JPS61140131A - 薄膜蒸着装置 - Google Patents
薄膜蒸着装置Info
- Publication number
- JPS61140131A JPS61140131A JP26356384A JP26356384A JPS61140131A JP S61140131 A JPS61140131 A JP S61140131A JP 26356384 A JP26356384 A JP 26356384A JP 26356384 A JP26356384 A JP 26356384A JP S61140131 A JPS61140131 A JP S61140131A
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- Japan
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- vapor
- film thickness
- thin film
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、蒸着物質の蒸気を基板に衝突させて薄膜を
形成する薄膜蒸着装置に関するものである。
形成する薄膜蒸着装置に関するものである。
従来の薄膜蒸着装置としては例えば特公昭５４−９５９
２号公報に示されるような装置があり、これは真空容器
内に蒸気発生源を設け、基板をこの発生源から所定距離
層して配役し、この状態で蒸着物質を蒸発させて基板に
蒸着させ、これにより薄膜を形成するように構成されて
いる。
２号公報に示されるような装置があり、これは真空容器
内に蒸気発生源を設け、基板をこの発生源から所定距離
層して配役し、この状態で蒸着物質を蒸発させて基板に
蒸着させ、これにより薄膜を形成するように構成されて
いる。
ところで、このような薄膜蒸着装置においては、基板に
形成される薄膜の厚さを計測することは重要な要素であ
り、第２図はこのような膜厚を計測できるようにした従
来の装置を示す断面図である。
形成される薄膜の厚さを計測することは重要な要素であ
り、第２図はこのような膜厚を計測できるようにした従
来の装置を示す断面図である。
図において、■は真空容器、２はるつぼで構成された蒸
気発生源（以下るつぼと称す）、２ａは蒸着物質、２ｂ
は蒸気、３はフィラメント、４はグリッド、５はフィラ
メント、６は加速電極、７はシールド、８は基板、９は
基板ホルダ、１０は基板ホルダ受台、１１は加熱電源、
１２はフィラメント加熱電源、１３はイオン化電源、１
４はフィラメント加熱電源、１５は加速電源、１６は小
孔、１７．１８は電子である。
気発生源（以下るつぼと称す）、２ａは蒸着物質、２ｂ
は蒸気、３はフィラメント、４はグリッド、５はフィラ
メント、６は加速電極、７はシールド、８は基板、９は
基板ホルダ、１０は基板ホルダ受台、１１は加熱電源、
１２はフィラメント加熱電源、１３はイオン化電源、１
４はフィラメント加熱電源、１５は加速電源、１６は小
孔、１７．１８は電子である。
１９は膜厚センサであり、これは水晶振動子１９ａ、と
これを保持するホルダ１９ｂとで構成されており、この
膜厚センサ１９はるつぼ２からの蒸気の噴出角度領域Ａ
の内側でかつるつぼ２と基板８の外周縁部とを結ぶ有効
噴出角度領域Ｂの外側の、基板８とるつぼ２との間に配
設されている。
これを保持するホルダ１９ｂとで構成されており、この
膜厚センサ１９はるつぼ２からの蒸気の噴出角度領域Ａ
の内側でかつるつぼ２と基板８の外周縁部とを結ぶ有効
噴出角度領域Ｂの外側の、基板８とるつぼ２との間に配
設されている。
次に動作について説明する。蒸着物質２ａをるつぼ２に
入れ、真空容器１内を高真空状態に減圧し、フィラメン
ト３をフィラメント加熱電源１２で赤熱し、加熱電源１
１によりフィラメント３からるつぼ２に電子１７を衝突
させて加熱する。蒸着物質２ａが上記加熱により熔けて
蒸気が発生し、るつぼ２内の圧力が′高くなるとこの蒸
気は小孔１６から噴出する。そして噴出した蒸気２ｂに
は基板８に問う途中で、フィラメント加熱電源１４によ
り赤熱されたフィラメント５からグリッド４により引き
出された電子１８が衝突し、これにより上記蒸気２ｂは
イオン化する。このイオン化した蒸気２ｂは加速電極６
にかけられた加速電源１５の電界によって加速され、基
板８に衝突して薄膜を形成する。
入れ、真空容器１内を高真空状態に減圧し、フィラメン
ト３をフィラメント加熱電源１２で赤熱し、加熱電源１
１によりフィラメント３からるつぼ２に電子１７を衝突
させて加熱する。蒸着物質２ａが上記加熱により熔けて
蒸気が発生し、るつぼ２内の圧力が′高くなるとこの蒸
気は小孔１６から噴出する。そして噴出した蒸気２ｂに
は基板８に問う途中で、フィラメント加熱電源１４によ
り赤熱されたフィラメント５からグリッド４により引き
出された電子１８が衝突し、これにより上記蒸気２ｂは
イオン化する。このイオン化した蒸気２ｂは加速電極６
にかけられた加速電源１５の電界によって加速され、基
板８に衝突して薄膜を形成する。
そして上記薄膜形成に際して、基板８上の薄膜の厚さを
制御するために、上述のとおり、蒸気２ｂの噴出角度領
域Ａ内でかつ基板８の手前に膜厚センサ１９を配置して
いる。この膜厚センサ１９は蒸発物質が付着した時の振
動数の変化を検出する水晶振動子１９ａの働きにより、
