DE4142103C2 - Vorrichtung zur ionenclusterstrahl-bedampfung - Google Patents
Vorrichtung zur ionenclusterstrahl-bedampfungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur
Herstellung von Dünnschichten
nach dem Oberbegriff
des Patentanspruchs 1.
Dünnschichten hoher Güte für die Halbleiterfertigung, für
optische, magnetische und Isolationszwecke werden traditio
nell mit Clusterionenstrahl-Methoden hergestellt. Eine typi
sche bekannte Vorrichtung zur Durchführung dieser Methoden
ist in der JP-B-54-9 592 angegeben,
die in Fig. 2 gezeigt ist. Die bekannte Vorrichtung ist mit
mehreren erheblichen Nachteilen behaftet. Wenn eine Silicium-
oder Aluminiumdünnschicht hergestellt werden soll, reagieren
die Dämpfe dieser Materialien mit Tantal und Molybdän, die
typischerweise verwendet werden, um den Ionisationsfaden
bzw. das Elektronenextraktionsgitter bei der konventionellen
Vorrichtung zu bilden. Diese Reaktion führt zu Korrosion oder
Erosion sowohl des Gitters als auch des Fadens, wodurch ihre
Lebensdauer verkürzt und ein häufiges Auswechseln notwendig
wird. Ein weiteres Problem, das bei der konventionellen Vor
richtung beim Verdampfen von Silicium oder Aluminium zur
Herstellung von Dünnschichten auftritt, ist die gute Be
netzungseigenschaft dieser Materialien in bezug auf das
Material, das normalerweise zur Herstellung des Schmelz
tiegels in der Vorrichtung verwendet wird. Durch die aus
gezeichneten Benetzungseigenschaften von Aluminium und
Silicium im schmelzflüssigen Zustand können sie an den
Innenwänden des Schmelztiegels nach oben kriechen und in
schmelzflüssiger Form aus der Dampfausstoßdüse austreten.
Dieses Material kann dann ungehindert entlang der Oberseite
und an den Seiten des Schmelztiegels nach unten kriechen, wo
es schließlich in dem Raum zwischen dem Schmelztiegel und dem
Heizelement verdampft wird. Aufgrund dieses Verdampfens wird
die Impedanz des Raums zwischen Schmelztiegel und Heizelement
verringert, so daß dieser Raum elektrisch leitfähig wird, wo
durch ein stabiler Betrieb der Vorrichtung zur Herstellung
von Dünnschichten verhindert wird. Weitere Probleme ergeben
sich durch den Einschluß von Elektronen, die von dem Ionisa
tionsfaden emittiert werden, in der Elektroneneinfangelek
trode. Infolgedessen läßt der Ionisations-Wirkungsgrad der
konventionellen Vorrichtung zu wünschen übrig.
Eine konventionelle Vorrichtung und ihre Funktionsweise werden
nachstehend unter Bezugnahme auf Fig. 2 erläutert. Dabei ist
17 ein Vakuumbehälter, der auf dem vorbestimmten gewünschten
Vakuum gehalten wird; 18 ist der Anschluß an das Vakuumsystem
zur Evakuierung des Innenraums des Vakuumbehälters 17 auf die
gewünschten Vakuumbedingungen; und 1 ist eine Dampfquelle,
die in einem unteren Teil des Vakuumbehälters 17 vorgesehen
ist. Die Dampfquelle 1 umfaßt einen geschlossenen zylindri
schen Tiegel 3 mit einem Austrittsteil bzw. einer Düse 4 an der
Oberseite, einer Heizeinrichtung 5, die in Spulenform um den Umfang
des Tiegels 3 herum angeordnet ist, um ihn aufzuheizen, und
eine Wärmeabschirmplatte 6 als Wärmeabschirmung gegenüber der
Heizeinrichtung 5. In dem Tiegel 3 befindet sich aufzudampfendes
Material 2.
9 ist eine Ionisationseinrichtung mit einer Kathode 10, die
Elektronen emittiert, einem Gitter 11 zur Beschleunigung
der von der Kathode 10 emittierten Elektronen und einer
Wärmeabschirmplatte 8 zur Wärmeabschirmung gegenüber der
Kathode 10. 13 ist eine Beschleunigungseinrichtung
mit einer Beschleunigungselektrode 14 und einer Masseelektro
de 15, die eine Beschleunigung der ionisierten Cluster 12
durch ein von der Beschleunigungselektrode 14 und der Masse
elektrode 15 gebildetes elektrisches Feld bewirkt. 16 ist ein
Substrat, das am oberen Teil des Vakuumbehälters 17 der Düse 4
des Tiegels 3 gegenüberstehend angeordnet ist. Das Substrat
dient als das Objekt, auf das die Dünnschicht 34 aufgedampft
wird.
Eine Energieversorgung 50 umfaßt eine Heizstromquelle 51, die
der Heizeinrichtung 5 Strom zum Aufheizen zuführt; eine Vorspan
nungsquelle 52 hält den Tiegel 3 auf positivem Potential in
bezug auf die Heizeinrichtung 5; 53 ist eine Wechselstromquelle zum
Aufheizen der Kathode 10, eine Gleichstromversor
gung 54 dient dem Zweck, das Gitter 11 in bezug auf die
Kathode 10 auf einem positiven Potential zu halten. Eine
Beschleunigungsstromquelle 55 ist zwischen die Masseelektrode
15 und die Beschleunigungselektrode 14 geschaltet, um in dem
Raum zwischen der Masseelektrode 15 und der Beschleunigungs
elektrode 14 ein elektrisches Feld zu erzeugen und außerdem
die Ionisationseinrichtung 9 sowie die Dampfquelle 1 in bezug
auf die Masseelektrode 15 auf einem positiven Potential zu
halten.
Nachstehend wird der Betrieb der bekannten Vorrichtung be
schrieben. Zuerst wird das gewünschte Vakuum erzeugt und
durch die Evakuierungsleitung 18 aufrechterhalten. Normaler
weise liegt das Vakuum in der Größenordnung von 10-9 bar.
Anschließend führt die Heizstromquelle 51 der Heizeinrichtung 5
Strom zu. Dadurch von der Heizeinrichtung 5 emittierte Elektronen
werden von dem elektrischen Feld, das durch die Vorspannungs
quelle 52 erzeugt ist, in dem Raum zwischen der Heizeinrichtung und
dem Tiegel 3 beschleunigt und treffen auf den Tiegel 3 auf,
wodurch der Tiegel 3 und das darin befindliche aufzudampfende
Material 2 aufgeheizt werden. Schließlich wird aufgrund des
Aufheizens ein Teil des Materials 2 verdampft und aus der Dü
se 4 nach oben ausgestoßen unter Bildung eines Dampfstroms
31.
Wenn der Dampf des Materials 2 den von der Düse 4 definierten
Raum passiert, erfährt er aufgrund der adiabatischen Expan
sion eine rasche Abkühlung, so daß er kondensiert und Gruppen
von Cluster-Atomen bildet, die kurz als Cluster bezeichnet werden.
Ein Teil der Cluster 7 wird durch Elektronen ionisiert, die
von der Kathode 10, die von der Wechselstromquelle
53 aufgeheizt ist, emittiert und von dem Gitter 11 beschleu
nigt werden, so daß ein Teil der Cluster 7 zu ionisierten
Clustern 12 umgewandelt wird. Die ionisierten Cluster 12 werden
von dem durch die Beschleunigungseinrichtung 13 erzeugten
elektrischen Feld beschleunigt und gemeinsam mit nichtioni
sierten neutralen Clustern 7 in Richtung zum Substrat 16
bewegt. Die Cluster treffen auf die Oberfläche des Substrats
auf und bilden darauf eine Dünnschicht 34.
Aus der vorstehenden Beschreibung ist ersichtlich, daß sich
die Kathode 10 und das Gitter 11 in Dampfstrom be
finden und daß es während des Prozesses möglich ist, daß ein
Teil dieses Dampfs sich auf der Kathode 10 und dem Gitter 11 abla
gert, was insbesondere dann zu Schwierigkeiten führen kann,
wenn das Material mit der Kathode 10 oder dem Gitter 11 in Reaktion
treten kann. Häufig bestehen das Gitter 11 und die Kathode 10 aus
Tantal oder Molybdän, die mit Materialien wie Silicium oder
Aluminium heftig reagieren, aus denen bei Anwendung dieser
Technik häufig Dünnschichten hergestellt werden.
