号(Class等）に記載されている。こ
のスパッタリング陰極を該ＭＲＣ装置に組込み、排気ガ
ス酸素センサを製作することが試みられた。このスパッ
タリング陰極は、当初、基板が低温の状態での基板操作
のために内と外に電子を捕えるためのシールドを備えて
いた。ところが、ジルコニア・シンブルの加熱を強化す
べく、該シールドを取り外した場合でも、通常の生産で
使用するときと同じ電力を使用しながらもシンブルの加
熱が不十分となり、製品の品質が許容以下であった。
本発明の主題である新規な陰極構造のおよび新規な磁石
組立体を設計することによって、卓越した品質の排気ガ
ス酸素センサを従来よりも高いスパッタリング速度で製
造することが可能となり、さらに、スパッタリング装置
の非稼働時間を短縮することが可能となった。この設計
では、マグネトロン・スパッタリングで通常使用されて
いるよりも高い磁束い密度を利用し、またターゲットを
迅速に交換できるようにした配置を利用している。強力
磁石と、スパッタリング室内に全体的に収容された磁気
回路とを使用することによって磁界強さは高められる。
これは、スパッタリング室の外側に磁石を配置し、磁界
を銅製のヒート・シンクを通してスパッタリング室につ
なげる従来のマグネトロンの設計とは対照的である。こ
のような洗練された磁石組立体デザインはマグネトロン
・スパッタリング室の真空条件や熱条件に適する。
したがって、本発明の一般的な目的は磁束密度を高める
ための効果的な磁気回路を有するマグネトロン・スパッ
タリング陰極組立体を提供することにある。
本発明の別の目的は迅速なターゲット交換を容易に行な
えるターゲット取付位置を有するマグネトロン・スパッ
タリング陰極組立体を提供することにある。
本発明のまた別の目的は特にマグネトロン・スパッタリ
ング陰極組立体に適用し、スパッタリング室の環境に適
合する磁石組立体を提供することにある。
本発明は、２つの部分に分かれた鋼ハウジング内に密封
した高い強度の磁石を有し、１つのハウジング部分が磁
石と接触しており、磁性片として作用する強磁性物質を
含み、他方のハウジング部分が他方の磁極および磁石の
側面を囲んでハウジングを完成している非磁性物質を含
む平面マグネトロン・スパッタリング陰極組立体を包含
する。
本発明によるマグネトロン・スパッタリング陰極組立体
は２つのこのような磁石組立体を包含し、これらの磁石
組立体は磁性鋼からなるバッキングプレートに直接取付
けてあって水冷ヒート・シンクおよびこのヒート・シン
クに直接装着したターゲットでほぼ占められた空間を構
成する。本発明の好適実施例では、マグネトロン・スパ
ッタリング陰極組立体はバッキング・プレートおよびヒ
ート・シンクを貫通していてターゲットに螺合したねじ
式止め具を包含し、迅速にターゲットを交換できる配置
を有する。
上記および他の利点は添付図面に関連した以下の説明か
ら明らかとなろう。
第１図を参照して、ここに示す平面マグネトロン・スパ
ッタリング陰極組立体１０はスパッタリング室の頂壁１
２にある開口内に装着されており、その少なくとも一部
がスパッタリング室内に下向きに延びている。陰極組立
体１０の上方にある要素は矩形の磁性ステンレス鋼製バ
ッキング・プレート１４であり、これは頂壁１２の開口
を覆っており、開口を囲む電気的に絶縁性の真空シール
１６によって頂壁１２から隔離されている。バッキング
・プレート１４は、好適には、以下により詳しく説明す
る。
Carpenter No.６３０コンデイションＡのステンレス鋼
を含む。第２図に最も良く示すように、棒の形をした内
側磁石組立体１８と矩形環体または額縁の形をした外側
磁石組立体２０がバッキング・プレート１４の底に直接
取付けてあり、磁力によって所定位置に保持されてい
る。外側磁石組立体２０は内側磁石組立体１８を囲んで
