JP3508566B2 - 粉末原材料気化装置およびそれを用いたプラズマｍｏｃｖｄ装置 - Google Patents
粉末原材料気化装置およびそれを用いたプラズマｍｏｃｖｄ装置Info
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- JP3508566B2 JP3508566B2 JP25988198A JP25988198A JP3508566B2 JP 3508566 B2 JP3508566 B2 JP 3508566B2 JP 25988198 A JP25988198 A JP 25988198A JP 25988198 A JP25988198 A JP 25988198A JP 3508566 B2 JP3508566 B2 JP 3508566B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機金属化合物等
からなる粉末原材料を加熱し、昇華して用いる気相成長
法（ＭＯＣＶＤ、プラズマＭＯＣＶＤ等）を採用して金
属酸化物等の薄膜を製造する際に使用される粉末原材料
気化装置およびそれを用いたプラズマＭＯＣＶＤ装置に
関する。
からなる粉末原材料を加熱し、昇華して用いる気相成長
法（ＭＯＣＶＤ、プラズマＭＯＣＶＤ等）を採用して金
属酸化物等の薄膜を製造する際に使用される粉末原材料
気化装置およびそれを用いたプラズマＭＯＣＶＤ装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年における電子機器の小型軽量化及び
高性能化に伴っては誘電体や磁性体、超伝導体などとし
て機能する金属酸化物の薄膜を作製することが行われて
おり、この種の金属酸化物薄膜を作製するに際しては、
真空度が比較的低い条件下でも高品質薄膜を高速度で作
製することができ、かつ、コストを考慮したうえでの量
産性にも優れた気相成長法（ＭＯＣＶＤ法、プラズマＭ
ＯＣＶＤ法）を採用するのが一般的となっている。
高性能化に伴っては誘電体や磁性体、超伝導体などとし
て機能する金属酸化物の薄膜を作製することが行われて
おり、この種の金属酸化物薄膜を作製するに際しては、
真空度が比較的低い条件下でも高品質薄膜を高速度で作
製することができ、かつ、コストを考慮したうえでの量
産性にも優れた気相成長法（ＭＯＣＶＤ法、プラズマＭ
ＯＣＶＤ法）を採用するのが一般的となっている。
【０００３】そして、このＭＯＣＶＤ法にあっては、飽
和蒸気圧が高くて常温下では気体または液体である原材
料を用いたうえで金属酸化物薄膜を作製することが行わ
れているが、ＭｇＯなどの誘電体やＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ
系高温超伝導体などのような金属酸化物薄膜を作製する
場合には、飽和蒸気圧が低くて常温下では固体の原材料
を気化させたうえで金属酸化物薄膜を作製する必要があ
るとされている。
和蒸気圧が高くて常温下では気体または液体である原材
料を用いたうえで金属酸化物薄膜を作製することが行わ
れているが、ＭｇＯなどの誘電体やＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ
系高温超伝導体などのような金属酸化物薄膜を作製する
場合には、飽和蒸気圧が低くて常温下では固体の原材料
を気化させたうえで金属酸化物薄膜を作製する必要があ
るとされている。
【０００４】従来、固体である原材料を気化させる際に
は、例えば図２に示すような粉末原材料気化装置が使用
されることになる。この粉末原材料気化装置は、粉末原
材料１を蓄える原材料供給容器２と原材料供給装置３と
キャリアガス供給系４を具備した原材料供給室５と、原
材料供給室５から供給される粉末原材料１が通過する原
材料通路６と、この原材料通路６の排出端部から供給さ
れた粉末原材料１を加熱して気化させる原材料気化台７
及び原材料気化台７を回転させる原材料気化台回転機構
８を具備した原材料気化室９とから粉末原材料気化装置
は構成される。
は、例えば図２に示すような粉末原材料気化装置が使用
されることになる。この粉末原材料気化装置は、粉末原
材料１を蓄える原材料供給容器２と原材料供給装置３と
キャリアガス供給系４を具備した原材料供給室５と、原
材料供給室５から供給される粉末原材料１が通過する原
