JPH01152265A - 高指向性蒸着装置 - Google Patents
高指向性蒸着装置Info
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- JPH01152265A JPH01152265A JP31082287A JP31082287A JPH01152265A JP H01152265 A JPH01152265 A JP H01152265A JP 31082287 A JP31082287 A JP 31082287A JP 31082287 A JP31082287 A JP 31082287A JP H01152265 A JPH01152265 A JP H01152265A
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- vapor
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- vapor deposition
- evaporated
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 15
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は蒸発物質蒸気の被蒸着基板への入射角がほぼ
一定である高指向性蒸着装置に関するものである。
一定である高指向性蒸着装置に関するものである。
最近、リフトオフ法によって多層配線基板の配線層を形
成することが考えられており、リフトオフ法によって配
線層を形成するためには、高指向性蒸着装置を用いる必
要がある。
成することが考えられており、リフトオフ法によって配
線層を形成するためには、高指向性蒸着装置を用いる必
要がある。
従来の高指向性蒸着装置（特公昭３９へ４７８５号公報
）においては、蒸発物質蒸気の被蒸着基板への入射角を
ほぼ一定にするために、蒸発源と被蒸着基板との間にコ
リメータを設けている。
）においては、蒸発物質蒸気の被蒸着基板への入射角を
ほぼ一定にするために、蒸発源と被蒸着基板との間にコ
リメータを設けている。
しかし、このような高指向性蒸着装置においては、蒸発
物質の指向性を高くするためには、コリメータの穴のア
スペクト比を大きくしなければならず、この場合には多
くの蒸発物質が穴を通過することができずに、穴の内面
に付着するため、成膜速度が小さくなる。すなわち、蒸
発物質蒸気の被蒸着基板への最大入射角をαにするため
には、コリメータの穴のアスペクト比を１７ｔａｎα
以上にする必要があり、この場合にはコリメータを使用
しない場合と比較して成膜速度がｓｉｎ”α以下に低下
する。たとえば、コリメータを用いて蒸発物質蒸気の被
蒸着基板への最大入射角を１５°にした場合には、コリ
メータを使用しない場合と比較して成膜速度が６．７％
以下に低下する。
物質の指向性を高くするためには、コリメータの穴のア
スペクト比を大きくしなければならず、この場合には多
くの蒸発物質が穴を通過することができずに、穴の内面
に付着するため、成膜速度が小さくなる。すなわち、蒸
発物質蒸気の被蒸着基板への最大入射角をαにするため
には、コリメータの穴のアスペクト比を１７ｔａｎα
以上にする必要があり、この場合にはコリメータを使用
しない場合と比較して成膜速度がｓｉｎ”α以下に低下
する。たとえば、コリメータを用いて蒸発物質蒸気の被
蒸着基板への最大入射角を１５°にした場合には、コリ
メータを使用しない場合と比較して成膜速度が６．７％
以下に低下する。
この発明は上述の問題点を解決するためになされたもの
で、蒸着物質の指向性が高くしかも成膜速度が低下しな
い高指向性蒸着装置を提供することを目的とする。
で、蒸着物質の指向性が高くしかも成膜速度が低下しな
い高指向性蒸着装置を提供することを目的とする。
この目的を達成するため、この発明においては。
蒸発物質蒸気の被蒸着基板への入射角がほぼ一定である
高指向性蒸着装置において、密閉型のセル内に蒸発物質
を入れ、上記セルの上記被蒸着基板に対向する面に複数
個の噴出穴を設ける。
高指向性蒸着装置において、密閉型のセル内に蒸発物質
を入れ、上記セルの上記被蒸着基板に対向する面に複数
個の噴出穴を設ける。
この高指向性蒸着装置においては、蒸発物質を加熱する
と、蒸発物質が蒸発し、その蒸発物質蒸気が噴出穴から
噴出する。
と、蒸発物質が蒸発し、その蒸発物質蒸気が噴出穴から
噴出する。
第１図はこの発明に係る高指向性蒸着装置を示す断面図
である。図において、６は真空チャンバで、真空チャン
バ６は真空ポンプ（図示せず）に接続されている。５は
真空チャンバ６内に設けられた被蒸着基板、１は密閉型
のセル、２はセル１内に入れられた蒸発物質、７はセル
１の被蒸着基板５に対向する面に設けられた複数個の噴
出穴、３は蒸発物質蒸気、４は噴出蒸気である。
である。図において、６は真空チャンバで、真空チャン
バ６は真空ポンプ（図示せず）に接続されている。５は
真空チャンバ６内に設けられた被蒸着基板、１は密閉型
のセル、２はセル１内に入れられた蒸発物質、７はセル
１の被蒸着基板５に対向する面に設けられた複数個の噴
出穴、３は蒸発物質蒸気、４は噴出蒸気である。
この高指向性蒸着装置においては、真空ポンプにより真
空チャンバ６内を１０−’Ｐａ以下に排気したのち、蒸
発物質２を加熱すると、蒸発物質２が溶融、蒸発し、蒸
発物質蒸気３となる。この結果、セル１内の圧力は真空
状態にある真空チャンバ６内の圧力に比べて極めて高く
なり、蒸発物質蒸気３は噴出穴７から噴出して噴出蒸気
４となり、噴出蒸気４の指向性は噴出穴７のアスペクト
比に対応した指向性よりも極めて高くなるから、被蒸着
基板５への最大入射角が極めて小さくなる。また、噴出
穴７のアスペクト比を大きくする必要がなく。
空チャンバ６内を１０−’Ｐａ以下に排気したのち、蒸
発物質２を加熱すると、蒸発物質２が溶融、蒸発し、蒸
発物質蒸気３となる。この結果、セル１内の圧力は真空
状態にある真空チャンバ６内の圧力に比べて極めて高く
なり、蒸発物質蒸気３は噴出穴７から噴出して噴出蒸気
４となり、噴出蒸気４の指向性は噴出穴７のアスペクト
比に対応した指向性よりも極めて高くなるから、被蒸着
基板５への最大入射角が極めて小さくなる。また、噴出
穴７のアスペクト比を大きくする必要がなく。
セル１内に発生した蒸発物質蒸気３のほとんどが噴出穴
７から噴出するから、成膜速度が低下することはない。
７から噴出するから、成膜速度が低下することはない。
なお、被蒸着基板５を振動または移動すれば、被蒸着基
板５に付着する蒸発物質の膜厚をより均一にすることが
できる。
板５に付着する蒸発物質の膜厚をより均一にすることが
できる。
以上説明したように、この発明に係る高指向性蒸着装置
においては、セル内に生じた蒸発物質蒸気が噴出穴から
噴出するから、蒸着物質の指向性が高くなり、しかも噴
出穴のアスペクト比を大きくする必要がないから、成膜
速度が低下することはない。このように、この発明の効
果は顕著である。
においては、セル内に生じた蒸発物質蒸気が噴出穴から
噴出するから、蒸着物質の指向性が高くなり、しかも噴
出穴のアスペクト比を大きくする必要がないから、成膜
速度が低下することはない。このように、この発明の効
果は顕著である。
第１図はこの発明に係る高指向性蒸着装置を示す断面図
である。 １・・・セル ２・・・蒸発物質３・・・
蒸発物質蒸気 ４・・・噴出蒸気５・・・被蒸着基
板 ７・・・噴出穴代理人 弁理士 中 村
純之助
である。 １・・・セル ２・・・蒸発物質３・・・
蒸発物質蒸気 ４・・・噴出蒸気５・・・被蒸着基