Ferner ist aus der vorstehenden Beschreibung ersichtlich, daß
die Elektroneneinfangelektrode zwischen der Kathode 10
und den zu ionisierenden Clustern 7 angeordnet ist. Viele der erzeugten
Elektronen werden von der Elektroneneinfangelektrode einge
fangen und tragen somit nicht zu irgendeiner Ionisationsakti
vität bei, wodurch der Gesamtwirkungsgrad des Ionisationsfa
dens verringert wird. Ein weiteres bei der konventionellen
Vorrichtung auftretendes Problem ist die Tendenz des Sili
ciums oder des Aluminiums, den Tiegel zu benetzen und
schließlich in dem Raum zwischen der Heizeinrichtung 5 und dem
Tiegel 3 zu verdampfen, was zu einem instabilen Betrieb
führt, der die Herstellung einer Dünnschicht hoher Güte
ausschließt.
Die genannten Nachteile haften auch einer weiteren herkömmlichen
Vorrichtung an, die aus der US-PS 4 213 844 bekannt ist.
Diese bekannte Vorrichtung unterscheidet sich von der oben beschriebenen
Vorrichtung im wesentlichen dadurch, daß mehrere
beheizte Tiegel und eine besondere Anordnung der Ionisationsfäden
vorhanden sind, wobei dem vorstehend beschriebenen Gitter
entsprechende Beschleunigungselektroden vorhanden sind,
die in einem rechteckigen Rahmen in mehreren Ebenen übereinander
vorgesehen sind.
Somit besteht Bedarf für eine Aufdampfvorrichtung, die unter
stabilen Bedingungen eine lange Standzeit hat und mit hohem
Ionisations-Wirkungsgrad arbeitet.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung
zur Ionenclusterstrahl-Bedampfung der gattungsgemäßen Art
anzugeben, die mit langer Standzeit unter stabilen Bedingungen
und mit einem hohen Ionisations-Wirkungsgrad arbeitet.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung gelöst durch eine Vorrichtung
mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 und des Patentanspruches
7, die zwei Alternativen des erfindungsgemäßen
Konzeptes definieren. Vorteilhafte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen
Vorrichtung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Bei der einen Ausführungsform wird bei der Vorrichtung
eine Elektronenquelle zur Erzeugung der notwendigen ionisierten
Metallcluster verwendet, während bei dem anderen Ausführungsbeispiel
eine Kathode als Ionisationsfaden Verwendung
findet, wobei die Kathode in einem Raum positioniert ist, der
durch eine Anode definiert ist, welche als Elektroneneinfangelektrode
dient.
Mit den beiden Ausführungsformen der Vorrichtung zur Ionenclusterstrahl-Bedampfung
gemäß der Erfindung wird die Aufgabe in
zufriedenstellender Weise gelöst. Ein Vorteil der Erfindung
liegt in der Bereitstellung einer Vorrichtung, die in stabiler
Weise auch solche schmelzflüssigen Metalle zerstäuben kann,
die die Seiten des Tiegels in der Vorrichtung benetzen. Ein
weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Vorrichtung besteht
darin, daß diese Aufdampfschichten mit elektrischen Eigenschaften
bilden kann, die ähnlich denjenigen sind, welche Kompaktschichten
besitzen.
Die Erfindung wird nachstehend
anhand der Beschreibung von Ausfüh
rungsbeispielen und unter Bezugnahme auf die beiliegenden
Zeichnungen näher erläutert. Die Zeichnungen zeigen in:
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel der Vorrichtung nach der
Erfindung mit
einer Kathode, die an einer Stelle gegenüber der
Austrittsdüse des Tiegels angeordnet ist, und einer
Anode, die die Ionisationskathode umgibt;
Fig. 2 eine bekannte Aufdampfvorrichtung;
Fig. 3 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung,
wobei die Elektronenquelle zur Erzeugung der
ionisierten Cluster eine Elektronenkanone ist;
Fig. 4 ein weiteres Beispiel des Standes der Technik; und
Fig. 5a bis 5f alternative Ausführungsformen von Heizeinrichtungen.
Ein erstes Ausführungsbeispiel der Vorrichtung hat einen konventio
nellen Tiegel mit einer Düse, der eine Kathode gegenüber
steht, die beim Aufheizen Elektronen emittiert, wobei die
Anode die Kathode umgibt. Gemäß einem besonders bevorzugten
Ausführungsbeispiel umgibt die Anode sowohl die als Elektro
nenerzeuger dienende Kathode als auch den Tiegel und seine
zugehörigen Heizeinrichtungen. Auf diese Weise können die an der
Kathode erzeugten Elektronen in direkten Kontakt mit den
Dampf-Clustern gelangen, die aus der Düse am Tiegel austre
ten, ohne zuerst ein Elektroneneinfanggitter durchlaufen zu
müssen. Dadurch werden die Unzulänglichkeiten vermieden, die
sich ergeben, wenn die Elektronen von dem Gitter eingefangen
werden, anstatt zur Bildung von Ionenclustern zur Verfügung
zu stehen. Die Kathode dient außerdem als Heizeinrichtung, die
jegliche Flüssigkeit, die an den Tiegelwänden eventuell nach
oben kriechen könnte, verdampfen kann, indem der Düsenbereich
und der obere Teil des Tiegels aufgeheizt werden. Bei einem
besonders bevorzugten Ausführungsbeispiel ist daher die Ka
thode in einer solchen Lage angeordnet, daß die von ihr ab
gegebene Wärme zum Aufheizen der Düse des Tiegels
dient.
Infolge des Aufheizens der Düse des Tiegels wird etwaiges
aus dem Tiegel nach oben kriechendes schmelzflüssiges Alu
minium oder Silicium oder sonstiges Material an der Ober
fläche des Tiegels verdampft und ist zur Bildung der ge
wünschten Dünnschicht verfügbar. Bei bekannten Vorrichtungen
kriecht das Material über die Oberseite des Tiegels und an
seinen Seiten abwärts und wird in dem Raum zwischen der Heizeinrichtung
5 in Fig. 2 und dem Tiegel 3 in Fig. 2 verdampft.
Dieses schmelzflüssige Material wird also in diesem Raum
verdampft und verhindert einen stabilen Betrieb des Tiegels,
weil ein elektronenleitender Dampf erzeugt wird.
Gemäß einem besonders bevorzugten Ausführungsbeispiel werden
die an der Kathode erzeugten Elektronen veranlaßt, sich in
nichtlinearer Weise so zu bewegen, daß die Wahrscheinlichkeit
eines Kontakts mit einem Dampfcluster erhöht wird, wodurch
der Gesamtwirkungsgrad verbessert wird. Es ist besonders be
vorzugt, die Elektronen auf einer wendelförmigen Bahn zu be
wegen, um den Grad der Elektronenbewegung und dadurch wiede
rum die Wahrscheinlichkeit zu maximieren, daß ein einzelnes
Elektron ein Elektronencluster bildet. Die Erzeugung einer
nichtlinearen Bewegung erfordert, daß zwei Felder auf die
Elektronen wirken. Wenn man den Kathoden- und den Anodenteil
der Elektronemitterkathode betrachtet, so induzieren diese
Teile eine lineare Bewegung in den Elektronen, etwa die
Links-Rechts-Beziehung, die in Fig. 1 gezeigt ist. Durch
Einführen eines zweiten auf die Elektronen wirkenden Feldes,
das zu dem ersten elektrischen Feld nicht parallel ist, be
wirkt diese zweite Kraft eine nichtlineare Bewegung der
Elektronen. Zwar kann das zweite Feld im wesentlichen jeden
Winkel relativ zu der Richtung des von Kathode und Anode
erzeugten Feldes haben, es ist aber besonders bevorzugt, daß
dieses Feld senkrecht zu dem elektrischen Feld ist, um eine
maximale Bewegung seitens der Elektronen zu erzielen, wobei
diese Bewegung wendelförmig ist. Eine Möglichkeit zur Erzeu
gung eines solchen Feldes ist das Anlegen eines Magnetfeldes
senkrecht zu dem elektrischen Feld. Dies ist in Fig. 1 durch die
Magneteinrichtung 24 gezeigt, deren Magnetfeld senkrecht zu dem von der
Kathode 22 und der Anode 23 erzeugten elektrischen Feld ist.
Durch diese Anordnung haben die Magnetfelder die Tendenz, die
Elektronen in Vertikalrichtung anzuziehen, während das elek
trische Feld die Tendenz hat, die Elektronen horizontal an
zuziehen; durch Einstellen der Magnetkraft können die Elek
tronen veranlaßt werden, sich auf einer wendelförmigen Bahn
zu bewegen.