それとの間に矩形の空間を構成している。これら２つの
磁石組立体の間の空間内には矩形環状の銅製ヒート・シ
ンク２４が設置してあってこれら磁石組立体の向い合っ
た側面と熱結合状態で（熱が伝導するように）密着して
いる。ヒート・シンクと磁石組立体との良好に熱が伝導
するような接触を確保すべく、これら３つの構成要素は
相互にプレスばめしてあり、ヒート・シンク２４と磁石
組立体１８、２０の間にインジウム箔のシム（図示せ
ず）が設けてある。冷却水を循環させる通路２６がヒー
ト・シンク２４を貫いて設けてある。ヒート・シンクの
頂部からバッキング・プレート１４に設けた適当な孔を
通して入口、出口水パイプ（図示せず）が延びている。
ヒート・シンクの、バッキング・プレート１４から間隔
を置いて、そこから離れる方向へと向いた下面には、浅
いテーパ付きのくぼみ２８が設けてあり、このくぼみの
頂部は、ほぼ矩形の横断面の溝３０となっている。くぼ
み２８はヒート・シンク２４の下面に沿って延びていて
環状の谷部を形成している。
矩形環状のターゲット３２が平らな下面を有し、その上
面はヒート・シンク２４のテーパ付きくぼみ２８と係合
する上向きのテーパ付き突起３４を有する。したがっ
て、ターゲット３２はヒート・シンクに対して良好に熱
結合を行なう。突起３４の頂部はほぼ矩形の横断面のリ
ブ３６となっていて、このリブはヒート・シンクの溝３
０に着座している。ターゲット３２の各側縁は薄いフラ
ンジ３８となって延在しており、このフランジは内外の
磁石組立体１８、２０の磁極下面を部分的に覆ってい
る。ターゲット３２はバッキング・プレート１４および
ヒート・シンク２４にある適当な孔を貫通している複数
のボルト４０その他のねじ式止め具によって所定位置に
保持されている。これらのボルト４０はターゲットのリ
ブ３６にある小さな孔４１に螺合している。もちろん、
ターゲットは基板上にスパッタリング付着しようとする
材料であり、かつ排気ガス酸素センサをコーティングし
ようとしている材料で形成してあり、すなわち、非常に
純度の高いプラチナで作ってある。矩形環状のターゲッ
トは一体片として作ってもよいし、第１図に示すよう
に、セグメント方式にしてもよい。後者の場合、特に、
一対の長い側セグメント３２ａが磁石組立体の長さ方向
に延び、ターゲットの端部セグメント３２ｂによって端
を連結する。端部セグメント３２ｂはターゲット側セグ
メント３２ａについて図示し、説明したと同じ横断面を
有する。ターゲット側セグメントの端部付近のフランジ
３８にノッチを設けて各端セグメント３２ｂを収容して
いる。ターゲットの外周寸法が約３８．１×１２．７cm
（１５×５インチ）、セグメント幅が５．０８cm（２イ
ンチ）であると好ましく、したがって、２．５４cm（１
インチ）幅の細長いスペースで側部セグメントが分離し
ている。内側にある磁石組立体１８のターゲット側セグ
メント３２ａ間に露出している磁極下面のスパッタリン
グを避けるべく、プラチナその他のターゲット材料の薄
い箔４４を電極下面に接合してある。
あるいは代りに、ターゲットの各長い側セグメント３２
ａを第４図に示すように２つまたはそれ以上の小さい側
セグメント３２′に分割してもよい。これらターゲット
のセグメント32′は第１図のターゲットのセグメント３
２ａと同じ横断面を有し、したがって、各々が突起3
4′、リブ３６′、フランジ３８′およびねじ孔41′を
有する。たとえ長い側セグメントをターゲット下面に対
してたとえば６０度の角度で切ったとしても短い側セグ
メント３２′は傾斜した平面に沿っており、約０．５０
８mm（０．０２インチ）の小さなギャップ３３′が熱膨
張に備えて設けられる。短い方の側セグメント３２′を
ヒート・シンクとの良好に熱結合状態で効果的に着座さ
せて比較的低い温度でターゲット取り扱い操作を実施で
きる。長い側セグメント３２ａもヒート・シンク上に適
