JPH0660390B2 - プレーナマグネトロン方式の微小孔を有する成膜対象基板への成膜方法およびその装置 - Google Patents
プレーナマグネトロン方式の微小孔を有する成膜対象基板への成膜方法およびその装置Info
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- JPH0660390B2 JPH0660390B2 JP23835484A JP23835484A JPH0660390B2 JP H0660390 B2 JPH0660390 B2 JP H0660390B2 JP 23835484 A JP23835484 A JP 23835484A JP 23835484 A JP23835484 A JP 23835484A JP H0660390 B2 JPH0660390 B2 JP H0660390B2
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- JP
- Japan
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- film
- film formation
- target substrate
- substrate
- target
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はＩＣ，ＬＳＩ等の半導体や各種薄膜モジュール
の製造に用いるスパッタリング装置に係り、特に下地配
線やスルーホールで発生する段差部のステップカバレー
ジの良好なスパッタリング装置に関する。
の製造に用いるスパッタリング装置に係り、特に下地配
線やスルーホールで発生する段差部のステップカバレー
ジの良好なスパッタリング装置に関する。
半導体装置（ＩＣ，ＬＳＩ等）や各種薄膜モジュール
（薄膜感熱記録ヘッド等）の製造において配線層，導電
層，絶縁膜等を形成する技術として、スパッタリング技
術が多用されている。スパッタ装置としては、たとえば
電子材料，1981年，別冊号，143 〜148 頁における北林
による“真空蒸着，スパッタリング装置”なる題名の文
献に記載されているように、電磁界によってプラズマを
ターゲットの近傍に閉じこめて効率的にスパッタを行う
各種構造のマグネトロンスパッタ装置が知られている。
また、シンゾリッドフイルム（Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ
Ｆｉｌｍ）第９６巻（１９８２）第２２５〜第２３３頁
におけるアベ等による成膜率分散制御性を持つプレーナ
マグネトロンスパッタリングカソード（Ｐｌａｎａｒ
Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ Ｃａｔｈ
ｏｄｅ ｗｉｔｈ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ
Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｃｏｎｔｒｏｌａｂｉｌｉ
ｔｙ）なる文献には、マグネトロンスパッタリング装置
におけるプレーナマグネトロンスパッタリング装置にあ
って、二重磁極型電磁石カソード構造のものが紹介され
ている。この二重磁極型電磁石カソード構造のスパッタ
リング装置は、二重の電磁石を操作して電磁界分布を制
御し、エロージョン径を自在にコントロールすることに
よって、膜厚分布をコントロールするとともにφ150mm
ウエハのような大口径のウエハの処理もできるようにな
っている。
（薄膜感熱記録ヘッド等）の製造において配線層，導電
層，絶縁膜等を形成する技術として、スパッタリング技
術が多用されている。スパッタ装置としては、たとえば
電子材料，1981年，別冊号，143 〜148 頁における北林
による“真空蒸着，スパッタリング装置”なる題名の文
献に記載されているように、電磁界によってプラズマを
ターゲットの近傍に閉じこめて効率的にスパッタを行う
各種構造のマグネトロンスパッタ装置が知られている。
また、シンゾリッドフイルム（Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ
Ｆｉｌｍ）第９６巻（１９８２）第２２５〜第２３３頁
におけるアベ等による成膜率分散制御性を持つプレーナ
マグネトロンスパッタリングカソード（Ｐｌａｎａｒ
Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ Ｃａｔｈ
ｏｄｅ ｗｉｔｈ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ
Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｃｏｎｔｒｏｌａｂｉｌｉ
ｔｙ）なる文献には、マグネトロンスパッタリング装置
におけるプレーナマグネトロンスパッタリング装置にあ
って、二重磁極型電磁石カソード構造のものが紹介され
ている。この二重磁極型電磁石カソード構造のスパッタ
リング装置は、二重の電磁石を操作して電磁界分布を制
御し、エロージョン径を自在にコントロールすることに
よって、膜厚分布をコントロールするとともにφ150mm
ウエハのような大口径のウエハの処理もできるようにな
っている。
ところで本願発明者は、前記プレーナマグネトロンスパ
ッタリング装置において、ウエハ内の膜厚分布は制御で
きるが、下地に既に配線等があったり多層配線の上層を
形成する際のスルーホール部等で、ウエハ面上に発生す
る段差部への成膜に際し、ステップカバレージが不十分
であり、微細パターンでは段切れ等が発生する可能性が
あることを発見した。
ッタリング装置において、ウエハ内の膜厚分布は制御で
きるが、下地に既に配線等があったり多層配線の上層を
形成する際のスルーホール部等で、ウエハ面上に発生す
る段差部への成膜に際し、ステップカバレージが不十分
であり、微細パターンでは段切れ等が発生する可能性が
あることを発見した。
本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決すべく、環
状のプラズマを発生させるプレーナマグネトロ方式の成
膜において、微小孔を有する成膜対象基板に対して微小
孔部へのステップカバレージの段切れなくしてしかも均
一な成膜を行えるようにしたプレーナマグネトロン方式
の微小孔を有する成膜対象基板への成膜方法およびその
装置を提供することにある。
状のプラズマを発生させるプレーナマグネトロ方式の成
膜において、微小孔を有する成膜対象基板に対して微小
孔部へのステップカバレージの段切れなくしてしかも均
一な成膜を行えるようにしたプレーナマグネトロン方式
の微小孔を有する成膜対象基板への成膜方法およびその
装置を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するために、微小孔を有する
成膜対象基板に対向するように配置されたターゲット上
に発生させた磁界により環状のプラズマを発生させて上
記ターゲットから発するスパッタ粒子を上記成膜対象基
板上に成膜するプレーナマグネトロン方式のスパッタ方
法において、上記ターゲットと成膜対象基板との間に配
置された指向性付与手段を用いて上記スパッタ粒子の成
膜対象基板へ浅い角度で入射する成分を減少させること
により成膜対象基板に入射するスパッタ粒子に指向性を
付与しながら上記環状のプラズマと成膜対象基板との相
対的な位置を２次元的に平行移動させて、成膜対象基板
の微小孔部へのステップカバレージの段切れなく成膜す
ることを特徴とするプレーナマグネトロン方式の微小孔
を有する成膜対象基板への成膜方法である。また、本発
明は、微小孔を有する成膜対象基板に対向するように配
置されたターゲット上に発生させた磁界により環状のプ
ラズマを発生させて上記ターゲットから発するスパッタ
粒子を上記成膜対象基板上に成膜するプレーナマグネト
ロ方式のスパッタ装置において、上記ターゲットと成膜
対象基板との間に配置され、上記スパッタ粒子の成膜対
象基板へ浅い角度で入射する成分を減少させる指向性付
与手段と、上記環状のプラズマと成膜対象基板との相対
的な位置を２次元的に平行移動させる移動手段とを備
え、上記指向性付与手段と上記移動手段ににより成膜対
象基板の微小孔部へのステップカバレージの段切れなく
成膜するように構成したことを特徴とするプレーナマグ
ネトロン方式の微小孔を有する成膜対象基板への成膜装
置である。即ち段差部（微小孔部）のステップカバレー
ジの悪さは、スパッタ粒子のウエハへの入射がCosine L
aw に従って決定されるため、ウエハに対し垂直に入射
するスパッタ粒子に比べ垂直以外の角度で入射する粒子
の数が多く、これにより段差部にオーバーハングが形成
される。この現象を第３図により説明する。第３図にお
いて、スパッタリングターゲット１からターゲット材料
がウエハ２にスパッタリングされるが、該ウエハには第
１層配線３，層間絶縁膜４，層間絶縁膜に形成したスル
ーホール５をあらかじめ形成している。またスパッタリ
グ粒子のウエハへの入射角度を第３図のごとく、ウエハ
平面に対し垂直な線に対する角度をθとして表す。ここ
でスルーホール５により形成された段差部６についての
成膜を考えた場合、段差部６の側面７では、７の点から
ターゲット１に対して垂直な線より左側に位置するター
