JPH05267186A - 気相成長装置および該装置を用いた気相成長方法 - Google Patents

気相成長装置および該装置を用いた気相成長方法

Info

Publication number
JPH05267186A
JPH05267186A JP4061956A JP6195692A JPH05267186A JP H05267186 A JPH05267186 A JP H05267186A JP 4061956 A JP4061956 A JP 4061956A JP 6195692 A JP6195692 A JP 6195692A JP H05267186 A JPH05267186 A JP H05267186A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
reaction vessel
gas
vapor phase
raw material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP4061956A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Ebe
広治 江部
Akira Sawada
亮 澤田
Hiroshi Takigawa
宏 瀧川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP4061956A priority Critical patent/JPH05267186A/ja
Priority to US08/028,143 priority patent/US5728425A/en
Publication of JPH05267186A publication Critical patent/JPH05267186A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te

Abstract

(57)【要約】 【目的】 気相成長装置および該成長装置を用いた気相
成長方法に関し、基板上に均一な厚み、均一な組成を有
する結晶の成長装置および成長方法の提供を目的とす
る。 【構成】 反応容器１内に設置し、加熱せる基板５に反
応容器１内に導入した原料ガス、或いは反応容器１内に
設置したソースより蒸発した原料ガスを接触させ、該原
料ガスの成分の熱分解により該原料ガスの成分を基板５
に被着する気相成長装置に於いて、前記反応容器１の容
積を可変に調節する容積調節手段(22,23,24)を設けて構
成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は気相成長装置、および該
装置を用いた気相成長方法に関する。赤外線検知素子の
形成材料として水銀・カドミウム・テルル（Hg1-x Cdx
Te）等の化合物半導体基板が用いられており、この基板
を素子形成材料として適当となるように、組成が均一で
かつ薄層状態となるように形成するために、気相成長方
法が用いられている。
【０００２】この気相成長方法には、基板を反応容器内
に設置し、該容器内に水銀、ジイソプロピルテルル、ジ
メチルカドミウム等の有機金属ガスより成る原料ガスを
導入し、基板を加熱することで、導入された原料ガスを
基板上で加熱分解して前記原料ガスの金属成分を、基板
上に被着するＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapo
r Deposition、有機金属気相成長方法）法がある。
【０００３】またこの他に反応容器内を高真空に排気し
て、クヌーセンセルのような金属ソース収容坩堝に収容
した水銀（Hg）、テルル（Te）、カドミウム（Cd）等の
金属ソースに、電子ビームを照射したり、或いはソース
坩堝を加熱して、その金属ソースを分子状態にして蒸発
させ、この蒸発した分子線を基板に被着する分子線エピ
タキシャル成長方法がある。
【０００４】またこの他に、反応容器内を高真空に排気
して金属ソースを収容したソース坩堝を加熱し、この金
属ソースを分子状態にして蒸発させ、この蒸発した金属
ソースの分子を加熱したソース坩堝で囲んだ状態とし、
その金属分子成分を基板に被着するホットウォール法が
ある。
【０００５】
【従来の技術】ところで上記したＭＯＣＶＤ装置では原
料ガスが、内径の狭いガス導入管より内径が大きい反応
容器内に導入された時点で対流が生じ、基板上に供給さ
れるガス濃度が不均一となり組成の安定した結晶が得ら
れない問題がある。
【０００６】また分子線エピタキシャル成長法では、ソ
ース源より蒸発した成分が放射状に成って基板に到達す
るため、基板上に供給される分子線濃度が不均一となっ
て組成の安定した結晶が得られない問題がある。
【０００７】またホットウォール法においても、ソース
坩堝の中心部と周辺部では蒸発する金属分子成分が異な
る問題がある。上記した気相成長方法の問題点を解決す
るために、本出願人は以前に（特開平２−404237）号に
於いて図4(a)、および図4(b)に示すような装置を提案し
ている。
【０００８】つまり図4(a)に示すように、有機金属気相
成長方法等の反応容器１内に別個に結晶成長室２を設
け、この結晶成長室２の下部には、回転軸３に依って回
