KR102287582B1 - 박막 증착용 실드 마스크 장착구 - Google Patents

박막 증착용 실드 마스크 장착구 Download PDF

Info

Publication number
KR102287582B1
KR102287582B1 KR1020150010847A KR20150010847A KR102287582B1 KR 102287582 B1 KR102287582 B1 KR 102287582B1 KR 1020150010847 A KR1020150010847 A KR 1020150010847A KR 20150010847 A KR20150010847 A KR 20150010847A KR 102287582 B1 KR102287582 B1 KR 102287582B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
shield
cap
mask
fixing bolt
hanger
Prior art date
Application number
KR1020150010847A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160090982A (ko
Inventor
김종윤
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020150010847A priority Critical patent/KR102287582B1/ko
Priority to US14/843,554 priority patent/US10072330B2/en
Publication of KR20160090982A publication Critical patent/KR20160090982A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102287582B1 publication Critical patent/KR102287582B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H01L21/203—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/32—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers using masks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)

Abstract

본 발명은 성막되는 필름(film)이 떨어져 등 피엠(P.M) 주기 단축을 방지하는 것이 가능하도록, 기판 이외의 챔버 벽면에 실드 마스크를 장착하기 위한 것으로, 고정볼트와 부싱, 캡 걸이 및 실드 캡으로 구성하되, 상기 캡 걸이나 실드 캡 중 하나는 비대칭 편심 구조를 적용하여 체결 시 상기 실드 캡의 결합 마진(margin)이 상기 실드 마스크의 고정 홀 주변 사방을 차폐할 수 있도록 한 박막 증착용 실드 마스크 장착구를 제공한다.

