JP2011524471A - 均一蒸着のための装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1B
Description
101 システムコントローラ
102 カバーリング
103 リップ
110 コリメータ
111 放射状ブラケット
141 RFコイル
142 ターゲット
143 コイル絶縁体
144 導電性アダプタ
146 誘電絶縁体
148 DC電源
150 チャンバ壁
152 基板支持台
154 基板
156 RF電源
158 蛇腹
160 底部チャンバ壁
162 ガス源
164 質量流コントローラ
170 マグネトロン
172 磁石
174 ベースプレート
176 シャフト
180 下部シールド
182 上部フランジ
184 フランジ
186 上部シールド
188 微小ギャップ
190 先端
196 管状部
198 底部
Claims (15)
- 電気的に接地されたチャンバと、
前記チャンバによって支持されるとともに前記チャンバから電気的に絶縁されたスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットの下方に位置し、前記スパッタリングターゲットのスパッタ面と実質的に平行な基板支持面を有する基板支持台と、
前記チャンバによって支持されるシールド部材と、
前記シールド部材に機械的及び電気的に結合され、前記スパッタリングターゲットと前記基板支持台との間に位置するコリメータと、
を備え、前記コリメータが、該コリメータを貫いて延びる複数の開口部を有し、中心領域に位置する前記開口部の方が、周辺領域に位置する前記開口部よりも高いアスペクト比を有する、
ことを特徴とする蒸着装置。 - 前記開口部のアスペクト比が、前記中心領域から前記周辺領域にかけて持続的に減少する、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記コリメータの厚みが、前記中心領域から前記周辺領域にかけて持続的に減少する、
ことを特徴とする請求項2に記載の装置。 - 前記開口部のアスペクト比が、前記中心領域から前記周辺領域にかけて非直線的に減少する、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記コリメータの厚みが、前記中心領域から前記周辺領域にかけて非直線的に減少する、
ことを特徴とする請求項4に記載の装置。 - 前記コリメータが前記シールド部材に、外側にねじ山のある部材と、該外側にねじ山のある部材と係合する内側にねじ山のある部材とを備えたブラケットを介して結合される、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記コリメータが前記シールド部材に溶接される、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記コリメータが前記シールド部材と一体化される、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記コリメータが、アルミニウム、銅及びステンレス鋼から成る群から選択された材料から成る、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記コリメータの前記開口部間の壁厚が約0.06インチ〜約0.18インチの間である、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 電気的に接地されたチャンバと、
前記チャンバによって支持され、前記チャンバから電気的に絶縁され、DC電源に電気的に結合されたスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットの下方に位置し、前記スパッタリングターゲットのスパッタ面に実質的と平行な基板支持面を有する、RF電源に電気的に結合された基板支持台と、
前記チャンバによって支持され、前記チャンバに電気的に結合されたシールド部材と、
前記シールド部材に機械的及び電気的に結合され、前記スパッタリングターゲットと前記基板支持台との間に位置するコリメータと、
を備え、前記コリメータが、該コリメータを貫いて延びる複数の開口部を有し、中心領域に位置する前記開口部の方が、周辺領域に位置する前記開口部よりも高いアスペクト比を有し、
ガス源と、
前記ガス源、DC電源及び前記RF電源を制御するための信号を供給するようにプログラムされるとともに、前記基板支持台に高バイアスを与えるようにプログラムされたコントローラと、
をさらに備えることを特徴とする蒸着装置。 - RFコイルをさらに備え、前記コントローラが、前記基板支持台が高バイアスと低バイアスの間で交互に切り替わるように前記RF電源を制御するための信号を供給するようにプログラムされるとともに、前記RFコイル及び前記ガス源に供給される電力を制御して前記チャンバ内の第2のプラズマを制御するようにプログラムされる、
ことを特徴とする請求項11に記載の装置。 - 前記コリメータの厚みが、前記中心領域から前記周辺領域にかけて持続的に減少する、
ことを特徴とする請求項12に記載の装置。 - 基板上に材料を蒸着させる方法であって、
コリメータを有するチャンバ内のスパッタリングターゲットにDCバイアスを印加するステップを含み、前記コリメータは、前記スパッタリングターゲットと基板支持台との間に位置するとともに、前記コリメータを貫いて延びる複数の開口部を有し、中心領域に位置する前記開口部の方が、周辺領域に位置する前記開口部よりも高いアスペクト比を有し、
前記チャンバ内の前記スパッタリングターゲットに隣接する領域内に加工ガスを供給するステップと、
前記基板支持台にバイアスを印加するステップと、
前記基板支持台に印加した前記バイアスを高バイアスと低バイアスの間でパルスするステップと、
をさらに含むことを特徴とする方法。 - 前記チャンバの内部に位置するRFコイルに電力を印加して前記チャンバの内部に第2のプラズマを供給するステップをさらに含み、前記開口部のアスペクト比が、前記中心領域から前記周辺領域にかけて持続的に減少する、
ことを特徴とする請求項14に記載の方法。
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