JPH0731994B2 - 金属イオン源 - Google Patents

金属イオン源

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JPH0731994B2
JPH0731994B2 JP59243022A JP24302284A JPH0731994B2 JP H0731994 B2 JPH0731994 B2 JP H0731994B2 JP 59243022 A JP59243022 A JP 59243022A JP 24302284 A JP24302284 A JP 24302284A JP H0731994 B2 JPH0731994 B2 JP H0731994B2
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JP
Japan
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arc chamber
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gas
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泰雄 鈴木
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Nissin Electric Co Ltd
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Nissin Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00Ion beam tubes
    • H01J27/02Ion sources; Ion guns
    • H01J27/08Ion sources; Ion guns using arc discharge

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、金属イオンビームを引き出す金属イオン源
に関する。
〔従来の技術〕
第5図は、従来のイオン源の一例を示す概略図である。
このイオン源は、熱陰極PIGイオン源或いはフリーマン
型イオン源と言われているものであり、ハウジング25の
外側にマグネット26が、内側にアークチャンバー20が設
けられている。アークチャンバー20にはガス導入口21、
インシュレータ22、リフレクタ23、フィラメント24が設
けられており、その出口部にはスリット27s、28sをそれ
ぞれ有するマイナス電極27及びアース電極28が設けられ
ている。
このイオン源においては、金属をガス化して(例えば、
SiをSiH4とかSiCl4とかにして)導入し、又はオーブン
を取付けて固体金属をそれで加熱蒸気化し、更にそれを
イオン化してビームとして引き出している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述のようなイオン源では点又は線ビームとしてイオン
を引き出しているが、フィラメントが一つしかない等の
理由から大量のイオンを面ビームの形で引き出すことが
できないと言う問題がある。
従ってこの発明は、金属イオンの面ビームを引き出せる
金属イオン源を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明の金属イオン源は、プラズマ生成環境作りのた
めのガスが導入されるアークチャンバーと、アークチャ
ンバーの内周部に設けられていて、アークチャンバーの
内壁から熱絶縁された固体金属の複数のターゲットと、
アークチャンバー内に各々のターゲットに対向して設け
られていて、各々ターゲットとの間にアーク電圧が印加
されて各々のターゲットとの間にアーク放電を生じさ
せ、このアーク放電によって各々のターゲットを熱溶解
させて金属イオンを生じさせる複数のフィラメントと、
アークチャンバーの出口部に設けられていて、面状に配
置された複数の開口を有しアークチャンバー内から金属
イオンの面ビームを引き出す引出し電極とを備えてい
る。
〔作用〕
フィラメントとターゲットとの間でアーク放電が起こ
る。この場合、フィラメント及びターゲットは複数ある
のでマルチアークになる。これによって、アークチャン
バー内にターゲットから蒸気化した金属イオンと導入さ
れたガスのイオンとが混合されたプラズマが生成され
る。そして引出し電極から面イオンビーム(金属イオン
とガスイオンのビーム)が引き出される。
〔実施例〕
第1図はこの発明の金属イオン源の一実施例を示す断面
図であり、第2図は第1図の引出し電極の概略を示す平
面図であり、第3図は第1図のIII−III方向に見たフィ
ラメントの概略位置を示す図であり、第4図は第3図の
IV−IV方向に見た概略図である。もっとも、アークチャ
ンバー1等の形状には、これらの図に示したような長方
形の他に丸型等がある。
アークチャンバー1の内周部には、熱絶縁台4でアーク
チャンバー1の内壁から熱絶縁された固体金属の複数の
ターゲット6が設けられており、かつ各々のターゲット
6に対抗してそれらとの間でアーク放電させる複数のフ
ィラメント3が設けられている。フィラメント3の端部
は電流導入端子5を経由してアークチャンバー1外に引
き出されている。又、アークチャンバー1にはガス導入
バルブ12を経由してプラズマ生成環境作りのためのガス
が導入される。尚、図示を省略しているが、アークチャ
ンバー1の周囲にはプラズマ閉込めのためのマグネット
が設けられている。
一方アークチャンバー1の出口部には、例えばこの例で
はアークチャンバー1と真空チャンバー2との接続部の
真空チャンバー2側には、絶縁板10を介して引出し電極
7、減速電極8及び接地電極9が設けられている。引出
し電極7は、面状に配置された複数の開口7aを有する
(第2図参照)。開口7aは、この例ではアパーチャ(小
孔)であるがスリットでもよい。減速電極8及び接地電
極9も引出し電極7と同様の複数の開口を有する。真空
チャンバー2の基部には、イオン注入すべき基板11が設
けられている。又真空チャンバー2及びアークチャンバ
ー1は、真空バルブ13を経由して真空排気される。
次にこの実施例の作用を動作手順の形で説明する。
真空バルブ13を開けて真空排気装置(図示省略)によ
って真空チャンバー2及びアークチャンバー1の真空排
気を行う。この場合の真空チャンバー2の真空度は、例
えば2×10-6Torr程度である。
フィラメント電源(図示省略)によってフィラメント
3を点灯する。
ガス導入バルブ12を開けてアークチャンバー1の真空
度が10-1〜10-3Torr程度になるまでアークチャンバー1
にガス(例えば、Ar等の不活性ガスやH2ガス)を導入す
る。このガスは、プラズマを作り易い環境作りのために
必要である。
アーク電源(図示省略)によってフィラメント3と固
体金属(例えばTi、Si等)のターゲット6との間にアー
ク電圧を印加して、アーク14を飛ばす。この場合、フィ
ラメント3及びターゲット6は複数あるのでマルチアー
クとなる。
以上によって、アークスポットによって各ターゲット
6が局部的に熱溶解され蒸気化されてできる金属イオン
15と、導入されたガスがイオン化されてできるガスイオ
ン16とが混合されたプラズマがアークチャンバー1内に
生成され、当該プラズマはアークチャンバー1内に広が
る。尚、アークチャンバー1の内壁は水で冷却されてお
り、(図示省略)、かつ前述したようにターゲット6は
熱絶縁台4によって熱絶縁が施されている。
引出し電源(図示省略)によって引出し電極7に高電
圧、例えば+40KV程度を印加すると、電極7、8、9の
複数の開口を通じて金属イオンビーム17とガスイオンビ
ーム18とが混合された面ビームが引き出される。
以上のようにして引き出されたイオンビームは基板11
に照射され、これによって基板11に金属とガスのイオン
注入が行われる。この場合、イオンがAr+等の不活性ガ
スイオンの場合は不活性元素として基板11中に注入さ
れ、イオンがH+の場合は数百度に加熱すれば基板11から
抜け出るので、いずれにしても支障はない。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、アーク放電によって
直接各ターゲットを熱溶解させて金属イオンを効率良く
生じさせることができ、しかもそれを複数のターゲット
において同時に行うことができるので、固体金属のター
ゲットから金属イオンの面ビームを大量に均一性良く引
き出すことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の金属イオン源の一実施例を示す断
面図である。第2図は、第1図の引出し電極の概略を示
す平面図である。第3図は、第1図のIII−III方向に見
たフィラメントの概略位置を示す図である。第4図は、
第3図のIV−IV方向に見た概略図である。第5図は、従
来のイオン源の一例を示す概略図である。 1……アークチャンバー、3……フィラメント、6……
ターゲット、7……引出し電極、7a……開口

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】プラズマ生成環境作りのためのガスが導入
    されるアークチャンバーと、アークチャンバーの内周部
    に設けられていて、アークチャンバーの内壁から熱絶縁
    された固体金属の複数のターゲットと、アークチャンバ
    ー内に各々のターゲットに対向して設けられていて、各
    々のターゲットとの間にアーク電圧が印加されて各々の
    ターゲットとの間にアーク放電を生じさせ、このアーク
    放電によって各々のターゲットを熱溶解させて金属イオ
    ンを生じさせる複数のフィラメントと、アークチャンバ
    ーの出口部に設けられていて、面状に配置された複数の
    開口を有しアークチャンバー内から金属イオンの面ビー
    ムを引き出す引出し電極とを備える金属イオン源。
JP59243022A 1984-11-17 1984-11-17 金属イオン源 Expired - Fee Related JPH0731994B2 (ja)

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JPS598949B2 (ja) * 1976-05-04 1984-02-28 株式会社日立製作所 イオン源装置
JPS5842150A (ja) * 1981-09-07 1983-03-11 Toshiba Corp イオン注入装置用イオン源

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