ゲット部からのウエハへの入射粒子はなく、当然のこと
ながら側面７への入射粒子の数は段差上面部８より少な
くなる。このため段差上面部８での成膜量が多くなり、
第３図９のごとく段差上面部に入射堆積した粒子がオー
バーハング部10を形成する。オーバーハング部が形成さ
れると、側面７への入射粒子数はさらに減少する。ま
た、スルーホール５の大きさは、絶縁膜４と同等以下の
寸法が使用される場合が多く、このような場合、段差部
６やオーバーハング部10によりスルーホール底面部11へ
の入射粒子の数も減少する。
成膜対象基板に対向するように配置されたターゲット上
に発生させた磁界により環状のプラズマを発生させて上
記ターゲットから発するスパッタ粒子を上記成膜対象基
板上に成膜するプレーナマグネトロン方式のスパッタ方
法において、上記ターゲットと成膜対象基板との間に配
置された指向性付与手段を用いて上記スパッタ粒子の成
膜対象基板へ浅い角度で入射する成分を減少させること
により成膜対象基板に入射するスパッタ粒子に指向性を
付与しながら上記環状のプラズマと成膜対象基板との相
対的な位置を２次元的に平行移動させて、成膜対象基板
の微小孔部へのステップカバレージの段切れなく成膜す
ることを特徴とするプレーナマグネトロン方式の微小孔
を有する成膜対象基板への成膜方法である。また、本発
明は、微小孔を有する成膜対象基板に対向するように配
置されたターゲット上に発生させた磁界により環状のプ
ラズマを発生させて上記ターゲットから発するスパッタ
粒子を上記成膜対象基板上に成膜するプレーナマグネト
ロ方式のスパッタ装置において、上記ターゲットと成膜
対象基板との間に配置され、上記スパッタ粒子の成膜対
象基板へ浅い角度で入射する成分を減少させる指向性付
与手段と、上記環状のプラズマと成膜対象基板との相対
的な位置を２次元的に平行移動させる移動手段とを備
え、上記指向性付与手段と上記移動手段ににより成膜対
象基板の微小孔部へのステップカバレージの段切れなく
成膜するように構成したことを特徴とするプレーナマグ
ネトロン方式の微小孔を有する成膜対象基板への成膜装
置である。即ち段差部（微小孔部）のステップカバレー
ジの悪さは、スパッタ粒子のウエハへの入射がCosine L
aw に従って決定されるため、ウエハに対し垂直に入射
するスパッタ粒子に比べ垂直以外の角度で入射する粒子
の数が多く、これにより段差部にオーバーハングが形成
される。この現象を第３図により説明する。第３図にお
いて、スパッタリングターゲット１からターゲット材料
がウエハ２にスパッタリングされるが、該ウエハには第
１層配線３，層間絶縁膜４，層間絶縁膜に形成したスル
ーホール５をあらかじめ形成している。またスパッタリ
グ粒子のウエハへの入射角度を第３図のごとく、ウエハ
平面に対し垂直な線に対する角度をθとして表す。ここ
でスルーホール５により形成された段差部６についての
成膜を考えた場合、段差部６の側面７では、７の点から
ターゲット１に対して垂直な線より左側に位置するター
ゲット部からのウエハへの入射粒子はなく、当然のこと
ながら側面７への入射粒子の数は段差上面部８より少な
くなる。このため段差上面部８での成膜量が多くなり、
第３図９のごとく段差上面部に入射堆積した粒子がオー
バーハング部10を形成する。オーバーハング部が形成さ
れると、側面７への入射粒子数はさらに減少する。ま
た、スルーホール５の大きさは、絶縁膜４と同等以下の
寸法が使用される場合が多く、このような場合、段差部
６やオーバーハング部10によりスルーホール底面部11へ
の入射粒子の数も減少する。
これらの現象は、スパッタリング成膜において第３図で
示すθが大きい入射粒子による成膜量が多いために発生
するものである。このためθの大きい入射粒子を除去す
ることにより、これらの問題は解決可能である。その方
法として第１図に示すごとく、ターゲット１とウエハ２
の空間にスリット12を設置して、θの大きい入射粒子を
除去することが有効である。
示すθが大きい入射粒子による成膜量が多いために発生
するものである。このためθの大きい入射粒子を除去す
ることにより、これらの問題は解決可能である。その方
法として第１図に示すごとく、ターゲット１とウエハ２
の空間にスリット12を設置して、θの大きい入射粒子を
除去することが有効である。
第１図のごとくスリット12を設けると、(1)ウエハへの
成膜速度の減少，(2)スリットにより影になる部分13の
成膜量の低下の問題が発生する。この新たな問題点につ
いては、(1)ウエハ等の基板を回転もしくは平行に移動
させることを連続的に行うことによる基板内膜厚分布の
コントロール、(2)ターゲット周辺部にターゲット材料
と同一材料による突起14を設け、この突起部はターゲッ
