JPH0347571B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0347571B2 JPH0347571B2 JP59263563A JP26356384A JPH0347571B2 JP H0347571 B2 JPH0347571 B2 JP H0347571B2 JP 59263563 A JP59263563 A JP 59263563A JP 26356384 A JP26356384 A JP 26356384A JP H0347571 B2 JPH0347571 B2 JP H0347571B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor
- substrate
- film thickness
- steam
- thickness sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/22—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using physical deposition, e.g. vacuum deposition or sputtering
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、蒸着物質の蒸気を基板に衝突させ
て薄膜を形成する薄膜蒸着装置に関するものであ
る。
て薄膜を形成する薄膜蒸着装置に関するものであ
る。
従来の薄膜蒸着装置としては例えば特公昭54−
9592号公報に示されるような装置があり、これは
真空容器内に蒸気発生源を設け、基板をこの発生
源から所定距離離して配設し、この状態で蒸着物
質を蒸発させて基板に蒸着させ、これにより薄膜
を形成するように構成されている。
9592号公報に示されるような装置があり、これは
真空容器内に蒸気発生源を設け、基板をこの発生
源から所定距離離して配設し、この状態で蒸着物
質を蒸発させて基板に蒸着させ、これにより薄膜
を形成するように構成されている。
ところで、このような薄膜蒸着装置において
は、基板に形成される薄膜の厚さを計測すること
は重要な要素であり、第２図はこのような膜厚を
計測できるようにした従来の装置を示す断面図で
ある。図において、１は真空容器、２はるつぼで
構成された蒸気発生源（以下るつぼと称す）、２
ａは蒸着物質、２ｂは蒸気、３はフイラメント、
４はグリツド、５はフイラメント、６は加速電
極、７はシールド、８は基板、９は基板ホルダ、
１０は基板ホルダ受台、１１は加熱電源、１２は
フイラメント加熱電源、１３はイオン化電源、１
４はフイラメント加熱電源、１５は加速電源、１
６は小孔、１７，１８は電子である。
は、基板に形成される薄膜の厚さを計測すること
は重要な要素であり、第２図はこのような膜厚を
計測できるようにした従来の装置を示す断面図で
ある。図において、１は真空容器、２はるつぼで
構成された蒸気発生源（以下るつぼと称す）、２
ａは蒸着物質、２ｂは蒸気、３はフイラメント、
４はグリツド、５はフイラメント、６は加速電
極、７はシールド、８は基板、９は基板ホルダ、
１０は基板ホルダ受台、１１は加熱電源、１２は
フイラメント加熱電源、１３はイオン化電源、１
４はフイラメント加熱電源、１５は加速電源、１
６は小孔、１７，１８は電子である。
１９は膜厚センサであり、これは水晶振動子１
９ａとこれを保持するホルダ１９ｂとで構成され
ており、この膜厚センサ１９はるつぼ２からの蒸
気の噴出角度領域Ａの内側でかつるつぼ２と基板
８の外周縁部とを結ぶ有効噴出角度領域Ｂの外側
の、基板８とるつぼ２との間に配設されている。
９ａとこれを保持するホルダ１９ｂとで構成され
ており、この膜厚センサ１９はるつぼ２からの蒸
気の噴出角度領域Ａの内側でかつるつぼ２と基板
８の外周縁部とを結ぶ有効噴出角度領域Ｂの外側
の、基板８とるつぼ２との間に配設されている。
次に動作について説明する。蒸着物質２ａをる
つぼ２に入れ、真空容器１内を高真空状態に減圧
し、フイラメント３をフイラメント加熱電源１２