転する回転台４が設置されている。この回転台４は図4
(b)に示すように、基板５を設置する凹部を設けた基板
嵌合部６と、貫通孔よりなる開口部７とを備え、図4(a)
に示すように回転台４の開口部７が結晶成長室２の下部
の位置に有る時には、基板５は、この開口部７に対して
回転台４の直径方向の反対側に位置する。
【０００９】またこの結晶成長室２内に原料ガスを供給
するガス導入管８を設け、この結晶成長室２からの原料
ガスの排気は前記した開口部７より排気する。また反応
容器１内の残留している原料ガスを排気するためのガス
排気管９も備えている。
【００１０】そしてこの装置を用いて気相成長する工程
は、該結晶成長室２内に原料ガスを供給する工程、該結
晶成長室２内に原料ガスを拡散する工程、基板５を結晶
成長室２内に搬入して該原料ガスに基板５を接触させて
該基板５上に結晶成長を行う工程、該基板５を結晶成長
室２より反応容器１内に搬出して該結晶成長室２内の原
料ガスを排気する工程を時分割して行う。
【００１１】つまり原料供給開始時点で、上記回転台４
の開口部７と基板嵌合部６以外の箇所が前記した結晶成
長室２の底部に位置するようにし、原料ガスバルブ11を
開放にして結晶成長室２内に原料ガスを供給し、原料ガ
スの拡散工程では、所定時間この状態を維持する。
【００１２】そして結晶成長室２内に充分原料ガスが拡
散して供給された時点で、前記回転台４の基板嵌合部６
が上記結晶成長室２の底部に位置するようにする。そし
て基板５を結晶成長室２内に搬入し、基板５を該結晶成
長室２内で充分の時間設置し、反応容器１の周囲に設け
た高周波誘導コイル12に通電してカーボンよりなる回転
台４を加熱することで基板５を加熱し、基板５上の原料
ガスを加熱分解して気相成長する。
【００１３】そして回転台４を回転し、結晶成長室２よ
り基板５を搬出した時点で、回転台４の開口部７が結晶
成長室２の下部に位置するようにして結晶成長室２内を
ガス排気管９より排気する。
【００１４】このようにすることで、原料ガスが結晶成
長室２内に均一に拡散した時点で、基板５を結晶成長室
２内に搬入するので、基板５に均一な濃度の原料ガスが
供給され、厚み或いは組成の安定した結晶が得られる。
【００１５】然し、このような装置に於いても、基板５
が特に大面積の場合には、該結晶成長室２内に基板を搬
入する際、該基板５が同一基板で有っても、該結晶室２
内に先に搬入された基板５の端部と、最後に結晶室２内
に搬入された基板５の端部とでは、該結晶室２内に収容
されている時間が微妙に異なるので、基板５上に供給さ
れる原料ガス濃度は、基板の一端部と他端部とでは、多
少異なった状態になる。
【００１６】そのため、上記のように改良した装置に於
いても基板上に均一な組成、均一な厚さの結晶を気相成
長するには不十分である。また反応容器内に別個に結晶
成長室を設けるために、該結晶成長室内に反応容器から
基板を搬入、或いは搬出する機構が必要となり装置全体
の構成が複雑となる欠点がある。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した従
来の装置に於ける問題点を解決し、簡単な装置で基板上
の全領域の範囲に均一な濃度で、均一な時間、原料ガス
が供給されるようにし、基板上に均一な濃度、および均
一な組成の結晶が気相成長するようにした気相成長装
置、およびその成長方法の提供を目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の気相成長装置
は、請求項１に示すように、反応容器内に設置され、加
熱した基板に、前記反応容器内に導入した原料ガス、或
いは反応容器内に設置したソースより蒸発した原料ガス
を接触させ、該原料ガスの成分の熱分解、或いは蒸着に
より該原料ガスの成分を基板に被着する気相成長装置に
於いて、前記反応容器の容積を可変に調節する容積調節
手段を設けたことを特徴とする。
【００１９】また本発明の気相成長方法は請求項２に示
すように、前記基板を反応容器内に設置して、該基板を
結晶成長開始に充分な温度で加熱した後、該反応容器内
に結晶成長が開始できない程度の圧力で原料ガスを導入
し、次いで該反応容器内の容積を小さくして結晶成長が
開始できる程度に加圧して、気相成長を開始することを
特徴とするものである。
【００２０】また本発明の気相成長装置は請求項３に示
すように、反応容器内に設置された基板に、前記反応容
器内に導入した原料ガス、或いは反応容器内に設置した
ソースより蒸発した原料ガスを接触させ、該原料ガスの
成分の熱分解、或いは蒸着により該原料ガスの成分を基
板に被着する気相成長装置に於いて、前記基板に光ビー
ムを照射する光ビーム照射手段、前記基板に電子ビーム
を照射する電子ビーム照射手段、前記基板に振動を付与
する振動付与手段のうち、少なくとも一つの手段を設け
たことを特徴とする。
【００２１】また本発明の気相成長方法は、前記基板を
反応容器内に設置したのち、前記反応容器内に結晶成長
が開始できる程度の圧力で原料ガスを導入するととも
に、該基板を結晶成長が開始しない程度の低温で加熱
し、前記反応容器内に於ける原料ガス濃度が均一となっ
た段階で、前記基板に光ビームを照射する光ビーム照射
手段、前記基板に電子ビームを照射する電子ビーム照射
手段、前記基板に振動を付与する振動付与手段のうち、