トと同電位とすることにより、ターゲット近傍に滞在す
る電子の数の増加によるスパッタリング量の増加、(3)
磁界発生手段である電磁石15に加える電流を変化するこ
とによるターゲット材料の有効利用等を発生することに
より解決している。
成膜速度の減少，(2)スリットにより影になる部分13の
成膜量の低下の問題が発生する。この新たな問題点につ
いては、(1)ウエハ等の基板を回転もしくは平行に移動
させることを連続的に行うことによる基板内膜厚分布の
コントロール、(2)ターゲット周辺部にターゲット材料
と同一材料による突起14を設け、この突起部はターゲッ
トと同電位とすることにより、ターゲット近傍に滞在す
る電子の数の増加によるスパッタリング量の増加、(3)
磁界発生手段である電磁石15に加える電流を変化するこ
とによるターゲット材料の有効利用等を発生することに
より解決している。
φ100mm のシリコンウエハ上に第１層配線としてAlを厚
さ１μｍ、層間絶縁膜としてポリイミド樹脂厚さ２μｍ
を順次成膜し、ポリイミド樹脂にφ２μｍのスルーホー
ルを形成する。このウエハを第２図(a)および(b)に示し
た本発明のスパッタリング装置内に取り付ける。この場
合、第２図(a)はスパッタリング装置内のターゲット部
および基板ホルダー部の断面を第２図(b)は基板ホルダ
部を矢印18の方向から見た図である。第２図(a)および
(b)に示したスパッタリング装置は、ターゲット１はφ2
60mm のAlであり、周辺部に高さ10mmの突起14を形成
し、これをパッキングプレート16にボンディングしてい
る。また、パッキングプレートの裏面には電磁石15を配
置しており、電磁石を二重環状に形成し、それぞれの電
磁石への印加電流はそれぞれ独立に変化できる。また、
シリコンウエハ２は基板ホルダ17にセットされ、その後
スリット12が基板ホルダにねじ19でねじ止めされる。ス
リット12の形状は、高さａが19mm，スリット幅ｂが0.5m
m、スリットにより形成される空間は１辺ｃが19.5mmの
正方形状とした。またウエハとターゲット平面の距離は
80mmである。このスパッタリング装置により、スパッタ
リング用Alガス圧３ｍTorr，ターゲットへの印加電圧50
0 〜600 Ｖ，ターゲット電流12Ａ，電磁石15への印加電
流は内側電磁石３〜６Ａ（1350ターン巻）外側電磁石８
〜０Ａ（350 ターン巻）の条件で１分25秒スパッタリン
グした。またスパッタリング中は基板ホルダをターゲッ
ト平面と平行方向に移動しながら回転させた。この結
果、スルーホール段差上面部に成膜されたAlは厚さ1.0
μｍで、スルーホール底面で0.9μｍであり、段差部側
面での段切れの発生もなく、シリコンウエハ２上に良好
な成膜を実現するこができた。なお、比較のために従来
法のスリット12およびターゲットの突起14を具備しない
スパッタリング装置を使用し、同一のスパッタリング条
件で50秒スパッタリングした結果は、スルーホール上面
部Al膜厚1.0μｍ，スルーホール底面0.6μｍで、第３図
に示したごときオーバーハング部が形成されており、段
差側面部で一部段切れが発生していた。
さ１μｍ、層間絶縁膜としてポリイミド樹脂厚さ２μｍ
を順次成膜し、ポリイミド樹脂にφ２μｍのスルーホー
ルを形成する。このウエハを第２図(a)および(b)に示し
た本発明のスパッタリング装置内に取り付ける。この場
合、第２図(a)はスパッタリング装置内のターゲット部
および基板ホルダー部の断面を第２図(b)は基板ホルダ
部を矢印18の方向から見た図である。第２図(a)および
(b)に示したスパッタリング装置は、ターゲット１はφ2
60mm のAlであり、周辺部に高さ10mmの突起14を形成
し、これをパッキングプレート16にボンディングしてい
る。また、パッキングプレートの裏面には電磁石15を配
置しており、電磁石を二重環状に形成し、それぞれの電
磁石への印加電流はそれぞれ独立に変化できる。また、
シリコンウエハ２は基板ホルダ17にセットされ、その後
スリット12が基板ホルダにねじ19でねじ止めされる。ス
リット12の形状は、高さａが19mm，スリット幅ｂが0.5m
m、スリットにより形成される空間は１辺ｃが19.5mmの
正方形状とした。またウエハとターゲット平面の距離は
80mmである。このスパッタリング装置により、スパッタ
リング用Alガス圧３ｍTorr，ターゲットへの印加電圧50
0 〜600 Ｖ，ターゲット電流12Ａ，電磁石15への印加電
流は内側電磁石３〜６Ａ（1350ターン巻）外側電磁石８
〜０Ａ（350 ターン巻）の条件で１分25秒スパッタリン
グした。またスパッタリング中は基板ホルダをターゲッ
ト平面と平行方向に移動しながら回転させた。この結
