JP5025151B2

JP5025151B2 - 蒸着物の作製方法

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Publication number: JP5025151B2
Application number: JP2006077855A
Authority: JP
Inventors: 淳一郎坂田; 視喜片山
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2005-03-23
Filing date: 2006-03-21
Publication date: 2012-09-12
Anticipated expiration: 2026-03-21
Also published as: JP2007084911A

Description

本発明は金属酸化物の蒸着方法、前記蒸着方法を用いて作製した表示装置に関する。

近年、自発光型の発光素子としてエレクトロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と記す）を有する発光装置の研究、開発が進められている。なかでも、電界を加えることで有機化合物を含む層が発光するＥＬ素子（以下、有機ＥＬ素子と記す）を利用した発光装置は、動画表示に適した速い応答速度、低電圧、低消費電力駆動などの特徴を有しているため、次世代の携帯電話や携帯情報端末（ＰＤＡ）をはじめ次世代ディスプレイとして注目されている。

有機ＥＬ素子の発光機構は、電極間に有機化合物膜を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入されたホールが有機化合物膜中で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光すると言われている。有機ＥＬ素子に用いられる有機化合物膜の成膜方法として、高分子系の有機材料からなる膜を成膜する際にはスピンコート法などの塗布法やインクジェット法が、低分子系の有機材料からなる膜を成膜する際には主に蒸着法が採用されている。

一方、金属酸化物などの無機材料を用いる場合においても、有機材料と同様、坩堝の外側に設けられた加熱機構であるヒーターを利用する蒸着法を用いて成膜できることが特許文献１に記載されている。
特開平１１−２２２６６７号公報

しかしながら、坩堝の外部から熱を加えているため、坩堝の内壁付近の蒸着材料と中央部の蒸着材料とでは温度差が生じ、場所によっては必要以上の熱が加えられていた。そのため、蒸着材料が有機材料の場合には坩堝の内壁部に接触している蒸着材料が分解されたり、無機材料の場合には蒸着材料よりさらに気化しにくい副生成物が形成されることがあった。これらの物質が有機ＥＬ素子の膜中に混入すると非発光の暗点欠陥となり、素子特性の低下の要因となる。また、無機材料の場合には副生成物が蒸着材料上に堆積することにより蒸着レートが低下することも問題としてあげられる。

また、膜中へのゴミ（分解物質、副生成物や蒸着材料の固まりなど）の混入を防ぐために開口部を有する蓋付きの坩堝を用いた場合、ヒーターと開口部の位置は離れているため一度蒸発した蒸着材料が温度の低い蓋によって冷却され開口部付近に付着してしまう。この付着物により坩堝の開口領域は縮小し、蒸着レートは低下する。

本発明は上記問題を鑑み、暗点欠陥の原因となる分解物質や副生成物などのゴミが成膜中に混在することを抑制し、さらに蒸着レートの低下を防ぐことを目的とする。また、共蒸着により２種類以上の複合材料層を作製する際、それぞれの蒸着レートを一定にし、複合材料層の組成比を容易に制御可能とすることを目的とする。

本発明は、金属酸化物と、前記金属酸化物より熱伝導率が高いセラミックスとを坩堝に充填し、当該坩堝を真空中で加熱して前記金属酸化物を蒸着することを特徴とする。

上記課題を解決するための別の構成は、開口部を有する蓋付きの坩堝内に金属酸化物と前記金属酸化物より熱伝導率が高いセラミックスとを充填し、当該坩堝を真空中で加熱して前記金属酸化物を蒸着することを特徴とする。

本発明は、電極が形成された基板上に、金属酸化物を含む薄膜を形成する成膜工程を有し、前記成膜工程は、前記金属酸化物と前記金属酸化物より熱伝導率が高いセラミックスとを坩堝に充填し、前記坩堝を真空中で加熱して前記金属酸化物を含む薄膜を前記基板上に形成するステップを含むことを特徴とする。また、前記坩堝は、開口部を有する蓋付きの坩堝であることを特徴とする。

本発明は、電極が形成された基板上に、金属酸化物と有機化合物とを含む複合材料層を形成する成膜工程を有し、前記成膜工程は、前記金属酸化物と前記金属酸化物より熱伝導率が高いセラミックスとを充填した第１の坩堝と、前記有機化合物を充填した第２の坩堝とを真空中で加熱して前記複合材料層を形成するステップを含むことを特徴とする。また、前記第１の坩堝は、開口部を有する蓋付きの坩堝であることを特徴とする。

本発明において、坩堝に充填された金属酸化物は酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれか一であり、特に酸化モリブデンであることが好ましい。

本発明において、セラミックスは金属酸化物、金属窒化物、炭化物、炭素のいずれか一であり、特に炭化ケイ素であることが好ましい。

前記複合材料層を構成する有機化合物は、アリールアミン骨格等を有することを特徴とする。

前記複合材料層を構成する有機化合物には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：ＮＰＢ）や４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：ＴＰＤ）や４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）や４，４’−ビス（Ｎ−（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（略称：ＢＳＰＢ）、４，４’，４’’―トリス［３−メチルフェニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−アミノ］−ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）などの芳香族アミン系（即ち、ベンゼン環−窒素の結合を有する）の化合物やフタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）等のフタロシアニン化合物を用いることができる。

開口部を有する蓋付きの坩堝内に金属酸化物と金属酸化物よりも熱伝導率の高い物質であるセラミックスとを充填して蒸着を行うことで、成膜中にゴミが混入することを抑制し、さらに蒸着レートの低下を防ぐことができる。よって、膜質及び成膜の再現性が向上し、さらに信頼性の高い発光素子を作製することが可能となる。

本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

本発明の実施の形態について以下に示す。

（実施の形態１）
本発明の構成の一部である蒸着用の坩堝１１を図１（Ａ）に示す。図１（Ｃ）に示すように、坩堝１１に蒸着材料である金属酸化物１４と金属酸化物より熱伝導率が高いセラミックス１５とを充填させる。なお、金属酸化物としては、遷移金属酸化物が好ましく、具体的には、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどが挙げられる。また、セラミックスとしては金属酸化物、金属窒化物、炭化物、炭素などが好ましく、具体的には酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、グラファイトなどが挙げられる。なお、セラミックスの粒径は０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下が好ましい。

坩堝１１の材料は、チタン、タンタル、モリブデン、タングステン、窒化ボロン、炭化ケイ素、アルミナ、その他の任意の材料から、使用温度、反応性など考慮し、適宜選択する。坩堝の厚みは蒸着材料の想定内容量や形状、あるいは材料の熱伝導率などを考慮して決めれば良い。

金属酸化物と金属酸化物より熱伝導率が高いセラミックスとを充填し蒸着を行うことで、坩堝の内壁付近と中央部との金属酸化物おける温度差を小さくすることができる。内壁部に接した蒸着材料に過剰な熱がかからないため、副生成物の生成、及び副生成物をはじめとするゴミが突沸により膜中に混入することを抑制することができる。よって、良好な成膜が可能となる。特に、突沸が激しい昇華性を有する蒸着材料において有効である。また、副生成物が蒸着材料上に堆積することがないため、長時間の成膜においても蒸着レートを一定に保つことができる。なお、本形態では、蒸着材料を金属酸化物としているが、有機材料を用いても良い。