切に着座させることができるが、この場合、非常に精密
な機械加工が必要であり、プラチナのような硬い材料の
場合には特にこのような機械加工には費用がかかる。短
いセグメントを設計する場合には、精密機械加工用件は
かなり簡素化される。
矩形環状の暗部シールド４２がボルト４６によって頂壁
１２に固着してあり、この暗部シールドは外側磁石組立
体２０と接近した状態で陰極組立体１０のまわりを延び
ているが、外側磁石組立体２０との間には小さなギャッ
プ（２．５４mm＝０．１インチ未満）があり、ターゲッ
ト３２の外周から少し隔たっている。暗部シールド４２
の下面はターゲット３２の下面と同じ平面にあるが、や
や高い平面に位置していてもよい。いずれにしても、暗
部シールド４２はターゲット縁部との間に小さいギャッ
プ、たとえば、１．０１６mm（０．０４インチ）を持
ち、外側磁石組立体２０の下面からのスパッタリングを
防いでいる。
本発明による磁石組立体の設計によれば、磁石をスパッ
タリング室の環境内で使用でき、磁石に対して適切な保
護を与えることによって、高強度の磁石材料、たとえ
ば、セラミックまたは希土類コバルト磁石材料を使用で
きる。このような高強度磁石材料はもろくて、熱的、機
械的な衝撃で壊れやすい。さらに、このような磁石材料
は多孔性となりやすく、スパッタリング室のポンプによ
る吸引作業中に、磁石そのもののガス発生によりスパッ
タリング作業の開始時に面倒な遅延を生じさせる可能性
がある。この磁石組立体の設計では、磁石のための鋼製
のクラッド、好適にはステンレス鋼製クラッドを使用し
ており、磁石をスパッタリング室環境からのトラップさ
れるいかなるガスからも隔離するように密閉する。一層
詳しく言えば、強磁性ステンレス鋼で作った磁性片５２
を磁石をの一方の磁極と接触させ、非磁性ステンレス鋼
のキャップ５０で他方の磁極を覆い、磁性片と出合うま
で磁石の側面を取り巻いている。外側磁石組立体２０の
一方のアーム横断面が第３図に示してある。キャップ５
０および磁性片５２は、それぞれ、矩形環体として形成
してあり、一緒になって第２図に示す環状の形状を形成
している。非磁性ステンレス鋼、たとえば、ＡＩＳＩタ
イプ３０４のキャップ５０は断面が溝形となっている。
すなわち、非常に薄い端片５４とこの端片から側方に延
びかつ互いに隔たっていて間にくぼみを形成している２
つの脚５６とを有する。高強度磁石５８はこのくぼみ内
に着座しており、好ましくは、サマリウム・コバルト磁
石である。磁石５８は一体片である必要はないが、好ま
しくは４つの棒状部片で作り、長い部片が磁石組立体の
側面に沿って延び、短い部片が磁石組立体の端に対応す
るようにする。磁石５８は図面において垂直方向に磁化
されており、一方の磁極がキャップ端片５４と接触し、
他方の磁極がキャップ５０の開放端に向いている。
磁性片５２は磁性体であるステンレス鋼、たとえば、ペ
ンシルバニア州リーディング市のCarpenter Technology
Corporationの製造しているCarpenter No.６３０コン
ディションＡステンレス鋼で作る。この鋼は磁気的に軟
かい状態まで焼なましされ、ＡＩＳＩタイプ３０４ステ
ンレス鋼に匹敵する良好な溶接性を持つ。磁性片５２は
境界６０のところでキャップ５０の脚５６と衝合し、キ
ャップおくぼみ内に入って磁石５８の磁極と接触するよ
うになっている。厚い磁性片は磁石５８を高温のターゲ
ット３２の領域から隔離され、またヒート・シンク２４
によって効果的に冷却されていて磁石５８を高い温度あ
るいは急激な温度変化から保護している。キャップ５０
および磁性片５２はそれらの境界のところを鋼製ケーシ
ング内を真空状態に維持できるような強固な接合によっ
て接合されており、磁石５８を鋼製ケーシング内に密封
している。この接合作業は、好適に境界６０に沿ったレ
