KR100951493B1 - 진공 박막 증착용 분자빔 에피탁시 발사셀과 방법 - Google Patents

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Abstract

분자빔 에피탁시 발사셀(Molecular Beam Epitaxy Effusion Cell)은, 증발재료(5)를 가열하는 것에 의해, 그 증발재료(5)를 용융, 증발하여, 고체표면에 박막을 성장시키기 위한 증발분자를 발생하는 것이다. 이 분자빔 에피탁시 발사셀은, 증발재료(5)를 수납하는 도가니(1)와, 이 도가니(1)에 수납된 상기 증발재료(5)를 가열하는 가열수단을 갖고, 상기 도가니(1)에 상기 증발재료(5)와 함께, 열적, 화학적으로 안정하고 있고, 또한 상기 증발재료(5)보다 열전도율이 높은 파이롤리틱 질화붕소(PBN, Pyrolytic Boron Nitride)로 이루어지는 열전도매체(4)를 수납한 것이다.

Description

진공 박막 증착용 분자빔 에피탁시 발사셀과 방법{A MORECULAR BEAM EPITAXY EFFUSION CELL FOR USE IN VACUUM THIN FILM DEPOSITION AND A METHOD THEREFOR}
도 1은, 본 발명의 일실시형태에 의한 분자빔 에피탁시 발사셀을 나타내는, 특히 전체적인 구성을 나타내는 개략종단측면도이다.
도 2는, 같은 분자빔 에피탁시 발사셀의 도가니에 수납된 증발재료와 열전도매체의 형태를 나타내는 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 다른 실시형태에 의한 분자빔 에피탁시 발사셀을 나타내는, 특히 전체적인 구성을 나타내는 개략종단측면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 도가니 2 : 증기방출구
3 : 히터 4 : 열전도매체
5 : 증발재료 6 : 반사기
7 : 온도측정소자 8 : 플랜지
9 : 셔터 10 : 셔터축
11 : 드라프트부 12 : 기판홀더
13 : 기판
본 발명은, 증발재료를 가열하는 것에 의해, 그 증발재료를 용융, 증발하여, 고체표면에 박막을 성장시키기 위한 분자빔(Beam) 또는 원자빔을 발생하는 진공 박막 증착용 분자빔 에피탁시 발사셀(Modecular Beam Epitaxy Effusion Cell)에 관한 것으로서, 특히 열전도율이 낮은 유기 일렉트로 루미네센스(EL, Electro Lumines cence)재료 등과 같은 증발재료의 증발에 바람직한 분자빔 에피탁시 발사셀에 관한 것이다.
분자빔 에피탁시 장치(MBE)라고 불리는 박막 증착장치는, 높은 진공상태를 발생할 수 있는 진공챔버내에 반도체웨이퍼 등의 기판을 설치하고, 원하는 온도로 가열함과 동시에, 이 기판의 박막 성장면을 향해서 쿠누드센셀(Kunudsen Cell) 등의 분자빔 에피탁시 발사셀을 설치한 것이다. 이 분자빔 에피탁시 발사셀의 도가니에 수납한 증발재료를 히터에 의해 가열하여 용융, 증발시키고, 이에 따라 발생한 증발분자를 상기 기판의 박막 성장면에 입사하여, 그 면에 박막을 에피탁셜성장시켜, 증발재료의 막을 형성한다.
이러한 박막 증착장치에 사용되는 분자빔 에피탁시 발사셀은 열적, 화학적으로 안정성이 높은, 예를 들면 파일로리틱 질화붕소(PBN, Pyrolytic Boron Nitride) 등으로 제조된 도가니 속에 증발재료를 수납하고, 이 증발재료를 도가니의 바깥쪽 둘레에 설치된 전기히터로 가열하여, 이에 따라 증발재료를 용융, 증발시켜, 증발 분자를 발생시키는 것이다.