Description

박막 증착용 실드 마스크 장착구{Thin film deposition shield mask fitting}
본 발명은 박막 증착용 실드 마스크 장착구에 관한 것으로, 특히 고정볼트 주위에 성막되는 필름(film)이 떨어지게 되어 피엠(PM:Preventive Maintenance) 주기가 계획보다 짧아지는 등의 문제점을 해결할 수 있는 박막 증착용 실드 마스크 장착구에 관한 것이다.
통상의 스퍼터링(Sputtering) 장치는 플라즈마에 의해 이온을 가속시켜 이온을 타겟에 충돌케 하여 소정의 기판에 타겟 물질을 성막하는 장치를 말한다. 이러한 스퍼터링장치를 이용하는 스퍼터링 공정은 고온에서 진행되는 화학증착장치에 비해 기판을 약 400℃의 저온으로 유지하면서 박막을 형성할 수 있는 장점이 있다.
스퍼터링 장치는 비교적 간단한 구조로 짧은 시간에 증착 막을 형성할 수 있기 때문에 반도체 소자 및 액정표시장치에 널리 이용되고 있다.
스퍼터링 장치는 타겟부와 기판부를 각각 전원의 음극단과 양극단에 연결하고, 고주파를 발생시키면서 직류전원을 인가하면 전기장의 작용으로 타겟에서 소정의 전자가 발생하고 이 전자들은 양극단으로 가속된다.
이때, 가속 전자들이 챔버에 공급된 불활성가스와 충돌하면 해당 가스가 이온화된다. 불활성 가스의 양이온은 전기장의 작용으로 음극단에 연결된 타겟과 충돌하여 타겟 표면에서 타겟 원자들이 이탈되는 스퍼터링 현상을 일으킨다. 한편, 타겟에서 방출되어 양극단으로 가속되는 전자는 중성원자와 충돌하여 여기되는 데, 이때 플라즈마가 발생하게 된다. 이와 같은 플라즈마는 외부의 전위가 유지되고 전자가 계속 발생하는 경우에 유지된다.
기존의 스퍼터링장치에 있어서, 스퍼터링이 진행시에 타겟의 원자들은 전방향으로 확산되기 때문에 금속 증착을 원하는 기판의 영역 이외에도 타겟의 플라즈마들이 증착된다. 또한, 원자들은 그라운드 쉴드와 마스크 사이의 틈새를 통해 누설되어 챔버의 벽에 증착되어 불순물을 이루기도 하고 이렇게 형성된 불순물은 아크방전을 발생시켜 방전의 불안정을 초래하기도 한다.
이와 같은 문제점들로부터 상기 마스크와 대응하는 면적을 넓히거나 상기 마스크와의 틈을 줄이기 위한 신장부를 더 구비하는 등의 형태를 시도하였지만, 이는 상기 쉴드 및 마스크 간의 틈을 줄인다고는 하나 과도한 사이즈로 인한 자재 비용이 늘어나는 것은 물론, 주변 부품들의 간섭 등 장착 자체가 용이하지 않고, 공정 중의 안정적인 자세유지를 보장할 수 없는 문제점이 야기된다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점으로부터 착안 된 것으로, 고정볼트 주위에 성막되는 필름(film)이 떨어지는 등 피엠(PM:Preventive Maintenance) 주기 단축을 효과적으로 방지할 수 있는 박막 증착용 실드 마스크 장착구를 제공한다.
또한, 본 발명은 간단한 구조로 실드 마스크의 고정 홀 주변을 안정적으로 차폐함으로써, 내부 성막을 방지할 수 있도록 한 박막 증착용 실드 마스크 장착구를 제공하고자 한다.
본 발명이 제안하는 박막 증착용 실드 마스크 장착구는 기판 이외의 챔버 벽면에 실드 마스크를 장착하기 위한 것으로, 고정볼트와 부싱, 캡 걸이 및 실드 캡으로 구성된다.
특히, 상기 캡 걸이나 실드 캡 중 하나는 비대칭 편심 구조를 적용하여 체결 시 상기 실드 캡의 결합 마진(margin)이 상기 실드 마스크의 고정 홀 주변 사방을 차폐할 수 있도록 구성되는 기술구성상의 특징을 가진다.
상기 실드 캡은 상기 캡 걸이의 결합 골에 대응되는 결합 턱의 중심이 상기 실드 캡 중심으로부터 편중되게 배치된 형태 등 다양하게 실시할 수 있다.
또, 상기 캡 걸이는 상기 고정볼트가 끼워지는 삽입공의 중심이 상기 캡 걸이 중심으로부터 편중되게 배치되는 등 다양한 형태로의 실시 또한 가능하다.
본 발명의 실시 예에 따른 박막 증착용 실드 마스크 장착구에 의하면, 비대칭형의 편심 구조를 적용하여 사이즈를 변경하지 않고도 실드 마스크의 고정 홀 주변 틈을 안정적인 보호 마진(margin)으로 커버 할 수 있으므로 성막 필름(film)의 탈락(peeling)은 물론, 피엠(P.M) 주기 단축을 방지하는 기술효과를 발휘한다.
특히, 본 발명의 실시 예에 따른 박막 증착용 실드 마스크 장착구에 의하면, 실드 캡 및 캡 걸이의 구조가 간단하므로 제조 및 가공에 따른 생산성의 향상이 도모되며, 원자재 비용에 대한 부담을 가중시키는 등의 문제점을 해소하는 기술효과를 얻는다.