また、図１（Ｂ）に示す開口部を有する蓋１２付きの坩堝１３を用いることにより、充填物に含まれるゴミを成膜中に混入することをさらに防ぐことができる。

なお、開口部を有する蓋１２の材料は、坩堝１１と同様、チタン、タンタル、モリブデン、タングステン、窒化ボロン、炭化ケイ素、アルミナ、その他の任意の材料から、使用温度、反応性など考慮し、適宜選択する。

また、熱伝導率の高いセラミックスを蒸着材料に混在させた場合、充填物の界面と蓋１２との距離はセラミックスを混在していない場合に比べて短い。よって、セラミックスを混在することにより充填物からの熱が開口部を有する蓋１２へ移動しやすいため、開口部への蒸着物質の付着による開口領域の縮小を抑制することができる。よって、長時間の成膜においても一定の蒸着レートを得ることができる。

なお、開口部を有する蓋１２は、蓋の構成材料より熱伝導率の高い物質で被覆されていても良い。より好ましいとされる高い熱伝導率を有する物質は銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）及びベリリウム（Ｂｅ）である。これらの材料は非常に高い熱伝導率を有するため、開口部付近への蒸着物質の付着の抑制に対し高い効果が期待できる。なお、白金（Ｐｔ）は上記の材料より熱伝導率は低いものの、比較的高い熱伝導率を有し且つ非常に安定であることから望ましい材料のうちの一つといえる。また、これらの物質の合金を用いても良い。開口部を有する蓋１２は蒸着材料の蒸着温度、蒸着材料との反応性などを考慮し適宜選択する。

上記構成とすることで、さらに開口部を有する蓋の温度低下を防ぎ、一定の蒸着レートを得ることが可能となる。また、セラミックスを坩堝１１と同じ高さまで充填した場合、所定温度まで上昇した界面と開口部を有する蓋１２との距離が非常に短くなるため、さらに効果的である。なお、共蒸着の際には、蒸着装置によっては当該坩堝を傾ける場合があるため、セラミックスが開口部よりこぼれ落ちないようにメッシュ状の内蓋が必要となる場合がある。この内蓋は充填物の体積変化にかかわらず絶えず充填物の界面と接することが可能な形状に設計する。

（実施の形態２）
本発明の蒸着方法を用いて形成した発光素子について図２（Ａ）を用いて以下に説明する。

本形態において、発光素子は、第１の電極１０２と、第２の電極１０７の間に積層体を挟んでなり、積層体は第１の電極１０２から上方向へ順に第１の層１０３、第２の層１０４、第３の層１０５、第４の層１０６が積層したものである。なお、本形態では第１の電極１０２は陽極として機能し、第２の電極１０７は陰極として機能する。

基板１０１は発光素子の支持体として用いられる。基板１０１の材料としては、例えば石英、ガラス、またはプラスチックなどを用いることができる。なお、発光素子を作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。

第１の電極１０２としては、さまざまな金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物金属酸化物、合金を用いることができる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、チタン（Ｔｉ）などの導電性を有する金属、又はアルミニウム−シリコン（Ａｌ−Ｓｉ）、アルミニウム−チタン（Ａｌ−Ｔｉ）、アルミニウム−シリコン−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）等それらの合金、または窒化チタン（ＴｉＮ）等の金属材料の窒化物、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ）、ケイ素を含有するＩＴＯ、酸化インジウムに２〜２０［ｗｔ％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに２〜２０ｗｔ％の酸化珪素を混合したＩＴＳＯ等の金属酸化物などを用いることができるが、仕事関数の大きい物質（仕事関数４．０ｅＶ以上）で形成されていることが好ましい。

第１の層１０３は、有機化合物と金属酸化物の複合材料で形成される層（複合材料層）である。

なお、本形態の発光素子において、上述するような第１の層１０３に接して形成された第１の電極１０２は仕事関数の大きい材料に限定されず、仕事関数の小さい材料も用いることができる。

第１の層１０３を形成する有機化合物としては、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：ＮＰＢ）や４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：ＴＰＤ）や４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）や４，４’−ビス（Ｎ−（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（略称：ＢＳＰＢ）、４，４’，４’’―トリス［３−メチルフェニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−アミノ］−ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）などの芳香族アミン系（即ち、ベンゼン環−窒素の結合を有する）の化合物やフタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）等のフタロシアニン化合物を用いることができる。金属酸化物としては、遷移金属酸化物が好ましく、具体的には、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどが挙げられる。なかでも、電子受容性が高い酸化モリブデンは、大気中においても安定であるため好ましい。なお、金属酸化物は有機化合物に対して５ｗｔ％〜８０ｗｔ％、より好ましくは１０ｗｔ％〜５０ｗｔ％の範囲で含まれていることが望ましい。また、第１の層１０３は、単層だけでなく、混合比や材料が異なる層が二層以上積層した構造としてもよい。

第１の層１０３の膜厚は６０ｎｍ以上であることが望ましい。また、１２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であるとなお良い。第１の層１０３は厚膜化してもそれに比例した発光素子の駆動電圧の上昇を招かない。そのため、第１の電極の表面に形成された凹凸や電極表面に残ったゴミの影響で第１の電極と第２の電極がショートすることを防ぐ膜厚を選ぶことができる。また、光の取り出し効率を考慮し、最適な膜厚を選ぶことができる。

第２の層１０４は、ホールを輸送する機能に優れた層（正孔輸送層）、例えばＮＰＢやＴＰＤ、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン（即ち、ベンゼン環−窒素の結合を有する）の化合物からなる層である。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、第２の層１０４は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものであってもよい。

第３の層１０５は、発光性の高い物質を含む発光層である。発光層について特に限定は無いが、発光層として機能する層には大きく分けて２つの態様がある。一つは発光中心となる物質（発光物質またはゲスト材料）のエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する材料（ホスト材料）に発光物質を分散させた構成のホストーゲスト型の層と、もう一つは発光材料のみで発光層を構成する層である。前者の方が濃度消光が起こりにくいため、好ましい。発光物質としては、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−ジシアノメチレン−２−ｔ−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン、ペリフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス（１０−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６、クマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、９，９’−ビアントリル、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）や９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）等が挙げられる。また、ホスト材料としては、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）等のアントラセン誘導体、４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ピリジナト］亜鉛（略称：Ｚｎｐｐ_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：ＺｎＢＯＸ）などの金属錯体等を用いることができる。また、発光物質のみで発光層を構成することのできる材料としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）などがある。

第４の層１０６は、電子を輸送する機能に優れた層（電子輸送層）、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を第４の層１０６として用いても構わない。また、第４の層１０６は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

第２の電極１０７を形成する物質としては、仕事関数の小さい（仕事関数３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の１族または２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）が挙げられる。しかしながら、第２の電極１０７と発光層との間に電子を注入する機能に優れた層を設けた場合、仕事関数の大小に関わらず、第１の電極１０２の材料として挙げた材料も含め、様々な導電性材料を第２の電極１０７として用いることができる。

なお、電子を注入する機能に優れた層（電子注入層）としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物を用いることができる。また、この他、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたもの、例えばＡｌｑ_３中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものなどを用いることも可能である。

本形態において第１の層１０３は、共蒸着により作製する。なお、それぞれの蒸着材料を充填する容器は実施の形態１に記載した坩堝を用いる。金属酸化物の蒸着には、開口部を有する蓋付きの坩堝の使用が好ましく、金属酸化物と金属酸化物より熱伝導率が高いセラミックスとを充填し蒸着する。なお、有機化合物については、金属酸化物と同じ坩堝を用い、セラミックスの有無はどちらでも良い。ただし、有機化合物の蒸着においても、金属酸化物の場合と同様、坩堝に蒸着材料と蒸着材料より熱伝導率が高いセラミックスとを充填し蒸着することで同様の効果を得ることができる。