최근에, 특히, 디스플레이나 광통신 등의 분야에서, 유기 일렉트로 루미네센스 소자(즉, 유기 EL소자)의 연구, 개발이 진행되고 있다. 이 유기 EL소자는, 발광 또는 냉광(Luminescence)기능을 갖는 유기저분자 또는 유기고분자재료로부터 형성된 발광층을 가진 소자이고, 자기발광형의 소자로서의 그 특성이 주목받고 있다. 예를 들면 그 기본적인 구조는, 홀(Hole) 주입 전극상에 트리페닐디아민(TPD, Tri-phenyl-diamine) 등의 홀 이송을 위한 재료의 막을 형성하고, 이 위에 알루믹노리놀착체(Aluminum Quinolinol Complex, Alq3) 등의 형광물질을 발광층으로서 적층하고, 또한, Mg, Li, Cs 등의 작은 일함수(Work Function)를 가진 금속전극을 전자주입전극으로서 형성한 것이다.
상기와 같은 유기 EL(Electro Luminescence)을 형성하는 각 층은, 상술한 바와 같은 박막 증착장치를 사용하여 형성된다. 그런데, 특히 유기 EL막을 형성하기 위한 유기 EL재료는, 융점이 낮을 뿐만 아니라 열전도율도 낮다. 이 때문에, 상술한 바와 같은 분자빔 에피탁시 발사셀을 이용하여 가열, 증발하고자 하면, 히터로 가열되는 도가니의 둘레벽에 가까운 주위의 부분에서는, 증발에 필요한 소요의 온도를 얻을 수 있더라도, 도가니의 중앙쪽에서 온도가 극단적으로 낮아져서, 증발온도에 모자라는 상태가 된다.
이러한 상태에서는, 도가니에 수납된 증발재료 중, 도가니의 둘레벽에 가까운 주위의 부분만이 증발되어, 도가니의 중앙부에 있는 증발재료가 증발되지 않고 남아 버린다. 그 때문에, 재료의 수율이 떨어질 뿐만 아니라, 온도의 불균일성에 의한 막의 결함 등이 발생하기 쉽다.
본 발명은, 이러한 종래의 분자빔 에피탁시 발사셀에 있어서의 문제를 해결하기 위해, 유기 EL재료와 같은 열전도율이 낮은 증발재료더라도, 도가니 속에서 효율적으로 열전도될 수 있도록 하여, 이에 따라 도가니의 속에서의 온도 구배를 작게 하고, 증발재료를 효율적으로 증발시켜, 증발분자를 발생할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에서는, 도가니(1)에 증발재료(5)만을 수납하지 않고, 화학적, 열적으로 안정하고 있고, 또한 그 증발재료(5)보다 열전도율이 높은 열전도매체(4)를 수납한 것이다. 이에 따라, 히터(3)로부터의 열이 상기의 열전도매체(4)를 통해 도가니(1)의 내부에까지 열전도하여, 도가니(1)의 내부의 증발재료(5)도 효율적으로 증발할 수 있도록 하였다.
즉, 본 발명에 의한 분자빔 에피탁시 발사셀은, 증발재료(5)를 가열하는 것에 의해, 그 증발재료(5)를 용융, 증발하여, 고체표면에 박막을 성장시키기 위한 증발분자를 발생하는 것으로서: 증발재료(5)를 수납하는 도가니(1)와; 이 도가니 (1)에 수납된 상기 증발재료(5)를 가열하는 가열수단으로 구성되며, 상기 도가니 (1)에 상기 증발재료(5)와 같이, 열적, 화학적으로 안정하고 있고, 또한 상기 증발재료(5) 보다 열전도율이 높은 열전도매체(4)를 수납한 것이다.
예를 들면, 열전도매체(4)로서는, 파이롤리틱 질화붕소(PBN), 실리콘카바이드, 질화알루미늄 등중 적어도 하나를 포함하는 높은 열전도재료로 이루어지는 것을 예시할 수 있다.
상기와 같은 분자빔 에피탁시 발사셀에 있어서, 증발재료(5)는 열전도율이 낮고, 히터(3)의 열을 충분히 열전도할 수 없는 경우이더라도, 열전도매체(4)가 히터(3)의 열을 열전도하여, 도가니(1)의 내부까지 열을 전한다. 이 때문에, 도가니(1)의 둘레벽 가까이와 중앙부와의 온도차가 작아져서, 도가니(1)의 내부의 증발재료(5)도 용이하게 증발시킬 수가 있다.
다른 한편, 파이롤리틱 질화붕소(PBN), 실리콘카바이드, 질화 알루미늄 등의 높은 열전도재료로 이루어지는 열전도매체(4)는, 열적, 화학적으로 안정하고, 히터 (1)에 의한 가열에 의해 증발하거나 분해하지 않기 때문에, 발생하는 증발분자에 섞여서 막의 조성에 영향을 주는 것과 같은 일은 없다. 따라서, 원하는 재료의 성막에 지장을 초래하지는 않는다.
