KR20030065810A - 광학박막 제조 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고밀도 플라즈마를 발생시켜 양질의 박막을 형성하고 증착속도를 향상시키는 데 적당한 광학박막 제조 장치 및 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 장치는 외부로부터 주입되는 불활성 기체의 양을 조절하는 기체흐름조절부와, 상기 기체흐름조절부로부터 제 1 기체 유동관를 통해 주입된 불활성 기체를 예열하는 예열부와, 상기 예열부로부터 제 2 기체 유동관을 통해 주입되는 불활성 기체와 버블러를 이용하여 제 3 기체 유동관으로 세슘 기체를 배출하는 세슘 기화부와, 상기 세슘 기화부의 증기압을 검출하는 압력검출부와, 상기 세슘 기화부의 증기압을 조절하는 압력조절밸브와, 상기 압력조절밸브를 통과한 세슘 기체를 진공챔버에 주입시키기 위한 주입관과, 진공챔버 내에 설치되는 다수개의 타켓과, 상기 주입관으로부터 공급받은 세슘 기체를 상기 다수개의 타켓의 표면에 선택적으로 분사하는 다수개의 세슘 분사부를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 광학박막 제조 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 적층박막 형성 시에 음이온을 발생시켜 고밀도인 양질의 박막을 기판 위에 형성하고 증착속도를 향상시킬 수 있는 제조 장치 및 방법에 관한 것이다.
광통신에서 파장분할다중화(Wavelength Division Multiplexing : WDM) 방식은 파장이 서로 다른 다수개의 광파(光波)를 이용하여 데이터를 전송하는 것으로, 광섬유(optical fiber)를 통한 데이터 전송에 적용되고 있다.
이러한 파장분할다중화 방식은 각각의 광파로부터 데이터 신호를 분리하기 위한 필터를 필요로 하며, WDM용 필터로는 적층된 박막(thin film)을 이용한 필터가 주로 사용된다.
특히, 광파간의 간격이 0.01㎛ 정도로 작은 DWDM(Dense Wavelength Division Multiplexing)용 필터는 도 1에 도시한 바와 같이, 기판(1) 상에 SiO2박막(2)과 Ta2O5박막(3)이 적층되고 공진층(resonator)(4)이 형성된 필터를 사용하는데, 박막 한 층은 광파의 1/4, 즉 파장(wavelength)의 1/4에 해당하는 두께로 형성한다.
이때, C-band를 기준으로 박막 한 층의 실제 두께는 대략 200∼300nm 정도로 형성되며, 사용하는 channel의 수가 증가할수록 적층박막의 두께가 증가된다.
DWDM용 적층박막의 제작을 위해서는 용도에 따라 수백 층을 번갈아 쌓게 되는데, 일반적으로 전자빔 증착(e-beam evaporation) 방식 또는 스퍼터링(sputtering) 증착 방식을 이용한다.
이 중 스퍼터링 증착 방식은 금속뿐만 아니라 절연물질의 박막 형성에 용이하고, 높은 에너지를 이용하여 공정이 진행되므로 박막의 접착력이 크며, 단차 피복성(step coverage)이 우수하여 균일한 박막 형성이 가능하다.
이하, 종래 기술에 따른 스퍼터링 장치를 이용한 광학박막 제조 장치 및 방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 2는 기존의 멀티-타켓(multi-target)을 이용한 스퍼터링 장치를 나타낸 구성도이고, 도 3은 도 2의 스퍼터링 장치를 이용한 증착 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, DWDM용 적층박막의 형성을 위한 종래의 스퍼터링 장치는 진공챔버(21)와, 상기 진공챔버(21) 내에 기판(24)과 소정 간격을 두고 설치되는 제 1, 2 타켓(22a)(22b)과, 상기 제 1, 2 타켓(22a)(22b)에 전원을 인가하는 전원공급부(도시하지 않음)와, 상기 진공챔버(21) 내에 플라즈마 소스를 공급하는 플라즈마 소스 공급부(23)로 구성된다.