Die Anordnung der Elektronenemissionskathode im Inneren der
Anode bietet den Vorteil, daß die Wahrscheinlichkeit vermin
dert wird, daß irgendwelche Metalldämpfe auf der Elektronen
erzeugungs-Konstruktion kondensieren. Die Kathode ist ein
Heizelement und hat somit die Tendenz, zusätzliche Wärme an
den Metalldampf abzugeben, wodurch dessen Ablagerung in
schmelzflüssiger Form auf der Elektrodenstruktur verhindert
wird, was wiederum die Wechselwirkungsrate zwischen dem
Metalldampf und der Elektrodenstruktur verringert. Dies
resultiert in einer erheblichen Verlängerung der Standzeit
der Elektronenerzeugungselemente in der Aufdampfvorrichtung.
Außerdem ergibt sich der Vorteil einer Erhöhung des relativen
Dampfdrucks des aufzudampfenden Metalls. Das heißt, daß die
von der Kathode erzeugte zusätzliche Wärme die Tendenz hat,
der adiabatischen Abkühlung entgegenzuwirken, die der Metall
dampf beim Ausströmen aus der Düse 4 (Fig. 1) des Tiegels er
fährt. Diese adiabatische Abkühlung bewirkt bei den
konventionellen Vorrichtungen eine Verringerung des Gesamt
dampfdrucks des aufzudampfenden Metalls. Die Erhöhung des
Dampfdrucks trägt zur Verbesserung des Ionisations-Wirkungs
grads bei.
Metalle, die mit dem vorliegenden Verfahren aufgedampft wer
den können, sind unter anderem Aluminium, Titan, Gold, Kup
fer, Siliciumdioxid, Aluminiumoxid, Titandioxid, Barium-
Yttrium-Kupferoxide und weitere Materialien, die Supraleiter
schichten bilden. Die mit diesem Verfahren aufzudampfenden
Materialien umfassen alle diejenigen Materialien, die mit den
bekannten Vorrichtungen aufgedampft werden können. Die Werk
stoffe zum Aufbau der vorliegenden Vorrichtung werden auf
diesem Gebiet konventionell verwendet. Dabei sind der Tiegel,
die Elektroden, die Heizelemente und dergleichen sämtlich
Standardwerkstoffe, die in konventionellen Aufdampfvorrich
tungen verwendet werden. Der Unterschied liegt in der Anord
nung dieser Elemente.
Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel kann die
Menge der ionisierten Cluster und damit der Gesamtcluster,
die auf das Substrat auftreffen, durch die Anordnung einer
zusätzlichen Folge von Elektroden über dem Ionisationsbereich
eingestellt werden. Diese Anordnung umfaßt eine Beschleuni
gungselektrode, eine Einfangelektrode und eine Masseelektro
de, die als Steuerelektrode und als Massepotential dient. Bei
dieser Anordnung kann die Potentialdifferenz zwischen der Be
schleunigungselektrode und der Einfangelektrode geregelt
werden, um die Intensität von Clustern, die auf das Substrat
gerichtet sind, zu steuern, und die Steuerelektrode ermög
licht die Verzögerung der ionisierten Cluster, um so die
Geschwindigkeit zu bestimmen, mit der sie auf das Substrat
auftreffen, was eine einfache Einstellung der Eigenschaften
der Dünnschichten erlaubt. Durch diese Anordnung ist es
ferner möglich, Elektronen am Entweichen aus der Ionisations
zone und am Auftreffen auf das Substrat zu hindern, was un
erwünschte Auswirkungen auf die Dünnschicht haben kann. Es
ist bevorzugt, daß die Einfangelektrode der Ionisationszone
am nächsten liegt, also am weitesten vom Substrat entfernt
ist, wobei die Einfangelektrode zwischen dem Substrat und der
Ionisationszone liegt und die Steuerelektrode am weitesten
von der Ionisationszone entfernt und dem Substrat am nächsten
angeordnet ist. Diese Anordnung ermöglicht eine einfache
Steuerung der Vorrichtung.
Wenn die Spannung zwischen der Beschleunigungselektrode und
der Steuerelektrode 1000 V übersteigt, kann die Einfangelek
trode entfallen. Bei dieser Ausführungsform wird jedoch die
Flexibilität der Vorrichtung verringert. Wenn die Beschleuni
gungsspannung, also das Potential zwischen der Beschleuni
gungs- und der Steuerelektrode, niedriger als 1000 V ist,
insbesondere niedriger als 500 V ist, dann ist die Verwendung
der Einfangelektrode sehr wirksam zur Unterstützung des
Betriebs der Vorrichtung mit hohem Wirkungsgrad. Bevorzugt
ist die Vorspannung zwischen der Beschleunigungselektrode und
der Steuerelektrode niedriger als 2000 V. Diese Begrenzung
der Vorspannung hat den Zweck, eine Beeinträchtigung der
Dünnschichtbildung durch zu starke Beschleunigung der Cluster
zu vermeiden.
Bei einem besonders bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die
Elektroneneinfanganode, die mit der Kathode
zur Emission von Elektronen zusammenwirkt, als Abschirmung
geformt, die sowohl die Ionisationszone als auch die
Schmelzzone einschließlich des Tiegels und seiner Heiz
elemente vollständig umgibt. Auf diese Weise hat sie nicht
nur die Funktion der Anode zur Elektronenerzeugung, sondern
wirkt auch als Wärmeabschirmung, die dazu beiträgt, die
Wärmeenergie in dem Dampf zurückzuhalten, wodurch ein höherer
Metalldampfdruck unterhalten werden kann, als das sonst mög
lich wäre. Tatsächlich fängt die Abschirmung die von der den
Tiegel umgebenden Heizspule erzeugte Wärme und die von der
Kathode erzeugte Wärme ein und stellt sie dem Me
talldampf zur Verfügung, um dessen Dampfdruck zu erhöhen.
Dieser erhöhte Dampfdruck steigert den Ionisations-Wirkungs
grad. Bei einem besonders bevorzugten Ausführungsbeispiel ist
die Steuerelektrode ebenfalls als Abschirmung geformt und
umgibt den Beschleunigungsteil sowie die unteren Teile der
Vorrichtung, an denen die Heizeinrichtung und der Tiegel angeordnet
sind, vollständig. Es ist besonders bevorzugt, daß die durch
die Steuerelektrode gebildete Abschirmung die Abschirmung
vollständig umgibt, die durch die Elektroneneinfangelektrode
gebildet ist, die gemeinsam mit der Kathode die
erforderlichen Elektronen erzeugt. Ein großer Teil der Vor
richtung enthält also zwei thermische Abschirmungen, wodurch
die Rückhaltung von Wärme in der Zone weiter verbessert wird,
in der der Dampf ursprünglich erzeugt wird und adiabatisch
expandiert. Die beiden Abschirmungen wirken zusammen, um die
Wärme in dem Bereich zurückzuhalten, in dem sie die größten
Vorteile erbringt, nämlich im Tiegel und in der Ionisations
zone. Auf diese Weise wird der Dampfdruck des Metalldampfs
durch die adiabatische Abkühlung beim Austritt aus der Düse
nicht so stark beeinträchtigt, da der Dampfraum über dem Tie
gel eine höhere Temperatur als bei konventionellen, nicht so
gut abgeschirmten Vorrichtungen hat.