이와 같이, 본 발명에 의한 분자빔 에피탁시 발사셀에서는, 열전도율이 낮은 증발재료(5)이더라도, 도가니(1)내에서 균일한 온도분포로 가열하여 용융, 증발할 수가 있기 때문에, 증발재료(5)는 높은 수율을 가지도록 증발하여, 고체의 표면에 결정성장될 수가 있다. 이에 따라, 재료의 사용효율을 높일 수가 있을 뿐만 아니라, 증발재료(5)의 온도변화가 없어져서, 결정성장에 의해 형성된 막의 품질을 높일 수가 있다.
<실시예>
본 발명의 목적과 장점은 첨부되는 도면과 관련하여 다음의 발명의 상세한 설명에서 더욱 뚜렷해질 것이다.
이후, 첨부된 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시의 형태에 관해서, 구체적이고 또한 상세히 설명한다.
도 1에 본 발명의 일실시형태에 의한 분자빔 에피탁시 발사셀의 개략을 나타낸다. 이 도면에 나타내는 바와 같이, 상단에 증기방출구(2)를 갖는 도가니(1)가 설치되고, 이 도가니(1)의 주위에 그 내부의 증발재료(5)를 가열하기 위한 히터(3)가 설치되어 있다. 도가니(1)는, 열적, 화학적으로 안정한 재료로 형성되고, 예를 들면 상술한 바와 것 같은 PBN(Pyrolytic Boron Nitride)에서 만들어지고 있다. 도시하는 도가니(1)는, 증기방출구(2)의 부분이 점차적으로 좁아지고, 그 상단측이 점차로 늘어나는 테이퍼가 형성된 뿔형상의 드라프트부(11)가 형성되어 있다. 후술하는 열전도매체(4)와 증발재료(5)를 수납하는 도가니(1)의 증기방출구(2)보다 아래의 본체부분은, 원통형이다.
히터(3)의 바깥쪽에는, 그 히터(3)의 열을 도가니(1)측에 반사하는 반사기 (6)가 설치되어 있다. 이 반사기(6)나 도가니(1)는, 프렌지(8)의 위에 세워 설치되어 있고, 이 프렌지(8)를 통해 도시하지 않은 진공챔버의 하부포트에 부착되고, 분자빔 에피탁시 발사셀이 진공챔버의 안쪽에 설치된다.
도가니(1)의 바닥면 혹은 주위에는 열전쌍 등의 온도측정소자(7)의 온도측정점이 부착되어, 히터(3)에 의한 도가니(1)의 가열온도가 측정되며, 감시된다.
또한, 프렌지(8)에는, 셔터축(10)이 축받이되어, 이 셔터축(10)의 회전에 의 해 개폐 조작되는 셔터(9)가 도가니(1)의 증기방출구(2)를 개폐한다.
셔터(9)를 사이에 두고 도가니(1)의 증기방출구(2)와 대향하도록, 그 바로 위에 기판홀더(12)에 유지된 반도체웨이퍼, ITO 등의 투명도전막을 형성한 유리 등의 기판(13)이 배치된다.
이러한 분자빔 에피탁시 발사셀에 있어서, 그 도가니(1)의 속에는 증발재료 (5)가 수납된다. 또한, 이 도가니(1)에는, 상기 증발재료(5)와 함께, 입자형상의 열전도매체(4)가 수납되어 있다. 이 열전도매체(4)는, 열적, 화학적으로 안정되어 있고, 또한 증발재료(5)보다 열전도율이 높은 것으로 만들어진다. 예를 들면 열전도매체(4)는, 도가니(1)와 같은 PBN, 실리콘카바이드 혹은 질화알루미늄 등의 높은 열전도재료로 만들어져 있다.