少なくとも一つの手段を作動させて結晶成長させること
を特徴とするものである。
【００２２】
【作用】本発明の装置、および該装置を用いた気相成長
方法は、反応容器内に結晶成長を開始しない程度の低濃
度、低圧力の原料ガスを導入して所定時間保ち、該反応
容器内のガス圧力、ガス濃度で均一になるようにする。
そして基板は結晶成長を開始するのに充分な400 ℃の温
度に加熱しておく。次いで反応容器内の容積を圧縮して
小さくし、原料ガスの濃度、圧力が結晶成長を開始する
程度に増大すると、基板上の全領域の範囲に均一のガス
濃度、ガス圧力の原料ガスが供給されるので、基板上に
均一な組成、均一な厚さの結晶が気相成長される。
【００２３】また本発明の他の方法は、反応容器内に基
板を設置し、この基板を結晶成長を開始しない程度の35
0 ℃の低温で加熱するとともに、該反応容器内に結晶成
長を開始する程度のガス圧力、ガス濃度の原料ガスを供
給して、所定時間経過後、反応容器内のガス濃度が均一
に成った時点で、基板にレーザ光等の光照射、電子ビー
ム照射、或いは基板に超音波振動を付与して基板が気相
成長を開始するのに必要な励起エネルギーを付与する。
【００２４】すると、結晶成長を開始するのに充分な濃
度、圧力の原料ガスが基板の全領域の範囲に、均一な濃
度、均一な圧力で供給された状態で気相成長が開始する
ので、基板上に均一な厚さ、均一な組成の結晶が気相成
長する。
【００２５】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳
細に説明する。図１は本発明の装置の第１実施例の説明
図である。図示するように、例えば直径が100mm で高さ
が200mm の石英製の円筒状の反応容器１の上部に設置さ
れたカーボン製の基板設置台21に直径が３インチのCdTe
の基板５を載置する。
【００２６】この反応容器１の下部には、該反応容器１
内の空間部を圧縮するための石英製の圧縮板22が設置さ
れ、この圧縮板22の下部には、この圧縮板を上下に駆動
する駆動棒23が設置され、この駆動棒23はカム、或いは
エアシリンダのような移動機構24にて上下に駆動するよ
うになっている。
【００２７】更にこの反応容器１の上部には、反応容器
１内を排気するための排気管26が設けられ、この排気管
26には排気バルブ27が設置されている。また反応容器１
の下部側面には原料ガスを導入するためのガス導入管28
が設置され、このガス導入管28にはガス導入バルブ29が
設置されている。
【００２８】このガス導入管28は分岐して周囲が240 ℃
の温度に加熱された水銀蒸発器31、周囲が10℃の温度に
設定されたジメチルCd蒸発器32、周囲が40℃の温度に設
定されたジイソプロピルTe蒸発器33にそれぞれ接続され
ている。
【００２９】更にこの反応容器１は基板５を設置するた
めに、中央で二分割されるように成っており、その分割
部分はすり合わせ構造となって、外部の大気が浸入しな
い構造となっている。
【００３０】このような本発明の第１実施例の気相成長
装置を用いてCdTe基板上にHg1-x Cd x Te結晶を気相成長
する方法について述べる。図3(a)に示すように、反応容
器１の上部に基板設置台21にCdTeの基板５を設置した
後、圧縮板22を反応容器１の下部まで押し下げ、ガス導
入バルブ29を閉じ、排気バルブ27を開放にし、排気管26
に連なる排気ポンプ( 図示せず）を用いて反応容器１内
の圧力が10-2気圧の真空度に成る迄排気する。
【００３１】次いで排気バルブ27を閉じ、該基板５を結
晶成長が開始するのに必要な400 ℃の温度に加熱する。
次いでガス導入バルブ29を開放にして、前記した図１に
示す水銀が収容されている水銀蒸発器31、ジメチルCdが
収容されているジメチルCd蒸発器32、ジイソプロピルTe
が収容されているジイソプロピルTe蒸発器33内に水素ガ
スを導入して、該水素ガスに担持された水銀、ジメチル
Cd、ジイソプロピルTeの各々のガス分圧がそれぞれ10-4
気圧、10-7気圧、10-5気圧となるようにし、且つ全体の
ガス圧力が0.1 気圧となるようにして反応容器１内に導
入する。
【００３２】この時点に於けるガスの分圧では、各々の
ガスの蒸気圧が低いためにCdTeの基板５上には、Hg1-x
Cdx Te結晶は成長されない。次いでガス導入バルブ29と
排気バルブ27を閉じて、図3(b)に示すように、圧縮板22
を上部に押し上げ、反応容器１の内部の空間部を圧縮す
る。この場合、図3(a)の状態では、反応容器１の上部内
面1Aと圧縮板22表面との間の寸法が10cm程度であるの
が、図3(b)の状態では１cm程度に圧縮される。
【００３３】すると反応容器１内の圧力が10倍以上にな
るので、水銀、ジメチルCd、ジイソプロピルTeの各々の
ガス分圧がそれぞれ10-3気圧、10-6気圧、10-4気圧とな
るので、この分圧ではHg1-x Cdx Te結晶が成長するに足
る充分なガス濃度と成る。
【００３４】このようにすると、基板５は結晶成長を開
始するのに必要な400 ℃の温度に加熱されているので、
この時点でCdTeの基板５上にHg1-x Cdx Te結晶が成長す
る。このようにすると、CdTeの基板５上には、原料ガス
が結晶成長を開始するのに充分な濃度、圧力で、且つ基