第２の層１０４、第３の層１０５、第４の層１０６も、蒸着法で形成することができる。また、それ以外の方法としてはインクジェット法またはスピンコート法などの湿式法によっても形成することができる。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。

以上のような構成を有する本形態の発光素子は、第１の電極１０２と第２の電極１０７との間に生じた電位差により電流が流れ、発光性の高い物質を含む層である第３の層１０５において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり第３の層１０５に発光領域が形成されるような構成となっている。但し、第３の層１０５の全てが発光領域として機能する必要はなく、例えば、第３の層１０５のうち第２の層１０４側または第４の層１０６側にのみ発光領域が形成されるようなものであってもよい。

発光は、第１の電極１０２または第２の電極１０７のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０２または第２の電極１０７のいずれか一方または両方は、透光性を有する物質で成る。第１の電極１０２のみが透光性を有する物質からなる場合、図２（Ａ）に示すように、発光は第１の電極１０２を通って基板側から取り出される。また、第２の電極１０７のみが透光性を有する物質からなる場合、図２（Ｂ）に示すように、発光は第２の電極１０７を通って基板と逆側から取り出される。第１の電極１０２および第２の電極１０７がいずれも透光性を有する物質からなるものである場合、図２（Ｃ）に示すように、発光は第１の電極１０２および第２の電極１０７を通って、基板側および基板と逆側の両方から取り出される。

なお第１の電極１０２と第２の電極１０７との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されず、発光層と陽極との間に複合材料層が所定の膜厚で設けられていればその他の層の積層構造については特に限定されず、電子を輸送する機能に優れた層またはホールを輸送する機能に優れた層、電子を注入する機能に優れた層、正孔を注入する機能に優れた層、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等から成る層を自由に組み合わせて構成すればよい。また、第１の電極１０２上には、酸化ケイ素膜等からなる層を設けることによってキャリアの再結合部位を制御したものであってもよい。

また、上記構成とは逆に第１の電極を陰極として形成し、その後電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、複合材料層、第２の電極（陽極）と順に積層しても良い。

また、本形態の発光素子は、有機材料と無機材料とを含んでいる第１の層１０３を有するため、電極と、発光物質を含む層との間に生じる応力を緩和させることができる。

また、本形態の発光素子の第１の層１０３は厚く形成しても駆動電圧や消費電力の上昇が伴わない為、当該第１の層１０３の膜厚を調整することによってマイクロキャビティ効果や干渉効果を利用した光学設計を行うことができ、色純度が良い発光装置を作成することが出来るようになる。

また、上述したように第１の層１０３は厚膜化しても発光素子の駆動電圧の上昇を招かないため、凹凸やゴミを充分にカバーできる膜厚を選ぶことができる。さらに、蒸着材料と前記蒸着材料より熱伝導率が高いセラミックスとを充填した坩堝を用いて蒸着することにより成膜中へのゴミの混入を抑制することができる。よって、本発明の蒸着方法を用いて作製した発光素子は、陽極と陰極とのショートが原因で起こる暗点欠陥を最小限にすることが可能となる。

また、有機化合物と金属酸化物の蒸着レートをそれぞれ一定にすることが可能であるため、複合材料層における有機化合物と金属酸化物との組成を容易に制御でき、成膜の再現性が向上する。よって、信頼性のより高い発光素子を作製することが可能となる。

また、本形態の複合材料層の形成に利用した蒸着方法は、第１の層１０３の形成のみに限定されるものではなく、その他の有機化合物と金属酸化物の複合材料から形成される複合材料層を設ける際に利用することが可能である。

本形態は実施の形態１と適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態３）
図３は本発明の構成の一部である坩堝を利用した蒸着装置の上面図である。

図３（Ａ）において、４００は基板、４０１は成膜室、４０２、４０３は搬送室、４０４は坩堝設置室、４０５は蒸着源駆動用ロボット、４０６は坩堝搬送ロボット、４０７は坩堝設置用回転台、４０８、４０９、４１０は各部屋を仕切るシャッター、４１１は扉、４１２は蒸着源である。

基板４００は、搬送室４０２から成膜室４０１内に搬送される。選択的に蒸着を行う場合には、蒸着マスクと基板との位置合わせを行った後に蒸着を行う。

蒸着源４１２には、本発明の構成の一部である坩堝４１３が２個セットされている。異なるＥＬ材料を用いることで、共蒸着を可能とする。ここでは図示しないが、各坩堝の上部にはスライド式のシャッターが設けられている。図３には２個の坩堝を備えた蒸着源が示してあるが、１個、３個あるいはそれ以上の坩堝を備えても良く、本発明は図３の構成に限定されない。また、２個の坩堝には同じ材料を充填しても良い。

蒸着源４１２にセットされた坩堝４１３は加熱され、所定の蒸着レートになるまで待機する。所定の蒸着レートで安定させた後、シャッターを開け、蒸着源駆動用ロボット４０５を用いて蒸着源４１２を移動させることにより、基板上に蒸着を行う。蒸着源の往復を繰り返すことによって、基板４００上に均一な膜が形成される。蒸着終了後、シャッターを閉じ、基板４００を搬送室４０３に搬送する。

また、図３の製造装置には蒸着源４１２にセットした坩堝を交換する機構が設けられている。以下、その手順について図３（Ｂ）を用いて説明する。

坩堝設置室４０４をベントし、大気圧とする。この時、シャッター４１０があるため、成膜室４０１の真空度はそのままの状態である。扉４１１を開け、坩堝設置用回転台４０７にＥＬ材料が充填された坩堝４１３をセットする。その後、扉を閉め、搬送室と同じ真空度、あるいはそれ以下の真空度になるまでに引く。なお、坩堝設置室４０４は成膜室４０１よりチャンバーの内容積が小さいため、短時間で所定の圧力まで減圧することが可能である。所定の真空度に達したら、シャッター４１０を開け、坩堝搬送ロボット４０６を駆動し、蒸着源４１２にセットされていた第１の坩堝を取り出し、坩堝設置用回転台４０７にセットする。坩堝設置用回転台４０７を回転し、別の材料の充填された第２の坩堝を取り出し、蒸着源４１２にセットする。

なお、本発明における搬送機構は、図３（Ｂ）に記載されるように坩堝４１３の上方から、坩堝搬送ロボット４０６のつまみ部が、坩堝４１３の内側を引っ掛けて搬送する構造に限定されるものではなく、坩堝４１３の側面をつまんで搬送する構成でも良い。

なお、坩堝設置用回転台４０７にセットされている坩堝４１３は、真空排気している間に内蔵したヒータで坩堝を材料が飛ばない程度の温度まで加熱しておいても良い。その場合、交換後の加熱時間が短縮され、スループットの高い装置となる。開口部を有する蓋付きの坩堝を用いた場合であっても、熱伝導率の高いセラミックスの充填により蒸着材料の付着による開口領域の縮小を抑制できるため、再加熱による蒸着レートの減少はなく、上記効果を得ることができる。

本形態は実施の形態１乃至２のいずれかと適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態４）
図４にマルチチャンバー型の製造装置の上面図を示す。図４に示す製造装置は、スループット向上を図ったチャンバー配置としている。