で赤熱し、加熱電源１１によりフイラメント３か
らるつぼ２に電子１７を衝突させて加熱する。蒸
着物質２ａが上記加熱により溶けて蒸気が発生
し、るつぼ２内の圧力が高くなるとこの蒸気は小
孔１６から噴出する。そして噴出した蒸気２ｂに
は基板８に向う途中で、フイラメント加熱電源１
４により赤熱されたフイラメント５からグリツド
４により引き出された電子１８が衝突し、これに
より上記蒸気２ｂはイオン化する。このイオン化
した蒸気２ｂは加速電極６にかけられた加速電源
１５の電界によつて加速され、基板８に衝突して
薄膜を形成する。
つぼ２に入れ、真空容器１内を高真空状態に減圧
し、フイラメント３をフイラメント加熱電源１２
で赤熱し、加熱電源１１によりフイラメント３か
らるつぼ２に電子１７を衝突させて加熱する。蒸
着物質２ａが上記加熱により溶けて蒸気が発生
し、るつぼ２内の圧力が高くなるとこの蒸気は小
孔１６から噴出する。そして噴出した蒸気２ｂに
は基板８に向う途中で、フイラメント加熱電源１
４により赤熱されたフイラメント５からグリツド
４により引き出された電子１８が衝突し、これに
より上記蒸気２ｂはイオン化する。このイオン化
した蒸気２ｂは加速電極６にかけられた加速電源
１５の電界によつて加速され、基板８に衝突して
薄膜を形成する。
そして上記薄膜形成に際して、基板８上の薄膜
の厚さを制御するために、上述のとおり、蒸気２
ｂの噴出角度領域Ａ内でかつ基板８の手前に膜厚
センサ１９を配置している。この膜厚センサ１９
は蒸発物質が付着した時の振動数の変化を検出す
る水晶振動子１９ａの働きにより、基板に蒸着す
る膜厚を間接的に計測し、これにより基板８上の
薄膜の厚さを制御できる。
の厚さを制御するために、上述のとおり、蒸気２
ｂの噴出角度領域Ａ内でかつ基板８の手前に膜厚
センサ１９を配置している。この膜厚センサ１９
は蒸発物質が付着した時の振動数の変化を検出す
る水晶振動子１９ａの働きにより、基板に蒸着す
る膜厚を間接的に計測し、これにより基板８上の
薄膜の厚さを制御できる。
ところで、上記従来の装置では、膜厚センサ１
９を蒸気２ｂの噴出角度領域Ａ内の基板８とるつ
ぼ２との間に配置しており、そのため薄膜形成が
可能な基板８の大きさは、蒸気２ｂが膜厚センサ
１９にさえぎられない有効噴出角度領域Ｂ内に配
設できる大きさに限られてしまい、しかも水晶振
動子１９ａを保持するホルダ１９ｂは構造上必然
的にその外形形状が水晶振動子１９ａよりも大き
くなつており、その分必要以上に蒸気をさえぎる
こととなり、結局この従来装置では膜厚センサ１
９によつて、多くの蒸気２ｂがさえぎられて、無
駄になつてしまうとともに、有効噴出角度領域Ｂ
が狭くなつて処理できる基板は小さなものとなつ
てしまう欠点があつた。
９を蒸気２ｂの噴出角度領域Ａ内の基板８とるつ
ぼ２との間に配置しており、そのため薄膜形成が
可能な基板８の大きさは、蒸気２ｂが膜厚センサ
１９にさえぎられない有効噴出角度領域Ｂ内に配
設できる大きさに限られてしまい、しかも水晶振
動子１９ａを保持するホルダ１９ｂは構造上必然
的にその外形形状が水晶振動子１９ａよりも大き
くなつており、その分必要以上に蒸気をさえぎる
こととなり、結局この従来装置では膜厚センサ１
９によつて、多くの蒸気２ｂがさえぎられて、無
駄になつてしまうとともに、有効噴出角度領域Ｂ
が狭くなつて処理できる基板は小さなものとなつ
てしまう欠点があつた。
この発明はこのような従来の欠点を解消するた
めになされたもので、膜厚センサにより有効噴出
角度領域が縮小されるのを抑制してより大きな基
板に均一な薄膜を効率よく蒸着できる薄膜蒸着装
置を得ることを目的とする。
めになされたもので、膜厚センサにより有効噴出
角度領域が縮小されるのを抑制してより大きな基
板に均一な薄膜を効率よく蒸着できる薄膜蒸着装
置を得ることを目的とする。
この発明に係る薄膜蒸着装置は、膜厚センサを
これの検出面が蒸気の噴出角度領域内でかつ有効
噴出角度領域外の、蒸気発生源から見て基板より
遠方に位置するよう配設したものである。
これの検出面が蒸気の噴出角度領域内でかつ有効
噴出角度領域外の、蒸気発生源から見て基板より
遠方に位置するよう配設したものである。
