JPS61174370A - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
- Publication number
- JPS61174370A JPS61174370A JP1709085A JP1709085A JPS61174370A JP S61174370 A JPS61174370 A JP S61174370A JP 1709085 A JP1709085 A JP 1709085A JP 1709085 A JP1709085 A JP 1709085A JP S61174370 A JPS61174370 A JP S61174370A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- crucible
- metal
- heat shield
- deposition apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は蒸気化した蒸発物質を被蒸着部材に衝突させ
て薄膜等を形成する蒸着装置に関するものである。
て薄膜等を形成する蒸着装置に関するものである。
従来の蒸着装置を図面に基いて説明する。
第4図は従来の蒸着装置を示す断面図である。
図において、+11は真空にされた容器、(2:はこの
容器内に置かれ、小孔(2a)を何して蒸発物質(31
が入れられたるらぼ、(4]けこのΣつぼ(21の外側
に配設され、 名’>14tz>2加熱して蒸発物質(
31を蒸気化する加熱用フィラメント、(61は蒸気化
した蒸発物質(3a)をンオイ化するために電子を発生
するイオン化用フィラメント、(6)は上記電子を加速
するグリッド、(7)は被蒸着部材(8)を小孔(2a
)と対向するように支持する支持台、(9)はイオン化
されfci発物質物質a)を加速して被蒸着部材(8)
に衝突させる加速電極、f101#−f加熱用フィラメ
ントで41、イオン化層フイラメン) (5) ’i取
シ囲むように同心状に配設された箱形で2層構造の熱シ
ールド、(”l +州、α31 、 (14+は加熱用
フィラメント(4)、イオン化#1フイラメン)(6i
+、グリッド(6)、加速電極(9)それぞれの電源、
Hに加熱用フィラメント(41から発生した電子を加速
する電源である。
容器内に置かれ、小孔(2a)を何して蒸発物質(31
が入れられたるらぼ、(4]けこのΣつぼ(21の外側
に配設され、 名’>14tz>2加熱して蒸発物質(
31を蒸気化する加熱用フィラメント、(61は蒸気化
した蒸発物質(3a)をンオイ化するために電子を発生
するイオン化用フィラメント、(6)は上記電子を加速
するグリッド、(7)は被蒸着部材(8)を小孔(2a
)と対向するように支持する支持台、(9)はイオン化
されfci発物質物質a)を加速して被蒸着部材(8)
に衝突させる加速電極、f101#−f加熱用フィラメ
ントで41、イオン化層フイラメン) (5) ’i取
シ囲むように同心状に配設された箱形で2層構造の熱シ
ールド、(”l +州、α31 、 (14+は加熱用
フィラメント(4)、イオン化#1フイラメン)(6i
+、グリッド(6)、加速電極(9)それぞれの電源、
Hに加熱用フィラメント(41から発生した電子を加速
する電源である。
上記のように構成された従来の蒸着装置の動作を次に述
べる。
べる。
蒸発物質(31をるらぼ(21に入れ、容器【11を高
、真空にする◎加熱用フィラメント(41を電源(1す
で赤熱して電子を発生させ、上記電子を電源用で加速し
之”) pi +2+に衝突させて加熱する・蒸発物質
(31は溶融し蒸気化され、乞’) t’!” +21
内の圧力が高くなって、蒸気化された蒸発物質(3a)
は小孔(2a)よシ噴出する。噴出した蒸発物質(31
))i被蒸着部材(8)に向う途中で、イオン化用フィ
ラメント(5)から発生し、グリッド(6)によって加
速された電子に衝突されてイオン化される。イオン化さ
れた蒸発物質(3C)は加速電極(9)によって生じる
電界によって加速され被蒸着部材+81 K衝突して、
@を形成する。
、真空にする◎加熱用フィラメント(41を電源(1す
で赤熱して電子を発生させ、上記電子を電源用で加速し
之”) pi +2+に衝突させて加熱する・蒸発物質
(31は溶融し蒸気化され、乞’) t’!” +21
内の圧力が高くなって、蒸気化された蒸発物質(3a)
は小孔(2a)よシ噴出する。噴出した蒸発物質(31
))i被蒸着部材(8)に向う途中で、イオン化用フィ
ラメント(5)から発生し、グリッド(6)によって加
速された電子に衝突されてイオン化される。イオン化さ