Dieses Ausführungsbeispiel bietet gegenüber dem Stand der
Technik einen wesentlichen Vorteil, daß nämlich die Elektro
nen emittierende Kathode eine Standzeit von mehr als 100 h
hat, wogegen sie bei bekannten Vorrichtungen typischerweise
3 h beträgt, insbesondere, wenn sie mit hochreaktiven Metal
len verwendet wird. Andererseits bleibt der Elektronener
zeuger bei diesem Ausführungsbeispiel im Dampfstrom und ero
diert schließlich und muß ausgetauscht werden. Bei dem zwei
ten Ausführungsbeispiel ist die Elektronenerzeugungseinrich
tung vom Dampfstrom entfernt angeordnet, so daß der Dampf
strom zu keiner Zeit mit der Elektronenerzeugungseinrichtung
in Kontakt gelangt. Das ermöglicht die Abscheidung auch von
hochreaktiven Materialien ohne die Gefahr einer nachteiligen
Beeinflussung der Standzeit der Elektronenerzeugereinrich
tung. Ein Problem, das bei bekannten Vorrichtungen zum Auf
dampfen von hochreaktivem Material auftritt, besteht darin,
daß die Reaktionsprodukte der abzuscheidenden Metalldämpfe
und der Elektronenerzeugereinrichtung häufig ebenfalls in der
Schicht abgelagert werden, wodurch die Güte der resultie
renden Schicht vermindert wird, da sie nun nicht mehr rein
ist, sondern unerwünschte Verunreinigungen enthält. Durch
Anordnen der Elektronenerzeugerquelle an einer Stelle, an der
sie mit dem Dampf nicht in Kontakt gelangt, kann dieses
Problem ausgeschaltet werden. Bei dieser Vorrichtung wird der
Metalldampf in der beschriebenen Weise unter Verwendung eines
aufgeheizten Tiegels mit geeigneter Düse erzeugt. Der Dampf
wird bei seinem Austritt aus dem Tiegel in ein elektrisches
Feld eingeleitet, das ähnlich wie eine Linse wirkt, um die
Ionisation dadurch zu steuern, daß die Elektronen in das Feld
angezogen werden, in dem sie die Ionisation der Dampfcluster
bewirken. Diese Elektronen beschleunigen dann die ionisierten
Cluster in Richtung zum Substrat. Bevorzugt hat die dem Tie
gel am nächsten liegende, also die vom Substrat am weitesten
entfernte Elektrode ein Potential, das in bezug auf die zwei
te Elektrode positiv ist, die vom Tiegel am weitesten ent
fernt und näher am Substrat liegt als die Steuerelektrode.
Auf diese Weise wird ein elektrisches Feld gebildet, das
gleiche Potentialoberflächen hat, die praktisch eine Linse
bilden. Diese sind in Fig. 3 bei 62 und 63 mit einer Linsen
form der gleichen Potentiallinien gezeigt. Infolge dieses
elektrischen Feldes werden die von der entfernten Quelle
erzeugten Elektronen auf die Dampfcluster fokussiert, und die
resultierenden Dampfcluster werden zum Substrat hin beschleu
nigt.
Praktisch jede Einrichtung, die Elektronen erzeugen kann,
kann als Elektronenerzeugungseinrichtung verwendet werden,
wobei die bevorzugte Quelle eine Elektronenkanone entspre
chend 41 in Fig. 3 ist. Ungeachtet der Art der verwendeten
Elektronenerzeugungseinrichtung ist es wichtig, daß die
Elektronen keine überschüssige Energie haben, so daß sie
vielfach geladene Ionen erzeugen, wenn sie auf die Dampf
cluster auftreffen. Wenn die Elektronen übermäßig hohe Ener
gie beim Auftreffen auf die Dampfcluster haben, können sie
einige Cluster erzeugen, die Vielfachladungen, d. h. +2 oder
+3 Ladungen haben. Es ist erwünscht, die Elektronenerzeu
gungseinrichtung auf solchen Energieniveaus zu betreiben, daß
die Elektronen nur einfachgeladene ionisierte Cluster bilden.
Wenn die Einrichtung eine Elektronenkanone ist, hat sich eine
Spannung in der Größenordnung von etwa 10-500 V an der Ab
saugeinrichtung als praktikabel erwiesen. In diesem Bereich
haben die Elektronen ausreichend Energie, um ionisierte
Cluster zu bilden, aber nicht genug Energie, um ionisierte
Cluster mit Vielfachladungen zu bilden. Bei zu niedriger
Spannung werden nur wenige ionisierte Cluster gebildet, wo
gegen bei zu großer Spannung ionisierte Cluster mit Vielfach
ladungen erzeugt werden.
Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel kann eine dritte
Elektrode so angeordnet sein, daß sie zwischen der Masseelek
trode und dem Substrat liegt, um die Geschwindigkeit der
ionisierten Cluster einzustellen, wie das unter Bezugnahme
auf das erste Ausführungsbeispiel beschrieben wurde. Das er
möglicht eine bessere Beeinflussung sowohl der ankommenden
Elektronen als auch der austretenden Ionen.
Es ist bevorzugt, daß die Steuerelektrode und die Masse
elektrode scheibenförmig sind, aber es können auch andere
Formen verwendet werden, und die Elektroden können, falls
gewünscht, auch eine Gitter- bzw. Netzform haben. Ungeachtet
der Form der verschiedenen Steuer- und Masseelektroden ist
ihre Anordnung so, daß sie die Elektronen vom Elektronen
erzeuger gleichzeitig anziehen und so steuern, daß sie auf
Dampfcluster treffen und sie ionisieren, und gleichzeitig die
ionisierten Cluster in Richtung zum Substrat beschleunigen.
Unter der Voraussetzung, daß Form und Anordnung der Steuer-
und Masseelektroden dieses Ziel erreichen, ist die Form der
Elektroden von untergeordneter Bedeutung.
Die Werkstoffe, aus denen die Elektroden hergestellt sind,
sind ebenfalls nicht von Bedeutung bei Verwendung einer
scheibenförmigen Elektrode, wobei der Kontakt zwischen Dampf
und Elektrode minimiert ist. Wenn eine gitterartige Elektrode
verwendet wird, ist der Kontakt zwischen dem Dampf und der
Elektrode maximiert, so daß die Möglichkeit einer Reaktion
zwischen dem Dampf und der Elektrode größer ist. In diesem
Fall ist es erwünscht, daß die Elektrode möglichst wenig
reaktiv ist.
Der Betrieb der verschiedenen Ausführungsbeispiele wird
nachstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 1 und 3 erläutert
und mit dem Betrieb einer konventionellen Aufdampfvorrichtung
gemäß den Fig. 2 und 4 verglichen. Dabei stellen die Figuren
keine Einschränkung der Vorrichtung dar und sind nur bei
spielhaft.
Um einen Bezugspunkt herzustellen, wird zuerst eine bekannte
Aufdampfvorrichtung und ihr Betrieb beschrieben. In Fig. 4
ist eine Dampfquelle 1 mit einem Tiegel 3 und einer Heizeinrichtung 5, die ein
Material 2 zum Zweck des Aufdampfens verdampft. Der Tiegel 3
hat eine Düse 4 in seinem oberen Teil und ist von einer
Heizeinrichtung 5 umgeben, die den Tiegel aufheizt. 6 ist eine
erste Wärmeabschirmplatte, die die von der Heizeinrichtung 5 erzeugte
Wärme abschirmt. Der Tiegel, die Heizeinrichtung und die erste
Wärmeabschirmplatte bilden gemeinsam die Dampfquelle 1.
Cluster, d. h. Gruppen von Trauben von Atomen, die als Folge
der Verdampfung des Materials 2 erzeugt werden, sind mit 7
bezeichnet und werden aus dem Tiegel durch die Düse 4 nach
oben ausgestoßen. Diese Cluster werden in der Ionisations
einrichtung 9 ionisiert, die über der Dampfquelle angeordnet
ist, um die Cluster 7 zu ionisieren. Eine Kathode 10
emittiert Elektronen, die von einem Gitter 11
angezogen werden, das Elektronen von
der Kathode anzieht bzw. einfängt und sie in Richtung
der Cluster 7 beschleunigt. Eine zweite Wärmeabschirmplatte 8
dient der Abschirmung der von der Kathode 10 er
zeugten Wärme. Die Kathode, das Gitter
und die Wärmeabschirmplatte bilden gemeinsam die
Ionisationseinrichtung 9. Die ionisierten Cluster 12, die in
der Ionisationseinrichtung 9 erzeugt wurden, werden von der
Beschleunigungseinrichtung 13 in Richtung zum Substrat 16
beschleunigt. Die Beschleunigungseinrichtung umfaßt eine
Beschleunigungselektrode 14 und eine Masseelektrode 15. Die
Masseelektrode 15 liegt an Massepotential, und die Beschleu
nigungselektrode 14 hat in bezug auf die Masseelektrode po
sitives Potential.
Das Substrat 16, auf dem die Schicht gebildet wird, liegt auf
Massepotential. Sämtliche obigen Komponenten sind im Inneren
eines Vakuumbehälters 17 angeordnet, der durch eine Leitung
18 an eine Vakuumquelle angeschlossen ist.
Bei der bekannten Vorrichtung wird zuerst der Behälter 17 auf
ein Vakuum von typischerweise 10-9 bar evakuiert. Die dem
Tiegel 3 zugeführte Spannung hat gegenüber der Heizeinrichtung 5
positives Potential. Infolgedessen werden von der Heizeinrichtung 5
Elektronen abgegeben und von einem elektrischen Feld zum
Tiegel 3 angezogen und zum Auftreffen auf den Tiegel ge
bracht. Auf diese Weise erfolgt das Aufheizen auf die ge
wünschte Temperatur, bei der ein Dampfdruck von einigen bar
im Tiegel 3 herrscht. Durch das Aufheizen des Tiegels wird
das Material 2 im Tiegel verdampft, und der resultierende
Dampf tritt aus dem Tiegel nach oben durch die Düse 4 aus.