여기서, 상기 제 1, 2 타켓(22a)(22b)은 각각 Ta2O5박막과 SiO2박막의 소스가 되는 물질로 이루어지며, 상기 플라즈마 소스는 불활성 기체인 아르곤 기체를 이용한다.
상기와 같은 구성을 갖는 기존의 스퍼터링 장치는 진공챔버(21) 내에 불활성기체인 아르곤을 채우고, 고압의 DC나 RF(Radio frequency) 전압을 타켓에 인가하여 아르곤을 이온화시킨 후, 이온화된 아르곤이 타켓에 충돌하면서 방출되는 이온을 이용하여 박막을 형성한다.
상기의 스퍼터링 장치를 이용한 DWDM용 적층박막의 증착 방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 3에 도시한 바와 같이, Ta2O5박막을 증착하는 경우, 진공챔버(21) 내에 일정한 압력을 유지하면서 플라즈마 소스인 아르곤을 주입하고, 제 1 타켓(22a)에 전원을 인가한다.
이때, 상기 제 1 타켓(22a)의 표면에 인접한 아르곤 기체는 이온화된 기체상태, 즉 플라즈마 상태로 변화된다.
상기 이온화된 아르곤 기체는 상기 제 1 타켓(22a)에 충돌하면서 금속원자들에 높은 에너지를 전해주어 이온화된 금속이온을 스퍼터링하여 기판(24)에 금속박막을 형성한다.
동시에 희석된 산소 기체를 공급하고 기판(24)에 증착된 금속과 산소 기체의 반응을 유도하여 Ta2O5박막을 형성한다.
이후, Ta2O5박막의 증착 공정이 완료되면 상기 제 1 타켓(22a)에 공급하던 전원을 차단하고, 플라즈마 소스의 공급을 중단시킨다.
그리고, 다시 플라즈마 소스를 공급하고 제 2 타켓(22b)에 전원을 공급하여 Ta2O5박막을 증착하는 상기 공정과 같이 SiO2박막을 형성한다.
그러나, 상기와 같이 멀티 타켓을 이용한 스퍼터링 장치 및 방법을 사용하면, DWDM용 적층박막을 제작하기에는 표면거칠기, 밀도 및 계면성질 등의 박막의 질이 부족하다는 단점이 있다. 이를 해결하기 위해서 플라즈마를 사용하여 이온빔을 발생시키는 보조 설비를 사용하기도 하나, 100GHz급 이상의 DWDM적층박막을 제조하기에는 여전히 어려움이 있다.
본 발명은 이와 같은 종래의 적층박막 형성을 위한 스퍼터링 장치 및 방법의 문제를 해결하기 위한 것으로, 불활성 기체에 의해 발생하는 기포를 이용하여 세슘 기체를 진공챔버 내의 다수개의 타켓에 선택적으로 공급함으로써, 적층박막의 형성 시에 타겟으로부터 음이온을 발생시켜 고밀도인 양질의 박막을 형성하고 증착속도를 향상시키는 데 적당한 제조 장치 및 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
도 1은 일반적인 DWDM 필터의 적층박막을 나타낸 단면도
도 2는 기존의 멀티-타켓(multi-target)을 이용한 스퍼터링 장치를 나타낸 구성도
도 3은 도 2의 스퍼터링 장치를 이용한 증착 방법을 설명하기 위한 공정도
도 4는 본 발명에 의한 광학박막 제조 장치를 나타낸 구성도
도 5는 도 4의 광학박막 제조 장치를 이용한 증착 방법을 설명하기 위한 공정도
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
41 : 기체흐름조절부 42 : 예열부
43a,43b,43c,43d : 차단밸브 44 : 히터
45 : 세슘 기화부 46 : 압력검출부
47 : 압력조절밸브 48 : 주입관
49 : 열선 50a,50b : 제 1, 2 세슘 주입부
51a,51b : 제 1, 2 타켓 52 : 진공챔버
53 : 기판 400 : 세슘 공급장치
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 외부로부터 주입되는 불활성 기체의 양을 조절하는 기체흐름조절부와, 상기 기체흐름조절부로부터 제 1 기체 유동관를 통해 주입된 불활성 기체를 예열하는 예열부와, 상기 예열부로부터 제 2 기체 유동관을 통해 주입되는 불활성 기체와 버블러를 이용하여 제 3 기체 유동관으로 세슘 기체를 배출하는 세슘 기화부와, 상기 세슘 기화부의 증기압을 검출하는 압력검출부와, 상기 세슘 기화부의 증기압을 조절하는 압력조절밸브와, 상기 압력조절밸브를 통과한 세슘 기체를 진공챔버에 주입시키기 위한 주입관과, 진공챔버 내에 설치되는 다수개의 타켓과, 상기 주입관으로부터 공급받은 세슘 기체를 상기 다수개의 타켓의 표면에 선택적으로 분사하는 다수개의 세슘 분사부를 포함하여 구성된다.