板の全領域の範囲に均一な濃度、均一な圧力で供給され
ているので、基板上に均一な組成で均一な厚さのHg1-x
Cdx Te結晶が形成される。
【００３５】次いで、この状態で数秒間放置すると、反
応容器１内に導入された原料ガスが総て熱分解して基板
５上に付着するので、ガス導入バルブ29を閉じたまま
で、排気バルブ27を開放にして反応容器１内に残留して
いる原料ガスを、排気管26に連なる排気ポンプ( 図示せ
ず) で排気し、圧縮板22を図3(a)に示す状態のように反
応容器１の下部の方向に下げる。
【００３６】このようにして直径が３インチのCdTe基板
上にHg1-x Cdx Te（ｘ＝0.2)の結晶を形成したところ、
従来の装置では場所に依るｘ値の変動はΔx ＝0.01、つ
まり５％の変動で有ったのが、本発明の装置で形成する
と、Δx ＝0.002 、つまり１％の変動に減少し、組成の
均一なHg1-x Cdx Te結晶が得られた。
【００３７】本発明の装置の第２実施例を図２に示す。
本実施例が第１実施例と異なる点は反応容器１の側面
に、該基板５に光ビームを照射する光ビーム照射手段2
5、或いは電子ビームを照射するための電子ビームの照
射手段41が設置されている点にある。そして図示しない
が、基板設置台21の寸法を長く形成して、その端部に振
動数の周波数が1MHz〜10GHz の圧電素子等を設置してい
る点にある。
【００３８】このような第２実施例の気相成長装置を用
いてCdTeの基板上にHg1-x Cdx Te結晶を気相成長する場
合に付いて述べる。この場合は、圧縮板22を下部に押し
下げた状態に固定して保ち、反応容器１内にHg1-x Cdx
Te結晶が成長するに充分な、つまり前記した水銀、ジメ
チルCd、ジイソプロピルTeの各々のガス分圧がそれぞれ
10-3気圧、10-6気圧、10-4気圧となるようにして原料ガ
スを導入する。
【００３９】そしてCdTeの基板５は結晶成長が開始しな
い程度の350 ℃の低温に加熱しておく。そして反応容器
１内に原料ガスを導入して所定時間保ち、該容器内の原
料ガスの濃度、圧力が均一に成った時点で、光ビーム照
射手段25である出力が10Ｗのアルゴンを光源とするアル
ゴンレーザ光を、基板５に照射して結晶成長を開始する
のに充分な励起エネルギーを該基板に供給する。
【００４０】或いは加速電圧が100KV の電子ビーム照射
手段41を作動させて、Hg1-x Cdx Te結晶が成長するに足
る充分な励起エネルギーを基板５に供給する。または、
基板設置台21の寸法を長く形成して、その端部に設置し
た振動数の周波数が1MHz〜10GHz の圧電素子を動作さ
せ、CdTeの基板５に超音波振動を付与すると、基板５表
面上の原子、または分子が強く振動するので結晶成長を
開始するに足る励起エネルギーが基板５に付与れて結晶
成長を開始する。
【００４１】このようにすると、CdTeの基板５上には、
原料ガスが結晶成長を開始するのに充分な濃度、圧力
で、且つ基板の全領域の範囲に均一な濃度、均一な圧力
で供給されるので、基板上に均一な組成で均一な厚さの
Hg1-x Cdx Te結晶が形成される。
【００４２】なお、本実施例では、ＭＯＣＶＤ成長装置
に例を用いて述べたが、分子線エピタキシャル成長装置
や、ホットウォールエピタキシャル成長装置に適用する
場合は、前記した圧縮板22上、或いは反応容器１の内壁
側面に加熱ヒータを備えた坩堝を複数個設置し、その各
々の坩堝に水銀、カドミウム、テルル等の金属ソースを
収容し、該反応容器１内を10-9〜10-11 torr程度の超高
真空に成るまで排気する。
【００４３】そして坩堝の加熱ヒータの温度を調節し、
反応容器１内を結晶成長が開始しない程度の原料ガスの
蒸気圧とし、次いで前記したように圧縮板を上部に作動
させて反応容器１内を圧縮して反応容器１内の原料ガス
の蒸気圧をHg1-x Cdx Te結晶が成長を開始するのに充分
な圧力にしてCdTe基板上にHg1-x Cdx Te結晶を気相成長
する。
【００４４】また、本発明の気相成長装置の他の実施例
として、圧縮板22にCdTeの基板５を載置した基板設置台
21を埋設した構造を採っても良く、また圧縮板22の代わ
りに反応容器１を可撓製の鋼材を用いて蛇腹状のベロー
ズ構造に形成して、その反応容器１の全体をカム機構を
用いて圧縮するような構造としても良い。
【００４５】以上述べたように本発明の装置、および方
法によると、基板の全領域上に気相成長を開始するに十
分な原料ガスが、均一な圧力、均一な濃度で供給される
ので、基板上に均一な厚さ、均一な濃度で気相成長によ
るエピタキシャル結晶が成長できる。
【００４６】
【発明の効果】以上述べたように本発明の装置、および
方法に依ると基板上には、原料ガスが結晶成長を開始す
るのに充分な濃度、圧力で、且つ基板の全領域の範囲に
均一な濃度、均一な圧力で供給されるので、基板上に均
一な組成で均一な厚さの気相成長による結晶が形成でき
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の装置の第１実施例の説明図である。
【図２】 本発明の装置の第２実施例の説明図である。
【図３】 本発明の第１実施例の装置の動作の説明図で
ある。
【図４】 従来の装置の説明図である。
【符号の説明】