Beim Durchsetzen der Düse 4 erfährt der Dampf aufgrund der
adiabatischen Expansion eine beschleunigte Abkühlung, so daß
er zu Clustern 7 kondensiert.
In der Ionisationseinrichtung 9 hat das Gitter 11 ein
positives Potential in bezug auf die Kathode 10.
Wenn die Kathode 10 elektrisch leitend
gemacht und aufgeheizt wird, werden die von dem Ionisations
element abgegebenen Elektronen von dem Gitter 11 ange
zogen. Ein Teil der Elektroden wird von dem Gitter 11
eingefangen, während der Rest durch Zwischenräume im
Gitter entweicht und mit Clustern 7 kollidiert. Die
Kollisionsenergie bewirkt, daß die Elektronen ausgestoßen
werden unter Bildung von ionisierten Clustern 12 mit posi
tiver Ladung.
In der Beschleunigungseinrichtung 13 werden die ionisierten
Cluster von einem elektrischen Feld, das zwischen der Be
schleunigungselektrode 14 und der Masseelektrode 15 ausge
bildet ist, nach oben, d. h. zum Substrat 16 hin, beschleu
nigt. Die ionisierten Cluster sowie die nichtionisierten oder
neutralen Cluster 7 treffen auf das Substrat 16 und bilden
auf seiner Oberfläche eine Dünnschicht (nicht gezeigt) aus
dem Material 2.
Wie bereits erläutert, kann bei dieser konventionellen Vor
richtung das abzulagernde Material, wenn es sich um Silicium
oder Aluminium handelt, in schmelzflüssiger Form durch die
Düse des Tiegels und über die Oberseite und an den Seiten
nach unten kriechen. Wenn das Aluminium oder das Silicium
verdampft, wird dadurch die Impedanz des Raums zwischen dem
Tiegel und der Heizeinrichtung verringert, so daß an diesen Raum
eine Spannung angelegt werden kann, wodurch ein stabiler Be
trieb der Vorrichtung unmöglich wird. Ferner kann das Mate
rial, das in schmelzflüssiger Form durch die Düse nach außen
kriecht, mitgerissen werden und dadurch weitere Teile der
Vorrichtung benetzen, was zu Korrosion und sonstiger Beein
trächtigung des Betriebs führt.
Ein anderes Problem dieser Vorrichtung besteht darin, daß bei
einer Regelung der Potentialdifferenz zwischen der Beschleu
nigungs- und der Masseelektrode zum Zweck der Steuerung der
Beschleunigung der Cluster und der entsprechenden Einstellung
der Dünnschichteigenschaften eine Änderung dieses Potentials
bzw. der Beschleunigungsspannung zu einer Änderung der Menge
der angezogenen ionisierten Cluster führt. Insbesondere wird
mit abnehmender Beschleunigungsspannung auch die Menge der
das Substrat erreichenden ionisierten Cluster verringert. Da
durch wird es schwierig, Dünnschichten hoher Güte durch
Ausnutzung der elektrischen Charakteristiken der ionisierten
Cluster herzustellen.
Wenn ferner die Beschleunigungsspannung auf einen Wert nahe
Null verringert wird, wird das elektrische Feld zwischen der
Beschleunigungs- und der Masseelektrode so stark geschwächt,
daß einige der von der Kathode abgegebenen Elektronen
auf das Substrat auftreffen können, wodurch das Substrat und
die darauf gebildete Dünnschicht beschädigt werden können.
Unter Bezugnahme auf Fig. 1 wird nachstehend das erste Aus
führungsbeispiel der Vorrichtung und ihre Funktionsweise
beschrieben. In Fig. 1 und 2 sind die gleichen
Teile mit gleichen Bezugsziffern versehen.
In Fig. 1 ist die Dampfquelle mit 1
bezeichnet und umfaßt das Material 2, aus dessen im Tiegel 3
durch die Heizeinrichtung 5 erzeugtem Dampf die Schicht herzu
stellen ist.
Die Ionisationseinrichtung 21 ist über der Dampfquelle ange
ordnet, um die Cluster 7 zu ionisieren. Der Ionisationsfaden
dient als Kathode 22 und ist an einer der Düse 4 gegenüber
liegenden Stelle angeordnet. Die Kathode 22 emittiert
Elektronen, wenn sie elektrisch leitend gemacht und aufgeheizt
wird. Die Anode 23 umgibt die Kathode 22, den Tiegel
3 und die Heizeinrichtung 5. Die Kathode 22 und die Anode
23 bilden gemeinsam die Ionisationseinrichtung 21. Bei diesem
speziellen Ausführungsbeispiel wird von einer Magneteinrichtung 24, die
außerhalb der Ionisationseinrichtung 21 angeordnet ist, ein
Magnetfeld angelegt. Das Magnetfeld wird bevorzugt senkrecht
zu dem elektrischen Feld angelegt.
Eine Beschleunigungseinrichtung 25 ist über der Ionisations
einrichtung 21 angeordnet, um die ionisierten Cluster 12 in
Richtung zum Substrat 16 zu beschleunigen. Eine Beschleuni
gungselektrode 26 ist integral mit der Anode 23, mit einer
als Einfangelektrode 27 wirkenden Elektrode und einer Masse
elektrode, die als Steuerelektrode 28 dient und auf Masse
potential liegt, verbunden. Die Beschleunigungselektrode 26,
die Einfangelektrode 27 und die Masseelektrode 28 sind in der
genannten Reihenfolge so angeordnet, daß sie zunehmend weiter
von der Düse 4 entfernt sind. Das heißt, daß die Beschleu
nigungselektrode 26 der Düse 4 am nächsten liegt und die
Masseelektrode 28 am weitesten davon entfernt ist. In bezug
auf die Masseelektrode 28 hat die Beschleunigungselektrode 26
positives und die Einfangelektrode 27 negatives Potential.
Mit anderen Worten die Einfangelektrode hat negatives Poten
tial in bezug auf die Beschleunigungselektrode, und die
Masseelektrode hat ein Potential zwischen den Potentialen der
Beschleunigungs- und der Einfangelektrode. Diese drei Elek
troden 26, 27 und 28 bilden die Beschleunigungseinrichtung
25.
Es soll nun der Betrieb dieses Ausführungsbeispiels beschrie
ben werden. Im Gebrauch wird der Tiegel 3 von der Heizeinrichtung 5
aufgeheizt, und der Dampf des Materials 2 wird aus der Düse 4
ausgestoßen und bildet Cluster 7. Die Kathode 22
wird elektrisch leitend gemacht und aufgeheizt, so daß von
ihr Elektronen in Richtung zur Anode 23 austreten und mit den
Clustern 7 kollidieren und sie ionisieren. Während dieses
Vorgangs treten die Elektronen nicht durch Zwischenräume
eines Gitters, wie es bei der bekannten Vorrichtung der Fall
ist, und somit werden keine Elektronen eingefangen, bevor sie
Gelegenheit zur Kollision mit Clustern hatten, wodurch der
Wirkungsgrad der Ionisationseinrichtung erhöht wird. Außerdem
ist bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel das von der Magneteinrichtung
24 angelegte Magnetfeld senkrecht zu dem elek
trischen Feld, das von der Kathode 22 und der Anode
23 erzeugt wird. Das elektrische Feld ist somit im wesent
lichen horizontal in der Zeichnung, während das Magnetfeld im
wesentlichen vertikal ist. Aufgrund dieser zueinander senk
rechten Beziehung werden die Elektronen auf einer wendel
förmigen Bahn bewegt, wodurch die Länge der Bahn von der
Kathode zur Anode vergrößert wird, was wiederum die Wahr
scheinlichkeit einer Kollision mit einem Cluster unter
Verbesserung des Ionisations-Wirkungsgrads erhöht.