基板に蒸着する膜厚を間接的に計測し、これにより基板
８上のｆｆ膜の厚さを制御できる。
制御するために、上述のとおり、蒸気２ｂの噴出角度領
域Ａ内でかつ基板８の手前に膜厚センサ１９を配置して
いる。この膜厚センサ１９は蒸発物質が付着した時の振
動数の変化を検出する水晶振動子１９ａの働きにより、
基板に蒸着する膜厚を間接的に計測し、これにより基板
８上のｆｆ膜の厚さを制御できる。
ところで、上記従来の装置では、膜厚センサ１９を蒸気
２ｂの噴出角度領域Ａ内の基板８とるつぼ２との間に配
置しており、そのため薄膜形成が可能な基板８の大きさ
は、蒸気２ｂが膜厚センサ１９にさえぎられない有効噴
出角度領域Ｂ内に配役できる大きさに限られてしまい、
しかも水晶振動子１９ａを保持するホルダ１９ｂは構造
上必然的にその外形形状が水晶振動子１９ａよりも大き
くなっており、その分必要以上に蒸気をさえぎることと
なり、結局この従来装置では膜厚センサ１９によって、
多くの蒸気２ｂがさえぎられて、無駄になってしまうと
ともに、有効噴出角度領域Ｂが狭くな９て処理できる基
板は小さなものとなってしまう欠点があった。
２ｂの噴出角度領域Ａ内の基板８とるつぼ２との間に配
置しており、そのため薄膜形成が可能な基板８の大きさ
は、蒸気２ｂが膜厚センサ１９にさえぎられない有効噴
出角度領域Ｂ内に配役できる大きさに限られてしまい、
しかも水晶振動子１９ａを保持するホルダ１９ｂは構造
上必然的にその外形形状が水晶振動子１９ａよりも大き
くなっており、その分必要以上に蒸気をさえぎることと
なり、結局この従来装置では膜厚センサ１９によって、
多くの蒸気２ｂがさえぎられて、無駄になってしまうと
ともに、有効噴出角度領域Ｂが狭くな９て処理できる基
板は小さなものとなってしまう欠点があった。
この発明はこのような従来の欠点を解消するためになさ
れたもので、膜厚センサにより有効噴出角度領域が縮小
されるのを抑制してより大きな基板に均一な薄膜を効率
よく蒸着できる薄膜蒸着装置を得ることを目的とする。
れたもので、膜厚センサにより有効噴出角度領域が縮小
されるのを抑制してより大きな基板に均一な薄膜を効率
よく蒸着できる薄膜蒸着装置を得ることを目的とする。
この発明に係る薄膜蒸着装置は、膜厚センサをこれの検
出面が蒸気の噴出角度領域内でかつ有効噴出角度領域外
の、蒸気発生源から見て基板より遠方に位置するよう配
設したものである。
出面が蒸気の噴出角度領域内でかつ有効噴出角度領域外
の、蒸気発生源から見て基板より遠方に位置するよう配
設したものである。
この発明における薄膜蒸着装置では、蒸気発生源から見
て基板よりも遠い位置に膜厚センサを配置しているので
、その分膜厚センサ用蒸気噴出角度領域は小さくて済み
、また上記位置に配置しているので、膜厚センサの検出
面である水晶振動子の部分のみにるつぼからの噴出蒸気
が到達すればよく、この点からも上記膜厚センサ用噴出
角度領域は小さくて済み、結局膜厚センサによりて無駄
になってしまう蒸気の噴出角度領域は従来のものと比べ
て大幅に低減され、その分有効噴出角度領域が拡大され
る。
て基板よりも遠い位置に膜厚センサを配置しているので
、その分膜厚センサ用蒸気噴出角度領域は小さくて済み
、また上記位置に配置しているので、膜厚センサの検出
面である水晶振動子の部分のみにるつぼからの噴出蒸気
が到達すればよく、この点からも上記膜厚センサ用噴出
角度領域は小さくて済み、結局膜厚センサによりて無駄
になってしまう蒸気の噴出角度領域は従来のものと比べ
て大幅に低減され、その分有効噴出角度領域が拡大され
る。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示す０図において第２図
と同一符号は同一部分を示し、本実施例では、膜厚セン
サ１９はその検出面である水晶振動子１９２部分が蒸気
を噴出する小孔１６と基板８の外周縁部とを結ぶ有効噴
出角度領域Ｂの外側で、かつ蒸気噴出角度領域Ａの内側
の、るつぼ２から見て基板８よりも遠い位置に位置する
ように配置されている。また、２０は基板８を保持する
基板ホルダ９に設けられたスリットであり、これはるつ
ぼ２の小孔１６から噴出した蒸着物質２ａの蒸気２ｂが
このスリン）２０を通過して膜厚センサ１９の水晶振動
子１９ａに到達できるようにするためのものである。
と同一符号は同一部分を示し、本実施例では、膜厚セン
サ１９はその検出面である水晶振動子１９２部分が蒸気
を噴出する小孔１６と基板８の外周縁部とを結ぶ有効噴
出角度領域Ｂの外側で、かつ蒸気噴出角度領域Ａの内側
の、るつぼ２から見て基板８よりも遠い位置に位置する
ように配置されている。また、２０は基板８を保持する
基板ホルダ９に設けられたスリットであり、これはるつ
ぼ２の小孔１６から噴出した蒸着物質２ａの蒸気２ｂが
このスリン）２０を通過して膜厚センサ１９の水晶振動
子１９ａに到達できるようにするためのものである。
上記のように構成された本実施例の薄膜蒸着装置におい
ては、従来装置と同様に、るつぼ２の小孔１６から噴出
した蒸気２ｂは所定の噴出角度領域Ａ内で拡りながら基
板８に蒸着される。そしてこの際本実施例では、膜厚セ
ンサ１９は基板８よりも遠方に位置しているので、膜厚
センサ１９によってるつぼ２からの噴出蒸気２ｂがさえ
ぎられることはなく、しかも基板ホルダ９のスリット２