1 反応容器 1A 上部内面 5 基板 21 基板設置台 22 圧縮板 23 駆動棒 24 移動機構 25 光ビーム照射手段 26 排気管 27 排気バルブ 28 ガス導入管 29 ガス導入バルブ 31 水銀蒸発器 32 ジメチルCd蒸発器 33 ジイソプロピルTe蒸発器 34 加熱ヒータ 41 電子ビーム照射手段

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 反応容器(1) 内に設置され、加熱した基
    板(5) に、前記反応容器(1) 内に導入した原料ガス、或
    いは反応容器(1) 内に設置したソースより蒸発した原料
    ガスを接触させ、該原料ガスの成分の熱分解、或いは蒸
    着により該原料ガスの成分を基板(5) に被着する気相成
    長装置に於いて、 前記反応容器(1) の容積を可変に調節する容積調節手段
    (22,23,24)を設けたことを特徴とする気相成長装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の気相成長装置に於いて、 前記基板(5) を反応容器(1) 内に設置して、該基板(5)
    を結晶成長が開始する温度に加熱し、該反応容器(1) 内
    に結晶成長が開始できない程度の圧力で原料ガスを導入
    し、次いで該反応容器(1) 内の容積を小さくして結晶成
    長が開始できる程度に加圧して、気相成長を開始するこ
    とを特徴とする気相成長方法。
  3. 【請求項３】 反応容器(1) 内に設置された基板(5)
    に、前記反応容器(1)内に導入した原料ガス、或いは反
    応容器(1) 内に設置したソースより蒸発した原料ガスを
    接触させ、該原料ガスの成分の熱分解、或いは蒸着によ
    り該原料ガスの成分を基板(5) に被着する気相成長装置
    に於いて、 前記基板(5) に光ビームを照射する光ビーム照射手段(2
    5)、前記基板(5) に電子ビームを照射する電子ビーム照
    射手段(41)、前記基板(5) に振動を付与する振動付与手
    段のうち、少なくとも一つの手段を設けたことを特徴と
    する気相成長装置。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載の気相成長装置に於い
    て、 前記基板(5) を反応容器(1) 内に設置したのち、前記反
    応容器(1) 内に結晶成長が開始できる程度の圧力で原料
    ガスを導入するとともに、該基板を結晶成長が開始しな
    い程度の低温で加熱し、前記反応容器(1) 内に於ける原
    料ガス濃度が均一となった段階で、前記基板(5) に光ビ
    ームを照射する光ビーム照射手段(25)、前記基板(5) に
    電子ビームを照射する電子ビーム照射手段(41)、前記基
    板に振動を付与する振動付与手段のうち、少なくとも一
    つの手段を作動させて結晶成長することを特徴とする気
    相成長方法。
JP4061956A 1992-03-18 1992-03-18 気相成長装置および該装置を用いた気相成長方法 Withdrawn JPH05267186A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4061956A JPH05267186A (ja) 1992-03-18 1992-03-18 気相成長装置および該装置を用いた気相成長方法
US08/028,143 US5728425A (en) 1992-03-18 1993-03-09 Method for chemical vapor deposition of semiconductor films by separate feeding of source gases and growing of films

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4061956A JPH05267186A (ja) 1992-03-18 1992-03-18 気相成長装置および該装置を用いた気相成長方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05267186A true JPH05267186A (ja) 1993-10-15

Family

ID=13186154

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4061956A Withdrawn JPH05267186A (ja) 1992-03-18 1992-03-18 気相成長装置および該装置を用いた気相成長方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5728425A (ja)
JP (1) JPH05267186A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002164272A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Tokyo Electron Ltd 塗布方法及び塗布装置