図４は、シャッター５００ａ〜５００ｍと、基板投入室５２０と、封止、取出室５１９と、搬送室５０４、５１４と、成膜室５０６、５０９、５３０と、坩堝設置室５２６ａ〜５２６ｄと、前処理室５０３と、封止基板ロード室５１７と、シーリング室５１８とを有するマルチチャンバーの製造装置である。

以下、予め陽極（第１の電極）と、該陽極の端部を覆う絶縁物（隔壁）とが設けられた基板を図４に示す製造装置に搬入し、発光装置を作製する手順を示す。なお、アクティブマトリクス型の発光装置を作製する場合、予め基板上には、陽極に接続している薄膜トランジスタ（電流制御用ＴＦＴ）およびその他の薄膜トランジスタ（スイッチング用ＴＦＴなど）が複数設けられ、薄膜トランジスタからなる駆動回路も設けられている。また、単純マトリクス型の発光装置を作製する場合にも図４に示す製造装置で作製することが可能である。

まず、基板投入室５２０に上記基板をセットする。基板サイズは、３２０ｍｍ×４００ｍｍ、３７０ｍｍ×４７０ｍｍ、５５０ｍｍ×６５０ｍｍ、６００ｍｍ×７２０ｍｍ、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、１０００ｍｍ×１２００ｍｍ、１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ、さらには１１５０ｍｍ×１３００ｍｍのような大面積基板でも対応可能である。

基板投入室５２０にセットした基板（陽極と、該陽極の端部を覆う絶縁物とが設けられた基板）は搬送室５０４に搬送する。搬送室５０４には基板を搬送または表裏を反転するための搬送機構（搬送ロボットなど）と真空排気手段とが設けられている。、また、他の搬送室５１４も５０４と同様に搬送機構と真空排気手段とが設けてある。搬送室５０４に設けられたロボットは、基板の表裏を反転させることができ、成膜室５０６に反転させて搬入することができる。搬送室５０４は真空排気処理室と連結されており、真空排気して真空にすることも、真空排気した後、不活性ガスを導入して大気圧にすることもできる。

また、上記の真空排気処理室としては、磁気浮上型のターボ分子ポンプ、クライオポンプ、またはドライポンプが備えられている。これにより各室と連結された搬送室の到達真空度を１０^−５〜１０^−６Ｐａにすることが可能であり、さらにポンプ側および排気系からの不純物の逆拡散を制御することができる。不純物が装置内部に導入されるのを防ぐために導入するガスとして、窒素や希ガス等の不活性ガスを用いる。これらのガスは、ガス精製機により高純度化されたものを用いる。従って、ガスが高純度化された後に蒸着装置に導入されるようにガス精製機を備えておく必要がある。これにより、ガス中に含まれる酸素や水、その他の不純物を予め除去することができるため、装置内部にこれらの不純物が導入されるのを防ぐことができる。

また、基板投入室５２０にセットする前には、暗点欠陥を低減するために第１の電極（陽極）の表面に対して界面活性剤（弱アルカリ性）を含ませた多孔質なスポンジ（代表的にはＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製、ナイロン製など）で洗浄して表面のゴミを除去することが好ましい。また、多孔質なスポンジの代わりに、基板の面に平行な軸線まわりに回動して基板の面に接触するロールブラシ（ＰＶＡ製）を有する洗浄装置を用いてもよいし、基板の面に垂直な軸線まわりに回動しつつ基板の面に接触するディスクブラシ（ＰＶＡ製）を有する洗浄装置を用いてもよい。

また、基板側の成膜面から水分の進入を防止するため、有機化合物を含む膜の蒸着直前に真空加熱を行うことが好ましく、基板を搬送室５０４から真空加熱が可能な前処理室５０３に搬送し、上記基板に含まれる水分やその他のガスを徹底的に除去するために、アニールを真空（５×１０^−３Ｔｏｒｒ（０．６６５Ｐａ）以下、好ましくは１０^−４〜１０^−６Ｐａ）で行う。特に、層間絶縁膜や隔壁の材料として有機樹脂膜を用いた場合、有機樹脂材料によっては水分を吸着しやすく、さらに脱ガスが発生する恐れがあるため、有機化合物を含む層を形成する前に１００℃〜２５０℃、好ましくは１５０℃〜２００℃、例えば３０分以上の加熱を行った後、３０分の自然冷却を行って吸着水分を除去する真空加熱を行うことは有効である。

例えば、第１の電極（陽極）の表面をスポンジで洗浄した後、基板投入室５２０に搬入した後、蒸着直前に前処理室５０３に搬送して真空加熱（１７０℃、加熱３０分、冷却３０分）した後、成膜室５０６に搬送して大気に触れることなく蒸着法により発光層の形成を行えばよい。

次いで、搬送室５０４に連結された成膜室５０６へ基板を搬送機構５１１により搬送して、複合材料層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、または電子注入層となる層を適宜成膜する。発光素子の材料を適宜選択することにより、発光素子全体として、単色（具体的には白色、赤色、緑色、または青色）の発光を示す発光素子を形成することができる。成膜は蒸着源２００を備えたロボットが移動することで成膜を行う。なお、蒸着源にセットする坩堝は実施の形態１に記載したものを用いる。複合材料層における金属酸化物の蒸着には、開口部を有する蓋付きの坩堝の使用が好ましく、金属酸化物と金属酸化物より熱伝導率が高いセラミックスとを坩堝に充填し蒸着を行う。なお、複合材料層の有機化合物については、金属酸化物と同じ坩堝を用い、セラミックスの有無はどちらでも良い。その他の有機化合物を充填する坩堝は特に限定はされないが、金属酸化物の場合と同様、坩堝に蒸着材料と蒸着材料より熱伝導率の高いセラミックスとを充填し蒸着することで同様の効果を得ることができる。

また、成膜室５０６には、実施の形態３に示したように発光素子の材料や金属酸化物と熱伝導率が高いセラミックスとが充填された坩堝が複数備えられている坩堝設置室５２６ａ〜５２６ｄが設けられている。必要となる坩堝を成膜室に搬送し、順次蒸着を行う。また、フェイスダウン方式で基板をセットし、ＣＣＤなどで蒸着マスクの位置アライメントを行い、抵抗加熱法で蒸着を行うことで選択的に成膜を行うことができる。蒸着が終了すると基板は次の搬送室側に搬送されることとなる。

次いで、搬送室５１４内に設置されている搬送機構により、基板を成膜室５０６から取り出し、大気にふれさせることなく、成膜室５３０に搬送して陰極（または保護膜）を形成する。この陰極は、抵抗加熱を用いた蒸着法により形成される無機からなる金属膜（ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＣａＦ_２、ＬｉＦ、Ｃａ_３Ｎ_２などの合金、または周期表の１族もしくは２族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜、またはこれらの積層膜）である。また、スパッタ法を用いて陰極を形成してもよい。

また、上面射出型または両面射出型の発光装置を作製する場合には、陰極は透明または半透明であることが好ましく、上記金属膜の薄膜（１ｎｍ〜１０ｎｍ）、或いは上記金属膜の薄膜（１ｎｍ〜１０ｎｍ）と透明導電膜との積層を陰極とすることが好ましい。この場合、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）からなる膜を成膜室５０９でスパッタ法を用いて形成すればよい。以上の工程により、積層構造の発光素子が形成される。