材料通路６と、この原材料通路６の排出端部から供給さ
れた粉末原材料１を加熱して気化させる原材料気化台７
及び原材料気化台７を回転させる原材料気化台回転機構
８を具備した原材料気化室９とから粉末原材料気化装置
は構成される。
【０００５】そして、原材料気化台７で気化した原材料
ガスは、キャリアガスによって原材料ガス供給系１０を
通って、基板１１、基板加熱ホルダ１２、プラズマ発生
用電極１３、排気系１４、ＲＦ電源１５を具備した成膜
室１６に供給される。また、成膜室１６には反応ガス供
給系１７により反応ガスも供給される。
ガスは、キャリアガスによって原材料ガス供給系１０を
通って、基板１１、基板加熱ホルダ１２、プラズマ発生
用電極１３、排気系１４、ＲＦ電源１５を具備した成膜
室１６に供給される。また、成膜室１６には反応ガス供
給系１７により反応ガスも供給される。
【０００６】本装置により以下のように粉末原材料１を
気化し、成膜室１６へ供給し、成膜が実施される。粉末
原材料１が原材料供給容器２に充填された後、原材料供
給室５、原材料気化室９は原材料通路６、原材料ガス供
給系１０を通じて、成膜室１６に具備された排気系１４
により１Ｐａ以下の真空度まで真空排気される。
気化し、成膜室１６へ供給し、成膜が実施される。粉末
原材料１が原材料供給容器２に充填された後、原材料供
給室５、原材料気化室９は原材料通路６、原材料ガス供
給系１０を通じて、成膜室１６に具備された排気系１４
により１Ｐａ以下の真空度まで真空排気される。
【０００７】所定の真空度に達した後、原材料気化台
７、原材料気化室９内壁、原材料ガス供給系１０を所定
の温度に加熱する。このとき原材料通路６は加熱する
と、粉末原材料１を供給した際、原材料通路６で気化し
てしまうため、未加熱であるが、原材料気化台７、原材
料気化室９から輻射、熱伝導により若干温度上昇はして
いる。また、基板１１、成膜室１６内壁、反応ガス供給
系１７も加熱する。
７、原材料気化室９内壁、原材料ガス供給系１０を所定
の温度に加熱する。このとき原材料通路６は加熱する
と、粉末原材料１を供給した際、原材料通路６で気化し
てしまうため、未加熱であるが、原材料気化台７、原材
料気化室９から輻射、熱伝導により若干温度上昇はして
いる。また、基板１１、成膜室１６内壁、反応ガス供給
系１７も加熱する。
【０００８】所定の温度に加熱されたら、キャリアガス
供給系４より未加熱の窒素ガスを供給、反応ガス供給１
７系より酸素ガスを供給する。そして成膜室１６の排気
系１４により成膜室１６の圧力を所定の圧力に調整す
る。
供給系４より未加熱の窒素ガスを供給、反応ガス供給１
７系より酸素ガスを供給する。そして成膜室１６の排気
系１４により成膜室１６の圧力を所定の圧力に調整す
る。
【０００９】以上の設定の後、原材料供給装置３を駆動
させ原材料供給容器２から粉末原材料１を所定の速度で
供給する。原材料供給容器２から落とされた粉末原材料
１は原材料通路６を通り、原材料気化室９内の原材料気
化台７に供給される。
させ原材料供給容器２から粉末原材料１を所定の速度で
供給する。原材料供給容器２から落とされた粉末原材料
１は原材料通路６を通り、原材料気化室９内の原材料気
化台７に供給される。
【００１０】原材料気化台７で加熱され気化した原材料
ガスはキャリアガス供給系４からの窒素ガスにより原材
料ガス供給系１０を通り成膜室１６へ運ばれ、プラズマ
１８および基板１１の表面温度の作用で基板１１上に薄
膜が形成される。
ガスはキャリアガス供給系４からの窒素ガスにより原材
料ガス供給系１０を通り成膜室１６へ運ばれ、プラズマ
１８および基板１１の表面温度の作用で基板１１上に薄
膜が形成される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の粉末原材料気化装置においては、原材料気化室９にお
いて原材料気化７台で加熱され気化した原材料ガスの一
部は、原材料通路６の排出端近傍に拡散する。原材料通
路６は加熱されていないため、原材料ガスは原材料通路
の内壁、外壁の表面で冷却され固着する。また、固着に
より、原材料粉１が原材料通路６を通過する際、内壁で
引っかかりやすくなり、安定して連続的に原材料気化台
７に粉末原材料１の供給が行えなくなるため、安定した
成膜が行えなくなる。
の粉末原材料気化装置においては、原材料気化室９にお
いて原材料気化７台で加熱され気化した原材料ガスの一