이 열전도매체(4)는, 도가니(1) 속에서 그 밀도가 균일하게 되도록 분산하여 도가니(1) 속에 수납한다. 증발재료(5)의 열전도율이 낮기 때문에, 도가니(1)의 둘레벽에 가까운 부분과 중앙부분에서 온도차가 커지기 쉬울 때는, 열전도매체(4)를 도가니(1)내에 빈틈없게 수납되도록 한다. 다른 한편, 또한 증발재료(5)의 열전도율이 그다지 낮지 않기 때문에, 도가니(1)의 둘레벽에 가까운 부분과 중앙부분에서 온도차가 너무 크지 않을 때는, 열전도매체(4)를 도가니(1)의 속에 드문드문하게 수납한다. 열전도매체(4)와 증발재료(5)를 도가니(1) 내에 수납하는 용적비는, 70% : 30% 전후가 일반적이다.
이러한 분자빔 에피탁시 발사셀에서는, 히터(3)에 의해서 도가니(1)를 가열하면, 도가니(1)를 통해 내부의 열전도매체(4)가 가열되고, 이 열전도매체(4)를 통 해 증발재료(5)가 간접적으로 가열된다.
열전도매체(4)는 증발재료(5)보다 열전도율이 높기 때문에, 증발재료(5)만으로는, 도가니(1)의 중앙까지 열이 전달되지 않는 경우이더라도, 이 열전도매체(4)에 의해 도가니(1)의 중앙까지 열이 전해져서, 그 도가니(1)의 중앙에 있는 증발재료(5)도 가열되어 용융, 증발된다. 이에 따라, 도가니(1)에 수납된 증발재료(5)가 빈틈없게 가열, 용융, 증발된다.
또한 열전도매체(4)는, 도가니(1)와 같은 PBN 등과 같이, 열적, 화학적으로 안정한 재료로 만들어지고 있기 때문에, 히터(3)에서의 가열에 의해서 용융, 증발하는 일은 없다. 따라서, 도가니(1)의 증기방출구(2)로부터 방사되는 증발분자 속에 열전도매체(4)를 형성하는 분자가 포함되지 않아, 결정성장하는 막의 조성에 나쁜영향을 주지 않는다.
그러나, 증발재료(5)가 EL발광기능을 갖는 유기저분자 또는 유기고분자재료인 경우, 그 기화온도는, 구리 등의 금속 등에 비교하여 훨씬 낮아, 대부분은 200℃ 이하이다. 다른 한편, 열분해온도도 비교적 낮아, 상기와 같은 유기저분자 또는 유기고분자재료의 증발에는, 그 기화온도 이상, 열분해온도이하의 온도에서 가열할 필요가 있다.
열전도매체(4)를 통해 가열되어, 기화한 증발재료(5)는, 도가니(1)에 충전한 열전도매체(4)와 증발재료(5)와의 표면으로부터 증발하기 시작한다. 이 증발에 의해, 열전도매체(4)의 사이에 틈이 생겨, 도가니(1) 속에서 증발한 증기가 이 열전도매체(4)의 틈을 통해서 상승하여, 마치 도가니(1)에 충전한 열전도매체(4)의 표 면으로부터 증발하는 상태가 된다. 도가니(1)내의 열전도매체(4)의 용적은 70% 전후이기 때문에, 증발재료(5)가 증발하여, 증발분자로서 도가니(1)로부터 방출되더라도, 도가니(1)내의 수납물의 레벨은 그다지 변하지 않는다. 그 때문에, 상술한 외관상의 증발위치는 저하하지 않고, 변하지 않는다. 또한, 증발재료(5)가 증발하여, 그것들이 증발분자로서 도가니(1)내에서 방출되더라도, 도가니(1)내에는 열전도매체(4)가 남아 있기 때문에, 열용량의 감소도 작다.
이와 같이 하여 증발재료(5)가 용융하여, 증발함으로써 발생한 증발재료(5)의 증발분자는, 증기방출구(2)로부터 방출된다. 셔터(9)를 연 상태에서는, 증기방출구(2)로부터 방출된 증발분자가 기판(13)의 표면상에 날려 붙어, 그 기판(13)의 표면상에 응착하여 박막을 증착시킨다.
종래의 원통형의 도가니에서는, 증발분자의 방출구도 원통형이기 때문에, 소위 굴뚝효과(Chimney Effect)에 의해, 도가니의 중심축 부근에서의 증발분자의 밀도가 극단적으로 커져서, 기판의 중앙부와 그 주변부의 막두께의 차가 커진다.