Families Citing this family (266)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3386651B2 (ja) * 1996-04-03 2003-03-17 株式会社東芝 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
US6863731B2 (en) * 2002-10-18 2005-03-08 Controls Corporation Of America System for deposition of inert barrier coating to increase corrosion resistance
US7077917B2 (en) * 2003-02-10 2006-07-18 Tokyo Electric Limited High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer
JP2004342726A (ja) * 2003-05-14 2004-12-02 C Bui Res:Kk 成膜方法
US7833580B2 (en) * 2003-07-04 2010-11-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming a carbon nano-material layer using a cyclic deposition technique
US7700155B1 (en) * 2004-04-08 2010-04-20 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for modulation of precursor exposure during a pulsed deposition process
TWI249589B (en) * 2004-07-16 2006-02-21 Promos Technologies Inc Method for improving atomic layer deposition process and the device thereof
US7955646B2 (en) * 2004-08-09 2011-06-07 Applied Materials, Inc. Elimination of flow and pressure gradients in low utilization processes
US7687098B1 (en) * 2005-08-26 2010-03-30 Charlie W. Chi Chemical mechanical vapor deposition device for production of bone substitute material
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
WO2010125821A1 (ja) * 2009-05-01 2010-11-04 国立大学法人東京大学 化合物半導体の堆積方法及び装置
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9353439B2 (en) 2013-04-05 2016-05-31 Lam Research Corporation Cascade design showerhead for transient uniformity
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10023959B2 (en) 2015-05-26 2018-07-17 Lam Research Corporation Anti-transient showerhead
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4436580A (en) * 1983-08-12 1984-03-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of preparing a mercury cadium telluride substrate for passivation and processing
US4946543A (en) * 1986-06-02 1990-08-07 Kalisher Murray H Method and apparatus for growing films on a substrate
US4886683A (en) * 1986-06-20 1989-12-12 Raytheon Company Low temperature metalorganic chemical vapor depostion growth of group II-VI semiconductor materials
US4933207A (en) * 1988-01-22 1990-06-12 Hughes Aircraft Company Laser and thermal assisted chemical vapor deposition of mercury containing compounds