部は、原材料通路６の排出端近傍に拡散する。原材料通
路６は加熱されていないため、原材料ガスは原材料通路
の内壁、外壁の表面で冷却され固着する。また、固着に
より、原材料粉１が原材料通路６を通過する際、内壁で
引っかかりやすくなり、安定して連続的に原材料気化台
７に粉末原材料１の供給が行えなくなるため、安定した
成膜が行えなくなる。
【００１２】また、粉末原材料１を気化させる原材料気
化台回転機構８を具備した原材料気化台７は、回転する
ため、ゴム等を材質としたオイルシ−ルにより原材料気
化室９と大気側の機密性を保持している。このオイルシ
−ルは熱に弱いため、原材料気化台７からの熱伝導を除
去するため周囲より冷却されており、このため原材料気
化台７がシ−ルされている原材料気化室９の壁付近は常
温に近い温度で保持されている。
化台回転機構８を具備した原材料気化台７は、回転する
ため、ゴム等を材質としたオイルシ−ルにより原材料気
化室９と大気側の機密性を保持している。このオイルシ
−ルは熱に弱いため、原材料気化台７からの熱伝導を除
去するため周囲より冷却されており、このため原材料気
化台７がシ−ルされている原材料気化室９の壁付近は常
温に近い温度で保持されている。
【００１３】このため、気化した原材料ガスが、拡散
し、シ−ル部近傍に拡散したものは原材料気化台７、お
よび原材料気化室９の温度が低いシ−ル部近傍で冷却さ
れ、固体に戻り固着する。これが続くと、シ−ル部の損
傷によるリ−ク、原材料気化台回転機構の損傷を招き、
粉末原材料気化装置の安定な運転ができなくなる。また
これは、成膜室に供給される原材料ガスの現象につなが
り利用効率が低くなる。
し、シ−ル部近傍に拡散したものは原材料気化台７、お
よび原材料気化室９の温度が低いシ−ル部近傍で冷却さ
れ、固体に戻り固着する。これが続くと、シ−ル部の損
傷によるリ−ク、原材料気化台回転機構の損傷を招き、
粉末原材料気化装置の安定な運転ができなくなる。また
これは、成膜室に供給される原材料ガスの現象につなが
り利用効率が低くなる。
【００１４】本発明は、この点に鑑みなされたもので、
安定して連続的に原材料ガスを発生させることが可能で
あり、また原材料の利用効率を高め、基板上に均一な金
属酸化物を成膜することができる粉末原材料気化装置の
提供を目的としている。
安定して連続的に原材料ガスを発生させることが可能で
あり、また原材料の利用効率を高め、基板上に均一な金
属酸化物を成膜することができる粉末原材料気化装置の
提供を目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の粉末原材料気化
装置は、粉末原材料を供給する機構を具備した原材料供
給室と、粉末原材料供給室により供給される粉末原材料
が通過する原材料通路と、原材料通路の排出端部から供
給された前記原材料を加熱して気化させる原材料気化台
が設置された原材料気化室を備え、前記原材料気化台を
１９０〜２６０℃の範囲に温度調節し、原材料通路の内
壁温度を２７０℃以上３４０℃以下に設定することを特
徴とする。
装置は、粉末原材料を供給する機構を具備した原材料供
給室と、粉末原材料供給室により供給される粉末原材料
が通過する原材料通路と、原材料通路の排出端部から供
給された前記原材料を加熱して気化させる原材料気化台
が設置された原材料気化室を備え、前記原材料気化台を
１９０〜２６０℃の範囲に温度調節し、原材料通路の内
壁温度を２７０℃以上３４０℃以下に設定することを特
徴とする。
【００１６】また、粉末原材料を気化させるために原材
料気化室内に設けられた原材料気化台の下部もしくは周
囲より加熱されたガスを導入することを特徴とする。
料気化室内に設けられた原材料気化台の下部もしくは周
囲より加熱されたガスを導入することを特徴とする。
【００１７】また、本発明の上記粉末原材料気化装置を
用いたプラズマＭＯＣＶＤ装置は、原材料気化台を１９
０〜２６０度の範囲に温度調節し、原材料通路の内壁温
度を２７０℃以上３４０℃以下に温度調節し、粉末原材
料としてマグネシウムアセチルアセトナ−トを用い、酸
化マグネシウム膜を形成すること特徴とする。
用いたプラズマＭＯＣＶＤ装置は、原材料気化台を１９
０〜２６０度の範囲に温度調節し、原材料通路の内壁温
度を２７０℃以上３４０℃以下に温度調節し、粉末原材
料としてマグネシウムアセチルアセトナ−トを用い、酸