果、スルーホール段差上面部に成膜されたAlは厚さ1.0
μｍで、スルーホール底面で0.9μｍであり、段差部側
面での段切れの発生もなく、シリコンウエハ２上に良好
な成膜を実現するこができた。なお、比較のために従来
法のスリット12およびターゲットの突起14を具備しない
スパッタリング装置を使用し、同一のスパッタリング条
件で50秒スパッタリングした結果は、スルーホール上面
部Al膜厚1.0μｍ，スルーホール底面0.6μｍで、第３図
に示したごときオーバーハング部が形成されており、段
差側面部で一部段切れが発生していた。
本発明に係るスリットを設けることで、均一な成膜が行
えることがわかるが、成膜速度が若干低下する。これは
ターゲット材から射出した粒子がスリットに遮ぎられる
ためシリコンウエハに到達するスパッタ粒子の総量が減
少することが原因である。従ってスリットの形状を選択
することにより成膜速度を極端に低下させることなく、
ステップカバレージを良好にすることが可能である。成
膜する用途に応じてスリットを付け変えればよい。
えることがわかるが、成膜速度が若干低下する。これは
ターゲット材から射出した粒子がスリットに遮ぎられる
ためシリコンウエハに到達するスパッタ粒子の総量が減
少することが原因である。従ってスリットの形状を選択
することにより成膜速度を極端に低下させることなく、
ステップカバレージを良好にすることが可能である。成
膜する用途に応じてスリットを付け変えればよい。
本発明によれば、環状のプラズマを発生させるプレーナ
マグネトロン方式の成膜において、微小孔を有する半導
体基板等に対してこの微小孔部へのステップカバレージ
を著しく向上させて段切れなく配線を形成でき、接続信
頼性を著しく向上させた多層配線部を有する超ＬＳＩ等
の微細な半導体素子を製造することを可能にする効果を
奏する。
マグネトロン方式の成膜において、微小孔を有する半導
体基板等に対してこの微小孔部へのステップカバレージ
を著しく向上させて段切れなく配線を形成でき、接続信
頼性を著しく向上させた多層配線部を有する超ＬＳＩ等
の微細な半導体素子を製造することを可能にする効果を
奏する。
第３図は従来法におけるスパッタリング装置の概略図、
第１図は本発明法のスパッタリング装置の概念図、第２
図(a)は本発明法のスパッタリング装置の断面概略図、
第２図(b)は基板ホルダ近傍の平面概略図である。 １……スパッタリングターゲット ２……基板、３……第１層配線 ４……層間絶縁膜、５……スルーホール ６……段差部、７……段差部側面 ８……段差部上面、９……成膜状態 10……オーバーハング部 11……スルーホール底面部 12……スリット 13……スリットにより影になる部分 14……ターゲットに設けた突起 15……電磁石 16……バッキングプレート 17……基板ホルダ、19……ねじ。
第１図は本発明法のスパッタリング装置の概念図、第２
図(a)は本発明法のスパッタリング装置の断面概略図、
第２図(b)は基板ホルダ近傍の平面概略図である。 １……スパッタリングターゲット ２……基板、３……第１層配線 ４……層間絶縁膜、５……スルーホール ６……段差部、７……段差部側面 ８……段差部上面、９……成膜状態 10……オーバーハング部 11……スルーホール底面部 12……スリット 13……スリットにより影になる部分 14……ターゲットに設けた突起 15……電磁石 16……バッキングプレート 17……基板ホルダ、19……ねじ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島村 英昭 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 阿部 勝男 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 亀井 常彰 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭57−120669（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】微小孔を有する成膜対象基板に対向するよ
うに配置されたターゲット上に発生させた磁界により環
状のプラズマを発生させて上記ターゲットから発するス
パッタ粒子を上記成膜対象基板上に成膜するプレーナマ
グネトロン方式のスパッタ方法において、上記ターゲッ
トと成膜対象基板との間に配置された指向性付与手段を
用いて上記スパッタ粒子の成膜対象基板へ浅い角度で入
射する成分を減少させることにより成膜対象基板に入射
するスパッタ粒子に指向性を付与しながら、上記環状の
プラズマと成膜対象基板との相対的な位置を２次元的に