도 1은 스퍼터링 장치의 챔버 내부를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 박막 증착용 실드 마스크 장착구의 분해 상태를 개괄적으로 도시한 분해단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 박막 증착용 실드 마스크 장착구의 실드 캡을 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 박막 증착용 실드 마스크 장착구의 결합 상태를 개괄적으로 도시한 결합단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 박막 증착용 실드 마스크 장착구의 분해 상태를 개괄적으로 도시한 분해단면도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 박막 증착용 실드 마스크 장착구의 캡 걸이를 도시한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 박막 증착용 실드 마스크 장착구의 결합 상태를 개괄적으로 도시한 결합단면도이다.
이하에서는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 증착용 실드 마스크 장착구의 기술구성을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1을 참조해 보면, 스퍼터링 장치의 챔버 내부에는 기판부(SP), 타겟부(TP) 및 마스크부(MP)로 이루어진다.
마스크부(MP)는 마스크(2), 플로팅 마스크(4) 및 절연체(6)로 이루어진다. 마스크(2)는 알루미늄(Al) 등과 같은 전도성물질을 이용하여 사각 테두리 형상으로 형성되어 플라즈마 방전시 양극 역할을 하게 된다. 플로팅마스크(4)는 알루미늄(Al) 등과 같은 전도성물질로 마스크(2)의 테두리 내측에 마스크(2)와 전기적으로 절연되게 형성된다. 절연체(6)는 절연물질로 형성되어 마스크(2)와 플로팅 마스크(4)를 전기적으로 절연시킨다. 플로팅 마스크(4)는 타겟(3)입자들이 증착되는 영역을 한정하여 결국 스퍼터링 증착영역을 결정한다.
기판부(SP)는 스퍼터링공정에 의해 증착물질이 증착되는 기판(8)과, 기판(8)을 지지하는 서셉터(1)로 이루어진다.
타겟부(TP)는 자석(5), 후면판(7), 타겟(3) 및 그라운드 쉴드(6)로 이루어진다. 자석(5)은 플라즈마에서 발생하는 전자가 스퍼터링 장치의 다른 부분으로 이탈하는 것을 방지하기 위해 자기장을 인가하게 된다. 후면판(7)은 스퍼터링에 의해 기판(8)에 형성되기 위한 증착물질인 타겟(3)을 고정하게 된다. 그라운드 쉴드(6)는 타겟(3) 사이에서 하나 이상이 형성되며, 타겟(3)의 에지부에서 'ㄴ'자 형태로 형성된다. 이러한 그라운드 쉴드(6)는 그라운드에 접지가 되어 방전시 양극의 역할을 한다.
이러한 구조의 스퍼터링장치에 있어서, 스퍼터링이 진행시에 타겟(3)의 원자들은 전방향으로 확산되기 때문에 금속 증착을 원하는 기판(8)의 영역 이외에도 타겟의 플라즈마들이 증착된다. 또한, 원자들은 그라운드 쉴드(6)와 마스크(2) 사이의 틈새를 통해 누설되어 챔버의 벽에 증착되어 불순물을 이루기도 하고 이렇게 형성된 불순물은 아크방전을 발생시켜 방전의 불안정을 초래하기도 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 박막 증착용 실드 마스크 장착구는 도 2 내지 7에서 도시한 바와 마찬가지로 기판 이외의 챔버 벽면(10)에 소정의 실드 마스크(20)를 고정, 장착하기 위해 구비되는 일련의 장착구로 이루어진다.
예를 들면, 고정볼트(30)와 부싱(31) 외에 캡 걸이(41) 및 실드 캡(40)을 포함하는 형태라 할 수 있다.
상기 실드 마스크(20)는 타겟에서 튀어나온 증착 입자가 상기 챔버 벽면(10)에 부착되는 것을 방지하기 위한 것으로, 소정의 상기 고정볼트(30)를 이용하여 장착한다.
이때, 상기 고정볼트(30)의 머리는 증착을 위한 표면처리가 쉽지 않다. 그러므로 상기 실드 캡(40)으로 상기 고정볼트(30)의 머리 부위에 대한 표면처리를 대신하는 동시에 상기 실드 마스크(20)의 고정 홀(21) 주변 틈을 막음으로써, 상기 고정 홀(21)로 인한 상기 챔버 벽면(10) 성막을 방지하는 역할을 병행할 수 있도록 한다.
