JPH0467774B2 - - Google Patents
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- JPH0467774B2 JPH0467774B2 JP60097404A JP9740485A JPH0467774B2 JP H0467774 B2 JPH0467774 B2 JP H0467774B2 JP 60097404 A JP60097404 A JP 60097404A JP 9740485 A JP9740485 A JP 9740485A JP H0467774 B2 JPH0467774 B2 JP H0467774B2
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- JP
- Japan
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- crucible
- duct
- filament
- ionized
- thin film
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
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- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は基板に薄膜を蒸着させる薄膜形成装
置に関するものである。
置に関するものである。
〔従来の技術〕
第２図は例えば特公昭54−9592号公報に示され
た従来の薄膜形成装置を示す断面図であり、図に
おいて、１は真空槽、２は真空排気口、３は真空
排気バルブ、４は蒸着物質、５は該蒸着物質４を
入れるるつぼ、６はるつぼ支持台、７は上記るつ
ぼ５を加熱するために電子を放出する電子ボンバ
ード用フイラメント、８は該電子ボンバード用フ
イラメント７及び上記るつぼ５からの熱放射を遮
るるつぼ熱シールド板、９は上記るつぼ支持台を
支えるるつぼ絶縁物、１０は上記るつぼ熱シール
ド板を支える絶縁物、１１は上記るつぼ５から噴
出した蒸気からなるクラスタをイオン化するため
に電子を放出するイオン化電子放出フイラメン
ト、１２は該イオン化フイラメント１１から電子
を引き出す電子引き出しグリツト、１３は上記イ
オン化電子放出フイラメント１１からの熱放射を
遮るイオン化熱シールド板、１４は該イオン化熱
シールド板１３を支えるイオン化熱シールド板絶
縁物、１５は上記イオン化電子放出フイラメント
１１から上記電子を引き出しグリツド１２で引き
出されたイオン化電子、１６は加速電極、１７は
該加速電極１６を支える加速電極絶縁物、１８は
上記るつぼ５から噴出した上記蒸着物質４の中性
クラスタ、１９は上記イオン化電子１５によりイ
オン化された蒸着物質４のイオン化クラスタ、２
０は該イオン化クラスタ１９と上記中性クラスタ
１８を含むクラスタビーム、２１は該クラスタビ
ームを遮るシヤツタ、２２は該シヤツタ２１を支
持回転させるシヤツタ支持棒、２３は該シヤツタ
支持棒２２が上記真空槽１を貫通するシヤツタ支
持棒シール部、２４は基板、２５は基板ホルダ、
２６は基板ホルダシール部、２７は上記るつぼ５
の小孔である。
た従来の薄膜形成装置を示す断面図であり、図に
おいて、１は真空槽、２は真空排気口、３は真空
排気バルブ、４は蒸着物質、５は該蒸着物質４を
入れるるつぼ、６はるつぼ支持台、７は上記るつ
ぼ５を加熱するために電子を放出する電子ボンバ
ード用フイラメント、８は該電子ボンバード用フ
イラメント７及び上記るつぼ５からの熱放射を遮
るるつぼ熱シールド板、９は上記るつぼ支持台を
支えるるつぼ絶縁物、１０は上記るつぼ熱シール
ド板を支える絶縁物、１１は上記るつぼ５から噴
出した蒸気からなるクラスタをイオン化するため
に電子を放出するイオン化電子放出フイラメン
ト、１２は該イオン化フイラメント１１から電子
を引き出す電子引き出しグリツト、１３は上記イ
オン化電子放出フイラメント１１からの熱放射を
遮るイオン化熱シールド板、１４は該イオン化熱
シールド板１３を支えるイオン化熱シールド板絶
縁物、１５は上記イオン化電子放出フイラメント
１１から上記電子を引き出しグリツド１２で引き
出されたイオン化電子、１６は加速電極、１７は
該加速電極１６を支える加速電極絶縁物、１８は
上記るつぼ５から噴出した上記蒸着物質４の中性
クラスタ、１９は上記イオン化電子１５によりイ
オン化された蒸着物質４のイオン化クラスタ、２
０は該イオン化クラスタ１９と上記中性クラスタ
１８を含むクラスタビーム、２１は該クラスタビ
ームを遮るシヤツタ、２２は該シヤツタ２１を支