또한, 각각 서로 다른 물질로 이루어진 제 1, 2 타켓과, 상기 제 1, 2 타켓에 각각 인접하여 설치된 제 1, 2 세슘 분사부가 구비된 스퍼터링 장치를 이용하는 스퍼터링 방법에 있어서, 제 1 타켓에 전원을 인가하는 동시에 제 1 세슘 분사부를 통해 세슘 기체를 방출하고 셔터를 열어 기판 상에 제 1 박막을 형성하는 단계, 상기 제 1 타켓에 인가되는 전원과 상기 제 1 타켓의 셔터와 상기 제 1 세슘 분사부에 공급되는 세슘 기체를 차단 하는 단계, 제 2 타켓에 전원을 인가하는 동시에 제 2 세슘 분사부를 통해 세슘 기체를 방출하고 셔터를 열어 상기 제 1 박막 상에 제 2 박막을 형성하는 단계, 상기 제 2 타켓에 인가되는 전원과 상기 제 2 타켓의 셔터와 상기 제 2 세슘 분사부에 공급되는 세슘 기체를 차단하는 단계를 반복하여 진행됨을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 의한 스퍼터링 장치 및 방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명에 의한 광학박막 제조 장치를 나타낸 구성도이고, 도 5는 도 4의 광학박막 제조 장치를 이용한 증착 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 멀티-타켓을 이용한 스퍼터를 이용한 광학박막 제조 장치는 진공챔버(52)와, 상기 진공챔버(52) 내에 설치되는 제 1 타켓(51a) 및 제 2 타켓(51b)과, 상기 제 1, 2 타켓(51a)(51b)에 각각 인접하여 세슘(Cs) 기체를 방출하는 제 1, 2 세슘 분사부(50a)(50b)와, 상기 제 1, 2 세슘분사부(50a)(50b)에 세슘 기체를 선택적으로 공급하는 세슘 공급장치(400)를 포함하여 구성된다.
또한, 상기 제 1, 2 타켓(51a)(51b)에 전압을 공급하는 전원공급부(도시하지 않음), 그리고 자기력선 형성을 위해 상기 제 1, 2 타켓(51a)(51b)의 뒷면에 각각 배치되는 마그네트(magnet)(도시하지 않음)를 더 포함한다.
상기 제 1, 2 타켓(51a)(51b)은 Ta2O5박막 및 SiO2박막을 형성하기 위한 소스로써, 기판(53)과 소정 간격을 갖도록 설치된다.
