KR100345924B1 - 평판 마그네트론 스퍼터링 장치 - Google Patents

평판 마그네트론 스퍼터링 장치 Download PDF

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    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H01J37/3408—Planar magnetron sputtering

Abstract

본 발명은 다수의 영구자석을 포함하는 단위 자장 폐회로를 다수개 형성하고, 이들 다수의 영구자석 폐회로를 타겟 뒤편에서 타겟의 표면에 평행한 타원 궤도를 따라 회전시키는 것에 의하여 방전트랙이 타겟 표면 전체를 아래에서 위로 또는 위에서 아래로 이송하도록 하므로써 대면적에 균일한 코팅이 가능하도록 한 마그네트론 스퍼터링 장치를 개시한다. 본 발명의 스퍼터링 장치는, 타겟을 안치하고 절연시키기 위한 타겟 안치부와, 상기 타겟면과 평행한 적어도 두 개의 영구자석 폐회로를 갖으며, 상기 타겟에 자기장을 인가하기 위한 영구자석부와, 상기 영구자석부를 상기 타겟 표면에 평행한 타원 궤도를 따라 회전시키는 회전부를 포함한다. 본 발명의 스퍼터링 장치는, 타겟의 표면과 평행한 타원 궤도를 따라 운동하는 영구자석부에 의하여 발생된 방전 트랙이 타겟의 표면 전체를 이송하므로 타겟 전체가 균일하게 증발되고 침식되어 대면적 균일 코팅을 가능하게 하고, 타겟의 사용효율을 60% 이상으로 증가시킨다.