れた蒸発物質(3C)は加速電極(9)によって生じる
電界によって加速され被蒸着部材+81 K衝突して、
@を形成する。
従来の蒸着装置において、熱シールド(10)はふ”)
を蓋+2+及び加熱用フイラメン) +43からの輻
射熱の損失を小さくして名;)#蓋+21を高温に保つ
ために用いられるものであシ、従って、るらぼ12)の
囲シをほとんど覆う構造で、かつ輻射熱の損失を出来る
だけ小さくするために2重またはそれ以上の多重構造と
なって−た。その為に、蒸気化された蒸発物質(Jla
功五被蒸着部材+8HC向うものの他に、熱シールド叫
の内側にもぐり込むもの(3d)があり、熱シールド(
■ωの内側の真空度が低くなシ、その為にb ラ#Y
+2+と加熱用フィラメント(4)間の絶縁が悪くなり
、そこで放電が発生して安定した蒸着が出来なくなると
いう問題があった。
を蓋+2+及び加熱用フイラメン) +43からの輻
射熱の損失を小さくして名;)#蓋+21を高温に保つ
ために用いられるものであシ、従って、るらぼ12)の
囲シをほとんど覆う構造で、かつ輻射熱の損失を出来る
だけ小さくするために2重またはそれ以上の多重構造と
なって−た。その為に、蒸気化された蒸発物質(Jla
功五被蒸着部材+8HC向うものの他に、熱シールド叫
の内側にもぐり込むもの(3d)があり、熱シールド(
■ωの内側の真空度が低くなシ、その為にb ラ#Y
+2+と加熱用フィラメント(4)間の絶縁が悪くなり
、そこで放電が発生して安定した蒸着が出来なくなると
いう問題があった。
この発明は上記のような問題点を解決□するためになさ
れたもので、6 Q ?命と加熱フィラメント間の絶縁
低下を防止して、安定した蒸着が出来る蒸着装置を提供
することを目的としている。
れたもので、6 Q ?命と加熱フィラメント間の絶縁
低下を防止して、安定した蒸着が出来る蒸着装置を提供
することを目的としている。
この発明に係る蒸着装置は、密閉された容器と、この容
器内に置かれ、開口部を有して蒸発物質が入れられた之
う#曽と、このiうを蓋の外側に配設され、上記るつぼ
を加熱して上記蒸発物質を蒸気化する加熱手段と、被蒸
着部材を上記開口部と対向するように支持する支持体と
、上記加熱手段Uり囲む±で複数層配設され、それぞれ
の層に、上記るつぼの周囲を浮遊する上記蒸発物質を最
外層の外側に排出する排出孔が設けられた熱シールドを
備えたものである。
器内に置かれ、開口部を有して蒸発物質が入れられた之
う#曽と、このiうを蓋の外側に配設され、上記るつぼ
を加熱して上記蒸発物質を蒸気化する加熱手段と、被蒸
着部材を上記開口部と対向するように支持する支持体と
、上記加熱手段Uり囲む±で複数層配設され、それぞれ
の層に、上記るつぼの周囲を浮遊する上記蒸発物質を最
外層の外側に排出する排出孔が設けられた熱シールドを
備えたものである。
この発明においては、複数層のシールドに排出孔が設け
られているので%jb ;)#i o m uを浮遊す
る蒸発物質を最外層の外側に排出して名う/Iセの周囲
の絶縁低下を防止し、名うt’xと加熱フィラメント間
の放電を防止することが出来る。
られているので%jb ;)#i o m uを浮遊す
る蒸発物質を最外層の外側に排出して名う/Iセの周囲
の絶縁低下を防止し、名うt’xと加熱フィラメント間
の放電を防止することが出来る。
以下、この発明の実施例を第1ないし第8図に基いて説
明する。
明する。
第1図はこの発明の一実施例含水す断面図、第8図は第
1図において熱シールド翰を矢印A方向から見た詳細拡
大側面図、第3図は第2図のn−n線断面図である。
1図において熱シールド翰を矢印A方向から見た詳細拡
大側面図、第3図は第2図のn−n線断面図である。
図中、容器+11、乞うに(21、小孔(ハχ蒸発物質
+31. (8a)、(3b)、(ac)、(84)、
加熱用フィラメント(4)、イオン化用フィラメント(
5)、グリッド(61、支持台(7)、被蒸着部材(8
)、加速電極(9)、電源(川、QL H2O2、Q1
9は第1図くおける従来のものと同様である。
+31. (8a)、(3b)、(ac)、(84)、
加熱用フィラメント(4)、イオン化用フィラメント(
5)、グリッド(61、支持台(7)、被蒸着部材(8
)、加速電極(9)、電源(川、QL H2O2、Q1
9は第1図くおける従来のものと同様である。
四は熱シールドで、箱形で8層構造になっている。(財
)は熱シールド−の各層に設けられ、る6ぼ(2)の■
囲を浮遊する蒸発物質(8d)全最外層に排出する排出
孔であって、断面が円形で、熱シールドの側壁垂直方向
に見て重ならないように配置されている。
)は熱シールド−の各層に設けられ、る6ぼ(2)の■