Die Kathode 22 heizt ferner den Tiegel im Bereich
der Düse 4, also den oberen Teil des Tiegels 3, auf. Selbst
wenn also ein Teil des Materials 2 im schmelzflüssigen Zu
stand an der Innenwand des Tiegels 3 hochkriecht, wird dieser
an der Innenwand hochkriechende Teil am oberen Teil des Tie
gels 3 zur Verdampfung gebracht, bevor ein Austritt des Ma
terials mit den daraus resultierenden erläuterten Schwierig
keiten stattfindet. Da ferner die Anode 23 die Heizeinrichtung 5
im Tiegel 3 umgibt, wird die Anode auf hoher Temperatur ge
halten. Somit wird eine Kondensation des aus dem Material 2
erzeugten Dampfs verhindert, was wiederum ein Benetzen der
Anode ausschließt und die Korrosion verringert. Schließlich
wird durch diese Anordnung die Gefahr beseitigt, daß Dampf
den Raum zwischen dem Tiegel 3 und der Heizeinrichtung 5 ausfüllt
und die Impedanz dieses Raums herabsetzt. Infolgedessen kann
die Vorrichtung auch dann in stabiler Weise betrieben werden,
wenn Silicium oder Aluminium aufgedampft wird.
Die in der Ionisationseinrichtung 21 gebildeten ionisierten
Cluster 12 sind positiv geladen und werden von dem von der
Beschleunigungselektrode 26 und der Einfangelektrode 27 ge
bildeten elektrischen Feld von der Ionisationseinrichtung weg
in Richtung zum Substrat 16 gezogen. Wenn die ionisierten
Cluster durch den Raum zwischen der Einfangelektrode 27 und
der Masseelektrode 28 gehen, werden die ionisierten Cluster 12
in diesem Raum verzögert, weil die Masseelektrode 28 relativ
zu der Einfangelektrode 27 positives Potential hat. Infolge
dessen erhalten die ionisierten Cluster kinetische Energie,
die der Potentialdifferenz zwischen (der Beschleunigungsspan
nung an) der Beschleunigungselektrode 26 und der Masseelek
trode 28 entspricht.
Diese Anordnung erlaubt die Steuerung der Beschleunigung der
ionisierten Cluster 12 durch die Beschleunigungsspannung,
während gleichzeitig die Menge der von der Ionisationsein
richtung 21 weg angezogenen ionisierten Cluster durch
Steuerung der Potentialdifferenz zwischen der Beschleu
nigungselektrode 26 und der Einfangelektrode 27 auf jedem
gewünschten Pegel gehalten wird. Auch bei niedriger Beschleu
nigungsspannung kann eine ausreichende Menge von ionisierten
Clustern gewährleistet werden, während gleichzeitig ihre
elektrischen Charakteristiken zur Bildung der gewünschten
Dünnschicht genutzt werden.
Ferner wird durch diese Anordnung verhindert, daß von der
Kathode 22 abgegebene Elektronen auf das Substrat 16
auftreffen, und zwar durch das elektrische Feld, das von der
auf negativem Potential liegenden Einfangelektrode gebildet
ist.
Selbstverständlich sind viele Abwandlungen der in Fig. 1 ge
zeigten Vorrichtung möglich. Es ist beispielsweise möglich,
die Heizeinrichtung 5 wegzulassen und den Tiegel 3 nur durch die
von der Kathode 22 erzeugte Wärme aufzuheizen. Ferner
sind das Magnetfeld und die Magneteinrichtung 24 ebenfalls fakul
tativ.
Die Vorteile des ersten Ausführungsbeispiels umfassen den
direkten Ausstoß von Elektronen von der Kathode auf die
Dampfcluster, wodurch der Ionisations-Wirkungsgrad verbessert
wird. Durch Aufheizen des Düsenbereichs des Tiegels mit der
Kathode werden ferner die Probleme beseitigt, die durch den
Austritt von schmelzflüssigem Material auf die Außenflächen
und die Aufdampfvorrichtung auftreten. Außerdem ist es durch
Verwendung der Beschleunigungselektrode, der Einfangelektrode,
die in bezug auf die Beschleunigungselektrode nega
tives Potential hat, und der Steuerelektrode, die ein Poten
tial zwischen dem der Beschleunigungs- und der Einfangelektrode
hat, möglich, die Beschleunigung der ionisierten
Cluster zu steuern und gleichzeitig das Volumen von Clustern
auf den gewünschten Wert einzustellen. Diese Anordnung ver
ringert außerdem die Gefahr eines Auftreffens von Elektronen
auf die Substratoberfläche unter Beschädigung dieser Ober
fläche.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 2 und 3 wird nun das zweite
Ausführungsbeispiel erläutert.
Die bekannte Vorrichtung von Fig. 2 entspricht derjenigen von
Fig. 4, wobei zum besseren Verständnis zusätzlich ein Ver
drahtungsschema eingezeichnet ist.
In Fig. 2 wird der Vakuumbehälter 17, wie bereits erläutert,
durch den Anschluß 18 an das Vakuumsystem auf einem vorbe
stimmten Vakuum gehalten. Eine Dampfquelle 1 ist im unteren
Teil des Vakuumbehälters 17 angeordnet. Die Dampfquelle umfaßt
einen geschlossenen zylindrischen Tiegel 3 mit einer Düse 4
am oberen Ende und einer Heizeinrichtung 5, die spulenförmig
um den Außenumfang des Tiegels 3 gewickelt ist, um den Tiegel
aufzuheizen, und eine Wärmeabschirmplatte 6, um eine Wärmeab
schirmung gegenüber der Heizeinrichtung 5 zu erreichen. Das auf
zudampfende Material 2 befindet sich im Tiegel 3.
Eine Ionisationseinrichtung 9 umfaßt eine Kathode
10 zur Abgabe von Elektronen, ein Gitter 11 zur Beschleuni
gung von von der Kathode 10 abgegebenen Elektronen und
eine Wärmeabschirmplatte 8 zur Abschirmung der von der
Kathode 10 erzeugten Wärme. Eine Beschleunigungseinrich
tung 13 umfaßt eine Beschleunigungselektrode 14 und eine
Masseelektrode 15, so daß ionisierte Cluster 12 von einem
elektrischen Feld, das von der Beschleunigungselektrode 14
und der Masseelektrode 15 erzeugt ist, beschleunigt werden.
Das das Target bildende Substrat 16 ist am oberen Ende des
Vakuumbehälters der Düse 4 des Tiegels 3 gegenüberstehend
angeordnet. Das Substrat ist das Objekt, auf dem die Dünn
schicht 34 zu bilden ist.
Eine Stromversorgung 50 umfaßt eine Heizstromquelle 51, die
der Heizeinrichtung 5 Strom zuführt und ihn dadurch aufheizt; eine
Vorspannungsquelle 52, die den Tiegel relativ zur Heizeinrichtung 5
auf positivem Potential hält; eine Wechselstromquelle 53, die
die Kathode 10 aufheizt; und eine Beschleunigungs
stromquelle 55, die zwischen die Masseelektrode 15 und die
Beschleunigungselektrode 14 geschaltet ist zur Erzeugung
eines elektrischen Feldes in dem Raum zwischen der Masseelek
trode 15 und der Beschleunigungselektrode 14, um die Ioni
sationseinrichtung 9 und die Dampfquelle 1 in bezug auf die
Masseelektrode 15 auf positivem Potential zu halten. Nach
stehend wird der Betrieb dieser Vorrichtung beschrieben. In
dem Vakuumbehälter 17 wird über den Anschluß 18 an das Vakuum
system ein Vakuum in der Größenordnung von 10-9 bar erzeugt.
Anschließend wird die Heizstromquelle 51 eingeschaltet, um in der
Heizeinrichtung 5 Wärme zu erzeugen. Die von der Heizeinrichtung 5 emit
tierten Elektronen werden von einem elektrischen Feld, das
von der Vorspannungsquelle 52 erzeugt wird, in dem Raum zwi
schen der Heizeinrichtung und dem Tiegel 3 beschleunigt. Die
Elektronen treffen auf den Tiegel 3 unter Aufheizung des
Tiegels und des darin befindlichen Materials 2 auf. Dieses
Aufheizen bewirkt das Verdampfen eines Teils des Materials 2
unter Austritt des Dampfs nach oben aus der Düse 4 zur
Bildung eines Dampfstroms 31.
Wenn der Dampf des Materials 2 den von der Düse 4 begrenzten
Raum durchsetzt, kühlt er sehr schnell ab, wie bereits unter
Bezugnahme auf das erste Ausführungsbeispiel erläutert wurde.