Description

평판 마그네트론 스퍼터링 장치{Planar typed magnetron sputtering apparatus}
본 발명은 스퍼터링을 이용하여 물리적으로 박막을 형성하는 박막 형성장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 대면적에 걸쳐서 균일한 막의 형성을 가능하게 하는 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
일반적으로 마그네트론 스퍼터링 기술은 기판 위에 막을 형성하는 기술로서 저온공정이 가능하고 미려한 막 형성이 가능하다는 장점 때문에 널리 사용되고 있다.
마그네트론 스퍼터링 기술은 타겟 근처에서 타겟의 이온화율을 높이고 스퍼터링율을 향상시키는 물리적 기상 증착법의 일종으로서, 증착된 박막의 밀착력과 표면 미려도 및 높은 밀도와 같은 장점들을 갖는다.
마그네트론 방전을 위해 타겟에 전기장과 자기장이 인가되면 타겟에서 방출된 전자는 인가된 전기장과 자기장 및 방출되는 전자의 속도에 의해 타겟 표면의 일정 부위에서 나선운동과 호핑(Hopping) 운동을 하며, 이러한 전자의 국부적인 밀집지역에서 이온화율이 증대되고 스퍼터링 율이 향상된다. 따라서 고효율의 마그네트론 코팅원의 개발을 위해서는 전기장과 자기장의 제어가 필요하며 특히 자기장의 제어가 중요하다.
도 1a에 도시된 것처럼, 종래 평판형 마그네트론 스퍼터링 장치는 주로 영구자석(3)을 이용하여 음극 타겟(2) 전체에 하나의 큰 타원형 자장 폐회로(4)를 형성한다. 이 자장 폐회로(4)를 따라 마그네트론 방전 트랙이 형성되는데, 이 방전트랙에 대응하는 부분이 스퍼터되고 침식된다.
그러나, 종래의 영구자석(3)에 의하여 형성되는 방전 트랙은 고정 상태이기 때문에, 타겟(2)의 침식은 플라즈마가 고밀도로 있는 부분(5)에서만 이루어지고, 그 부분(5)에서 국부적으로 가속된다. 그 결과, 도 1b에 도시된 것처럼, 타겟의 대응 부분(6)의 침식을 집중시켜 "v"자 형태의 침식부(D)를 형성시킨다. 이처럼, 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치를 대면적 코팅에 적용될 때 코팅 균일도를 일정하게 제어하기가 힘들며, 또한 도 1과 같이 침식된 타겟은 더 이상 사용이 불가능하여 고가의 타겟 사용효율이 30%이하로서 매우 낮다.
상기한 문제점을 해결하기 위하여, 최근 영구자석을 사용하여 여러 개의 자장 폐회로를 구성하여 타겟 표면 전체에 여러 개의 방전 트랙을 형성시키고, 이 영구자석 폐회로를 타겟 뒤편에서 타겟에 평행한 방향으로 상하 왕복 운동시키는 것에 의하여 방전 트랙이 타겟 표면 전체를 상하 왕복 이송하여 타겟 사용 효율 및 증착 균일도를 높이는 방법이 제안되었다.
상기한 수직 상하 운동 방식을 채용한 마그네트론 스퍼터링 장치는 영구자석 폐회로의 상하 왕복 운동에 있어서 모터의 회전을 스크류에 전달하거나 모터를 이용한 편심축 회전 방식에 의해 영구자석 폐회로를 상하 왕복 운동시킨다.
그러나, 상기한 장치는 영구자석 폐회로의 왕복 운동동안 고속 이송이 어려운 단점을 갖으며, 모터의 잦은 정/역회전 변경에 의하여 모터에 무리가 가해져서 모터의 수명이 단축되는 단점을 갖는다.
또한, 모터의 정/역회전 변환 순간에 영구자석 폐회로의 멈춤 발생에 의해 타겟의 최상단부와 최하단부에서의 방전시간이 중간부에 비해 길어지므로 증착 균일도가 저하되고, 타겟 사용효율이 약 50% 이하로 제한된다.
더욱이, 일정한 모터의 회전속도에 대한 편심축의 상하 운동 선속도 차이의 발생에 의해 타겟의 최상단부와 최하단부에서의 방전시간이 중간부에 비해 길어지므로 타겟의 균일 식각도 및 증착 균일도에 한계가 있다.
따라서 본 발명은 대면적에 걸쳐서 균일한 코팅을 가능하게 할 수 있는 마그네트론 스퍼터링 장치를 제공하는 데 그 한가지 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 마그네트론 스퍼터링 장치에서 타겟의 사용 효율을 높이는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 영구자석부를 이송하는 이송장치의 수명을 연장하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 타겟의 최하단부에서 최상단부까지의 방전시간을 동일하게 하는데 있다.
도 1a는 종래의 기술에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치의 개략적 구성도.
도 1b는 도 1의 장치를 이용하여 스퍼터링을 수행한 타겟의 부분 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따르는 마그네트론 스퍼터링 장치의 구성도.
도 3은 도 2의 마그네트론 스퍼터링 장치의 종 단면도.
도 4는 도 2의 마그네트론 스퍼터링 장치의 영구자석부의 구성도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
12 : 타겟(음극) 14 : 타겟 안치부