化マグネシウム膜を形成すること特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は本発明の粉末原材料気化装
置の要部構成とその工程を示す概略断面図である。従来
と同じ、構成要素には同一番号を付加する。
に基づいて説明する。図１は本発明の粉末原材料気化装
置の要部構成とその工程を示す概略断面図である。従来
と同じ、構成要素には同一番号を付加する。
【００１９】図１に示すように、粉末原材料１を供給す
る原材料供給容器２と原材料供給装置３とキャリアガス
供給系４を具備した原材料供給室５と、原材料供給室５
から供給される粉末原材料１が通過する加熱機構を具備
した原材料通路１９と、この原材料通路１９の排出端部
から供給された粉末原材料１を加熱して気化させる原材
料気化台７、原材料気化台回転機構８、キャリアガス供
給系（２）２０を具備した原材料気化室９とから粉末原
材料気化装置は構成される。
る原材料供給容器２と原材料供給装置３とキャリアガス
供給系４を具備した原材料供給室５と、原材料供給室５
から供給される粉末原材料１が通過する加熱機構を具備
した原材料通路１９と、この原材料通路１９の排出端部
から供給された粉末原材料１を加熱して気化させる原材
料気化台７、原材料気化台回転機構８、キャリアガス供
給系（２）２０を具備した原材料気化室９とから粉末原
材料気化装置は構成される。
【００２０】また、粉末原材料気化装置から供給される
原材料ガスおよびキャリアガスは原材料ガス供給系１０
により、基板１１、基板加熱ホルダ１２、プラズマ発生
用電極１３、排気系１４を具備した成膜室１６に供給さ
れる。また、同時に反応性ガス供給系１０により反応性
ガスも供給される。
原材料ガスおよびキャリアガスは原材料ガス供給系１０
により、基板１１、基板加熱ホルダ１２、プラズマ発生
用電極１３、排気系１４を具備した成膜室１６に供給さ
れる。また、同時に反応性ガス供給系１０により反応性
ガスも供給される。
【００２１】本装置により以下のように粉末原材料とし
てマグネシウムアセチルアセトナ−トを用いて酸化マグ
ネシウム膜をプラズマＭＯＣＶＤ法により形成する場合
について説明する。
てマグネシウムアセチルアセトナ−トを用いて酸化マグ
ネシウム膜をプラズマＭＯＣＶＤ法により形成する場合
について説明する。
【００２２】粉末原材料１（マグネシウムアセチルアセ
トナ−ト）を原材料供給容器２に充填した後、原材料供
給室５、原材料気化室９は原材料ガス供給系１０を通じ
て、成膜室１６の排気系１４により１Ｐａ以下の真空度
まで真空排気される。
トナ−ト）を原材料供給容器２に充填した後、原材料供
給室５、原材料気化室９は原材料ガス供給系１０を通じ
て、成膜室１６の排気系１４により１Ｐａ以下の真空度
まで真空排気される。
【００２３】本実施例では、成膜室１６の排気系１４に
より真空排気するが、原材料ガス供給系１０を閉じて、
成膜室１６の排気系１４とは別に真空排気系を原材料気
化室９に設置して真空排気しても良い。所定の真空度に
達した後、原材料気化台７、原材料気化室９内壁、原材
料ガス供給系１０、成膜室１６内壁を２００℃に加熱す
る。
より真空排気するが、原材料ガス供給系１０を閉じて、
成膜室１６の排気系１４とは別に真空排気系を原材料気
化室９に設置して真空排気しても良い。所定の真空度に
達した後、原材料気化台７、原材料気化室９内壁、原材
料ガス供給系１０、成膜室１６内壁を２００℃に加熱す
る。
【００２４】このとき、加熱機構を具備した原材料通路
１９の温度を原材料気化台７の温度より８０℃高い２８
０℃に設定する。また、基板１１は、基板加熱ホルダに
より４００℃、成膜室１６内壁は２００℃に加熱する。
さらに、キャリアガス供給系（２）２０および反応性ガ
ス供給系１７の配管も２００℃に加熱する。
１９の温度を原材料気化台７の温度より８０℃高い２８
０℃に設定する。また、基板１１は、基板加熱ホルダに
より４００℃、成膜室１６内壁は２００℃に加熱する。
さらに、キャリアガス供給系（２）２０および反応性ガ
ス供給系１７の配管も２００℃に加熱する。
【００２５】所定の温度に加熱保持したら、キャリアガ
ス供給系４より未加熱の窒素ガスを５０ｃｃｍ、キャリ
アガス供給系（２）２０より配管温度により加熱された
窒素ガス２０ｃｃｍ、反応ガス供給系１７より配管温度
により加熱された酸素ガスを１００ｃｃｍ供給する。そ
