JPH0325835A - プラズマスパッタ型負イオン源 - Google Patents
プラズマスパッタ型負イオン源Info
- Publication number
- JPH0325835A JPH0325835A JP1161774A JP16177489A JPH0325835A JP H0325835 A JPH0325835 A JP H0325835A JP 1161774 A JP1161774 A JP 1161774A JP 16177489 A JP16177489 A JP 16177489A JP H0325835 A JPH0325835 A JP H0325835A
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- sputter target
- cesium
- sputter
- target
- negative ion
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はプラズマスバッタ型負イオン源に関する．
（従来の技術）
従来のプラズマスパッタ型負イオン源は，第２図に示す
ような構成のものが使用されている．同図において，１
は負イオンとして引出される元素を供給するスバッタ・
ターゲット，２はセシウム蒸気を供給するセシウム・リ
ザーバー、３はスパッタ・ターゲット１をスパッタする
プラズマを作るフィラメントである． ４はこれらを収納する容器５とフィラメント３との間を
絶縁する絶縁物，６は発生したプラズマを閉じ込める磁
場を構成する永久磁石，７はスパッタ・ターゲット１と
容器５との間を絶縁する絶縁物，８はスパッタ・ターゲ
ット１を支持し、冷却を行なう冷却軸、９は引出電極１
０と容器５との間を絶縁する絶縁リング，１１はプラズ
マとするアルゴン、キセノン等の希ガスを容器５内に導
入する導入口，１２は真空ポンプに通ずる通路である． 導入口１１から容器５内に導入された希ガスは、フィラ
メント３によりイオン化され、プラズマとなる．このプ
ラズマのうち，イオンは，スパッタ・ターゲット１と容
器５との間に印加された電場により加速され，スバッタ
・ターゲット１をスパッタする． セシウム・リザーバ−２で生成されたセシウム蒸気のう
ち、一部はイオン化し，プラズマ中に取り込まれ、他の
一部はスパッタ・ターゲット１の表面に付着する． イオンによりスパッタされたスパッタ粒子には、スバッ
タ・ターゲット１の表面に付着したセシウムより電子が
供給され、負イオンが生成する．この負イオンは、容器
５と引出電極１０との間に生成されている電場により、
図中の矢印１３の方向に引出される． （発明が解決しようとする課題） ところでこのような構成の負イオン源において，スパッ
タ・ターゲットとしてホウ素などによって構成すると、
これは熱伝導率が悪いので，その表面が高温になりやす
い．そのためセシウムの付着率が悪くなる．スパッタ・
ターゲットとして銅などによって構成すると、これはス
パッタ率が高いので、セシウムも一緒にスパッタされて
しまうようになる． 更にプラズマの密度を高くすると、そのプラズマに取り
込まれるセシウム蒸気が増大し，そのためスバッタ・タ
ーゲットの表面に付着する量が減少してしまう． 以上のような理由により、スパッタ・ターゲットの表面
のセシウム量が不足すると，負イオンビーム電流は少な
くなるし，またセシウムの消費量も多くなるといった欠
点がある． この発明は、スバッタ・ターゲットへセシウムを充分に
供給できるようにし、負イオンビームの増大化を図るこ
とを目的とする． （課題を解決するための手段） この発明は、スバッタ・ターゲットの背面にセシウム・
リザーパーを設け，このセシウム・リザーバーからスパ
ッタ・ターゲットの表面に直接導入するようにしたこと
を特徴とする． （作用） スパッタ・ターゲットの背面のセシウム・リザーバーよ
り、スパッタ・タ・−ゲットの表面にセシウム蒸気が直
接供給される．そのため無駄なくスパッタ・ターゲット
の表面にセシウム蒸気が付着するようになる．またプラ
ズマにほとんど取り込まれることなく、スパッタ・ター
ゲットの表面に付着する． （実施例） この発明の実施例を第１図によって説明する．なお第２
図と同じ符合を付した部分は，同一または対応する部分
を示す．この発明にしたがい，セシウム・リザーバ−２
をスパッタ・ターゲット１の背面に設置する．そしてこ
のセシウム・リザーバ−２からのセシウム蒸気を，スパ
ッタ・ターゲット１の側面を通る通路１４によって，ス
パッタ・ターゲット１の表面にまで導入する． 通路１４の先端はスパッタ・ターゲット１の表面に対し
、斜め横方向に開口するようにしてあり，したがって通
路１４を介して送られてきたセシウム蒸気は、スパッタ
・ターゲット１の表面に直接吹き付けられるようになる
． （発明の効果） 以上詳述したようにこの発明によれば，セシウム蒸気を
スパッタ・ターゲットの表面に直接吹き付けるようにし
たので，スパッタ・ターゲットの表面にセシウム蒸気を
効率良く供給することができ，これによって負イオンビ
ームを増大させることができるといった効果を奏する．
ような構成のものが使用されている．同図において，１
は負イオンとして引出される元素を供給するスバッタ・
ターゲット，２はセシウム蒸気を供給するセシウム・リ
ザーバー、３はスパッタ・ターゲット１をスパッタする
プラズマを作るフィラメントである． ４はこれらを収納する容器５とフィラメント３との間を
絶縁する絶縁物，６は発生したプラズマを閉じ込める磁
場を構成する永久磁石，７はスパッタ・ターゲット１と
容器５との間を絶縁する絶縁物，８はスパッタ・ターゲ
ット１を支持し、冷却を行なう冷却軸、９は引出電極１
０と容器５との間を絶縁する絶縁リング，１１はプラズ
マとするアルゴン、キセノン等の希ガスを容器５内に導
入する導入口，１２は真空ポンプに通ずる通路である． 導入口１１から容器５内に導入された希ガスは、フィラ
メント３によりイオン化され、プラズマとなる．このプ
ラズマのうち，イオンは，スパッタ・ターゲット１と容
器５との間に印加された電場により加速され，スバッタ
・ターゲット１をスパッタする． セシウム・リザーバ−２で生成されたセシウム蒸気のう