ーザー溶接によって実施される。これは、この溶接方法
であれば、熱的な外乱を最低に保ちながら磁石材料に対
する優れた結合を行なえるからである。磁性片５４は構
造の保全性を損なわい範囲でできる限り薄くして、磁束
経路におけるエアギャップの影響を最低限に抑える。そ
の寸法としては、厚さ０．７６mm（０．３３インチ）で
あることが実用的な値である。磁石58そのものの横断面
は、たとえば、幅１．２６cm（０．５インチ）、高さ
１．７８cm（０．７インチ）であってもよい。磁性片５
２はヒート・シンク２４の下方外縁の平面に対して垂直
方向下方に延びており、その外縁に沿って面取りしてあ
ってターゲット３２に向かって磁束を集中させる。
外側磁石組立体２０の構造原理は内側磁石組立体１８に
も応用される。内側磁石組立体１８の形態は明らかに外
側磁石組立体２０とは異なっているが、磁石材料は外側
磁石組立体とほぼ同じ量を使用する。したがって、磁気
回路がターゲット付近における必要なエアギャップと両
立するように効果的に設け得ることはわかるであろう。
磁気回路の効率および強い磁石の使用によって、ターゲ
ット表面での磁束密度は平面マグネトロン・スパッタリ
ング用途では例外的に高いものとなる。このような強い
磁界は同じ電力で付着速度、電子束を大きくできるとい
う利点を持つ。特別の例として、１．２７×１．７８cm
（０．５×０．７インチ）の横断面積を有するサマリウ
ム・コバルト磁石を含む外側磁石組立体と同じ磁石材料
を同じ量の内側磁石組立体からなり、磁石組立体高さが
約３．８１cm（１．５インチ）であり、ターゲット領域
のエアギャップが３．１７５cm（１．２５インチ）のオ
ーダーにある場合に、ターゲット面の中央でそれに対し
て平行に７５０ガウスの磁束密度を得ることができ、各
磁極下面に対して直角にかつそれに隣接して３０００ガ
ウスの磁束密度を得ることができる。
矩形環状の外側磁石配置を利用している矩形ターゲット
形式の市販されている平面マグネトロン・スパッタリン
グ陰極について研究したところ、２本の異常に高い電子
束が陰極組立体の対向した角隅部に生じ、陰極組立体の
下方で基板に衝突する電子束が基板を加熱するために不
均一な電子の流れが生じ、それによって基板にホットス
ポットが生じることがわかった。当業者であれば良くわ
かるように、マグネトロン・クパッタリング装置の効果
的な作用は、大部分、磁界によって生じた磁界の無端ル
ープ内に電子場を捕えることによる。電子の一部は主と
して磁極のところでこの場から逃げ、その結果生じた電
子の流れは基板加熱の主たる原因となる。ターゲットの
角隅部のところでの高い電子放出がこれらの角隅部のと
ころで磁界に弱いところあるいは中断があることに原因
すると考えられる。本発明による磁石組立体の設計は磁
石組立体の角隅部のところにほぼ均一な、あるいは、少
なくとも連続した磁界を生じさせ、その結果、電子の不
均一な放出がほぼ除かれる。これを行なうべく、外側の
磁石組立体２０の磁性片５２を一体の鋼片として形成
し、磁石組立体２０の角隅部でさえ、ギャップあるいは
溶接部が存在しない。もしこれらが存在すると、磁気特
性が不均一になる。
こうして、明らかなように、本発明によるマグネトロン
陰極構造は２つの領域で利点を与える。すなわち、スパ
ッタリング作業と、作業の間の機械の非稼働時間の改善
の両点である。基板の加熱とコーティングを必要とする
排気ガス酸素センサを作るためのスパッタリング作業で
は、磁界がより強く、より均一であれば、より迅速、よ
り均一な加熱を行ない、より高いフィルム付着強度を得
る作業パラメータの選定が可能となる。これらのパラメ
ータは、すべて、品質の良い部品の歩留りを改善すると
共にスパッタリング速度を高める。ターゲットの交換お
よび他の保守のためにスパッタリング室を開ける必要が