囲を浮遊する蒸発物質(8d)全最外層に排出する排出
孔であって、断面が円形で、熱シールドの側壁垂直方向
に見て重ならないように配置されている。
このように、熱シールド翰の中にもぐり込み名うi’r
+2+の周囲に浮遊する蒸発物質(8d)は各層に設
けられた上記排出孔体υを通って最外層の外側に排出さ
れる。その結果、熱シールド翰の中側は高具空に保たれ
、るらぼ(2]と加熱用フィラメント(4)間の絶縁が
良好に保之れて、それら間の放YLが防止される。また
、j6)’j(11及び加熱用フィラメント(41から
の惰射線が熱シールド−〇最外層1r:通り抜けないよ
うに、各層の排出孔(2Dが重ならないように位置され
ているので、排出孔1211’i通じての輻射熱の損失
が小さく、従って熱シールド翰全体の輻射熱の損失も小
さい。
+2+の周囲に浮遊する蒸発物質(8d)は各層に設
けられた上記排出孔体υを通って最外層の外側に排出さ
れる。その結果、熱シールド翰の中側は高具空に保たれ
、るらぼ(2]と加熱用フィラメント(4)間の絶縁が
良好に保之れて、それら間の放YLが防止される。また
、j6)’j(11及び加熱用フィラメント(41から
の惰射線が熱シールド−〇最外層1r:通り抜けないよ
うに、各層の排出孔(2Dが重ならないように位置され
ているので、排出孔1211’i通じての輻射熱の損失
が小さく、従って熱シールド翰全体の輻射熱の損失も小
さい。
なお、上記実施例で#:を熱シールド+21us重構造
のもので説明したが8重以上であってもよい。
のもので説明したが8重以上であってもよい。
この発明は以上説明したように、熱シールドの各層に、
るう//命の周囲を浮遊する蒸発物質を最外層の外側に
排出する排出孔を設けたため、為うは周囲の絶縁低下を
防止すると共に放電を防止するので安定した蒸着を行な
うことが出来るという効果がある。
るう//命の周囲を浮遊する蒸発物質を最外層の外側に
排出する排出孔を設けたため、為うは周囲の絶縁低下を
防止すると共に放電を防止するので安定した蒸着を行な
うことが出来るという効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による蒸着装置の断面図、
第8図は第1図において熱シールドmt−矢印A方向か
ら見た詳細拡大側面図、第3図は第2図の■−■線断面
図、第4図は従来の蒸着装置の断面図である。 T!l”−−ふら#セ、IBI−−一蒸発物質、+41
−−一加熱用フイラメン)、+1il−−−イオン代用
フイラメン ・ト、(61−−−グリッド、+7
1−−一支持台、(81−−一被蒸着部材、翰−−−熱
シールド、体トー 排出孔なお、各図中、同一符号に同
−又は相当部分を示す・
第8図は第1図において熱シールドmt−矢印A方向か
ら見た詳細拡大側面図、第3図は第2図の■−■線断面
図、第4図は従来の蒸着装置の断面図である。 T!l”−−ふら#セ、IBI−−一蒸発物質、+41
−−一加熱用フイラメン)、+1il−−−イオン代用
フイラメン ・ト、(61−−−グリッド、+7
1−−一支持台、(81−−一被蒸着部材、翰−−−熱
シールド、体トー 排出孔なお、各図中、同一符号に同
−又は相当部分を示す・
Claims (5)
- (1)密閉された容器と、この容器内に置かれ、開口部
を有して蒸発物質が入れられたるつぼと、このるつぼの
外側に配設され、上記るつぼを加熱して上記蒸発物質を
蒸気化する加熱手段と、被蒸着部材を上記開口部と対向
するように支持する支持体と、上記加熱手段を取り囲む
ように複数層配設され、それぞれの層に上記るつぼの周
囲を浮遊する上記蒸発物質を最外層の外側に排出する排
出孔が設けられた熱シールドを備えたことを特徴とする
蒸着装置。 - (2)熱シールドはるつぼと同心状に配設されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の蒸着装置。 - (3)熱シールド各層は箱形に形成されていることを特
徴とする特許請求の範囲第2項記載の蒸着装置。 - (4)排出孔は箱の側壁に設けられていることを特徴と
する特許請求の範囲第3項記載の蒸着装置。 - (5)排出孔は断面が円形で、相隣り合う層間において
、側壁に垂直方向に見て重ならないように設けられてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第4項記載の蒸着装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1709085A JPS61174370A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1709085A JPS61174370A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 蒸着装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61174370A true JPS61174370A (ja) | 1986-08-06 |