この発明における薄膜蒸着装置では、蒸気発生
源から見て基板よりも遠い位置に膜厚センサを配
置しているので、その分膜厚センサ用蒸気噴出角
度領域は小さくて済み、また上記位置に配置して
いるので、膜厚センサの検出面である水晶振動子
の部分のみにるつぼからの噴出蒸気が到達すれば
よく、この点からも上記膜厚センサ用噴出角度領
域は小さくて済み、結局膜厚センサによつて無駄
になつてしまう蒸気の噴出角度領域は従来のもの
と比べて大幅に低減され、その分有効噴出角度領
域が拡大される。
源から見て基板よりも遠い位置に膜厚センサを配
置しているので、その分膜厚センサ用蒸気噴出角
度領域は小さくて済み、また上記位置に配置して
いるので、膜厚センサの検出面である水晶振動子
の部分のみにるつぼからの噴出蒸気が到達すれば
よく、この点からも上記膜厚センサ用噴出角度領
域は小さくて済み、結局膜厚センサによつて無駄
になつてしまう蒸気の噴出角度領域は従来のもの
と比べて大幅に低減され、その分有効噴出角度領
域が拡大される。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示す。図におい
て第２図と同一符号は同一部分を示し、本実施例
では、膜厚センサ１９はその検出面である水晶振
動子１９ａ部分が蒸気を噴出する小孔１６と基板
８の外周縁部とを結ぶ有効噴出角度領域Ｂの外側
で、かつ蒸気噴出角度領域Ａの内側の、るつぼ２
から見て基板８よりも遠い位置に位置するように
配置されている。また、２０は基板８を保持する
基板ホルダ９に設けられたスリツトであり、これ
はるつぼ２の小孔１６から噴出した蒸着物質２ａ
の蒸気２ｂがこのスリツト２０を通過して膜厚セ
ンサ１９の水晶振動子１９ａに到達できるように
するためのものである。
て第２図と同一符号は同一部分を示し、本実施例
では、膜厚センサ１９はその検出面である水晶振
動子１９ａ部分が蒸気を噴出する小孔１６と基板
８の外周縁部とを結ぶ有効噴出角度領域Ｂの外側
で、かつ蒸気噴出角度領域Ａの内側の、るつぼ２
から見て基板８よりも遠い位置に位置するように
配置されている。また、２０は基板８を保持する
基板ホルダ９に設けられたスリツトであり、これ
はるつぼ２の小孔１６から噴出した蒸着物質２ａ
の蒸気２ｂがこのスリツト２０を通過して膜厚セ
ンサ１９の水晶振動子１９ａに到達できるように
するためのものである。
上記のように構成された本実施例の薄膜蒸着装
置においては、従来装置と同様に、るつぼ２の小
孔１６から噴出した蒸気２ｂは所定の噴出角度領
域Ａ内で拡りながら基板８に蒸着される。そして
この際本実施例では、膜厚センサ１９は基板８よ
りも遠方に位置しているので、膜厚センサ１９に
よつてるつぼ２からの噴出蒸気２ｂがさえぎられ
ることはなく、しかも基板ホルダ９のスリツト２
０を通過して膜厚センサ１９の水晶振動子１９ａ
に到達させるのに必要な蒸気の噴出角度領域は、
外形寸法の大きいホルダ１９ｂの影響を受けない
ので小さくて済み、従つて本実施例では薄膜形成
にあずかる噴出蒸気の有効角度領域Ｂを大きくす
ることができる。
置においては、従来装置と同様に、るつぼ２の小
孔１６から噴出した蒸気２ｂは所定の噴出角度領
域Ａ内で拡りながら基板８に蒸着される。そして
この際本実施例では、膜厚センサ１９は基板８よ
りも遠方に位置しているので、膜厚センサ１９に
よつてるつぼ２からの噴出蒸気２ｂがさえぎられ
ることはなく、しかも基板ホルダ９のスリツト２
０を通過して膜厚センサ１９の水晶振動子１９ａ
に到達させるのに必要な蒸気の噴出角度領域は、
外形寸法の大きいホルダ１９ｂの影響を受けない
ので小さくて済み、従つて本実施例では薄膜形成
にあずかる噴出蒸気の有効角度領域Ｂを大きくす
ることができる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明に係る薄膜蒸着装置に
よれば、膜厚センサを蒸気発生源から見て基板よ
りも遠くに配置したので、有効な蒸気噴出角度領
域を拡大でき、その分より大きな基板に均一な薄
膜を効率よく形成できる効果がある。
よれば、膜厚センサを蒸気発生源から見て基板よ