상기 실드 마스크(20) 및 실드 캡(40)은 가능한 성막된 막이 잘 부착될 수 있도록 표면적이 넓으면서 표면을 거칠게 가공하는 것이 좋다. 예를 들어, 상기 실드 마스크(20) 및 실드 캡(40)은 표면을 엠보싱 가공한 후 이를 다시 에이엘(Al)용사처리 하는 형태 등 다양하게 실시할 수 있다.
상기 부싱(31)은 상기 캡 걸이(41)의 높이를 조절함으로써, 상기 실드 캡(40)과 상기 캡 걸이(41) 상호 간의 체결이 안정적이면서도 용이하게 하기 위한 일종의 보조수단이라 할 수 있다.
이에 따라, 상기 부싱(31)은 상기 실드 마스크(20)의 고정 홀(21) 깊이나 상기 캡 걸이의 결합 골(41a)이 형성된 위치에 따라 소정의 높이로 구성될 수 있다.
바람직하게는, 도 4나 도 6에서처럼 상기 실드 캡(40)이 상기 캡걸이(41)에 장착된 상태에서 상기 실드 마스크(20)의 표면과도 맞닿아 상기 고정 홀(21)의 입구를 밀착, 커버 할 수 있는 높이로 실시하는 것이 좋다.
특히, 본 발명의 실시 예에 따른 박막 증착용 실드 마스크 장착구는 상기 캡 걸이(41)나 실드 캡(40) 중 어느 하나에 비대칭 편심 구조를 적용한 형태로 실시한다.
여기서, 비대칭 편심 구조라는 것은 도 3이나 도 6에서 나타낸 것처럼 상기 실드 캡(40)이나 상기 캡 걸이(41) 중 어느 한쪽에 형성된 체결을 위한 소정의 수단이 중심으로부터 치우치게 배치된 구조를 말한다.
이와 같은 비대칭 편심 구조는 체결 시 상기 실드 마스크(20)의 고정 홀(21) 주변을 밀착, 커버하는 상기 실드 캡(40)의 결합 마진(margin)이 상기 고정 홀(21)을 사방으로 차폐함으로써, 타겟에서 나온 증착 입자에 의한 오염을 효과적으로 차단하는 등의 기술효과를 얻는다.
더 구체적으로 상기 실드 캡(40)의 경우에는 도 2 내지 도 4에서처럼 결합 턱(40a)의 중심이 상기 실드 캡(40)의 중심으로부터 하향 편중된 위치에 배치되도록 한다.
상기 결합 턱(40a)은 상기 캡 걸이(41)의 결합 골(41a)에 대응되는 소정의 돌기 형태 등 다양하게 실시할 수 있다.
상기 결합 턱(40a)의 중심이 상기 실드 캡(40) 중심으로부터 하향 편중되는 정도는 상기 캡 걸이(41)의 결합 골(41a)과의 체결 시 상기 고정 홀(21)에 대응되는 상기 실드 캡(40)의 결합 마진(margin)이 상기 고정 홀(21) 주변 사방 틈을 균일하게 막을 수 있는 정도로부터 가늠하여 실시하는 것이 좋다.
한편, 상기 캡 걸이(41)의 경우에는 도 5 내지 도 7에서처럼 상기 고정볼트(30)가 끼워지는 삽입공(41b)의 중심이 상기 캡 걸이(41)의 중심으로부터 하향 편중된 위치에 배치되도록 실시하는 것이 좋다.
상기 캡 걸이(41)의 결합 골(41a)은 상기 실드 캡(40)의 결합 턱(40a)에 대응되는 소정의 홈 형태 등 다양하게 실시할 수 있다.
그리고, 상기 삽입공(41b)의 중심이 상기 캡 걸이(41) 중심으로부터 하향 편중되게 구비하는 정도 또한 상기 실드 캡(40)과 캡 걸이(41) 간의 체결 시 상기 고정 홀(21)에 대응되는 상기 실드 캡(40)의 결합 마진(margin)이 상기 고정 홀(21) 주변 사방 틈을 균일하게 막음으로써, 상기 고정 홀(21) 내부로 증착 입자의 유입을 효과적을 차단할 수 있는 정도로 실시하는 것이 좋다.
상기 실드 캡(40)과 상기 캡 걸이(41)는 상기 실드 마스크(20)의 고정 홀(21) 형상에 따라 다양한 형태로 실시할 수 있다. 바람직하게는 도 3이나 도 6에서 도시한 바와 마찬가지로 원형으로 실시하는 것이 상기 결합 턱(40a)이나 결합 골(41a) 등에 대한 가공 상의 편의성을 도모하기가 유리하게 된다.
상기에서는 본 발명에 따른 박막 증착용 실드 마스크 장착구에 대한 이해를 돕기 위해 구체적인 실시 예를 들어 설명하였지만, 이러한 구체적인 실시 예로 본 발명의 기술사상을 한정하는 것은 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명으로부터 통상의 지식을 가진 자가 변경 또는 변형 가능한 정도 또한 본 발명의 범주로 이해하여야 할 것이다.
10 : 챔버 벽면 20 : 실드 마스크 21 : 고정 홀
30 : 고정볼트 31 : 부싱 40 : 실드 캡
40a: 결합 턱 41 : 캡 걸이 41a: 결합 골
41b: 삽입공