16 : 냉각부 20 : 영구자석 폐회로부
21 : 단위 영구자석 폐회로부 22 : 제 1 영구자석부
24 : 제 2 영구자석부 26 : 스페이서
30 : 회전부 32 : 어태치먼트 체인
34 : 모터 36 : 모터 고정축
38 : UCFL 베어링 유니트 40 : 장력 조절부
41 : 장력 보정용 볼트 42 : 가이드
44 : 가이드 브라켓 46 : UCT 베어링 유니트
상기한 목적 및 장점들을 달성하기 위하여, 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치는 금속(Ti, Cr, Al, Cu, Zr 등) 또는 세라믹(ITO, Al2O3등)으로 된 타겟을 고정시키고, 인접한 도전체로부터 상기 타겟을 절연시키는 타겟 안치부와, 상기 타겟면과 평행한 적어도 두 개의 영구자석 폐회로를 갖으며, 상기 타겟에 자기장을 인가하기 위한 영구자석부와, 상기 영구자석부를 상기 타겟 표면에 평행한 타원 궤도를 따라 회전시키는 회전부를 포함한다.
타겟은 타겟 안치부에 의하여 고정 및 절연되며, 타겟의 하부에 타겟의 직접 냉각을 위한 냉각부가 위치한다. 타겟에서 증발된 물질에 의한 타겟 안치부의 절연파괴를 방지하기 위하여 차폐부가 선택적으로 설치된다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 평판 마그네트론 스퍼터링 장치는, 다수의 자장 폐회로를 구성하는 각 단위 자장 폐회로들 간의 척력을 극복하여 타겟 뒤편에서 타겟에 평행하게 일정한 거리를 유지시키는 장력 조절부를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 목적과 특징 및 장점들은 첨부한 도면을 참고한 상세한 설명으로부터 보다 분명해질 것이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따르는 마그네트론 스퍼터링 장치의 부분 단면도이고, 도 3은 도 2의 장치에서 회전부의 저면도이다.
도 2와 도 3을 참조하면, 마그네트론 스퍼터링 장치는 막 형성을 위한 금속 또는 세라믹 재질의 음극 타겟(12)이 설치, 고정되고, 절연성의 테프론 재질을 포함하는 타겟 안치부(14)와, 타겟(12)의 뒤편에 배치되고, 타겟(12)을 냉각하기 위한 냉각부(16)와, 냉각부(16)의 하부에서 타겟(12)과 소정 거리 이격되어 다수의 영구자석 폐회로를 형성하는 영구자석 폐회로부(20)와, 영구자석 폐회로부(20)를타겟(12) 표면에 수직한 타원 궤도를 따라 일방향으로 운동시키는 회전부(30)를 포함한다. 영구자석 폐회로부(20)의 각 단위 폐회로들 간의 척력을 극복하여 타겟(12) 뒤편에서 타겟(12)에 평행하게 일정한 거리를 유지시키기 위하여 장력 조절부(40)가 선택적으로 구비된다.
도 2와 도 3에 도시하지는 않았지만, 타겟(12)과 대향하는 상부에는 기판지지대가 배치되고, 기판지지대의 표면에는 막의 형성을 위한 기판이 부착된다.
음극으로 기능하는 타겟(12)은 기판 위에 형성하고자 하는 막과 동일한 성분을 갖는 재료로서, 전기장에 의해 방출되는 전자들은 아르곤(Ar)과 같은 스퍼터링 가스와 충돌하여 아르곤(Ar) 양이온을 생성시키고 이 아르곤(Ar) 양이온이 타겟(12)에 충돌하여 타겟(12)으로부터 타겟 원자와 이온을 방출하여 마그네트론 방전을 생성한다. 타겟(12)을 구성하는 재료로서 여러 가지 금속과 세라믹 재료가 사용될 수 있는데, 본 실시예에서는 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 지르코늄(Zr)과 같은 금속재나 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide:ITO), 알루미나(Al2O3) 등과 같은 세라믹이 사용될 수 있다. 도면에 도시하지는 않았지만, 전기장의 형성을 위하여 타겟(12)에는 음극 전위가 인가되고 타겟(12)과 대향하는 기판지지대에는 무전위 또는 음극 전위가 인가된다.
타겟 안치부(14)는 타겟(12)을 둘러싸서 타겟(12)을 고정하는 동시에 다른 주변의 전도성 부재들로부터 타겟(12)을 절연시킨다.
타겟(12)의 하부에 위치한 냉각부(16)는 스퍼터링 동안 고온상태로 되는 타겟(12)과 타겟 안치부(14)를 소정 온도 이하로 냉각시키도록 선택적으로 설치되며, 냉각수가 순환하는 냉각수 순환통로를 포함한다.
영구자석 폐회로부(20)는 타겟(12)에서 방출되는 전자를 타겟(12) 위에 밀집시키기 위하여 다수, 예를 들어 적어도 두 개의 자장 폐회로를 형성시킨다.
도 4는 상기한 영구자석 폐회로부(20)의 단위 자장 폐회로의 상세한 구성을 보여준다. 도 4를 참조하면, 단위 영구자석 폐회로(21)는 중앙부에 연속으로 배치된 두 개의 제 1 영구자석부(22)와, 제 1 영구자석부(22)의 주위에 배치된 4개의 제 2 영구자석부(24) 및 각 영구자석간의 간격을 유지하고 경량화를 위해 알루미늄 합금으로 된 비자성체 스페이서(26)를 포함한다. 여기서, 각 영구자석은 네오디뮴-철(Nd-Fe)계 또는 사마륨(Sm)계 합금으로 만들어지고, 표면 자장이 약 2,000 가우스(Gauss) 이상인 것이 사용된다.