して成膜室１６の排気系１４により成膜室１６の圧力を
１００Ｐａに調整する。
ス供給系４より未加熱の窒素ガスを５０ｃｃｍ、キャリ
アガス供給系（２）２０より配管温度により加熱された
窒素ガス２０ｃｃｍ、反応ガス供給系１７より配管温度
により加熱された酸素ガスを１００ｃｃｍ供給する。そ
して成膜室１６の排気系１４により成膜室１６の圧力を
１００Ｐａに調整する。
【００２６】以上の設定の後、原材料供給装置３を駆動
させ原材料供給容器２から粉末原材料１を１ｇ／分の速
度で供給する。原材料供給容器２ら落とされた粉末原材
料１は加熱機構を具備した原材料通路１９を通り、原材
料気化室９内の原材料気化台７に供給される。このとき
原材料通路１９の内壁温度を、原材料気化台７の設定温
度より高い２８０℃としているため、原材料通路１９に
粉末原材料１が落とされたとき粉末原材料１はすぐ気化
せず、原材料通路１９内壁との摩擦で落ちることを妨げ
られることなく、弾むようにして、原材料気化台７に供
給される。
させ原材料供給容器２から粉末原材料１を１ｇ／分の速
度で供給する。原材料供給容器２ら落とされた粉末原材
料１は加熱機構を具備した原材料通路１９を通り、原材
料気化室９内の原材料気化台７に供給される。このとき
原材料通路１９の内壁温度を、原材料気化台７の設定温
度より高い２８０℃としているため、原材料通路１９に
粉末原材料１が落とされたとき粉末原材料１はすぐ気化
せず、原材料通路１９内壁との摩擦で落ちることを妨げ
られることなく、弾むようにして、原材料気化台７に供
給される。
【００２７】これは、熱した熱い鉄板に水滴を落とすと
弾いて蒸発しにくくなる現象のように、粉末原材料の表
面は気化したガスにつつまれ、内部は気化しにくくなっ
ているためと考えられる。
弾いて蒸発しにくくなる現象のように、粉末原材料の表
面は気化したガスにつつまれ、内部は気化しにくくなっ
ているためと考えられる。
【００２８】このように推察される現象により、粉末原
材料１は原材料通路１９で妨げられることなく、原材料
気化台７に供給される。原材料気化台７の温度は原材料
通路１９の温度より低く設定しているため、温度が高く
ない鉄板に水滴を落としたとき水滴が鉄板上に広がり、
すぐ気化するように、原材料気化台７に上で気化してい
く。
材料１は原材料通路１９で妨げられることなく、原材料
気化台７に供給される。原材料気化台７の温度は原材料
通路１９の温度より低く設定しているため、温度が高く
ない鉄板に水滴を落としたとき水滴が鉄板上に広がり、
すぐ気化するように、原材料気化台７に上で気化してい
く。
【００２９】また、原材料通路１９は原材料気化台７よ
り温度を高く設定しているため、原材料気化台７で気化
した原材料ガスが原材料通路１９近傍に拡散しても固着
することはない。
り温度を高く設定しているため、原材料気化台７で気化
した原材料ガスが原材料通路１９近傍に拡散しても固着
することはない。
【００３０】原材料気化台７による加熱で気化した原材
料ガスは、成膜室１６の排気系１４の真空排気、および
キャリアガス供給系４、キャリアガス供給系（２）２０
により供給される窒素により成膜室１６へ安定して連続
的に送られる。このとき従来は気化したガスは拡散し、
原材料気化台回転機構８のシ−ル部等の温度の低い部分
に固着し、安定な原材料気化台の駆動および原材料の利
用効率が悪かったが、キャリアガス供給系（２）２０が
原材料気化台７の下部にキャリアガスを供給するため、
原材料気化台７により気化した原材料ガスは原材料気化
７台下部に拡散せずに、効率よく成膜室１６に供給され
る。
料ガスは、成膜室１６の排気系１４の真空排気、および
キャリアガス供給系４、キャリアガス供給系（２）２０
により供給される窒素により成膜室１６へ安定して連続
的に送られる。このとき従来は気化したガスは拡散し、
原材料気化台回転機構８のシ−ル部等の温度の低い部分
に固着し、安定な原材料気化台の駆動および原材料の利
用効率が悪かったが、キャリアガス供給系（２）２０が
原材料気化台７の下部にキャリアガスを供給するため、
原材料気化台７により気化した原材料ガスは原材料気化
７台下部に拡散せずに、効率よく成膜室１６に供給され
る。
【００３１】安定して連続的に供給される原材料ガスは
成膜室１６において反応性ガスとともに、プラズマ発生
用電極１３により発生したプラズマ１８および加熱され