Claims (8)

  1. 챔버 벽면에 실드 마스크를 장착하는 박막 증착용 실드 마스크 장착구에 있어서,
    상기 실드 마스크의 고정 홀 및 상기 챔버 벽면을 관통하는 고정볼트,
    상기 고정볼트를 둘러싸고, 결합 골을 포함하는 캡 걸이,
    상기 실드 마스크와 상기 캡 걸이 사이에 위치하는 부싱, 및
    상기 캡 걸이의 결합 골에 결합되는 결합 턱을 포함하는 실드 캡을 포함하고,
    상기 캡 걸이의 결합 골 및 상기 실드 캡의 결합 턱 중 적어도 어느 하나는 상기 고정볼트를 중심으로 양측이 비대칭인 구조를 가지고,
    상기 고정볼트의 중심으로부터 상기 실드 캡의 일측 가장자리까지의 거리는 상기 고정볼트의 중심으로부터 상기 실드 캡의 타측 가장자리까지의 거리와 동일한 박막 증착용 실드 마스크 장착구.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 고정볼트의 중심으로부터 상기 실드 캡의 결합 턱의 일측 가장자리까지의 거리는 상기 고정볼트의 중심으로부터 상기 실드 캡의 결합 턱의 타측 가장자리까지의 거리와 상이한 박막 증착용 실드 마스크 장착구.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 고정볼트의 중심으로부터 상기 캡 걸이의 결합 골의 일측 가장자리까지의 거리는 상기 고정볼트의 중심으로부터 상기 캡 걸이의 결합 골의 타측 가장자리까지의 거리와 상이한 박막 증착용 실드 마스크 장착구.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 실드 마스크 및 실드 캡은 표면을 엠보싱 가공 후 에이엘(Al)용사처리 한 것을 특징으로 하는 박막 증착용 실드 마스크 장착구.
  5. 제1항에서,
    상기 실드 캡의 직경은 상기 고정 홀의 직경보다 큰 박막 증착용 실드 마스크 장착구.
  6. 제1항에서,
    상기 실드 캡이 상기 캡 걸이에 결합된 상태에서, 상기 고정 홀은 상기 실드 캡에 의해 전체적으로 덮일 수 있는 박막 증착용 실드 마스크 장착구.
  7. 제1항에서,
    상기 부싱은 상기 고정 홀을 통해 연장되어, 상기 캡 걸이의 측벽과 상기 실드 마스크 사이의 빈 공간에 위치하는 박막 증착용 실드 마스크 장착구.
  8. 제1항에서,
    상기 고정볼트와 상기 캡 걸이의 상부면은 나란하게 정렬되고,
    상기 고정볼트와 상기 캡 걸이의 상부면은 상기 실드 마스크의 상부면으로부터 떨어져 있고,
    상기 실드 캡은 상기 고정볼트, 상기 캡 걸이 및 상기 실드 마스크와 접촉하는 박막 증착용 실드 마스크 장착구.
KR1020150010847A 2015-01-22 2015-01-22 박막 증착용 실드 마스크 장착구 KR102287582B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150010847A KR102287582B1 (ko) 2015-01-22 2015-01-22 박막 증착용 실드 마스크 장착구
US14/843,554 US10072330B2 (en) 2015-01-22 2015-09-02 Shield mask mounting fitting for a sputtering apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150010847A KR102287582B1 (ko) 2015-01-22 2015-01-22 박막 증착용 실드 마스크 장착구