여기서, 상기 세슘 공급장치(400)는 외부로부터 주입되는 불활성 기체의 양을 조절하는 기체흐름조절부(41)와, 상기 기체흐름조절부(41)로부터 제 1 기체 유동관를 통해 주입된 불활성 기체를 예열하는 예열부(42)와, 제 2 기체 유동관을 통해 상기 예열부(42)로부터 주입되는 예열된 불활성 기체와 버블러(bubbler)를 이용하여 제 3 기체 유동관으로 세슘 기체를 배출하는 세슘 기화부(45)와, 상기 세슘 기화부(45)의 증기압을 검출하는 압력검출부(46)와, 상기 제 3 기체 유동관을 개폐하여 상기 세슘 기화부(45)의 증기압을 조절하는 압력조절밸브(47)와, 상기 압력조절밸브(47)를 통과한 세슘 기체를 상기 제 1, 2 세슘 분사부(50a)(50b)에 선택적으로 주입시키는 주입관(48)을 포함하여 구성된다.
그리고, 상기 예열부(42)로부터 상기 세슘 기화부(45)에 공급되는 불활성 기체를 공급/차단하기 위한 제 1 차단밸브(43a)와, 상기 세슘 기화부(45)로부터 상기 제 3 기체 유동관으로 배출되는 세슘 기체를 공급/차단하기 위한 제 2차단밸브(43b)와, 선택적으로 세슘 기체를 주입하기 위해 상기 제 1, 2 세슘 분사부(50a)(50b)에 분할 연결된 주입관(48)을 각각 개폐하는 제 3, 4 차단밸브(43c)(43d)와, 상기 예열부(42) 및 세슘 기화부(45)를 가열하기 위한 히터(44)와, 상기 제 1, 2, 3 기체 유동관를 가열하기 위한 열선(49)을 더 포함한다.
또한, 상기 불활성 기체는 아르곤(Ar) 기체뿐만 아니라 질소(N2) 기체나 헬륨(He) 기체를 사용할 수 있으며, 상기 세슘 기화부(45)내에는 액체 또는 고체상태의 세슘, 혹은 액체와 고체상태의 세슘을 혼합한 세슘 혼합물 중에 어느 하나를 충전(充塡)할 수 있다.
상기 세슘 기화부(45)에 액체상태의 세슘이 충전되었을 때에는 제 2 기체 유동관의 일측이 세슘 내부에 위치하여야 하며 제 3 기체 유동관의 일측은 액체상태의 세슘 표면보다 높은 지점에 위치해야 한다.
한편, 상술한 액체상태를 제외한 고체상태 및 세슘 모더나이트와 액체상태의 세슘이 혼합된 세슘 화합물을 충전 시에는 이와 반대로 상기 제 2, 3 기체 유동관을 설치하는 것이 바람직하다.
상기와 같은 구성의 스퍼터링 장치를 이용한 적층박막의 증착 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 5에 도시한 바와 같이, Ta2O5박막을 먼저 증착하는 경우, 진공챔버(52) 내에 일정한 압력을 유지하면서 제 1 타켓(51a)의 좌우측에 설치된 제 1 세슘 분사부(50a)를 통해 세슘 기체를 분사하는 동시에 제 1 타켓(51a)에 DC나 펄스 DC 또는 RF 전원을 인가한다(S51).
여기서, 상기 세슘 기체는 세슘 공급장치(400)에 의해 불활성 기체가 혼합된 상태로 공급되며, 제 1 세슘 분사부(50a)에만 선택적으로 세슘 기체를 주입하기 위해 제 4 차단밸브(43d)를 이용하여 제 2 세슘 분사부(50b)으로 주입되는 세슘 기체를 차단한다.
상기 제 1 세슘 분사부(50a)에 의해 진공챔버(52) 내로 분사된 세슘 기체와 불활성 기체는 상기 제 1 타켓(51a)의 표면에서 공간 방전(global discharge)되어 이온화된 기체상태, 즉 플라즈마 상태로 변화되며, 상기 플라즈마 상태의 세슘 기체와 불활성 기체는 상기 제 1 타켓(51a)에 충돌하면서 타켓입자에 높은 에너지를 전해준다.
그리고, 그 에너지에 의해 상기 높은 에너지를 갖는 음이온화된 타켓입자가 튀어나와 기판(53)상에 증착된다.