た基板１１との作用で、基板１１上に酸化マグネシウム
膜を形成できる。
成膜室１６において反応性ガスとともに、プラズマ発生
用電極１３により発生したプラズマ１８および加熱され
た基板１１との作用で、基板１１上に酸化マグネシウム
膜を形成できる。
【００３２】なお、本実施例においては反応ガスを原材
料ガスを供給する供給系とは別に設けて成膜室１６へガ
スを供給したが、成膜室へ供給する前に原材料ガスと反
応ガスを混合してから供給しても良い。
料ガスを供給する供給系とは別に設けて成膜室１６へガ
スを供給したが、成膜室へ供給する前に原材料ガスと反
応ガスを混合してから供給しても良い。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、原材料通
路の内壁温度を原材料気化台の所定の温度以上の高い温
度に設定すること、また、粉末原材料を気化させるため
に原材料気化室内に設けられた原材料気化台の下部もし
くは周囲より加熱されたガスを導入することにより、安
定して連続した原材料ガスの供給が実現でき、また発生
した原材料ガスを無駄なく、成膜部へ供給できるため、
安定した膜の製造を実現できる。
路の内壁温度を原材料気化台の所定の温度以上の高い温
度に設定すること、また、粉末原材料を気化させるため
に原材料気化室内に設けられた原材料気化台の下部もし
くは周囲より加熱されたガスを導入することにより、安
定して連続した原材料ガスの供給が実現でき、また発生
した原材料ガスを無駄なく、成膜部へ供給できるため、
安定した膜の製造を実現できる。
【図１】本発明の一実施の形態にかかる粉末原料気化装
置の全体構成を簡略化して示す縦断面図
置の全体構成を簡略化して示す縦断面図
【図２】従来の粉末原料気化装置の全体構成を簡略化し
て示す縦断面図
て示す縦断面図
１ 粉末原材料
２ 原材料供給容器
３ 原材料供給装置
４ キャリアガス供給系（１）
５ 原材料供給室
７ 原材料気化台
８ 原材料気化台回転機構
９ 原材料気化室
１０ 原材料ガス供給系
１１ 基板
１２ 基板加熱ホルダ
１３ プラズマ発生用電極
１４ 排気系
１５ ＲＦ電源
１６ 成膜室
１７ 反応ガス供給系
１８ プラズマ
１９ 加熱機構を具備した原材料通路
２０ キャリアガス供給系（２）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 16/00 - 16/56
H01L 21/205
Claims (3)
- 【請求項１】 粉末原材料を供給する機構を具備した原
材料供給室と、前記粉末原材料供給室により供給される
前記粉末原材料が通過する原材料通路と、前記原材料通
路の排出端部から供給された前記粉末原材料を加熱して
気化させる原材料気化台が設置された原材料気化室を備
え、前記原材料気化台を１９０〜２６０℃の範囲に温度
調節し、前記原材料通路の内壁温度を２７０℃以上３４
０℃以下に設定することを特徴とする粉末原材料気化装
置。 - 【請求項２】 粉末原材料を気化させるために原材料気
化室内に設けられた原材料気化台の下部もしくは周囲よ
り加熱されたガスを導入することを特徴とする粉末原材
料気化装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の粉末原材料気化
装置を用いたプラズマＭＯＣＶＤ装置であって、前記粉
末原材料としてマグネシウムアセチルアセトナ−トを用
い、酸化マグネシウム膜を形成すること特徴とするプラ
ズマＭＯＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP25988198A JP3508566B2 (ja) | 1998-09-14 | 1998-09-14 | 粉末原材料気化装置およびそれを用いたプラズマｍｏｃｖｄ装置 |
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| JP25988198A JP3508566B2 (ja) | 1998-09-14 | 1998-09-14 | 粉末原材料気化装置およびそれを用いたプラズマｍｏｃｖｄ装置 |
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-
1998
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