０を通過して膜厚センサ１９の水晶振動子１９ａに到達
させるのに必要な蒸気の噴出角度領域は、外形寸法の大
きいホルダ１９ｂの影響を受けないので小さくて済み、
従って本実施例では薄膜形成にあずかる噴出蒸気の有効
角度領域Ｂを大きくすることができる。
ては、従来装置と同様に、るつぼ２の小孔１６から噴出
した蒸気２ｂは所定の噴出角度領域Ａ内で拡りながら基
板８に蒸着される。そしてこの際本実施例では、膜厚セ
ンサ１９は基板８よりも遠方に位置しているので、膜厚
センサ１９によってるつぼ２からの噴出蒸気２ｂがさえ
ぎられることはなく、しかも基板ホルダ９のスリット２
０を通過して膜厚センサ１９の水晶振動子１９ａに到達
させるのに必要な蒸気の噴出角度領域は、外形寸法の大
きいホルダ１９ｂの影響を受けないので小さくて済み、
従って本実施例では薄膜形成にあずかる噴出蒸気の有効
角度領域Ｂを大きくすることができる。
以上のように、この発明に係る薄膜蒸着装置によれば、
膜厚センサを蒸気発生源から見て基板よりも遠くに配置
したので、有効な蒸気噴出角度領域を拡大でき、その分
より大きな基板に均一な薄膜を効率よく形成できる効果
がある。
膜厚センサを蒸気発生源から見て基板よりも遠くに配置
したので、有効な蒸気噴出角度領域を拡大でき、その分
より大きな基板に均一な薄膜を効率よく形成できる効果
がある。
第１図はこの発明の一実施例による薄膜蒸着装置の断面
図、第２図は従来の薄膜蒸着装置の断面図である。 図において、２はるつぼ（蒸気発生源）、２ａは蒸着物
質、２ｂは蒸気、８は基板、１９は膜厚センサ、１９ａ
は水晶振動子（検出面）、Ａは蒸気の噴出角度領域、Ｂ
は有効噴出角度領域である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
図、第２図は従来の薄膜蒸着装置の断面図である。 図において、２はるつぼ（蒸気発生源）、２ａは蒸着物
質、２ｂは蒸気、８は基板、１９は膜厚センサ、１９ａ
は水晶振動子（検出面）、Ａは蒸気の噴出角度領域、Ｂ
は有効噴出角度領域である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）蒸着物質の蒸気を発生する蒸気発生源と、その検
出面に上記蒸気を蒸着させて蒸着物質の膜厚を測定する
膜厚センサとを備え、蒸気発生源から所定距離をあけて
配置された基板上に上記蒸着物質を蒸着させる薄膜蒸着
装置において、上記膜厚センサをこれの検出面が上記蒸
気の噴出角度領域内で、かつ上記蒸気発生源と上記基板
の外周縁部とを結ぶ有効噴出角度領域外の蒸気発生源側
から見て基板より遠方に位置するよう配設したことを特
徴とする薄膜蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26356384A JPS61140131A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26356384A JPS61140131A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61140131A true JPS61140131A (ja) | 1986-06-27 |
| JPH0347571B2 JPH0347571B2 (ja) | 1991-07-19 |
Family
ID=17391281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26356384A Granted JPS61140131A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61140131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7339182B2 (en) | 2005-01-06 | 2008-03-04 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Vacuum evaporator |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102012111867B4 (de) | 2011-12-06 | 2013-11-21 | Hirata Corp. | Sortiergerät |
-
1984
- 1984-12-12 JP JP26356384A patent/JPS61140131A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| J.APPL.PHYS=1980 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7339182B2 (en) | 2005-01-06 | 2008-03-04 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Vacuum evaporator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0347571B2 (ja) | 1991-07-19 |
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