持回転させるシヤツタ支持棒、２３は該シヤツタ
支持棒２２が上記真空槽１を貫通するシヤツタ支
持棒シール部、２４は基板、２５は基板ホルダ、
２６は基板ホルダシール部、２７は上記るつぼ５
の小孔である。
次に動作について説明する。
真空排気口２から真空排気バルブ３を介して真
空槽１内の空気を排気して該真空槽１内を高真空
領域にする。次に電子ボンバード用フイラメント
から出た電子をるつぼ５に衝突させること、つま
り電子衝撃により、該るつぼ５内の蒸着物質４を
加熱蒸発させる。蒸着物質４のるつぼ５内の蒸気
圧が数Torrになる温度まで加熱すると、るつぼ
５の小孔２７から高真空領域内へ蒸着物質４の蒸
気が噴出し、このとき噴出した蒸気はるつぼ５と
真空槽１の圧力差による断熱膨脹による過冷却状
態によつてクラスタビーム２０となる。該クラス
タビーム２０はイオン化電子放出フイラメントラ
メント１１から電子引き出しグリツト１２により
引き出されたイオン化電子１５と衝突してイオン
化し、イオン化クラスタ１９を形成する。一部の
クラスタはイオン化電子１５と衝突せず、中性ク
ラスタ１８として、るつぼ５からの噴出速度で基
板２４へ蒸着される。イオン化クラスタ１９は、
電子引き出しグリツト１２及びイオン化熱シール
ド板１３と加速電極１６の間に前者が正、後者が
負となるよう電位差を与え、加速されて基板２４
に蒸着される。シヤツタ２１はクラスタビーム２
０を制御する開閉装置であり、基板２４に必要な
厚さの薄膜を形成する。
空槽１内の空気を排気して該真空槽１内を高真空
領域にする。次に電子ボンバード用フイラメント
から出た電子をるつぼ５に衝突させること、つま
り電子衝撃により、該るつぼ５内の蒸着物質４を
加熱蒸発させる。蒸着物質４のるつぼ５内の蒸気
圧が数Torrになる温度まで加熱すると、るつぼ
５の小孔２７から高真空領域内へ蒸着物質４の蒸
気が噴出し、このとき噴出した蒸気はるつぼ５と
真空槽１の圧力差による断熱膨脹による過冷却状
態によつてクラスタビーム２０となる。該クラス
タビーム２０はイオン化電子放出フイラメントラ
メント１１から電子引き出しグリツト１２により
引き出されたイオン化電子１５と衝突してイオン
化し、イオン化クラスタ１９を形成する。一部の
クラスタはイオン化電子１５と衝突せず、中性ク
ラスタ１８として、るつぼ５からの噴出速度で基
板２４へ蒸着される。イオン化クラスタ１９は、
電子引き出しグリツト１２及びイオン化熱シール
ド板１３と加速電極１６の間に前者が正、後者が
負となるよう電位差を与え、加速されて基板２４
に蒸着される。シヤツタ２１はクラスタビーム２
０を制御する開閉装置であり、基板２４に必要な
厚さの薄膜を形成する。
従来の薄膜形成装置は、以上のように構成され
ているので、るつぼ５から噴出した蒸気のうち、
るつぼ熱シールド板８の内側に漂つている物質蒸
気が電子ボンバード用フイラメント７から出た電
子によりイオン化され、該イオン化された蒸気が
上記電子ボンバード用フイラメント７に衝突し、
その衝撃力により電子ボンバード用フイラメント
が損傷し、フイラメントの寿命が低下することと
なつた。また、るつぼ５から噴出した蒸気の一部
がるつぼ熱シールド板８及びイオン化熱シールド
板１３の内面に付着し、蒸着効率が低下するなど
の問題点があつた。
ているので、るつぼ５から噴出した蒸気のうち、
るつぼ熱シールド板８の内側に漂つている物質蒸
気が電子ボンバード用フイラメント７から出た電
子によりイオン化され、該イオン化された蒸気が
上記電子ボンバード用フイラメント７に衝突し、
その衝撃力により電子ボンバード用フイラメント
が損傷し、フイラメントの寿命が低下することと
なつた。また、るつぼ５から噴出した蒸気の一部
がるつぼ熱シールド板８及びイオン化熱シールド
板１３の内面に付着し、蒸着効率が低下するなど
の問題点があつた。
この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、るつぼから噴出した蒸気が基
板に効率良く蒸着し、フイラメントの寿命の長い
薄膜形成装置を提供することを目的とする。
になされたもので、るつぼから噴出した蒸気が基
板に効率良く蒸着し、フイラメントの寿命の長い
薄膜形成装置を提供することを目的とする。
この発明に係る薄膜形成装置は、るつぼの側壁
の延長線上にこの側壁と一体化してダクトを設け
るとともに、このダクトの先端にこれと一体化し
て上記グリツドを形成し、るつぼ、ダクト等を熱
シールド板で囲むようにしたものである。
の延長線上にこの側壁と一体化してダクトを設け
るとともに、このダクトの先端にこれと一体化し
て上記グリツドを形成し、るつぼ、ダクト等を熱