US4904337A (en) * 1988-06-06 1990-02-27 Raytheon Company Photo-enhanced pyrolytic MOCVD growth of group II-VI materials
DE3830249A1 (de) * 1988-09-06 1990-03-15 Schott Glaswerke Plasmaverfahren zum beschichten ebener substrate
US5194406A (en) * 1988-12-01 1993-03-16 Edward Bok Installation for transport and processing under a pulsating double-floating condition
US5015330A (en) * 1989-02-28 1991-05-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Film forming method and film forming device
ATE139866T1 (de) * 1990-02-19 1996-07-15 Canon Kk Verfahren zum herstellen von abgeschiedener metallschicht, die aluminium als hauptkomponente enthält, mit anwendung von alkylaluminiumhydrid
US5230925A (en) * 1990-06-25 1993-07-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Gas-phase growing method and apparatus for the method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002164272A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Tokyo Electron Ltd 塗布方法及び塗布装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5728425A (en) 1998-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05267186A (ja) 気相成長装置および該装置を用いた気相成長方法
US5138520A (en) Methods and apparatus for material deposition
US6689210B2 (en) Apparatus for growing thin films
US5614252A (en) Method of fabricating barium strontium titanate
US6539891B1 (en) Chemical deposition reactor and method of forming a thin film using the same
US6645574B1 (en) Method of forming a thin film
US20050172895A1 (en) MOCVD apparatus and MOCVD method
JP2002110551A (ja) 半導体薄膜の形成方法及び装置
JP2726149B2 (ja) 薄膜形成装置
JPH05226252A (ja) 気相成長装置および該装置を用いた気相成長方法
JP2001039795A (ja) 結晶成長方法及び結晶成長装置
US6329303B1 (en) Thin film forming method, thin film forming apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JPH02263799A (ja) 基板加熱装置及びその操業方法
JPH0660408B2 (ja) 薄膜作製方法および装置
AU636818B2 (en) Methods and apparatus for material deposition
JP3508566B2 (ja) 粉末原材料気化装置およびそれを用いたプラズマｍｏｃｖｄ装置
JP3189400B2 (ja) 多結晶シリコン膜の形成方法
JP2003218046A (ja) 発熱体ｃｖｄ装置及びこれを用いた発熱体ｃｖｄ方法
JP2000277436A (ja) 窒化物半導体製造方法
JP4039286B2 (ja) ＧａＮ結晶の成長方法
JPS62167293A (ja) 気相結晶成長装置
JPH027418A (ja) 化合物半導体結晶薄膜形成法
JP2005298293A (ja) マイクロ波プラズマｃｖｄ装置およびダイヤモンド膜を成長する方法
JPH02278718A (ja) 気相エピタキシャル成長装置
JPH07305172A (ja) 窒化アルミニウム薄膜の形成方法およびその装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990518