Family
ID=11934285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1709085A Pending JPS61174370A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61174370A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5180477A (en) * | 1990-06-25 | 1993-01-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film deposition apparatus |
CN103789733A (zh) * | 2014-02-27 | 2014-05-14 | 苏州大学 | 可任意角度安装使用的真空蒸发源 |
-
1985
- 1985-01-29 JP JP1709085A patent/JPS61174370A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5180477A (en) * | 1990-06-25 | 1993-01-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film deposition apparatus |
CN103789733A (zh) * | 2014-02-27 | 2014-05-14 | 苏州大学 | 可任意角度安装使用的真空蒸发源 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3404084A (en) | Apparatus for depositing ionized electron beam evaporated material on a negatively biased substrate | |
JPS61174370A (ja) | 蒸着装置 | |
JPH0456761A (ja) | 薄膜形成装置 | |
US3777704A (en) | Apparatus for vaporizing metal on a substratum | |
JPH04228562A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH0543784B2 (ja) | ||
JPS59133368A (ja) | 酸化白金薄膜でコ−トされた基板の改良、及び、前記の如き膜付着基板の製造デバイス、及び、前記の如き膜付着基板から得られる製品 | |
JP2575375B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPS62185875A (ja) | 気相成膜装置 | |
JPH03287761A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPS61279668A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH0559536A (ja) | 蒸着方法及び装置 | |
JPH03294474A (ja) | 膜形成装置 | |
JPS61163267A (ja) | 真空蒸着装置 | |
JPH03158458A (ja) | クラスターイオンビーム装置 | |
JPH0414185B2 (ja) | ||
JPH05239626A (ja) | ボルタイック アーク ベーパライザー | |
JPH04323365A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPS60183721A (ja) | 薄膜蒸着装置 | |
JPH07138741A (ja) | 真空蒸着装置 | |
JPS61279669A (ja) | 蒸着装置 | |
JPH0347571B2 (ja) | ||
JPS60124935A (ja) | 薄膜蒸着装置 | |
JPS6286155A (ja) | 溶融物質の蒸気噴出装置 | |
JPS63100170A (ja) | 絶縁性薄膜形成装置 |