シールド板で囲むようにしたものである。
この発明においては、物質蒸気はダクトによつ
て電子ボンバード用フイラメントの上方に案内さ
れるので、物質蒸気が電子ボンバード用フイラメ
ントによつてイオン化され電子ボンバード用フイ
ラメントに衝突するのを防止できる。またイオン
化電子は該ダクトの側面の一部に設けられた電子
引き出しグリツドから引き出され、上記ダクト内
の物質蒸気は該イオン化電子によつてイオン化さ
れるが、このダクト等は熱シールド板によつて囲
まれているので、物質蒸気はダクト内面に凝着せ
ず、蒸着効率を向上できる。
て電子ボンバード用フイラメントの上方に案内さ
れるので、物質蒸気が電子ボンバード用フイラメ
ントによつてイオン化され電子ボンバード用フイ
ラメントに衝突するのを防止できる。またイオン
化電子は該ダクトの側面の一部に設けられた電子
引き出しグリツドから引き出され、上記ダクト内
の物質蒸気は該イオン化電子によつてイオン化さ
れるが、このダクト等は熱シールド板によつて囲
まれているので、物質蒸気はダクト内面に凝着せ
ず、蒸着効率を向上できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。第１図は本発明の一実施例による薄膜形成装
置を示し、図中、第２図と同一符号は同一部分を
示す。２９はるつぼ５と加速電極部との間に設け
られた電子を引き出すための電子引き出しグリツ
トである。
る。第１図は本発明の一実施例による薄膜形成装
置を示し、図中、第２図と同一符号は同一部分を
示す。２９はるつぼ５と加速電極部との間に設け
られた電子を引き出すための電子引き出しグリツ
トである。
次に作用効果について説明する。
本実施例の薄膜形成装置では、るつぼ５の小孔
２７から噴出した物質蒸気はダクト２８に案内さ
れて、該ダクト２８の側面の一部に設けた電子引
き出しグリツトから放出されたイオン化電子１５
によりイオン化される。上記ダクト２８の内面は
るつぼ５からの放射熱がある上に熱シールド板８
で断熱されているために内面温度がかなり高くな
つているので、物質蒸気はダクト２８の内面には
凝着せず、イオン化クラスタ１９あるいはイオン
となり加速電極１６により加速されて基板２４に
蒸着する。従つて蒸着効率を向上できる。また、
グリツド２９をダクトと一体に形成したので、従
来、グリツド１２を支えていた支持部材が不要と
なり、その分、装置をコンパクトに構成できる。
また、グリツド自身の温度が高くなるので、蒸発
材料の付着、堆積が防止できる。さらに、電子ボ
ンバード用フイラメントに物質蒸気が当たること
はなく、該フイラメントの寿命も長くなる。
２７から噴出した物質蒸気はダクト２８に案内さ
れて、該ダクト２８の側面の一部に設けた電子引
き出しグリツトから放出されたイオン化電子１５
によりイオン化される。上記ダクト２８の内面は
るつぼ５からの放射熱がある上に熱シールド板８
で断熱されているために内面温度がかなり高くな
つているので、物質蒸気はダクト２８の内面には
凝着せず、イオン化クラスタ１９あるいはイオン
となり加速電極１６により加速されて基板２４に
蒸着する。従つて蒸着効率を向上できる。また、
グリツド２９をダクトと一体に形成したので、従
来、グリツド１２を支えていた支持部材が不要と
なり、その分、装置をコンパクトに構成できる。
また、グリツド自身の温度が高くなるので、蒸発
材料の付着、堆積が防止できる。さらに、電子ボ
ンバード用フイラメントに物質蒸気が当たること
はなく、該フイラメントの寿命も長くなる。
以上のように、この発明に係る薄膜形成装置に
よれば、るつぼの側壁の延長線上にこの側壁と一
体化してダクトを設けるとともに、このダクトの
先端にこれと一体化してグリツドを形成し、るつ
ぼ、ダクト等を熱シールド板で囲むようにしたの
で、電子ボンバード用フイラメントの寿命を長く
できるとともに、るつぼから噴出した蒸気がるつ
ぼ熱シールド板およびイオン化熱シールド板内へ
回り込むことはなく、蒸着効率を向上できる効果
がある。
よれば、るつぼの側壁の延長線上にこの側壁と一
体化してダクトを設けるとともに、このダクトの
先端にこれと一体化してグリツドを形成し、るつ
ぼ、ダクト等を熱シールド板で囲むようにしたの
で、電子ボンバード用フイラメントの寿命を長く
できるとともに、るつぼから噴出した蒸気がるつ
ぼ熱シールド板およびイオン化熱シールド板内へ
回り込むことはなく、蒸着効率を向上できる効果
がある。
第１図はこの発明の一実施例による薄膜形成装
置を示す断面側面図、第２図は従来の薄膜形成装
置を示す断面側面図である。 ５……るつぼ、１１……イオン化電子放出フイ
ラメント、２８……ダクト、２９……電子引き出