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160090982A KR20160090982A (ko) 2016-08-02
KR102287582B1 true KR102287582B1 (ko) 2021-08-09

Family

ID=56434380

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150010847A KR102287582B1 (ko) 2015-01-22 2015-01-22 박막 증착용 실드 마스크 장착구

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10072330B2 (ko)
KR (1) KR102287582B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010019016A1 (en) * 1996-05-09 2001-09-06 Anantha Subramani Recessed coil for generating a plasma
US20110138940A1 (en) * 2008-06-13 2011-06-16 Frieder Krueger Adjustment fitting
US20130202990A1 (en) 2012-02-02 2013-08-08 Vibhu Jindal Coating of shield surfaces in deposition systems

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3339765A1 (de) * 1983-11-03 1985-05-15 Spiro Research B.V., Helmond Tragelement fuer aufzuhaengende gegenstaende
US4517070A (en) * 1984-06-28 1985-05-14 General Motors Corporation Magnetron sputtering cathode assembly and magnet assembly therefor
KR20060128550A (ko) 2005-06-10 2006-12-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 스퍼터링 장치
KR101066798B1 (ko) * 2006-03-14 2011-09-23 엘아이지에이디피 주식회사 정전척, 기판 지지대, 챔버 및 그 제조 방법
KR20110063058A (ko) 2009-12-04 2011-06-10 엘지디스플레이 주식회사 스퍼터링장치
KR101564213B1 (ko) 2009-12-04 2015-10-30 엘지디스플레이 주식회사 스퍼터링 장치
KR101341426B1 (ko) 2011-12-07 2013-12-13 주식회사 에스에프에이 스퍼터 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010019016A1 (en) * 1996-05-09 2001-09-06 Anantha Subramani Recessed coil for generating a plasma
US20110138940A1 (en) * 2008-06-13 2011-06-16 Frieder Krueger Adjustment fitting
US20130202990A1 (en) 2012-02-02 2013-08-08 Vibhu Jindal Coating of shield surfaces in deposition systems

Also Published As

Publication number Publication date
US10072330B2 (en) 2018-09-11
KR20160090982A (ko) 2016-08-02
US20160214136A1 (en) 2016-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10276405B2 (en) Plasma processing apparatus
KR101271560B1 (ko) 진공 물리적 기상 증착을 위한 챔버 실드
KR101256856B1 (ko) 진공 물리적 기상 증착을 위한 성형 애노드 및 애노드-실드 접속
CN106548914B (zh) 一种等离子体处理设备及其清洗系统和方法
KR20170024613A (ko) 분리가능한 고 저항률 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드
KR101887160B1 (ko) 반응 챔버와 반도체 제조 장치
TW201508806A (zh) 等離子體處理裝置
CN111354672B (zh) 静电卡盘及等离子体加工装置
JP7140610B2 (ja) プラズマ処理装置
US10388528B2 (en) Non-ambipolar electric pressure plasma uniformity control
JP5654939B2 (ja) 成膜装置
TW201406213A (zh) 電漿處理裝置
TWM469617U (zh) 法拉第遮罩裝置
KR102287582B1 (ko) 박막 증착용 실드 마스크 장착구
CN110396664B (zh) 接地环、腔室以及物理气相沉积设备
KR101112745B1 (ko) 가변형 용량 결합 전극을 구비한 플라즈마 반응기
KR20060073421A (ko) 애노드 레이어 입자 빔 장치
KR20110122456A (ko) 액정표시장치의 제조장치 및 제조방법
CN109837513A (zh) 用于物理气相沉积设备的护罩结构及其物理气相沉积设备
TW202032617A (zh) 電漿處理裝置
KR102450392B1 (ko) 스퍼터링 장치
TW201334113A (zh) 一種設有埋入射頻電極的靜電吸盤
KR20200045003A (ko) 개선된 증착 균일성을 위해 다양한 프로파일을 갖는 측부들을 갖는 섀도우 프레임
KR20010039233A (ko) 반도체 스퍼터링 설비의 웨이퍼 에칭 장치
KR102388721B1 (ko) 플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant