RU2071138C1 - Полевой ионный источник - Google Patents

Полевой ионный источник Download PDF

Info

Publication number
RU2071138C1
RU2071138C1 RU93042733A RU93042733A RU2071138C1 RU 2071138 C1 RU2071138 C1 RU 2071138C1 RU 93042733 A RU93042733 A RU 93042733A RU 93042733 A RU93042733 A RU 93042733A RU 2071138 C1 RU2071138 C1 RU 2071138C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
drift tube
field
autocathode
tip
ions
Prior art date
Application number
RU93042733A
Other languages
English (en)
Other versions
RU93042733A (ru
Inventor
Л.К. Ковалев
Original Assignee
Научно-экспертное общество "Эльтрон"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-экспертное общество "Эльтрон" filed Critical Научно-экспертное общество "Эльтрон"
Priority to RU93042733A priority Critical patent/RU2071138C1/ru
Publication of RU93042733A publication Critical patent/RU93042733A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2071138C1 publication Critical patent/RU2071138C1/ru

Links

Landscapes

  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Использование: электронная техника, в частности технологические устройства для осаждения многослойных тонкопленочных структур испарением исходных материалов в вакууме. Сущность изобретения: в зоне прямой видимости острия автокатода располагается карусель с размещенными на ней мишенями исходных испаряемых материалов, на поверхность которых в одной из позиций карусели может воздействовать сфокусированный, сканирующий импульсный лазерный луч. В фокальном пятне лазерного луча формируется поток испаряемого материала, часть которого конденсируется на острие автокатода, восполняя на нем запас рабочего вещества. При приложении к автокатоду высокого напряжения вещество испаряется в ионизированном состоянии и затем попадает в ускорительную систему, расположенную на одной оси симметрии с острием автокатода. На этой же оси размещается вход в трубу дрейфа, на которой с внешней стороны размещен соленоид, создающий внутри трубы равномерное поле, вдоль силовых линий которого перемещаются образовавшиеся в результате полевого испарения ионы. Ось трубы дрейфа имеет радиус кривизны, который позволяет пройти вдоль всей трубы только тем ионам, у которых заряд, масса и энергия соответствуют выбранной напряженности магнитного поля трубы дрейфа. На выходе трубы дрейфа формируется энергетически монохроматичный пучок ионов заданного состава. 1 ил.

Description

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологическим устройствам для осаждения многослойных тонкопленочных структур испарением исходных материалов в вакууме.
Известно устройство для испарения и регистрации одиночных ионов, включающее автокатод в виде острия, патрубок для напуска газа и канальные пластины (Никонов Н.В. Разработка и создание аппаратуры для полевого испарения и регистрации одиночных ионов металлов в автоионном микроскопе, Авт. реф. к.т. н. М. 1986, ВННИИОФИ).
Недостатком данного устройства является невозможность получения качественных пленок многих веществ, так как поверхность, на которую наносится пленка загрязняется атомами газа.
Наиболее близким техническим решением по отношению к известному является полевой ионной источник, содержащий автоэмиссионный катод, выполненный в виде острия, систему подачи ионизируемого вещества и магнитный сепаратор (Методы анализа поверхностей. М. Мир, 1979, с. 436-437).
Недостатком известного устройства является то, что для регенерации испаряемого материала на острие автоэмиссионного катода используется газ, что не позволяет проводить испарение твердых материалов.
Технический результат, который может быть получен при осуществлении изобретения, заключается в обеспечении возможности получения тонких пленок твердых материалов.
Технический результат достигается за счет того, что в полевом ионном источнике, содержащем автоэмиссионный катод, выполненный в виде острия, систему подачи ионизируемых веществ и магнитный сепаратор ионов, система подачи ионизируемых веществ выполнена в виде твердых мишеней из ионизируемых веществ, размещенных на вращающейся карусели под горизонтально установленным острием автоэмиссионного катода, и снабжена импульсным лазером, излучение которого направлено на твердую мишень, размещенную непосредственно под острием, при этом соосно острию установлена система ускоряющих электродов, за которым расположен магнитный сепаратор, выполненный в виде полой изогнутой трубы, охваченной катушкой соленоида, причем радиус изгиба трубы выбран достаточным для пролета через нее ионов заданного заряда, массы и энергии.
На чертеже представлена схема заявленного полевого ионного источника, который содержит автоэмиссионный катод, выполненный в виде острия 1, систему подачи ионизируемых веществ в виде твердых мишеней 2, размещенных на вращающейся карусели 3, импульсный лазер 4 с объективом 5, системой сканирования луча 6, вакуумным оптическим вводом 7.
Соосно острию 1 установлена система ускоряющих электродов 8, за которыми расположен магнитный сепаратор в виде полой изогнутой трубы 9, охваченной катушкой соленоида 10.
Устройство работает следующим образом,
Импульс лазерного излучения испаряет с поверхности мишени 2 порцию вещества. Часть испаренного вещества осаждается на острие автоэмиссионного катода 1. После подачи напряжения на острие, происходит испарение атомов исходного материала в виде ионов 11. Ионы 11 ускоряются электродами 8, после чего попадают в магнитное поле соленоида 10. Ионы с массой, зарядом и энергией, соответствующей напряженности магнитного поля соленоида, проходят трубу 9 и на выходе формируют монохроматический поток ионов исходного материала 12, что в конечном итоге позволяет осуществить испарение твердых материалов для тонкопленочных структур электронных изделий.

Claims (1)

  1. Полевой ионный источник, содержащий автоэмиссионный катод, выполненный в виде острия, систему подачи ионизируемых веществ и магнитный сепаратор ионов, отличающийся тем, что система подачи ионизируемых веществ выполнена в виде твердых мишеней из ионизируемых веществ, размещенных на вращающейся карусели под горизонтально установленным острием автоэмиссионного катода, и снабжена импульсным лазером, излучение которого направлено на твердую мишень, размещенную непосредственно под острием, при этом соосно с острием установлена система ускоряющих электродов, за которыми расположен магнитный сепаратор, выполненный в виде полой изогнутой трубы, охваченной катушкой соленоида, причем радиус изгиба трубы выбран достаточным для пролета через нее ионов заданного заряда, массы и энергии.
RU93042733A 1993-08-26 1993-08-26 Полевой ионный источник RU2071138C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93042733A RU2071138C1 (ru) 1993-08-26 1993-08-26 Полевой ионный источник

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93042733A RU2071138C1 (ru) 1993-08-26 1993-08-26 Полевой ионный источник

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU93042733A RU93042733A (ru) 1995-12-20
RU2071138C1 true RU2071138C1 (ru) 1996-12-27

Family

ID=20146954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU93042733A RU2071138C1 (ru) 1993-08-26 1993-08-26 Полевой ионный источник

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2071138C1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР N 1463051, кл. H 01 J 27/00, 1987, фиг.2. Мюллер. Полевой ионный микроскоп с атомным зондом. Методы анализа поверхности.- М.: Мир, 1979, с. 436 - 437, фиг. 14. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5641959A (en) Method for improved mass resolution with a TOF-LD source
US4687939A (en) Method and apparatus for forming film by ion beam
EP0334204A2 (de) Verfahren und Anlage zur Beschichtung von Werkstücken
US3219817A (en) Electron emission microscope with means to expose the specimen to ion and electron beams
RU2071138C1 (ru) Полевой ионный источник
EP0603464B1 (de) Verfahren zum Beschichten von Substraten
EP0308680A1 (de) Vorrichtung zum Kathodenzerstäuben
DE4020158A1 (de) Vorrichtung zum beschichten von substraten
US20090020415A1 (en) "Iontron" ion beam deposition source and a method for sputter deposition of different layers using this source
EP0776987A1 (de) Vakuumbeschichtungsanlage mit einem in der Vakuumkammer angeordneten Tiegel zur Aufnahme von zu verdampfendem Material
JPS60100421A (ja) イオンビ−ム装置
DE4339490C1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Innenwandbeschichtung von Hohlkörpern, insbesondere kleiner Abmessungen
JPS6439371A (en) Thin film forming device
KR20010021341A (ko) 아크형 이온 플레이팅 장치
SE409950B (sv) Forfarande och anordning for isotopseparation
RU2070611C1 (ru) Импульсный лазерный испаритель с сепарацией ионов
JPH0562420B2 (ru)
DE3830478A1 (de) Kathodenzerstaeubungsvorrichtung
RU93042733A (ru) Полевой ионный источник с лазерным питателем
JPS5842769A (ja) 光ビ−ムを用いたイオンプレ−ティング装置
RU2053312C1 (ru) Способ нанесения покрытий в вакууме и устройство для нанесения покрытий в вакууме
JPH04202656A (ja) 薄膜形成装置
JPH07166333A (ja) レーザ・アブレーション装置
Cali et al. Study of film growth from excimer laser‐induced ablation of CdS
Aké et al. Ion kinetic energy control in cross-beam pulsed laser ablation on graphite targets