각 단위 영구자석 폐회로(21)에서, 제 1 영구자석부(22)의 두 자석은 N극 또는 S극이 동일하게 위치하도록 배치되고, 제 2 영구자석부(22)의 네 자석은 제 1 영구자석(22)의 두 자석과 인력이 작용하도록 제 1 영구자석(22)의 N극에 근접한 곳에는 S극이 마주보도록, S극과 근접한 곳에서는 N극이 마주보도록 배치된다.
회전부(30)는 영구자석 폐회로부(20)를 타겟(12)의 뒤편에서 타겟(12) 표면에 평행한 타원궤도를 따라 회전시키기 위하여 제공된다. 회전부(30)는, 도 2와 도 3에 도시된 것처럼, 다수의 단위 영구 자석 폐회로부(21)를 하나의 띄 형태로 만들면서 각 단위 영구자석 폐회로부(21)를 타원 궤도를 따라 이송하는 어태치먼트 체인(32)과, 어태치먼트 체인(32)이 회전할 수 있도록 구동력을 전달하는 모터(34)와, 모터(34)를 고정하기 위한 모터 고정축(36)과, 모터(34)의 회전을 원활하게 하는 유씨에프엘(UCFL) 베어링 유니트(38)을 포함한다.
장력 조절부(40)는 단위 영구자석 페회로부(21) 간의 척력을 극복하여 타겟(12) 뒤편에서 타겟에 평행하게 일정한 거리를 유지시키기 위하여 제공되며, 모터 고정축(36)과 보조 회전축 간의 거리 및 장력을 조절하여 평행성을 유지시키는 장력 보정용 볼트(41)와, 거리 및 장력 조절시에도 원활한 회전을 유지할 수 있는 유씨티(UCT) 베어링 유니트(46)와, 유씨티 베어링 유니트(46)를 일정한 방향으로 이송시킬 수 있는 가이드(42) 및 가이드 브라켓(44)를 포함한다.
냉각부(16)와 타겟(12)으로부터 증발된 이온들에 의한 타겟 안치부(14)의 절연파괴를 방지하기 위한 차폐부가 타겟(12)의 상부에 선택적으로 설치될 수 있는데, 이 때, 차폐부는 타겟(12) 표면과 약 1 mm의 높이차를 갖도록 하는 것이 바람직하다.
상기한 구성을 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치에서 막의 형성은 다음과 같은 과정을 통하여 이루어진다.
먼저, 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 지르코늄(Zr)과 같은 금속재나 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide:ITO), 알루미나(Al2O3) 등과 같은 세라믹 중 선택된 타겟(12)이 타겟 안치부(14)에 장착되면, 아르곤(Ar)과 같은 스퍼터링 가스가 챔버(50)로 공급되고, 음극 타겟(12)에 고전위가 인가된다. 고전위의 인가에 의하여 타겟(12)에서 전자가 방출되고 이 전자가 영구자석부(20)에 의하여 형성된 자장에 의해 나선운동과 호핑(hopping)운동을 하여 고밀도의 전자밀집부를 형성한다.
고밀도 전자밀집부에서 전자는 아르곤(Ar)과 충돌하여 아르곤(Ar) 양이온을 발생시키고 이 아르곤(Ar) 양이온이 타겟(12) 표면에 충돌함에 따라 타겟(12)은 침식되고, 타겟(12)의 침식에 의하여 생선된 타겟(12)의 원자와 이온들은 챔버(50)의 상부에 설치된 기판(54)쪽으로 이끌려서 기판(54)의 표면에 부착되는 것에 의하여 기판(54) 위에 박막을 형성한다.
박막의 형성동안, 영구자석 폐회로부(20)의 다수의 단위 영구자석 폐회로(21)는 모터((34)로부터 구동력을 전달받은 어태치먼트 체인(32)이 타겟(12) 표면에 대하여 평행한 타원 궤도를 따라 일방향으로 회전운동을 함에 따라 어태치먼트 체인(32)과 함께 회전한다.
단위 영구자석 폐회로(21)의 회전운동에 따라 단위 영구자석 폐회로(21)에 의하여 타겟 표면의 각 단위 영구자석 폐회로(21)에 대응하는 위치에 형성된 방전 트랙이 타겟(12) 표면 전체를 아래에서 위로, 혹은 위에서 아래로 이송하여 타겟(12) 전면이 균일하게 침식되고, 그 결과 기판의 표면에는 균일한 막이 형성된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치는, 타겟 후면에 설치된 다수의 단위 영구자석 폐회로부를 타겟 표면에 대하여 수직한 타원 궤도를 따라 일방향으로 회전시키므로써 대면적에 걸쳐서 균일한 막 형성을 가능하게 하여, 고가인 타겟의 사용효율을 60% 이상으로 증가시키는 효과를 제공한다.
또한, 상기한 장치는 영구자석 폐회로부의 회전 운동동안 일방향의 고속 이송이 이루어지므로 모터의 수명이 연장된다.
더욱이, 모터가 정/역회전 하지 않고 일방향의 회전운동을 하므로, 타겟의 최상단부와 최하단부 및 중간부에서의 방전시간이 동일하므로 타겟의 전 두께에 걸쳐 침식이 일어나서 타겟의 사용효율이 증대된다.
한편, 여기에서는, 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 통상의 지식을 가진 자에 의하여 변형과 변경이 가능할 것이다. 따라서, 이하 특허청구범위는 본 발명의 사상과 범위를 벗어나지 않는 한 그러한 모든 변형과 변경을 포함하는 것으로 간주된다.

