JPS60255971A - 薄膜形成装置 - Google Patents

薄膜形成装置

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Publication number
JPS60255971A
JPS60255971A JP11248084A JP11248084A JPS60255971A JP S60255971 A JPS60255971 A JP S60255971A JP 11248084 A JP11248084 A JP 11248084A JP 11248084 A JP11248084 A JP 11248084A JP S60255971 A JPS60255971 A JP S60255971A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crucible
hole
small hole
thin film
film forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11248084A
Other languages
English (en)
Inventor
Tateo Motoyoshi
本吉 健郎
Masahiro Hanai
正博 花井
Teruo Ina
伊奈 照夫
Kenichiro Yamanishi
山西 健一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP11248084A priority Critical patent/JPS60255971A/ja
Publication of JPS60255971A publication Critical patent/JPS60255971A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は金属蒸気を基板に蒸着させる薄膜形成装置に
関するものである。
C従来技術] 従来の薄膜形成装置を第1図に示す。図において、(1
)はるつぼ、(2)は金属、(3)は小孔、(4)は金
属蒸気、(5)はフィラメント、(6)(7)は電源、
(8) Hグリッド、(9)はフィラメント、(10)
 (11)は電源、(12)は加速電極、(13)は基
板、(14)は蒸着膜、(15)は電源、(16)はシ
ールド板、(17)は真空容器、(18)は断熱材であ
る。
次に動作を説明する。第1図において、フィラメント(
5)は電源(6)によって加熱され、電源(7)によっ
て与えられた電圧により電子の衝突を受けてるつぼ(1
)が加熱される。るつ#Y(1)内の金Ji11(2)
Vi蒸発して小孔(3)から真空中に噴射する。噴射さ
れた金属蒸気(4) Viフイラノント(9)、電源(
10)及びグリッド(8)によって電子の衝突を受けて
イオン化し、加速電極(12)と電源(15)によって
加速され、基板(13)に射突して蒸着膜(14)を作
る。この時、るつぼ(1)は高温になって、輻射熱が同
曲に放出される。
このため、るつぼ(1)の外面には輻射熱を反射させる
熱シールド板(16)を側面と底部に配置している。そ
して、上部は加速電極(12)を熱シールド板と共用す
る。金属蒸気(4)は小孔(3)を通った後ある角度を
もって広がるためこの広がりを妨げないように頂角を有
する孔を断熱材に設けている。金属蒸気(4) Fi直
径りの小孔を通るが、小孔の途中で直径a(aぐD)に
縮少してから広がる。この孔の場合、輻射熱は直径りの
面積を通って上方に達する。一方、加速電極(12)は
るつぼ(1)から離れた位置にあるため、金属蒸気(4
)が広がって通るので開口部が大きくとられている。こ
のため、るつぼの噴射面からの輻射熱は開口部を通り、
基板(13) K到達して、加熱することになるので、
基板(13)を冷す必要がある。
]発明の概要〕 本発明は上記欠点をなくすため、るつぼから噴出する金
属蒸気を小孔で細く絞って、金属蒸気の通らない部分に
は断熱材または幅射平の小さい材料を用いることKよっ
て基板に達する熱を小さくした薄膜形成装置を提供する
[発明の実施例] 第3図に本発明による薄膜形成装置を示す。図において
、(1) (2)は従来と同様である。(19)はるつ
ぼ(1)の上部に設けた小孔で、るつぼ(1)外面から
内面に向って拡開した貫通穴である。(20)はるつぼ
(1)の外面を被い、小孔(19)と接続された連通孔
(20a)を有する断熱材である。なお断熱材(20)
の連通孔(2(la) #’iるりtY(1)の外面に
当接する側が直径dの小孔(19)の最小断面積で、外
111!IK向って拡開している。したがって、るつぼ
(1)の小孔(19)と断熱材(20)の連通孔(20
a)とで、中細ノズルが構成されている。
上記構成によると、蒸気の自然の流れに浴って流路を形
成しであるので、流れを阻害することがない。
[発明の効果] この発IMKよると、るつぼの小孔と断熱材の連通孔と
で中細状のノズルを構成しているので、金属の自然の流
れを阻害することなく、基板に到達する輻射熱を低減さ
せることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の薄膜形成装置の構成図、第2図は第1図
の要部を示す断面図及び第3図はこの発明の一実施例を
示す断面図である。 図において、(1)はるつぼ、(4)は金属蒸気、(1
9)はるつぼ(1)の小孔、(20)は断熱材、(20
a) #−を連通孔である。 なお各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人大岩 増雄 第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)真空中でるつぼ内の金属蒸気を上記るつぼの小孔
    から噴射し、上記金属蒸気をイオン化して基板に薄膜を
    形成させるものにおいて、上記小孔を上記るつぼの外面
    が最小断面積となるように上記るつぼの外面から内面に
    向って拡開させ、上記るつぼの外面をwT熱材で被って
    上記断熱材に上記るつぼの外面側が上記小孔の最小断面
    積で上部lIT熊材の外側に向って拡開した連油孔を設
    けたことを特徴とする薄膜形成装置。
JP11248084A 1984-05-30 1984-05-30 薄膜形成装置 Pending JPS60255971A (ja)

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