りも遠くに配置したので、有効な蒸気噴出角度領
域を拡大でき、その分より大きな基板に均一な薄
膜を効率よく形成できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による薄膜蒸着装
置の断面図、第２図は従来の薄膜蒸着装置の断面
図である。 図において、２はるつぼ（蒸気発生源）、２ａ
は蒸着物質、２ｂは蒸気、８は基板、１９は膜厚
センサ、１９ａは水晶振動子（検出面）、Ａは蒸
気の噴出角度領域、Ｂは有効噴出角度領域であ
る。なお図中同一符号は同一又は相当部分を示
す。
置の断面図、第２図は従来の薄膜蒸着装置の断面
図である。 図において、２はるつぼ（蒸気発生源）、２ａ
は蒸着物質、２ｂは蒸気、８は基板、１９は膜厚
センサ、１９ａは水晶振動子（検出面）、Ａは蒸
気の噴出角度領域、Ｂは有効噴出角度領域であ
る。なお図中同一符号は同一又は相当部分を示
す。
Claims (1)
- １ 蒸着物質の蒸気を発生する蒸気発生源と、そ
の検出面に上記蒸気を蒸着させて蒸着物質の膜厚
を測定する膜厚センサとを備え、蒸気発生源から
所定距離をあけて配置された基板上に上記蒸着物
質を蒸着させる薄膜蒸着装置において、上記膜厚
センサをこれの検出面が上記蒸気の噴出角度領域
内で、かつ上記蒸気発生源と上記基板の外周縁部
とを結ぶ有効噴出角度領域外の蒸気発生源側から
見て基板より遠方に位置するよう配設したことを
特徴とする薄膜蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59263563A JPS61140131A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59263563A JPS61140131A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61140131A JPS61140131A (ja) | 1986-06-27 |
| JPH0347571B2 true JPH0347571B2 (ja) | 1991-07-19 |
Family
ID=17391281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59263563A Granted JPS61140131A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61140131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9611104B2 (en) | 2011-12-06 | 2017-04-04 | Hirata Corporation | Sorting apparatus and vessel sorting method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060081015A (ko) | 2005-01-06 | 2006-07-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 진공 증착기 |
-
1984
- 1984-12-12 JP JP59263563A patent/JPS61140131A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| J.APPL.PHYS=1980 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9611104B2 (en) | 2011-12-06 | 2017-04-04 | Hirata Corporation | Sorting apparatus and vessel sorting method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61140131A (ja) | 1986-06-27 |
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