また、搬送室５１４に連結した成膜室５０９で窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜からなる保護膜を形成してもよい。この場合、成膜室５０９内には、珪素からなるターゲット、または酸化珪素からなるターゲット、または窒化珪素からなるターゲットが備えられている。

例えば、珪素からなる円盤状のターゲットを用い、成膜室を窒素雰囲気または窒素とアルゴンを含む雰囲気とすることによって陰極上に窒化珪素膜を形成することができる。また、炭素を主成分とする薄膜（ＤＬＣ膜、ＣＮ膜、アモルファスカーボン膜）を保護膜として形成してもよい。また、別途、ＣＶＤ法を用いた成膜室を設けてもよい。ダイヤモンドライクカーボン膜（ＤＬＣ膜とも呼ばれる）は、プラズマＣＶＤ法（代表的には、ＲＦプラズマＣＶＤ法、マイクロ波ＣＶＤ法、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）ＣＶＤ法、熱フィラメントＣＶＤ法など）、燃焼炎法、スパッタ法、イオンビーム蒸着法、レーザー蒸着法などで形成することができる。成膜に用いる反応ガスは、水素ガスと、炭化水素系のガス（例えばＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_２、Ｃ_６Ｈ_６など）とを用い、グロー放電によりイオン化し、負の自己バイアスがかかったカソードにイオンを加速衝突させて成膜する。また、ＣＮ膜は反応ガスとしてＣ_２Ｈ_４ガスとＮ_２ガスとを用いて形成すればよい。なお、ＤＬＣ膜やＣＮ膜は、透明もしくは半透明な絶縁膜である。透明とは可視光の透過率が８０〜１００％であることを指し、半透明とは可視光の透過率が５０〜８０％であることを指す。

次いで、発光素子が形成された基板を取出室５１９に搬送する。

封止基板は、封止基板ロード室５１７に外部からセットし、用意される。なお、水分などの不純物を除去するために予め真空アニールを行うことが好ましい。そして、封止基板に発光素子が設けられた基板とを貼り合わせるためのシール材を形成する場合には、シーリング室５１８でシール材を形成する。また、封止基板に乾燥剤を設けてもよい。ここでは、封止基板に対してシール材を形成した例を示したが、特に限定されず、発光素子が形成された基板にシール材を形成してもよい。

次いで、取出室５１９で基板と封止基板と貼り合わせ、貼り合わせた一対の基板を取出室５１９に設けられた紫外線照射機構によってＵＶ光を照射してシール材を硬化させる。なお、ここではシール材として紫外線硬化樹脂を用いたが、接着材であれば、特に限定されない。

次いで、貼り合わせた一対の基板を取出室５１９から取り出す。

以上のように、図４に示した製造装置を用いることで完全に発光素子を密閉空間に封入するまで大気に曝さずに作製することが可能であるため、信頼性の高い発光装置を得ることが可能となる。また、蒸発源が移動し、成膜室５０６内を基板が移動することで短時間に蒸着が完了するため、スループットよく発光装置を作製することができる。

なお、律速となる処理室に搬送される基板をストックするために別にストック室を設けてもよい。また、ここでは図示しないが、各処理室での作業をコントロールするための制御装置や、各処理室間を搬送するための制御装置や、基板を個々の処理室に移動させる経路を制御して自動化を実現するコントロール制御装置などを設けている。

また、図４に示す製造装置では、陽極として透明導電膜（または金属膜（例えばＴｉＮなど）が設けられた基板を搬入し、有機化合物を含む層を形成した後、透明または半透明な陰極（例えば、薄い金属膜（Ａｌ、Ａｇ）と透明導電膜の積層）を形成することによって、上面射出型（或いは両面射出）の発光素子を形成することも可能である。なお、上面射出型の発光素子とは、陰極を透過させて有機化合物層において生じた発光を封止基板側から取り出すことが可能な発光素子を指している。

また、図４に示す製造装置では、陽極として透明導電膜が設けられた基板を搬入し、有機化合物を含む層を形成した後、金属膜（Ａｌ、Ａｇ）からなる陰極を形成することによって、下面射出型の発光素子を形成することも可能である。なお、下面射出型の発光素子とは、有機化合物層において生じた発光を透明電極である陽極からＴＦＴの方へ取り出し、さらに基板を通過させる発光素子を指している。

以上のように、本発明の蒸着法を用いて形成された発光素子は成膜中に暗点欠陥の原因となるゴミが混在することを抑制できる。また、有機化合物と金属酸化物の蒸着レートをそれぞれ一定にすることが可能であるため、複合材料層における有機化合物と金属酸化物との組成を制御でき、成膜の再現性が向上する。よって、信頼性のより高い発光素子を作製することが可能となる。

（実施の形態５）
本形態では、図５を用いて画素部に本発明の蒸着方法を用いて形成された発光素子を有する発光装置について説明する。なお、図５（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）中Ａ−Ａ’線断面図（Ａ−Ａ’で切断した断面図）である。点線で示された６０１は駆動回路部（ソース側駆動回路）、６０２は画素部、６０３は駆動回路部（ゲート側駆動回路）である。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間６０７になっている。

なお、６０８は、ソース側駆動回路６０１およびゲート側駆動回路６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示していないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていてもよい。本発明の発光装置には、発光装置本体だけの場合はもちろん、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図５（Ｂ）を用いて説明する。基板６１０上には駆動回路部および画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路６０１と、画素部６０２が示されている。

なお、ソース側駆動回路６０１はｎチャネル型ＴＦＴ６２３とｐチャネル型ＴＦＴ６２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成してもよい。また、本実施例では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示しているが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。

また、画素部６０２はスイッチング用ＴＦＴ６１１と、電流制御用ＴＦＴ６１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁物６１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。

また、成膜を良好なものとするため、絶縁物６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物６１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物６１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、あるいは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。さらには、絶縁物６１４の材料として有機物に限らず無機物が用いることができ、例えば酸化珪素、酸窒化珪素等を用いることができる。

第１の電極６１３上には、発光物質を含む層６１６、および第２の電極６１７がそれぞれ形成されている。

発光物質を含む層６１６は、蒸着法、またはインクジェット法によって形成される。発光物質を含む層６１６には、少なくとも発光層と、本発明の蒸着方法を用いて第１の電極に接して複合材料層が設けられていればその他の層の積層構造については特に限定されず、適宜選択することができる。

また、陽極として機能する第１の電極６１３、発光物質を含む層６１６、及び陰極として機能する第２の電極６１７は、実施の形態２に記載した各々の材料を適宜選択して用いることができる。

さらに、シール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光素子６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５で充填される構成も含むものとする。

なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−ＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄＰｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。

以上のようにして、本発明の蒸着方法を用いて作製された発光装置を得ることができる。本発明の蒸着法を用いて形成された発光装置は成膜中に暗点欠陥の原因となるゴミが混在することを抑制できる。また、有機化合物と金属酸化物の蒸着レートをそれぞれ一定にすることが可能であるため、複合材料層における有機化合物と金属酸化物との組成を制御でき、成膜の再現性が向上する。よって、信頼性のより高い発光装置を作製することが可能となる。