Ein Teil der Cluster 7 wird von den von der Kathode 10
(der von der Stromquelle 53 aufgeheizt wird) abgegebenen
Elektronen ionisiert und dann durch das Gitter 11 be
schleunigt, wobei ein Teil der Cluster zu ionisierten
Clustern 12 umgewandelt wird. Die ionisierten Cluster 12 werden
von dem durch die Beschleunigungseinrichtung 13 erzeugten
elektrischen Feld beschleunigt und bewegen sich gemeinsam mit
den nichtionisierten bzw. neutralen Clustern 7 zum Substrat
16. Die Cluster treffen auf die Oberfläche des Substrats 16
zur Bildung der Dünnschicht 34 auf.
Es ist ersichtlich, daß im Gebrauch sowohl der Kathode
10 als auch das Gitter 11 nahe dem Dampfstrom 31 und
sogar in diesem Dampfstrom angeordnet sind. In diesem Fall
kann der Dampf eine Erosion der Materialien bewirken, aus
denen der Faden und das Gitter bestehen, und die Erosions
produkte können verdampfen oder in dem als Dünnschicht auf
zubringenden Dampf mitgerissen werden, so daß in die herge
stellte Dünnschicht Verunreinigungen eingeführt werden. Das
gilt insbesondere, wenn versucht wird, hochreaktive Substan
zen wie Silicium oder Aluminium abzuscheiden, die mit Mate
rialien wie Tantal oder Molybdän, die typischerweise zur
Bildung der Kathode 10 und des Gitters 11 verwendet
werden, sowie mit weiteren Teilen der Vorrichtung heftig
reagieren.
Unter Bezugnahme auf Fig. 3 wird nun das zweite Ausführungs
beispiel erläutert, bei dem der Ionisationsfaden und das
Einfanggitter nicht vorhanden sind. Dabei sind die Teile der
Vorrichtung, die denjenigen der bekannten Vorrichtung von
Fig. 2 entsprechen, mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Die Beschreibung der Vorrichtung und des damit durchzufüh
renden Verfahrens richtet sich daher hauptsächlich auf den
Elektronen emittierenden Teil dieser Vorrichtung.
Eine Ionisationseinrichtung 40 zur Ionisation von Clustern 7
in einem Dampfstrom 31 hat eine Elektronenkanone 41, die als
Elektronenemissionseinrichtung dient und einen Elektronen
strahl auf den Dampfstrom 31 richtet, und einen Ionisations
teil 46 zur Erzeugung eines elektrischen Feldes, um ioni
sierte Cluster 12 zu beschleunigen. Die Elektronenkanone
selbst ist eine konventionelle Einrichtung und umfaßt eine
Kathode 43, die bei Aufheizung durch eine Heizstromquelle 42
Elektronen emittiert, und eine Beschleunigungselektrode 45,
die in Verbindung mit einer Gleichstromquelle 44 ein elek
trisches Feld in dem Raum zwischen der Beschleunigungselek
trode und der Kathode 43 erzeugt, um von der Kathode 43
emittierte Elektronen zu beschleunigen. Der Ionisationsteil
46 umfaßt eine Steuerelektrode 47 und eine Masseelektrode 48,
die jeweils scheibenförmig sind und in der Mitte ein kreis
rundes Loch haben, das den Durchtritt des Dampfstroms 31 zu
läßt. Die Steuerelektrode 47 wird in bezug auf die Masseelek
trode von einer Beschleunigungsstromquelle 55 auf positivem
Potential gehalten. Die Steuerelektrode 47 und die Masse
elektrode 48 bilden ein einer Linse ähnliches elektrisches
Feld 63 mit Oberflächen 62 gleichen Potentials, die in der
Zeichnung in Strichlinien angedeutet sind. Die Steuerelek
trode 47 dient der Steuerung der Ionisation.
Die Elektronenkanone 41 strahlt einen Elektronenstrahl 61 zu
einer Stelle über der Masseelektrode 48 ab, d. h. in Richtung
des aus dem elektrischen Feld 63 austretenden Dampfstroms.
Der von der Elektronenkanone 41 zum elektrischen Feld 63
abgestrahlte Elektronenstrahl 61 wird in das elektrische Feld
angezogen und so beschleunigt, daß der Strahl mit Clustern 7
im Dampfstrom 31, der durch das Innere des elektrischen Fel
des 63 aufwärtsströmt, kollidiert und dabei die Cluster ioni
siert, wobei die Auftreffrichtung des Strahls der Dampfströ
mungsrichtung entgegengesetzt ist. Ionisierte Cluster 12
werden von dem Potential des elektrischen Feldes 63 beschleu
nigt, und die Cluster nehmen kinetische Energie auf. Dann
bewegen sich die Cluster in Richtung zu einem Substrat 16,
auf dem sie unter Bildung einer Dünnschicht 34 auftreffen.
Auf diese Weise wird der Elektronenstrahl 61 in das elektri
sche Feld 63 gezogen und trifft in Gegenrichtung auf den
Dampfstrom 31, so daß eine Ionisierung von Dampfclustern mit
hohem Wirkungsgrad stattfindet.
Selbstverständlich sind verschiedene Modifikationen des zwei
ten Ausführungsbeispiels nach Fig. 3 möglich. Zusätzlich zu
der Steuerelektrode 47 und der Masseelektrode 48 können wei
tere Elektroden vorgesehen sein, um sowohl die Elektronen als
auch die Ionen verstärkt zu beeinflussen. So könnte eine
dritte Elektrode noch näher an der Substratquelle angeordnet
sein, um die Geschwindigkeit der ionisierten Cluster einzu
stellen. Dabei könnte das Elektrodenpotential so gewählt
sein, daß je nach Wunsch die ionisierten Cluster beschleunigt
oder verzögert werden. Die Steuer- und Masseelektroden wurden
zwar als scheibenförmig beschrieben, aber alternative Formen
einschließlich gitter- bzw. netzartiger Elektroden, Stabelek
troden oder dergleichen könnten ebenfalls verwendet werden.
Die Merkmale der Ausführungsbeispiele 1 und 2 können zu einem
noch stärker bevorzugten Ausführungsbeispiel vereinigt wer
den. Es ist ersichtlich, daß bei dem Ausführungsbeispiel 2
die Elektronenerzeugungs- und -emissionsquelle vollständig an
einem Kontakt mit Dampf gehindert ist, aber gegen die Mög
lichkeit, daß das schmelzflüssige Material wegen der sehr
guten Benetzungswirkung von Materialien wie etwa Aluminium
und Silicium an den Tiegelwänden hochkriecht, ist anscheinend
nichts unternommen. Wenn das aufzudampfende Material Alumi
nium oder Silicium ist, kann ein kleiner Teil davon aus dem
Tiegel austreten und schließlich in dem Raum zwischen der
Heizeinrichtung 5 und dem Tiegel 3 verdampfen und dadurch einen
stabilen Betrieb verhindern. Zur Vermeidung dieses Problems
gibt es zwei Lösungsvorschläge. Bei einer ersten Ausführungs
form kann von der Elektronenkanone ein Elektronenüberschuß
erzeugt werden, so daß die überschüssigen Elektronen auf den
Tiegel treffen und somit als Wärmequelle für den Tiegel in
dem an die Düse angrenzenden Bereich dienen. Auf diese Weise
hat die Elektronenkanone nicht nur die Funktion, die Dampf
cluster zu ionisieren, sondern auch die Aufgabe, das Material
im Tiegel zu verdampfen. Bei einer zweiten Ausführungsform
könnte die Heizeinrichtung nicht in der Bahn des aus der Düse
austretenden Dampfs, sondern außerhalb dieser Bahn angeordnet
sein, so daß der Dampf nicht in Kontakt mit der Heizeinrichtung
gelangen könnte, da die von der Heizeinrichtung emittierten Elektronen
nur zum Aufheizen des Bereichs um die Düse herum und nicht
zur Erzeugung der Elektronen notwendig wären, die zur Bildung
der ionisierten Cluster dienen. Diese Ausführungsform bietet
die Vorteile des ersten und des zweiten Ausführungsbeispiels.
Ferner kann die Beschleunigungselektrodenstruktur des ersten
Ausführungsbeispiels in Verbindung mit dem zweiten Ausfüh
rungsbeispiel dazu verwendet werden, eine maximale Steuerung
der ionisierten Cluster zu erreichen, wie bereits erwähnt
wurde.
Bei beiden Ausführungsbeispielen wurde die Heizeinrichtung des
Tiegels als Spulenkonstruktion, also wendelförmig gewickelt,
beschrieben. Alternative Heizeinrichtungsanordnungen, wie sie in
Fig. 5 gezeigt sind, sind natürlich ebenfalls möglich. Fig. 5a
zeigt eine konventionelle Wickel- oder Wendelanordnung,
während die Fig. 5b-5f alternative Ausführungsformen zeigen.
