JPH0336258A - プラスチックスへの無機物質の成膜方法 - Google Patents

プラスチックスへの無機物質の成膜方法

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Publication number
JPH0336258A
JPH0336258A JP17000189A JP17000189A JPH0336258A JP H0336258 A JPH0336258 A JP H0336258A JP 17000189 A JP17000189 A JP 17000189A JP 17000189 A JP17000189 A JP 17000189A JP H0336258 A JPH0336258 A JP H0336258A
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JP
Japan
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film
substrate
sio2
adhere
inorganic material
Prior art date
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Pending
Application number
JP17000189A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Ogawa
博之 小川
Kazuyuki Toki
土岐 和之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0336258A publication Critical patent/JPH0336258A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、プラスチックス、特にアクリル樹脂(アクリ
ル)表面に無機物質を密着度良く付着させることのでき
る成膜方法に関するものである。
[従来の技術] アクリル表面に無機物質、例えば二酸化ケイ素(SiO
2)の硬い膜を付けたいという要求は多く、特にカメラ
や眼鏡の分野では非常に強く要望されている。
[発明が解決しようとする課題] しかしながらアクリルは熱に弱<、シかも熱膨張係数が
非常に大きいことから無機物質を実用に耐える密着度で
成膜する技術は、今だに見出されていない。
そこで、本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり
、プラスチックス表面に無機物質を実用に耐える密着度
で成膜することのできる方法を提供することを目的とす
るものである。
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するため、本発明のプラスチックスへの
無機物質の成膜方法は、プラスチックス基板上にこのプ
ラスチックス物質と無機物質との混合膜を付着させ、そ
の上に無機物質の膜を付着させるようにしたことを特徴
とするものである。
以下、本発明の成膜方法の一例を図面に基づいて詳説す
る。
[実施例] 第1図は本発明にかかる成膜方法を実施するための装置
の一例を示す構成図、第2図はその動作を説明するため
の図である。
第1図において、1は被排気室(真空チャンバ)、2は
油拡散ポンプ等の真空ポンプ、3は基板ホルダで、導電
性月料で作られており、また、この基板ホルダの下面に
はアクリルの基板4が取付けられている。5は直流電源
、6はモノマーガスを収容したガス供給源で、このモノ
マーガスとしてはメタクリル酸メチルの蒸気が使用され
る。7は流量調整弁、8は坩堝で、蒸発物質が収容され
ている。9は電子銃、10は電子銃電源、11は偏向器
、12は高周波電極、13は整合回路で、負荷側と電源
側のインピーダンスを整合させるものである。14は高
周波電源である。
今、坩堝8内に基板4上に底膜すべき無機物質、例えば
二酸化ケイ素を収容する。そして、被排気室1内を真空
ポンプ2により高真空(例えば5×10″5〜10″6
Torr程度)まで排気した後、流量調整弁7を開放し
、ガス供給源6からモノマーガスを被排気室内の圧力が
例えば5〜lX10’T。
rr程度になるまでこの被排気室内に導入する。この状
態におシ)で、高周波電源1−4より整合回路13を介
して高周波電極12に高周波電力を印加することにより
グロー放電を発生させれば、第2図(a)に示すように
プラズマ重合によりアクリル基板4上にポリメタクリル
酸メチル(アクリル)膜Aが形成される。
膜Aが所望の厚みに到達した時点で、さらに、電子銃電
源10及び偏向器11を作動させて電子銃9からの電子
ビームを坩堝8内の二酸化ケイ素に当て、この二酸化ケ
イ素を気化させる。その結果、生成された二酸化ケイ素
ガスはグロー放電によりイオン化され、基板ホルダ3に
印加された負の直流電圧により基板4へ向けて加速され
、この基板上に付着する。このとき、同時にモノマーガ
スによるプラズマ重合も行われているため、基板4に形
成されたアクリル膜A上には第2図(b)で示すように
プラズマ重合及びイオンブレ−ティングに基づいてアク
リルと二酸化ケイ素との混合膜Bが付着される。その後
、この状態において、流量調整弁7を徐々に閉め、被排
気室1内へのモノマーガスの導入量を少なくしてプラズ
マ重合によるアクリルの付着量を次第に減らし、最終的
に第2図(C)で示すようにイオンブレーティングによ
る二酸化ケイ素膜Cを付着させる。
このようにアクリル基板ど二酸化ケイ素との間に両者の
物質を混合させた混合膜層を形成すれば、この混合層が
両者の熱膨張率の違いを吸収するため、プラスチックス
基板上に二酸化ケイ素を非常に密着度良く付着させるこ
とができる。
尚、前述の説明は本発明方法の一例であり、実施にあた
っては幾多の変形が考えられる。例えば上記実施例では
アクリル基板上に一旦アクリル膜を形成してからアクリ
ルと二酸化ケイ素との混合膜を形成するようにしたが、
基板上に直接アクリルと二酸化ケイ素との混合膜を形成
しても前述同様な効果が得られる。この場合、この混合
膜におけるアクリルど二酸化ケイ素との割合を、基板に
近いほどアクリル膜の比率が高く、表面に近いほど二酸
化ケイ素の比率を高くし、表面部分では100%二酸化
ケイ素となるようにすることが好ましい。
また、上記実施例では電子ビームを利用した蒸発源を使
用したが、抵抗加熱型の蒸発源を利用しても良い。
さらに、上記実施例ではアクリル基板にアクリルを付着
させるためにプラズマ重合法を利用1.たが、これに限
定されることなく液状のメタクリル酸メチルを電子ビー
ムなどにより蒸発させる方法を利用しても良い。
[効果コ 以上詳述したように本発明方法によれば、プラスチック
ス上に無機物質を密着度良く付着させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明にかかる成膜方法を実施するための装置
の一例を示す構成図、第2図はその動作を説明するため
の図である。 1:被排気室     2:真空ポンプ3;基板ホルダ
    4:基板 5;直流電@      6:ガス供給源7:流量調整
弁    8:坩堝 9:電子銃     10;電子銃電源12:高周波電
極 13:整合回路 14:高周波電源

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. プラスチックス基板上にこのプラスチックス物質と無機
    物質との混合膜を付着させ、その上に無機物質の膜を付
    着させるようにしたことを特徴とするプラスチックスへ
    の無機物質の成膜方法。
JP17000189A 1989-06-30 1989-06-30 プラスチックスへの無機物質の成膜方法 Pending JPH0336258A (ja)

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JP2003089867A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Toppan Printing Co Ltd 蒸着薄膜の製造方法

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