이때, 산소 기체를 공급하고, 상기 기판(53)에 증착된 금속과 산소 기체의 반응을 유도하여 Ta2O5박막을 형성한다.
이후, 상기 Ta2O5박막의 증착 공정이 완료되면 상기 제 1 타켓(51a)에 공급되던 전원을 차단하고, 제 3 차단밸브(43c)를 이용하여 제 1 세슘 분사부(50a)에 공급되던 세슘 기체를 차단한다(S52).
이어, SiO2박막을 증착하기 위해 제 2 타켓(51b)의 좌우측에 설치된 제 2 세슘 분사부(50b)를 통해 세슘 기체를 분사하는 동시에 제 2 타켓(51b)에 DC나 펄스 DC 또는 RF 전원을 인가한다(S53).
이때, 제 4 차단밸브(43d)를 이용하여 상기 제 2 세슘 분사부(50b)에 연결된 주입관(48)을 개방하므로써 상기 제 2 세슘 분사부(50b)에만 선택적으로 세슘 기체를 공급한다.
그리고, 전원이 인가된 상기 제 2 타켓(51b)은 세슘 기체와 불활성 기체를 이용한 플라즈마 작용에 의해 타켓입자를 Ta2O5박막 상에 증착시키는 동시에 산소 기체를 공급하여 SiO2박막을 형성한다.
이후, 상기 SiO2박막의 증착 공정이 완료되면 상기 제 2 타켓(51b)에 공급되는 전원과 제 2 세슘 분사부(50b)에 공급되는 세슘 기체를 차단한다(S54).
상기와 같이 Ta2O5박막과 SiO2박막의 증착 공정을 반복 진행하여 원하는 적층박막 구조를 형성한다.
한편, 상기 제 1, 2 세슘 분사부(50a)(50b)에 세슘 기체를 공급하는 세슘 공급장치(400)의 작용을 설명하면 다음과 같다.
도 5에 도시한 바와 같이, 기체흐름조절부(41)로부터 예열부(42)에 주입되는 불활성 기체, 예컨대 아르곤 기체가 상기 예열부(42)의 둘레에 설치된 히터(44)에 의해 예열된 후, 상기 예열된 아르곤 기체가 제 2 기체 유동관을 통해 세슘 기화부(45)내에 주입되면, 상기 세슘 기화부(45)내에 충전되어 있던 액체상태의 세슘은 아르곤 기체에 의해 기포를 발생한다.
그리고, 상기 세슘 기화부(45) 둘레에 설치된 히터(44)에 의해 이미 기화된 상태로 있던 세슘은 아르곤 기포 표면에 흡착되어 아르곤 기포의 흐름을 따라 제 3 기체 유동관을 통해 배출되고, 최종적으로 주입관(48)을 통해 진공챔버(52)에 주입된다.
여기서, 상기 세슘 기화부(45)는 히터(44)에 의해 80～250℃의 온도로 가열되어 세슘을 기화시키고, 상기 제 1, 2, 3 기체 유동관은 열선(49)에 의해 동일한 온도로 유지되며, 기체흐름조절부(41)와 제 3 기체 유동관을 제외한 세슘 공급장치(400) 전체를 가열 오븐에 장입하여 동일한 온도로 균일하게 제어할 수도 있다.
이때, 공정압력에 따라 원하는 세슘 기체의 양을 얻고자 하는 최적 가열온도는 40～300℃까지도 변할 수 있다. 본 발명에서는 공정압력이 플라즈마(Plasma) 생성영역인 mTorr에서 Torr 범위에서 실시되기 때문에 80～250℃의 온도로 가열되었다. 또한, 상기 압력검출부(46)와 상기 압력조절밸브(47)는 연동적으로 제어되어서 공정압력과 세슘 공급장치(400) 전체의 압력 변화에 따라 세슘 기체의 양을 적절히 조절하여야 한다.