Besonders bevorzugt sind dabei die Ausführungsformen c und d,
und zwar wegen ihrer leichten Herstellbarkeit und ihrer hohen
Heizleistung.
Es wurde aufgezeigt, daß die Vorrichtung nach der Erfindung
Schichten erzeugen kann, deren spezifischer Widerstand dem
jenigen der Kompaktmaterialien angenähert ist. Wenn bei
spielsweise eine Aluminiumdünnschicht mit bekannten Aufdampf
verfahren hergestellt wird, werden typischerweise spezifische
Widerstände in der Größenordnung von 10 µΩ·cm erreicht; bei
Anwendung der Erfindung ist es möglich, Dünnschichten mit
spezifischen Widerständen von 2,7 µΩ·cm herzustellen, also
angenähert dem gleichen Wert wie bei dem Kompaktmaterial. Im
Fall von Titan können nach dem Stand der Technik Dünnschich
ten mit einem spezifischen Widerstand von ca. 100 µΩ·cm
gegenüber 60 µΩ·cm bei Anwendung der Erfindung hergestellt
werden. Im Vergleich dazu hat kompaktes Titan einen spezifi
schen Widerstand von 57 µΩ·cm. Durch die Erfindung werden
Dünnschichten mit höheren Dichten hergestellt, die zu diesem
spezifischen Widerstand sowie zu besseren Hafteigenschaften
am Substrat führen. Außerdem werden leichter Einkristalle ge
bildet, was das Erreichen der höheren Dichten unterstützt,
die bei der Vorrichtung nach der Erfindung angewandt werden.
Zusätzlich zur Herstellung von elektrisch leitenden oder
halbleitenden Dünnschichten ist es auch möglich, optische
Schichten herzustellen, die sehr geringe Absorption und hohes
Reflexionsvermögen haben und außerdem sehr hart sind. Insbe
sondere ist der Grenzwert für einen Laserschaden stark
heraufgesetzt, was bei Excimer-Lasern ein besonderer Vorteil
ist. Bei Anwendung konventioneller Aufdampfverfahren liegt
der Laserschaden-Grenzwert der meisten optischen Schichten in
der Größenordnung von 2 J/cm2 gegenüber 8 J/cm2 bei Herstel
lung der Schichten gemäß der Erfindung.
Es wird nicht nur eine bessere Dünnschicht hergestellt, son
dern es wird auch die Aufdampfrate erheblich gesteigert. Bei
Anwendung konventioneller Vorrichtungen werden Aufdampfraten
in der Größenordnung von 0,1 µm/min erzielt, während dieser
Wert durch die Erfindung auf bis zu 0,5 µm/min verbessert
wird. Außerdem wird die Quellen-Lebensdauer von ca. 3 h auf
mehr als 100 h verlängert.
Bei Anwendung der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist es mög
lich, metallische Schaltkreise auf vielen Arten von Halblei
ter-Vorrichtungen einschließlich dynamischer RAMs und der
gleichen sowie Speicherkondensatoren herzustellen. Die Her
stellung von Linsen mit hohem Reflexionsvermögen zur Verwen
dung an Excimer-Lasern ist ebenfalls möglich. Bei Anwendung
der Vorrichtung ist auch die Herstellung von Vielschicht-
Reflexionsschichten möglich. Die Vorrichtung nach der Erfin
dung erlaubt die Herstellung von Schichten, die bisher noch
nicht hergestellt werden konnten.
Claims (11)
1. Vorrichtung zur Ionenclusterstrahl-Bedampfung,
- - mit einem Tiegel (3), der ein aufzudampfendes Material (2) enthält,
- - mit einer Heizeinrichtung (5) zum Aufheizen des Tiegels (3), so daß das aufzudampfende Material (2) verdampft und aus einer in dem Tiegel (3) gebildeten Düse (4) ausgestoßen wird,
- - mit einer Ionisationseinrichtung (21) zum Ionisieren von aus dem Dampf erzeugten Clustern (7) und
- - mit einer Beschleunigungseinrichtung (25) zum Beschleunigen der ionisierten Cluster (12) in Richtung zu einem Substrat (16) hin, auf dem die Dünnschicht zu bilden ist,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Ionisationseinrichtung (21) folgendes aufweist:
eine Kathode (22), die der Düse (4) des Tiegels (3) gegenüberstehend angeordnet ist und die bei Aufheizung Elektronen emittiert und
eine Anode (23), die die Kathode (22), den Tiegel (3) und die Heizeinrichtung (5) umgibt.
eine Kathode (22), die der Düse (4) des Tiegels (3) gegenüberstehend angeordnet ist und die bei Aufheizung Elektronen emittiert und
eine Anode (23), die die Kathode (22), den Tiegel (3) und die Heizeinrichtung (5) umgibt.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Beschleunigungseinrichtung (25) eine Beschleunigungselektrode (26), eine Einfangelektrode (27) mit einem in bezug auf die Beschleunigungselektrode (26) negativem Potential und eine Steuerelektrode (28) aufweist, die ein Potential hat, das zwischen dem Potential der Beschleunigungselektrode (26) und dem Potential der Einfangelektrode (27) liegt,
und daß die Beschleunigungselektrode (26), die Einfangelektrode (27) und die Steuerelektrode (28) derart angeordnet sind, daß die Beschleunigungselektrode (26) der Düse (4) am nächsten liegt und die Steuerelektrode (28) von der Düse (4) am weitesten entfernt ist.
daß die Beschleunigungseinrichtung (25) eine Beschleunigungselektrode (26), eine Einfangelektrode (27) mit einem in bezug auf die Beschleunigungselektrode (26) negativem Potential und eine Steuerelektrode (28) aufweist, die ein Potential hat, das zwischen dem Potential der Beschleunigungselektrode (26) und dem Potential der Einfangelektrode (27) liegt,
und daß die Beschleunigungselektrode (26), die Einfangelektrode (27) und die Steuerelektrode (28) derart angeordnet sind, daß die Beschleunigungselektrode (26) der Düse (4) am nächsten liegt und die Steuerelektrode (28) von der Düse (4) am weitesten entfernt ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine Einrichtung (24) vorgesehen ist, um an die von
der Ionisationseinrichtung (21) emittierten Elektronen
ein Feld anzulegen, das in einer Richtung orientiert ist,
die sich von der Orientierung der von der Ionisationseinrichtung
(21) emittierten Elektronen unterscheidet.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Richtung des von der Einrichtung (24) erzeugten
Feldes senkrecht zu der Orientierung der Elektronen
steht.
5. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Einrichtung eine Magneteinrichtung (24) ist.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüchen 2 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß das elektrische Potential zwischen der Beschleunigungselektrode
(27) und der Steuerelektrode (28) niedriger
als 2000 V ist.
7. Vorrichtung zur Ionenclusterstrahl-Bedampfung,
- - mit einem Tiegel (3), der ein Material (2) enthält, aus dem eine Dünnschicht zu bilden ist,
- - mit einer Heizeinrichtung (5) zum Aufheizen des Tiegels (3), um das Material (2) zu verdampfen, wobei der Tiegel (3) eine Düse (4) hat, durch die der Dampf ausgestoßen wird,
- - mit einer Ionisationseinrichtung (40) zur Ionisation von aus dem Dampf erzeugten Clustern (7) und
- - mit einer Beschleunigungseinrichtung zum Beschleunigen der ionisierten Cluster (12) in Richtung eines Substrats (16) auf dem eine Dünnschicht zu bilden ist,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Ionisationseinrichtung (40) folgendes aufweist:
eine Elektronenemissionseinrichtung (41), die Elektronenstrahlen an einer von dem Dampfstrom fernen Position abstrahlt, und
eine Einrichtung (44, 45), um zu bewirken, daß der Elektronenstrahl auf den Dampf auftrifft und ihn ionisiert.
eine Elektronenemissionseinrichtung (41), die Elektronenstrahlen an einer von dem Dampfstrom fernen Position abstrahlt, und
eine Einrichtung (44, 45), um zu bewirken, daß der Elektronenstrahl auf den Dampf auftrifft und ihn ionisiert.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Elektronenemissionseinrichtung eine Elektronenkanone
(41) aufweist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Ionisationszone eine Steuerelektrode (47) und
eine Masseelektrode (48) aufweist, wobei die Steuerelektrode
(47) in bezug auf die Masseelektrode (48) auf
einem positiven Potential gehalten ist.
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