しグリツト。なお図中、同一符号は同一又は相当
部分を示す。
置を示す断面側面図、第２図は従来の薄膜形成装
置を示す断面側面図である。 ５……るつぼ、１１……イオン化電子放出フイ
ラメント、２８……ダクト、２９……電子引き出
しグリツト。なお図中、同一符号は同一又は相当
部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ るつぼ内の蒸着物質の蒸気を真空槽中に噴出
させて基板に薄膜を蒸着形成させる薄膜形成装置
において、 このるつぼを加熱するための電子ボンバード用
フイラメントと、 るつぼの側壁の延長線上にこの側壁と一体化し
て形成された、物質蒸気を上記電子ボンバード用
フイラメントの上方に案内するためのダクトと、 このダクトによつて案内された物質蒸気をイオ
ン化するための電子を放出するイオン化フイラメ
ントと、 上記ダクトの先端にこれと一体化して形成さ
れ、イオン化フイラメントから電子を引き出すグ
リツドと、 上記るつぼ、ダクト、イオン化フイラメントお
よびグリツドを囲むように形成された熱シールド
板とを備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9740485A JPS61256622A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9740485A JPS61256622A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61256622A JPS61256622A (ja) | 1986-11-14 |
| JPH0467774B2 true JPH0467774B2 (ja) | 1992-10-29 |
Family
ID=14191567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9740485A Granted JPS61256622A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61256622A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2619068B2 (ja) * | 1989-09-08 | 1997-06-11 | 三菱電機株式会社 | 薄膜形成装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4913793U (ja) * | 1972-05-11 | 1974-02-05 | ||
| JPS552901A (en) * | 1978-06-19 | 1980-01-10 | American District Telegraph Co | Optical smoke detector |
| JPS5754930A (en) * | 1980-09-20 | 1982-04-01 | Minolta Camera Co Ltd | Exposure controlling circuit of camera |
| JPS58118119A (ja) * | 1982-01-07 | 1983-07-14 | Nec Corp | 反応性イオンプレ−テイング装置 |
-
1985
- 1985-05-08 JP JP9740485A patent/JPS61256622A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4913793U (ja) * | 1972-05-11 | 1974-02-05 | ||
| JPS552901A (en) * | 1978-06-19 | 1980-01-10 | American District Telegraph Co | Optical smoke detector |
| JPS5754930A (en) * | 1980-09-20 | 1982-04-01 | Minolta Camera Co Ltd | Exposure controlling circuit of camera |
| JPS58118119A (ja) * | 1982-01-07 | 1983-07-14 | Nec Corp | 反応性イオンプレ−テイング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61256622A (ja) | 1986-11-14 |
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