平行移動させて、成膜対象基板の微小孔部へのステップ
カバレージの段切れなく成膜することを特徴とするプレ
ーナマグネトロン方式の微小孔を有する成膜対象基板へ
の成膜方法。 - 【請求項２】微小孔を有する成膜対象基板に対向するよ
うに配置されたターゲット上に発生させた磁界により環
状のプラズマを発生させて上記ターゲットから発するス
パッタ粒子を上記成膜対象基板上に成膜するプレーナマ
グネトロン方式のスパッタ装置において、上記ターゲッ
トと成膜対象基板との間に配置され、上記スパッタ粒子
の成膜対象基板へ浅い角度で入射する成分を減少させる
指向性付与手段と、上記環状のプラズマと成膜対象基板
との相対的な位置を２次元的に平行移動させる移動手段
とを備え、上記指向性付与手段と上記移動手段により成
膜対象基板の微小孔部へのステップカバレージの段切れ
なく成膜するように構成したことを特徴とするプレーナ
マグネトロン方式の微小孔を有する成膜対象基板への成
膜装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23835484A JPH0660390B2 (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | プレーナマグネトロン方式の微小孔を有する成膜対象基板への成膜方法およびその装置 |
| KR1019850008419A KR900001825B1 (ko) | 1984-11-14 | 1985-11-12 | 성막 지향성을 고려한 스퍼터링장치 |
| EP85114424A EP0187226B1 (en) | 1984-11-14 | 1985-11-13 | Sputtering apparatus with film forming directivity |
| DE8585114424T DE3575811D1 (de) | 1984-11-14 | 1985-11-13 | Zerstaeubungsgeraet zum substrataufbau in vorgegebenen richtungen. |
| US06/797,966 US4724060A (en) | 1984-11-14 | 1985-11-14 | Sputtering apparatus with film forming directivity |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23835484A JPH0660390B2 (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | プレーナマグネトロン方式の微小孔を有する成膜対象基板への成膜方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61117273A JPS61117273A (ja) | 1986-06-04 |
| JPH0660390B2 true JPH0660390B2 (ja) | 1994-08-10 |
Family
ID=17028944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23835484A Expired - Lifetime JPH0660390B2 (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | プレーナマグネトロン方式の微小孔を有する成膜対象基板への成膜方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660390B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0660391B2 (ja) * | 1987-06-11 | 1994-08-10 | 日電アネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
| US5527438A (en) * | 1994-12-16 | 1996-06-18 | Applied Materials, Inc. | Cylindrical sputtering shield |
-
1984
- 1984-11-14 JP JP23835484A patent/JPH0660390B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61117273A (ja) | 1986-06-04 |
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