本形態は実施の形態１乃至４のいずれかと適宜組み合わせることが可能である。

また、本発明は上記の形態に限定されるものではない。

（実施の形態６）
本発明の有機トランジスタの構造の一形態を図９に示す。なお、７１０が基板、７１１がゲート電極、７１２がゲート絶縁膜、７１３が有機半導体材料を含む半導体層、７１４が有機化合物と金属酸化物の複合材料で形成される層（複合材料層）、７１５が導電層であり、ソース及びドレイン電極７１６ａ、ｂは、複合材料層７１４および導電層７１５を有する。各層及び電極の配置は、素子の用途により適宜選択できる。また、図９では複合材料層７１４が半導体層７１３に接して設けられているがこの限りではなく、ソース電極及び／またはドレイン電極の一部に含まれていれば良い。

図９（Ａ）の構造について、図１０の作製方法に沿って説明する。基板７１０は、ガラス基板、石英基板、結晶性ガラスなどの絶縁性基板や、セラミック基板、ステンレス基板、プラスチック基板（ポリイミド、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン等）等を用いることができる。また、これら基板は必要に応じてＣＭＰ等により研磨してから用いても良い。

基板７１０上に後にゲート電極７１１を形成する（図１０（Ａ））。ゲート電極７１１に用いる材料は、特に限定されるものではないが以下に挙げるような、白金、金、アルミニウム、クロム、ニッケル、コバルト、銅、チタン、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウムなどの金属及びそれらを含む合金、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレンなどの導電性高分子化合物、シリコン、ドープドシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素などの無機半導体、さらにこれらに酸（ルイス酸も含む）、ハロゲン原子、アルカリ金属やアルカリ土類金属などの金属原子などがドーピングされているものも挙げられる。形成方法についても特に限定は無く、スパッタリング法や蒸着法などにより成膜した後、エッチングなどの方法により所望の形状に加工すればよい。

次に、ゲート絶縁膜７１２を形成する（図１０（Ｂ））。ゲート絶縁膜７１２は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒素を含む酸化ケイ素及び酸素を含む窒化ケイ素などの無機絶縁材料や、アクリルやポリイミドなどの有機絶縁材料等を用いて形成すればよい。また、ケイ素と酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）、またはフルオロ基、または少なくとも水素を含む有機基とフルオロ基とを有する、いわゆるシロキサン系の材料を用いて形成してもよい。また、ゲート絶縁膜７１２は単層でもよいし、２以上の層からなる複数層としても良い。なお、これらの絶縁膜はディップ法、スピンコート法、液滴吐出法などの塗布法や、ＣＶＤ法、スパッタ法など公知の方法によって成膜することができる。有機材料やシロキサン系の材料は塗布法により成膜することができ、下層の凹凸を緩和することができる。

次にゲート絶縁膜７１２を覆う半導体層７１３を形成する（図１０（Ｃ））。半導体層７１３を形成する有機半導体材料はキャリア輸送性があり、かつ電界効果によりキャリア密度の変調が起こりうる有機材料であれば、低分子、高分子のいずれも用いることができる。その種類は特に限定されるものではないが、多環芳香族化合物、共役二重結合化合物、金属フタロシアニン錯体、電荷移動錯体、縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、オリゴチオフェン類、フラーレン類、カーボンナノチューブ、などが挙げられる。例えばポリピロール、ポリチオフェン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリチエニレンビニレン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリアニリン、ポリアズレン、ポリピレン、ポリカルバゾール、ポリセレノフェン、ポリフラン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリインドール、ポリビリダジン、ナフタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、アントラセン、トリフェノジオキサジン、トリフェノジリアジン、ヘキサセン−６，１５−キノン、ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィド、ポリビニルピリジン、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、アントラセンテトラカルボン酸ジイミド、Ｃ_６０、Ｃ_７０、Ｃ_７６、Ｃ_７８、Ｃ_８４及びこれらの誘導体を用いることができる。また、これらの具体例としては、一般的にＰ型半導体とされるテトラセン、ペンタセン、セクシチオフェン（６Ｔ）、銅フタロシアニン、ビス−（１，２，５−チアジアゾロ）−ｐ−キノビス（１、３−ジチオール）、ルブレン、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）（ＰＴＶ）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ジオクチルフルオレン−ビチオフェンコポリマー（Ｆ８Ｔ２）、一般的にＮ型半導体とされる７，７，８，８，−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物（ＰＴＣＤＡ）、１，４，５，８，−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（ＮＴＣＤＡ）、１１，１１，１２，１２，−テトラシアノ−１，４−ナフタキノジメタン（ＴＣＮＮＱ）、Ｎ，Ｎ’−ジオクチルー３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（ＰＴＣＤＩ−Ｃ８Ｈ）、銅十六フッ化フタロシアニン（Ｆ_１６ＣｕＰｃ）、３’，４’−ジブチル−５，５’’−ビス（ジシアノメチレン）−５、５’’−ジヒドロ−２，２’：５’，２’’−テルチオフェン）（ＤＣＭＴ）等がある。なお、有機半導体においてＰ型やＮ型の特性はその物質固有のものでは無く、キャリアを注入する電極との関係や注入の際の電界の強度に依存し、どちらになりやすいという傾向はあるもののＰ型半導体としてもＮ型半導体としても使用することができる。なお、本実施の形態においては、Ｐ型半導体がより好ましい。

これらの有機半導体材料は、蒸着法やスピンコート法、液滴吐出法などの方法により成膜することができる。

次に半導体層７１３の上に複合材料層７１４を形成する（図１０（Ｄ））。本発明の複合材料層７１４に使用する有機化合物の種類は特に限定されるものではないが、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（ＤＮＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）のような芳香族アミン骨格を有するものが好ましい。また、Ｎ−（２−ナフチル）カルバゾール（ＮＣｚ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（ＣＢＰ）などのＮ−アリールカルバゾール誘導体やアントラセンや９，１０−ジフェニルアントラセン（ＤＰＡ）などの芳香族炭化水素を用いることもできる。また、半導体層７１３として用いることが可能な材料も使用することができる。この場合、半導体層７１３と複合材料層７１４との密着性や界面の化学安定性が向上する。また、製造プロセスが簡便になるといった利点があげられる。

複合材料層７１４に使用する金属酸化物は特に限定されるものではないが、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどが挙げられる。なかでも、電子受容性が高い酸化モリブデンは、大気中においても安定であるため好ましい。なお、金属酸化物が５ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下、より好ましくは１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下で含有されている複合材料層であることが望ましい。

なお、複合材料層７１４は、本発明の蒸着方法を用いて共蒸着により作製する。それぞれの蒸着材料を充填する容器は実施の形態１に記載した図１（Ａ）もしくは（Ｂ）の坩堝を用いる。金属酸化物の蒸着には、開口部を有する蓋付きの坩堝の使用が好ましく、金属酸化物と金属酸化物より熱伝導率が高いセラミックスとを充填し蒸着する。なお、有機化合物については、金属酸化物と同じ坩堝を用い、セラミックスの有無はどちらでも良い。ただし、有機化合物の蒸着においても、金属酸化物の場合と同様、坩堝に蒸着材料と蒸着材料より熱伝導率が高いセラミックスとを充填し蒸着することで同様の効果を得ることができる。

次に、導電層７１５を形成する（図１０（Ｅ））。導電層７１５に使用する材料は、特に限定されるものではないが、金、白金、アルミニウム、タングステン、チタン、銅、モリブデン、タンタル、ニオブ、クロム、ニッケル、コバルト、マグネシウムなどの金属及びそれらを含む合金、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレンなどの導電性高分子化合物等が挙げられる。一般的にはソース及びドレイン電極７１６ａ、ｂに用いる導電層７１５としては、金属を用いることが多い。