ある場合でも、ターゲットの交換が容易である（２０分
か３０分程で容易に行なわれる）ことにより、また、ス
パッタリング室に真空を生じさせるポンプ吸引作業を迅
速とすることにより、機械の非稼働時間が最小となる。
ポンプ吸引作業は、ガス発生が最小である材料、特に磁
石のステンレス鋼クラッドを使用することによって速め
られ、まったく高真空技術に匹敵するほどとなる。逆
に、たとえば、軟鉄磁性片を使用すると、鉄のガス発生
により、ポンプ吸引時間は延びる。
本発明の陰極配置は特に高温の基板上に材料のフィルム
を付着するために設計してあるが、先に列挙した利点の
多くが低温の基板でも保たれることは了解されたい。基
板の加熱は磁極付近に電子を捕獲するためのシールドを
設けることによって最低に抑え得る。このようなシール
ドの追加により、ターゲットの交換時間が長くなるおそ
れがあるが、それでも、強い磁界の利点により、なお、
付着速度、生産性共に高く、比較的弱い磁界を使用する
従来の設計の場合にとっていた値まで作業パラメータを
調節することができることから得る他の利点も確保でき
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による平面マグネトロン・スパッタリン
グ陰極組立体の断面斜視図： 第２図は第１図の平面マグネトロン・スパッタリング陰
極組立体の２つの磁石組立体の斜視図： 第３図は第２図の３−３線に沿った、１つの磁石組立体
の横断面図：及び 第４図は第１図の平面マグネトロン・スパッタリング陰
極組立体のための別のターゲットの部分破断斜視図であ
る。 ［主要部分の符号の説明］ １０……平面マグネトロン・スパッタリング陰極組立体、 １２……頂壁、 １４……バッキング・プレート、 １６……真空シール、 １８……内側磁石組立体、 ２０……外側磁石組立体、 ２４……ヒート・シンク、 ３２……ターゲット、 ３４……テーパ付き突起、 ３６……リブ、 ３８……フランジ、 ４０……ボルト、 ４２……暗部シールド、 ５０……キャップ、 ５２……磁性片、 ５８……高強度磁石。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】磁性材料からなるバッキング・プレート
    と、 棒状の内側磁石組立体と、 前記内側磁石組立体を囲んでいる環状の細長い外側磁石
    組立体を有し、 該２つの磁石組立体は該２つの磁石組立体の間の空間を
    定めるように向かい合った面を有し、 該２つの磁石組立体の各々はパッキング・プレートに直
    接取付けられて該バッキング・プレートに支持され、か
    つ効果的に該バッキング・プレートと磁気結合するよう
    にされている第１の磁極と、該バッキング・プレートか
    ら離隔している第２の磁極とを有して、２つの前記第２
    の磁極間で磁界を形成するよう構成されていることと； 該内側と外側の磁石組立体間の空間にある水冷ヒート・
    シンクと、該水冷ヒート・シンクと熱接触している環状
    の細長いターゲットとを形成するよう構成されているこ
    とを包含する平面マグネトロン・スパッタリング陰極組
    立体において、 各磁石組立体は２つの磁極を有する磁石手段と、該２つ
    の磁極の一方と係合している鋼製の磁性片と、これらの
    磁極の他方及び磁石手段の側面を密接に囲みかつ該磁性
    片と係合している非磁性の鋼製からなる溝形部材と、該
    磁性片と該溝形部材とを密閉結合する溶接部とからな
    り、以って磁石手段が該磁性片と該溝形部材からなる鋼
    内に完全に収容されて、スパッタリング陰極環境から独
    立し、 また該内側と外側の磁石組立体間の空間内に位置する水
    冷ヒート・シンクは該磁石組立体を冷却するように該空