ち、一部はイオン化し，プラズマ中に取り込まれ、他の
一部はスパッタ・ターゲット１の表面に付着する． イオンによりスパッタされたスパッタ粒子には、スバッ
タ・ターゲット１の表面に付着したセシウムより電子が
供給され、負イオンが生成する．この負イオンは、容器
５と引出電極１０との間に生成されている電場により、
図中の矢印１３の方向に引出される． （発明が解決しようとする課題） ところでこのような構成の負イオン源において，スパッ
タ・ターゲットとしてホウ素などによって構成すると、
これは熱伝導率が悪いので，その表面が高温になりやす
い．そのためセシウムの付着率が悪くなる．スパッタ・
ターゲットとして銅などによって構成すると、これはス
パッタ率が高いので、セシウムも一緒にスパッタされて
しまうようになる． 更にプラズマの密度を高くすると、そのプラズマに取り
込まれるセシウム蒸気が増大し，そのためスバッタ・タ
ーゲットの表面に付着する量が減少してしまう． 以上のような理由により、スパッタ・ターゲットの表面
のセシウム量が不足すると，負イオンビーム電流は少な
くなるし，またセシウムの消費量も多くなるといった欠
点がある． この発明は、スバッタ・ターゲットへセシウムを充分に
供給できるようにし、負イオンビームの増大化を図るこ
とを目的とする． （課題を解決するための手段） この発明は、スバッタ・ターゲットの背面にセシウム・
リザーパーを設け，このセシウム・リザーバーからスパ
ッタ・ターゲットの表面に直接導入するようにしたこと
を特徴とする． （作用） スパッタ・ターゲットの背面のセシウム・リザーバーよ
り、スパッタ・タ・−ゲットの表面にセシウム蒸気が直
接供給される．そのため無駄なくスパッタ・ターゲット
の表面にセシウム蒸気が付着するようになる．またプラ
ズマにほとんど取り込まれることなく、スパッタ・ター
ゲットの表面に付着する． （実施例） この発明の実施例を第１図によって説明する．なお第２
図と同じ符合を付した部分は，同一または対応する部分
を示す．この発明にしたがい，セシウム・リザーバ−２
をスパッタ・ターゲット１の背面に設置する．そしてこ
のセシウム・リザーバ−２からのセシウム蒸気を，スパ
ッタ・ターゲット１の側面を通る通路１４によって，ス
パッタ・ターゲット１の表面にまで導入する． 通路１４の先端はスパッタ・ターゲット１の表面に対し
、斜め横方向に開口するようにしてあり，したがって通
路１４を介して送られてきたセシウム蒸気は、スパッタ
・ターゲット１の表面に直接吹き付けられるようになる
． （発明の効果） 以上詳述したようにこの発明によれば，セシウム蒸気を
スパッタ・ターゲットの表面に直接吹き付けるようにし
たので，スパッタ・ターゲットの表面にセシウム蒸気を
効率良く供給することができ，これによって負イオンビ
ームを増大させることができるといった効果を奏する．
第１図はこの発明の実施例を示す断面図，第２図は従来
例の断面図である． ｌ・・・スバッタ・ターゲット、２・・・セシウム・リ
ザーバー、３・・・フィラメント、５・・・容器、１１
・・・希ガス導入口，
例の断面図である． ｌ・・・スバッタ・ターゲット、２・・・セシウム・リ
ザーバー、３・・・フィラメント、５・・・容器、１１
・・・希ガス導入口，
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 負イオンとして引出される元素を供給するスパッタ・
ターゲットおよび前記スパッタ・ターゲットをスパッタ
するプラズマを生成するフィラメントを備えてなるプラ
ズマスパッタ型負イオン源において、 前記スパッタ・ターゲットからのスパッタ粒子に電子を
供給して負イオンとするセシウム蒸気を生成するセシウ
ム・リザーバーを、前記スパッタ・ターゲットの背面に
設置し、前記セシウム・リザーバーからのセシウム蒸気
を、前記スパッタ・ターゲットの表面に直接導入してな
る プラズマスパッタ型負イオン源
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1161774A JPH0325835A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | プラズマスパッタ型負イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1161774A JPH0325835A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | プラズマスパッタ型負イオン源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0325835A true JPH0325835A (ja) | 1991-02-04 |
Family
ID=15741650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1161774A Pending JPH0325835A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | プラズマスパッタ型負イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0325835A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030065810A (ko) * | 2002-02-01 | 2003-08-09 | 필터레이 화이버 옵틱스 인코퍼레이티드 | 광학박막 제조 장치 및 방법 |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP1161774A patent/JPH0325835A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030065810A (ko) * | 2002-02-01 | 2003-08-09 | 필터레이 화이버 옵틱스 인코퍼레이티드 | 광학박막 제조 장치 및 방법 |
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