なお、形成方法は半導体層７１３が分解しないようなものであれば特に限定は無く、スパッタリング法や蒸着法などにより成膜した後、エッチングするなどの方法により所望の形状に加工し作製すればよい。また、導電物を含む液滴を用いてインクジェット法等によって形成してもよい。

以上のようにして作製した有機トランジスタの複合材料層７１４は、本発明を用いることにより膜中へのゴミの混入を抑制することができる。よって、良好な膜とすることができ、信頼性の高い有機トランジスタを作製することができる。

また、半導体層７１３と導電層７１５との間に複合材料層７１４を挿入した構成のソース及びドレイン電極７１６ａ、ｂを用いることにより、半導体層７１３とソース及びドレイン電極７１６ａ、ｂとの間のエネルギー障壁が低減し、ソース及びドレイン電極の一方の電極から半導体層へのキャリアの注入と半導体層から他方の電極へのキャリアの排出が容易になる。このため、導電層７１５の材料は半導体層７１３とエネルギー障壁が低い材料を選択する必要がなく、仕事関数の制約無しに選択することが可能となる。

複合材料層７１４はキャリア注入性に優れている他、半導体層７１３との密着性も導電層７１５に比較して良好である。なお、本構成のソース及びドレイン電極７１６ａ、ｂは、配線と兼用することができる。

さらに半導体層７１３の下面に接して、ポリイミド、ポリアミック酸、ポリビニルフェニールなど有機絶縁材料を成膜しても良い。このような構成により、有機半導体材料の配向をさらに高めるほか、ゲート絶縁膜７１２と半導体層７１３との密着性をさらに向上することができる。

本実施形態では、図９（Ａ）の構造のように半導体層７１３上にソース及びドレイン電極７１６ａ、ｂが設けられた構造（トップコンタクト型構造）を例示したが、本発明は図９（Ｂ）の構造のような有機半導体層の下にソース電極、ドレイン電極を設ける構造（ボトムコンタクト型構造）であっても良い。

ボトムゲート型の場合には、トップコンタクト型構造を採用したほうがキャリア移動度が大きいといった利点がある。一方、ボトムコンタクト型構造を用いた場合、ソース及びドレイン配線の微細加工を施すためにフォトリソグラフィなどの工程を容易に用いることができる。そのため、有機トランジスタの構造はその長所、短所に合わせて適宜選択すれば良い。

本形態は、実施の形態１及び３と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態７）
本発明の有機トランジスタを含む液晶表示装置及び表示装置の態様について、図１１乃至１３を用いて説明する。

図１１は液晶表示装置を模式的に表した上面図である。点線で示された８１１は駆動回路部（ソース側駆動回路）、８１２は画素部、８１３は駆動回路部（ゲート側駆動回路）であり、これらは対向基板８１４とシール材８１５により封止されている。なお、８１０は素子基板である。

ソース側駆動回路８１１およびゲート側駆動回路８１３は、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）８１９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示していないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていてもよい。本発明の発光装置には、発光装置本体だけの場合はもちろん、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

画素部８１２について特に限定はなく、例えば図１２の断面図のように、液晶素子とそれを駆動するためのトランジスタとを有する。

図１２の断面図で表される液晶表示装置は、実施の形態６に記載された有機トランジスタと同様に本発明の蒸着方法を用いて形成された複合材料層７１４を有する有機トランジスタ８０１を素子基板８１０上に有する。なお、実施の形態６と同様のものは共通の符号を用いて示し、説明は省略する。

有機トランジスタ８０１は、絶縁層８０２によって覆われており、コンタクトホールを介してソース及びドレイン電極の一部として機能する導電層７１５の一方と画素電極８０３とが電気的に接続されている。液晶素子は、対向基板８１４に形成された対向電極８０５と画素電極８０３との間に液晶層８０６を挟んで成り、液晶層８０６と接する側の対向電極８０５及び画素電極８０３の表面には、配向膜８０７、８０８が設けられている。なお、液晶層８０６は、スペーサ８０９によりセルギャップが保たれたれている。なお、液晶表示装置の構成について特に限定はない。

続いて、本発明の有機トランジスタ８０１を用いた発光装置について図１３を参照しながら説明する。なお、前記発光装置の上面図は図１１と同様であるため省略する。図１３の断面図で表される発光装置は、実施の形態６に記載された有機トランジスタと同様に本発明の蒸着方法を用いて形成された複合材料層７１４を有する有機トランジスタ８０１を素子基板８１０上に有する。なお、実施の形態６と同様のものは共通の符号を用いて示し、説明は省略する。

有機トランジスタ８０１は、絶縁層８０２によって覆われており、コンタクトホールを介してソース及びドレイン電極の一部として機能する導電層７１５の一方と第１の電極９０１とが電気的に接続されている。第１の電極９０１の端部は絶縁層９０２で覆われており、絶縁層９０２から露出した部分を覆うように発光層９０３が形成されている。発光層９０３上には第２の電極９０４及びパッシベーション膜９０５が形成されている。なお、基板８１０と対向基板８１４とを画素部の外側においてシール材（図示しない）を用いて封止することによって、発光層９０３を外気から隔離する。対向基板８１４と基板８１０との間の空間９０７には乾燥した窒素などの不活性気体を充填しても良いし、シール材の代わりに空間９０７に樹脂などを充填することによって封止を行っても良い。なお、発光装置の構成について特に限定はない。また、対向基板８１４は封止基板とも言う。

有機トランジスタ８０１に本発明の蒸着方法を用いて形成した複合材料層を用いることにより、膜中へのゴミの混入を抑制することが可能となり、信頼性の高い表示装置を得ることができる。

本形態は、実施の形態１乃至４及び６と適宜組み合わせることができる。

また、このような液晶表示装置または発光装置は、後述する実施例２に記載した電子機器に適用することも可能である。

本実施例は、実施の形態１に記載の開口部を有する蓋付きの坩堝に蒸着材料と前記蒸着材料より熱伝導率の高いセラミックスを充填し、蒸着実験を行った結果についてである。本実施例では坩堝及び蓋の材料としてチタンを用い、蓋には銀の薄膜を巻いた。また、蒸着材料として三酸化モリブデンを用い、蒸着材料より熱導電性の高いセラミックスとして炭化ケイ素（ＳｉＣ、粒径約１ｍｍ）を用いた。成膜温度は真空中にて５００〜５５０℃とした。

蒸着材料にＳｉＣを混在させない場合の成膜レートを図６（Ａ）に、混在させた場合の成膜レートを図６（Ｂ）に示す。図６より、ＳｉＣを混在させない場合には、成膜レートは不安定かつ時間の増加に伴い減少するのに対し、ＳｉＣを混在させた場合は成膜レートが安定することがわかった。
さらに、蒸着を行った後の坩堝の写真を図７に示す。ＳｉＣを蒸着材料に混在させずに２時間の蒸着を行った後、充填物を取り除いた後の坩堝の写真を図７（Ａ）に、蓋の写真を（Ｂ）に示す。また、ＳｉＣを蒸着材料に混在させ、５時間の蒸着を行った後、充填物を取り除いた後の坩堝の写真を図７（Ｃ）に、蓋の写真を（Ｄ）に示す。
図７（Ａ）より、ＳｉＣを蒸着材料に混在させなかった場合、坩堝の内壁に副生成物が観察された。また、この副生成物は蒸着材料の界面にも堆積していた。
一方、図７（Ｃ）より、ＳｉＣを混在した場合、蒸着時間を２時間より多い５時間と増加しても副生成物は観察されなかった。よって、ＳｉＣを蒸着材料と混在させることで副生成物の生成を抑制すると共に蒸着材料の界面に副生成物が堆積することを防ぐことができる。
さらに、図７（Ｂ）および（Ｄ）を比較した結果、ＳｉＣを混入した場合の方が、開口部への蒸発した酸化モリブデン（緑白色）の付着量が少ないことがわかった。よって、蓋をしたとしても蒸着材料にＳｉＣを混在させることで蓋における開口領域の縮小は抑制できる。