Claims (9)

  1. 타겟을 안치하고 절연시키기 위한 타겟 안치부;
    상기 타겟에 자기장을 인가하기 위한 것으로, 일직선상으로 배열되는 다수의 단위 자장 폐회로를 포함하되, 각 단위 자장 폐회로는 중앙부에 연속으로 배치된 적어도 두 개의 제 1 영구자석부와, 상기 제 1 영구자석부의 주위에 배치된 복수개의 제 2 영구자석부 및 각 영구자석간의 간격을 유지하기 위한 비자성체 스페이서를 포함하는 영구자석부; 및
    상기 영구자석부를 상기 타겟 표면에 평행한 타원 궤도를 따라 회전시키는 회전부를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 마그네트론 스퍼터링 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 영구자석 폐회로부의 단위 영구자석 페회로부들 간의 척력을 극복하여 상기 타겟 뒤편에서 상기 타겟에 평행하게 일정한 거리를 유지시키기 위한 장력 조절부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 마그네트론 스퍼터링 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 장력 조절부는, 상기 모터 고정축과 상기 보조 회전축 간의 거리 및 장력을 조절하여 평행성을 유지시키는 장력 보정용 볼트와, 상기 장력 조절용 볼트에 의한 거리 및 장력 조절시에도 원활한 회전을 유지할 수 있는 유씨티 베어링 유니트와, 상기 유씨티 베어링 유니트를 일정한 방향으로 이송시키기 위한 가이드 및 가이드 브라켓을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 마그네트론 스퍼터링 장치.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 회전부는 다수의 상기 단위 영구 자석 폐회로부를 하나의 띄 형태로 만들면서 각 단위 영구자석 폐회로부를 타원 궤도를 따라 이송하는 어태치먼트 체인과, 상기 어태치먼트 체인에 구동력을 전달하는 모터와, 상기 모터를 고정하기 위한 모터 고정축과, 상기 모터의 회전을 보조하는 보조 회전축과, 상기 모터의 회전을 원활하게 하는 유씨에프엘(UCFL) 베어링 유니트를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 마그네트론 스퍼터링 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 영구자석부는 두 개의 영구자석으로 구성되고 제 2 영구자석부는 4개의 영구자석으로 구성된 것을 특징으로 하는 평판 마그네트론 스퍼터링 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 각 단위 자장 폐회로의 상기 제 1 영구자석부의 두 자석은 N극 또는 S극이 동일하게 위치하도록 배치되고, 상기 제 2 영구자석부의 네 자석은 상기 제 1 영구자석부의 두 자석과 인력이 작용하도록 상기 제 1 영구자석부의 N극에 근접한 곳에는 S극이 마주보도록, S극과 근접한 곳에서는 N극이 마주보도록 배치되는 것을 특징으로 하는 평판 마그네트론 스퍼터링 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 각 영구자석은 표면 자장이 약 2,000 가우스 이상인네오디뮴-철계 또는 사마륨계 합금으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 평판 마그네트론 스퍼터링 장치.
  8. 타겟을 안치하고 절연시키기 위한 타겟 안치부;
    상기 타겟을 냉각하기 위한 냉각부;
    상기 타겟의 후면에 상기 타겟과 소정 거리 이격되고, 적어도 두 개의 영구자석 폐회로를 갖으며, 상기 타겟에 자기장을 인가하기 위한 영구자석부; 및
    상기 영구자석부를 상기 타겟 표면에 평행한 타원 궤도를 따라 회전시키는 회전부를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 마그네트론 스퍼터링 장치.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 영구자석 폐회로부의 단위 영구자석 페회로부들 간의 척력을 극복하여 상기 타겟 뒤편에서 상기 타겟에 평행하게 일정한 거리를 유지시키기 위한 장력 조절부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 마그네트론 스퍼터링 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040002346A (ko) * 2002-06-18 2004-01-07 한스타 디스플레이 코포레이션 자기 제어식 요동 주사형 스퍼터 장치
US8512527B2 (en) 2010-08-11 2013-08-20 Samsung Display Co., Ltd. Magnet transportation system, sputtering apparatus including the same and sputtering method