이것을 개선하기 위해서 제안된 반대 원뿔형의 수납공간을 갖는 원뿔형의 도가니에서는, 위로 넓어지는 테이퍼에 의해 증발분자가 넓어지면서 방출되기 때문에, 기판표면에서의 막두께의 불균일성은 개선된다. 그러나, 증발재료의 증발이 진행되면, 도가니 내부의 나머지의 증발재료의 용적과 그 표면의 면적이 급격히 작아진다. 이 때문에, 온도제어나 증발양상의 제어가 극단적으로 곤란하게 된다.
이에 비하여, 도 1에 의해 상술한 바와 같은 도가니(1)에서는, 증기방출구 (2)의 부분이 점차적으로 좁아지고, 그 상단의 지름이 점차로 커지는 것 같은 테이 퍼(Taper)를 갖는 드라프트부(11)가 형성되어 있는 것에 의해, 증발재료(5)를 증발하였을 때, 증발분자가 도 1에 2점쇄선으로 나타내도록 넓혀지면서 증발한다. 이에 따라, 증기방출구(2)로부터 방출되는 증발분자의 흐름이 도가니(1)의 중심축과 직교하는 지름방향에 걸쳐서 거의 균일하게 되어, 기판(13)의 표면상에 균일한 막두께의 막을 형성할 수 있다.
더구나, 증발재료(5)와 열전도매체(4)를 충전한 도가니(1)의 본체부분은 원통형이기 때문에, 원뿔형(Cornical Form)의 도가니와 같은 결점이 없다. 또한 상술한 바와 같이, 증발재료(5)와 함께 도가니(1)에 열전도매체(4)를 수납한 것에 의해, 증발재료(5)가 증발하여, 그것들이 증발분자로서 도가니(1)내에서 방출되더라도, 남은 도가니(1)의 수납물의 외관상의 용적, 요컨데 도가니(1)내의 수납물의 레벨이 저하하지 않고, 거의 변하지 않는다. 또한, 도가니(1)내의 수납물의 열용량의 변동은 지극히 작다. 이 때문에, 증발재료(5)의 가열온도의 제어와 증발분자의 발생량의 제어 등이 지극히 용이하다.
상술의 예는, 도가니(1) 속에 증발재료(5)와 같이 열전도매체(4)를 분산하여 수납한 예이다. 이에 비하여 예를 들면, 도 2에 나타내는 바와 같이, 입자형상의 열전도매체(4)를 코어로 하고, 그 표면에 증발재료(5)를 피복하도록 하여 설치하고, 이것을 도가니(1) 속에 수납하더라도 좋다. 이렇게 함에 따라, 히터(3)에서 도가니(1)를 통해 증발재료(5)를 가열하였을 때, 코어가 되는 열전도매체(4)도 동시에 가열되기 때문에, 도가니(1) 내부의 온도분포가 균일화되고, 그 내부의 증발재료(5)를 빈틈없게 가열하여, 용융하여 증발할 수가 있다.
다음에, 도 3에 나타낸 본 발명의 다른 실시형태에 의한 분자빔 에피탁시 발사셀에 관해서 설명하면, 이 분자빔 에피탁시 발사셀이라도, 도가니(1)의 점차적으로 끝이 가늘어지는 증기방출구(2)의 앞에 상단으로 움직임에 따라서 안쪽지름이 커지는 것과 같은 테이퍼를 갖는 드라프트부(11)를 형성하고 있다. 그러나 이 드라프트부(11)를, 상술한 도 1의 실시형태의 것보다 길고, 또한 그 기울이진 각도도 완만하게 형성하고 있다. 이러한 드라프트부(11)에 의해, 증기방출구(2)로부터 방출된 증발분자에 지향성이 주어져서, 한정된 방향에서 밀도가 균일한 증발분자의 흐름이 형성된다. 이에 따라, 기판상의 한정된 성막면에 효율적이고, 또한 균일하게 박막을 성장시킬 수 있다.
본 발명에 따른 몇 가지 실시예를 나타내고 설명하고 있으나, 개시된 실시예들은 본 발명의 범위를 이탈하지 않는 변형 및 수정이 쉽게 이루어질 수 있다. 그러므로, 본 발명자는 상기에 설명되고 나타낸 실시예에 한정하지 않고, 첨부된 청구항의 범위내에서의 여하한 변형과 수정을 포함하는 것을 의도한다.