以上のことから、ＳｉＣを蒸着材料に混在させることで蒸発レートを一定に保つことが可能である。また、副生成物の堆積および開口部への蒸着物質の付着がないため、一度温度を下げた後、再度蒸着源として同じ坩堝を用いた場合においても同じ蒸発レートを得ることができる。

本発明により、様々な表示装置を実現することができる。

その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それらの例を図８に示す。

図８（Ａ）は、パーソナルコンピュータであり、本体２１０１、筐体２１０２、表示部２１０３、キーボード２１０４、外部接続ポート２１０５、ポインティングマウス２１０６等を含む。本発明によって、表示部２１０３を形成することが可能となる。本発明を用いることによって、暗点欠陥が少ない良好な画像を表示することができる。

図８（Ｂ）は記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部Ａ２２０３、表示部Ｂ２２０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２２０５、操作キー２２０６、スピーカー部２２０７等を含む。表示部Ａ２２０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２２０４は主として文字情報を表示するが、本発明によって、これら表示部Ａ２２０３、表示部Ｂ２２０４を形成することが可能となる。本発明を用いると、小型化し、配線等が精密化しても、暗点欠陥が少ない良好な画像を表示することができる。

図８（Ｃ）は携帯電話であり、本体２３０１、音声出力部２３０２、音声入力部２３０３、表示部２３０４、操作スイッチ２３０５、アンテナ２３０６等を含む。本発明により作製される表示装置を表示部２３０４に適用することで、小型化し、配線等が精密化する携帯電話であっても、暗点欠陥が少ない良好な画像を表示することができる。

図８（Ｄ）はビデオカメラであり、本体２４０１、表示部２４０２、筐体２４０３、外部接続ポート２４０４、リモコン受信部２４０５、受像部２４０６、バッテリー２４０７、音声入力部２４０８、操作キー２４０９等を含む。本発明によって、表示部２４０２を形成することができる。本発明により作製される表示装置を表示部２３０４に適用することで、小型化し、配線等が精密化するビデオカメラであっても、暗点欠陥が少ない良好な画像を表示することができる。

以上の様に、本発明を用い作製した表示装置の適用範囲は極めて広く、この表示装置をあらゆる分野の電気器具に適用することが可能である。

本発明の構成の一部である坩堝の図。本発明の蒸着方法を用いて形成した発光素子の図。本発明を用いた蒸着装置の図。本発明を用いたマルチチャンバー型の蒸着装置の図。本発明を用いて作製した発光装置の図。三酸化モリブデンの蒸着レートの図。蒸着後の坩堝の写真。本発明を用いて作製した電子機器の例。本発明を用いて作製した有機トランジスタの図。本発明を用いて作製した有機トランジスタの作製方法について説明する図。本発明を用いて作製した有機トランジスタを有する液晶表示装置の上面図。本発明を用いて作製した有機トランジスタを有する液晶表示装置の断面図。本発明を用いて作製した有機トランジスタを有する発光装置の断面図。

符号の説明

１１坩堝
１２蓋
１３坩堝
１４金属酸化物
１５セラミックス
１０１基板
１０２第１の電極
１０３第１の層
１０４第２の層
１０５第３の層
１０６第４の層
１０７第２の電極
２００蒸着源
４００基板
４０１成膜室
４０２搬送室
４０３搬送室
４０４坩堝設置室
４０５蒸着源駆動用ロボット
４０６坩堝搬送ロボット
４０７坩堝設置用回転台
４０８シャッター
４０９シャッター
４１０シャッター
４１１扉
４１２蒸着源
４１３坩堝
５００ａ〜ｍシャッター
５０３前処理室
５０４搬送室
５０６成膜室
５０９成膜室
５１１搬送機構
５１４搬送室
５１７封止基板ロード室
５１８シーリング室
５１９取出室
５２０基板投入室
５２６ａ〜ｄ坩堝設置室
５３０成膜室
６０１ソース側駆動回路
６０２画素部
６０３ゲート側駆動回路
６０４封止基板
６０５シール材
６０７空間
６０９ＦＰＣ
６１０基板
６１１スイッチング用ＴＦＴ
６１２電流制御用ＴＦＴ
６１３第１の電極
６１４絶縁物
６１６発光物質を含む層
６１７第２の電極
６１８発光素子
６２３ｎチャネル型ＴＦＴ
６２４ｐチャネル型ＴＦＴ
７１０基板
７１１ゲート電極
７１２ゲート絶縁膜
７１３半導体層
７１４複合材料層
７１５導電層
７１６ａ、ｂソース及びドレイン電極
８０１有機トランジスタ
８０２絶縁層
８０３画素電極
８０５対向電極
８０６液晶層
８０７配向膜
８０８配向膜
８０９スペーサ
８１０基板
８１１ソース側駆動回路
８１２画素部
８１３ゲート側駆動回路
８１４対向基板
８１５シール材
８１９ＦＰＣ
９０１第１の電極
９０２絶縁層
９０３発光層
９０４第２の電極
９０５パッシベーション膜
９０６対向基板
９０７空間
２１０１本体
２１０２筺体
２１０３表示部
２１０４キーボード
２１０５外部接続ポート
２１０６ポインティングマウス
２２０１本体
２２０２筺体
２２０３表示部Ａ
２２０４表示部Ｂ
２２０５記録媒体読み込み部
２２０６操作キー
２２０７スピーカー部
２３０１本体
２３０２音声出力部
２３０３音声入力部
２３０４表示部
２３０５操作スイッチ
２３０６アンテナ
２４０１本体
２４０２表示部
２４０３筺体
２４０４外部接続ポート
２４０５リモコン受信部
２４０６受像部
２４０７バッテリー
２４０８音声入力部
２４０９操作キー

Claims

三酸化モリブデンと炭化ケイ素とをチタン坩堝に充填し、
前記チタン坩堝に銀の薄膜が巻かれ開口部を有するチタン蓋をし、
前記チタン坩堝を加熱することによって、前記三酸化モリブデンを被蒸着物に蒸着することを特徴とする蒸着物の作製方法。
金属酸化物と炭化ケイ素とをチタン坩堝に充填し、
前記チタン坩堝に銀の薄膜が巻かれ開口部を有するチタン蓋をし、
前記チタン坩堝を加熱することによって、前記金属酸化物を被蒸着物に蒸着することを特徴とする蒸着物の作製方法。
金属酸化物と、前記金属酸化物より熱伝導率が高いセラミックスとをチタン坩堝に充填し、
前記チタン坩堝に銀の薄膜が巻かれ開口部を有するチタン蓋をし、
前記チタン坩堝を加熱することによって、前記金属酸化物を被蒸着物に蒸着することを特徴とする蒸着物の作製方法。