따라서, 상기 세슘 기화부(45)의 온도와 압력을 안정시킴으로써 열역학적으로 기화되는 세슘의 양은 고정되고, 이 상태에서 아르곤 기체를 버블링(bubbling)하면 정밀하게 세슘 기체의 양을 공급제어 할 수 있다.
특히, 상기 주입관(48)은 기체흐름조절부(41)를 제외한 전체 시스템의 온도보다 높은 온도로 유지하여 주입관(48)에서 발생할 수 있는 세슘 산화 현상으로 인한 막힘 현상을 방지할 수 있으며, 종래의 방법에서 문제시되는 세슘 산화로 인한 막힘 현상도 손쉽게 방지할 수 있다. 따라서, 진공챔버(52)에 양질의 세슘을 원활히 공급할 수 있다.
또한, 상기 세슘 기화부(45)의 증기압을 압력검출부(46)가 측정하고, 그 측정값에 따라 압력조절밸브(47)를 제어하여 상기 세슘 기화부(45)의 증기압을 조절한다.
여기서, 진공챔버(52)에 공급하는 세슘 기체의 양은 아르곤 기포의 양과 세슘의 기화 정도에 의존하게 되며, 세슘 기체의 분사면적도 아르곤 기체의 분사면적에 의존한다. 뿐만 아니라, 불활성 기체를 통과시키므로 진공챔버(52)로부터 유입될 수 있는 산소 또는 산화성 물질의 유입을 막을 수 있어 세슘을 변질시키지 않고 장시간 안정되게 사용할 수 있게 한다.
따라서, 상기 기체흐름조절부(41)를 제어하여 불활성 기체의 양을 정확히 조절하고, 압력조절밸브(47), 히터(44)를 제어하여 세슘의 기화 정도를 정밀하게 제어한다.
즉, 본 발명에 따른 세슘 공급장치(400)를 이용하는 경우, 낮은 온도에서 세슘 기체를 장시간 동안 지속적이며 안정적으로 공급할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명에 의한 스퍼터링 장치 및 방법은 타켓으로부터 음이온을 발생시키는 세슘 기체를 불활성 기체와 함께 공급하므로써, 타켓입자가 높은 에너지를 갖고 기판에 적층되기 때문에 고밀도인 양질의 박막을 빠르게 증착할 수 있다.
게다가, 타켓에 인접하여 자기력선을 형성하는 마그네트는 타켓입자의 방출을 증진시켜 박막 증착속도를 더욱 향상시킨다.
상기와 같은 본 발명에 의한 광학박막 제조 장치 및 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 불활성 기체에 의해 발생하는 기포를 이용하여 세슘 기체를 진공챔버 내의 다수개의 타켓의 표면에 공급함으로써, 적층박막의 형성 시에 타겟으로부터 고에너지의 음이온을 발생시켜 고밀도인 양질의 박막을 형성할 수 있다.
둘째, 플라즈마 발생을 가속화하는 자기력선을 발생시키는 마그네트를 이용하여 타켓입자의 방출을 증진시킴으로써, 박막의 증착속도를 향상시킬 수 있다.
셋째, 세슘 공급장치 시스템 전체에 히터 또는 열선을 설치하여 진공챔버 내로 일정한 양의 세슘 기체를 공급할 수 있고, 주입관에 밸브를 설치하여 각각의 세슘 분사부에 선택적으로 공급할 수 있다.
넷째, 불활성 기체인 아르곤 기체를 캐리어(Carrier)로 이용하여 세슘 기체를 공급함으로써, 세슘 기체의 공급량을 미세하게 조절할 수 있고, 분사 면적을 넓힐 수 있으며, 또한 산소 또는 산화성 물질의 유입을 막아 세슘의 산화를 방지할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정하는 것이아니라 특허 청구 범위에 의해서 정해져야 한다.