    間を定めている該内側と該外側磁石組立体が向かい合っ
    ている面と密接に熱接触した状態にあり、該水冷ヒート
    ・シンクがバッキング・プレートから遠ざかる向きで、
    かつ離隔した面を有し、 そして環状の細長いターゲットは該磁界内で該ヒート・
    シンク面に熱結合していることを特徴とする平面マグネ
    トロン・スパッタリング陰極組立体。
  2. 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の平面マグネト
    ロン・スパッタリング陰極組立体において、 前記バッキング・プレートから遠ざかる向きでかつ離隔
    した面は環状のくぼみを有し、該環状の細長いターゲッ
    トは磁界内で該ヒート・シンクの該くぼみに密接に熱結
    合した環状の突起を有し、 また、迅速なターゲットの交換を容易にするためにター
    ゲットをヒート・シンクに固着する手段が設けてあり、
    この手段はバッキング・プレートおよびヒート・シンク
    を貫通し、ターゲットの突起に螺合するねじ式止め具手
    段からなることを特徴とする平面マグネトロン・スパッ
    タリング陰極組立体。
  3. 【請求項３】特許請求の範囲第１項記載の平面マグネト
    ロン・スパッタリング陰極組立体において、ヒート・シ
    ンクの前記面がバッキング・プレート面から遠ざかる向
    きで離隔した環状の谷部を有し、環状の細長いターゲッ
    トがこの谷部に着座し、ヒート・シンクと熱結合してい
    るテーパ付き突起を有する矩形で環状の形状ターゲット
    であり、また、ヒート・シンクにターゲットを固着して
    迅速なターゲットの交換を容易にする手段が設けてあ
    り、この手段がバッキング・プレートおよびヒート・シ
    ンクを貫通し、テーパ付き突起に螺合する複数のボルト
    からなることを特徴とする平面マグネトロン・スパッタ
    リング陰極組立体。
  4. 【請求項４】前記磁石組立体は、 ステンレス鋼製の磁性片と、溝型横断面を定める側方に
    延びた脚を持つ端片を有し、これらの脚が磁性片に密封
    結合してあって密閉空所を鋼製している非磁性ステンレ
    ス鋼製キャップと、該端片に隣接した磁極と磁性片に隣
    接した磁極とを有する該空所内に設置した磁石から成
    り、それによってこの磁石がステンレス鋼に完全に包ま
    れ密閉されることでスパッタリング陰極組立体の環境か
    ら独立に置かれていることを特徴とするマグネトロン・
    スパッタリングのための磁石組立体を有する特許請求の
    範囲第１項から第３項までのいずれか１つの項に記載の
    平面マグネトロン・スパッタリング陰極組立体。
  5. 【請求項５】前記磁石組立体は、 矩形環状の形状の磁性材料からなる一体構造の磁性片
    と、この磁性片と同じ矩形環状となっていて、磁性片に
    密閉結合している非磁性キャップと、このキャップ内で
    その周囲に沿って延びている環状の空所であって、一側
    面が磁性片によって区切られている空所と、この空所内
    に設置してあり、磁性片と係合した多くの片からなる１
    つの磁極を有する矩形環状磁石とから成り、それによっ
    て、該磁石は該空所内に完全に収容されかつ密封されて
    おり、一体構造の磁性片によって連続した磁界が磁石組
    立体から漏れるようになっていることを特徴とするマグ
    ネトロン・スパッタリングのための磁石組立体を有する
    特許請求の範囲第１項から第３項までのいずれか１つの
    項に記載の平面マグネトロン・スパッタリング陰極組立
    体。
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