상기에 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 분자빔 에피탁시 발사셀에서는, 열전도율이 낮은 증발재료에도, 도가니 내에서 균일한 온도분포로 가열하여 용융, 증발할 수 있기 때문에서, 증발재료를 수율이 향상되도록 증발시켜 고체의 표면에 결정성막시키는 것이 가능하다. 이에 따라, 재료의 사용율을 높이는 것이 가능할 뿐만 아니라, 증발재료의 온도변화가 없어져서, 결정성장에 의해 형성된 막의 품질을 높일 수가 있다.

Claims (17)

  1. 증발재료를 가열하는 것에 의해, 그 증발재료를 용융, 증발시켜, 고체표면에 박막을 성장시키기 위하여 증발분자를 발생하는 진공 박막 증착용 분자빔 에피탁시 발사셀에 있어서:
    증발재료를 수납하는 도가니 및;
    상기 도가니에 수납된 상기 증발재료를 가열하기 위한 가열수단을 구비하며, 상기 도가니에는, 상기 증발재료와 함께, 열적, 화학적으로 안정하며, 상기 증발재료보다 열전도율이 높은 열전도매체를 수납하고 있는 것을 특징으로 하는 진공 박막 증착용 분자빔 에피탁시 발사셀.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 열전도매체가 파이롤리틱 질화붕소(Pyrolytic Boron Nitride), 실리콘카바이드, 질화알루미늄 중의 적어도 하나를 포함하는, 높은 열전도재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 진공 박막 증착용 분자빔 에피탁시 발사셀.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 열전도매체가 입자형상인 것을 특징으로 하는 진공 박막 증착용 분자빔 에피탁시 발사셀.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 열전도매체가 상기 도가니와 동일한 재료로 만들어 진 것을 특징으로 하는 진공 박막 증착용 분자빔 에피탁시 발사셀.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 도가니 내에 수용된 상기 열전도매체가 상기 증발재료와 70% : 30% 내외의 체적비로 혼합된 것을 특징으로 하는 진공 박막 증착용 분자빔 에피탁시 발사셀.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 가열수단은, 상기 도가니의 바깥쪽 둘레에 설치되어, 상기 도가니를 둘러싸도록 설치된 것을 특징으로 하는 진공 박막 증착용 분자빔 에피탁시 발사셀.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 도가니는 상기 도가니의 상부에 형성된 원뿔형의 드라프트부를 가지는 것을 특징으로 하는 진공 박막 증착용 분자빔 에피탁시 발사셀.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 도가니의 원뿔형 드라프트부는 상기 도가니의 원통형 몸체의 상부로 갈수록 점차 가늘어지고, 상기 원통형 몸체의 상부의 위쪽으로 직경이 점차 넓어지도록 된 것을 특징으로 하는 진공 박막 증착용 분자빔 에피탁시 발사셀.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 증발재료는 유기 일렉트로 루미네센스 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 박막 증착용 분자빔 에피탁시 발사셀.
  11. 입자형상의 증발재료를 준비하는 단계와;
    도가니 내에 상기 증발재료와 함께 열전도매체를 수납하는 단계와;
    상기 도가니를 가열하여, 상기 증발재료를 증발시키는 단계 및;
    상기 도가니내에 증발된 증발재료를 고체표면에 발사하여, 막 형상으로 증착시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 진공 박막 증착용 분자빔 에피탁시 발사방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 증발재료가 유기 일렉트로 루미네센스 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 박막 증착용 분자빔 에피탁시 발사방법.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 열전도매체가 입자형상인 것을 특징으로 하는 진공 박막 증착용 분자빔 에피탁시 발사방법.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 열전도매체가 파이롤리틱 질화붕소(Pyrolytic Boron Nitride), 실리콘카바이드, 질화알루미늄 중의 적어도 하나를 포함하는, 높은 열전도재료로 만들어진 것을 특징으로 하는 진공 박막 증착용 분자빔 에피탁시 발사방법.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 열전도매체가 상기 도가니와 동일한 재료로 만들어진 것을 특징으로 하는 진공 박막 증착용 분자빔 에피탁시 발사방법.
  16. 삭제
  17. 제 11 항에 있어서, 상기 도가니 내에 수용된 상기 열전도매체가 상기 증발재료와 70% : 30% 내외의 체적비로 혼합된 것을 특징으로 하는 진공 박막 증착용 분자빔 에피탁시 발사방법.
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