Claims (14)
- 외부로부터 주입되는 불활성 기체의 양을 조절하는 기체흐름조절부와,상기 기체흐름조절부로부터 제 1 기체 유동관를 통해 주입된 불활성 기체를 예열하는 예열부와,상기 예열부로부터 제 2 기체 유동관을 통해 주입되는 불활성 기체와 버블러를 이용하여 제 3 기체 유동관으로 세슘 기체를 배출하는 세슘 기화부와,상기 세슘 기화부의 증기압을 검출하는 압력검출부와,상기 세슘 기화부의 증기압을 조절하는 압력조절밸브와,상기 압력조절밸브를 통과한 세슘 기체를 진공챔버에 주입시키기 위한 주입관과,진공챔버 내에 설치되는 다수개의 타켓과,상기 주입관으로부터 공급받은 세슘 기체를 상기 다수개의 타켓의 표면에 선택적으로 분사하는 다수개의 세슘 분사부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 광학박막 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 다수개의 타켓은 각각 Ta2O5박막 및 SiO2박막 형성용인 것을 특징으로 하는 광학박막 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 다수개의 타켓 각각에 인접하여 적어도 하나 이상의 마그네트가 설치됨을 특징으로 하는 광학박막 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 다수개의 타켓 각각에 DC, 펄스 DC, RF 전원 중에 어느 하나를 인가하는 전원공급부가 더 포함됨을 특징으로 하는 광학박막 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 불활성 기체는 아르곤 기체, 질소 기체, 헬륨 기체로부터 구성된 군에서 선택함을 특징으로 하는 광학박막 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 세슘 기화부에 액체 또는 고체상태의 세슘, 혹은 액체와 고체상태의 세슘을 혼합한 세슘 혼합물 중에 어느 하나가 충전(充塡)됨을 특징으로 하는 광학박막 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 세슘 기화부는 불활성 기체에 의해 발생하는 기포와 함께 세슘 기체를배출하도록 구성됨을 특징으로 하는 광학박막 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 예열부 및 세슘 기화부를 가열하는 히터와, 상기 제 1, 2, 3 기체 유동관을 가열할 수 있는 열선을 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 광학박막 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2, 3 기체 유동관 각각에 설치되는 차단밸브와, 상기 다수개의 세슘 분사부에 선택적으로 세슘 기체를 공급하도록 주입관에 설치되는 차단밸브를 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 광학박막 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 압력조절밸브는 상기 제 3 기체 유동관을 개폐하여 세슘 기화부의 증기압을 조절함을 특징으로 하는 광학박막 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 세슘 기화부는 공정압력이 플라즈마 생성영역인 mTorr에서 Torr 범위일 때 80～250℃로 가열됨을 특징으로 하는 광학박막 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 예열부 및 세슘 기화부는 오븐에 같이 장입하여 공정압력이 플라즈마 생성영역인 mTorr에서 Torr 범위일 때 80～250℃로 가열됨을 특징으로 하는 광학박막 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 주입관은 상기 세슘 기화부보다 높은 온도로 가열됨을 특징으로 하는 광학박막 제조 장치.
- 각각 서로 다른 물질로 이루어진 제 1, 2 타켓과, 상기 제 1, 2 타켓에 각각 인접하여 설치된 제 1, 2 세슘 분사부가 구비된 스퍼터링 장치를 이용하는 광학박막 제조 방법에 있어서,제 1 타켓에 전원을 인가하는 동시에 제 1 세슘 분사부를 통해 세슘 기체를 방출하여 기판 상에 제 1 박막을 형성하는 단계,상기 제 1 타켓에 인가되는 전원과 상기 제 1 세슘 분사부에 공급되는 세슘 기체를 차단하는 단계,제 2 타켓에 전원을 인가하는 동시에 제 2 세슘 분사부를 통해 세슘 기체를 방출하여 상기 제 1 박막 상에 제 2 박막을 형성하는 단계,상기 제 2 타켓에 인가되는 전원과 상기 제 2 세슘 분사부에 공급되는 세슘 기체를 차단하는 단계를 반복하여 진행됨을 특징으로 하는 광학박막 제조 방법.
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