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4882332B2 (ja) * 2005-10-11 2012-02-22 大日本印刷株式会社 スパッタ装置
US7879210B2 (en) * 2006-02-03 2011-02-01 Applied Materials, Inc. Partially suspended rolling magnetron
US20070151841A1 (en) * 2005-11-17 2007-07-05 Applied Materials, Inc. Flexible magnetron including partial rolling support and centering pins
CN201162043Y (zh) * 2008-03-21 2008-12-10 北京京东方光电科技有限公司 磁控溅射靶结构及设备
KR101009642B1 (ko) * 2008-07-09 2011-01-19 삼성모바일디스플레이주식회사 자화 방지용 마그네트론 부 이송 장치 및 이를 갖는마그네트론 스퍼터링 설비
CN101805889B (zh) 2009-02-13 2012-01-11 北京京东方光电科技有限公司 磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备
CN101988189B (zh) * 2009-08-07 2012-10-10 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 磁控溅射靶及采用该磁控溅射靶的磁控溅射装置
KR20110027187A (ko) * 2009-09-10 2011-03-16 에이피시스템 주식회사 대면적 기판용 마그네트론 스퍼터링 타겟 장치
JP5461264B2 (ja) * 2010-03-25 2014-04-02 キヤノンアネルバ株式会社 マグネトロンスパッタリング装置、及び、スパッタリング方法
US9347129B2 (en) * 2011-12-09 2016-05-24 Seagate Technology Llc Interchangeable magnet pack
US10573500B2 (en) 2011-12-09 2020-02-25 Seagate Technology Llc Interchangeable magnet pack
CN104611674B (zh) * 2014-11-10 2017-08-25 芜湖真空科技有限公司 平面磁控阴极
US20160268127A1 (en) * 2015-03-13 2016-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide and Manufacturing Method Thereof
CN112593193B (zh) * 2020-11-16 2022-12-09 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司 一种真空磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法
CN112663004B (zh) * 2020-12-09 2023-06-27 东莞铱诺科技有限公司 一种手机壳外表面的真空镀膜方法
CN115110051B (zh) * 2022-07-12 2023-07-25 江西贵得科技有限公司 一种镀膜旋转靶靶芯结构

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59175125A (ja) * 1983-03-24 1984-10-03 Toshiba Corp ドライエツチング装置
JPS607132A (ja) * 1983-06-25 1985-01-14 Toshiba Corp ドライエツチング装置
US4517070A (en) * 1984-06-28 1985-05-14 General Motors Corporation Magnetron sputtering cathode assembly and magnet assembly therefor
JPH0774437B2 (ja) * 1986-01-25 1995-08-09 株式会社東芝 薄膜堆積装置
JPS63125675A (ja) * 1986-11-13 1988-05-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd マグネトロンスパツタ装置
DE69121446T2 (de) * 1990-03-30 1997-02-20 Applied Materials Inc Zerstäubungssystem
JP3071225B2 (ja) * 1991-02-05 2000-07-31 株式会社東芝 成膜装置
JP3919266B2 (ja) * 1996-09-27 2007-05-23 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置のマグネトロンカソード電極

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040002346A (ko) * 2002-06-18 2004-01-07 한스타 디스플레이 코포레이션 자기 제어식 요동 주사형 스퍼터 장치
US8512527B2 (en) 2010-08-11 2013-08-20 Samsung Display Co., Ltd. Magnet transportation system, sputtering apparatus including the same and sputtering method

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