板 ７・・・噴出穴代理人 弁理士 中 村
純之助
Claims (1)
- １、蒸発物質蒸気の被蒸着基板への入射角がほぼ一定で
ある高指向性蒸着装置において、密閉型のセル内に蒸発
物質を入れ、上記セルの上記被蒸着基板に対向する面に
複数個の噴出穴を設けたことを特徴とする高指向性蒸着
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62310822A JPH0745711B2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 高指向性蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62310822A JPH0745711B2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 高指向性蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01152265A true JPH01152265A (ja) | 1989-06-14 |
| JPH0745711B2 JPH0745711B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=18009830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62310822A Expired - Lifetime JPH0745711B2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 高指向性蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745711B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2733253A1 (fr) * | 1995-04-24 | 1996-10-25 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif pour deposer un materiau par evaporation sur des substrats de grande surface |
| JP2005344146A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Tohoku Pioneer Corp | 成膜源、真空成膜装置、有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネル |
| DE102005020666B4 (de) * | 2004-05-20 | 2011-03-10 | Tohoku Pioneer Corp., Tendo-shi | Schichtbildungsquelle, vakuumunterstützte Vorrichtung zur Schichtbildung, Verfahren zur Herstellung eines organischen elektrolumineszierenden Bauelements |
| WO2015100780A1 (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 真空蒸镀装置及蒸镀方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6067659A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-18 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPS60211067A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
| JPS61279668A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
-
1987
- 1987-12-10 JP JP62310822A patent/JPH0745711B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6067659A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-18 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPS60211067A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
| JPS61279668A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2733253A1 (fr) * | 1995-04-24 | 1996-10-25 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif pour deposer un materiau par evaporation sur des substrats de grande surface |
| WO1996034123A1 (fr) * | 1995-04-24 | 1996-10-31 | Commissariat A L'energie Atomique | Dispositif pour deposer un materiau par evaporation sur des substrats de grande surface |
| US6509061B1 (en) | 1995-04-24 | 2003-01-21 | Commissariat A L'energe Atomique | Apparatus for depositing a material by evaporation on large surface substrates |
| DE102005020666B4 (de) * | 2004-05-20 | 2011-03-10 | Tohoku Pioneer Corp., Tendo-shi | Schichtbildungsquelle, vakuumunterstützte Vorrichtung zur Schichtbildung, Verfahren zur Herstellung eines organischen elektrolumineszierenden Bauelements |
| JP2005344146A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Tohoku Pioneer Corp | 成膜源、真空成膜装置、有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネル |
| WO2015100780A1 (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 真空蒸镀装置及蒸镀方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0745711B2 (ja) | 1995-05-17 |
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