JPS62287072A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPS62287072A JPS62287072A JP13227886A JP13227886A JPS62287072A JP S62287072 A JPS62287072 A JP S62287072A JP 13227886 A JP13227886 A JP 13227886A JP 13227886 A JP13227886 A JP 13227886A JP S62287072 A JPS62287072 A JP S62287072A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 18
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- -1 manganese-activated zinc sulfide Chemical class 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical group [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は、薄膜形成装置に関し、とりわけプラズマ中で
、付着力や品質の優れた薄膜を再現性良く形成するため
の薄膜形成装置に関するものである。
、付着力や品質の優れた薄膜を再現性良く形成するため
の薄膜形成装置に関するものである。
従来の技術
従来、プラズマ中で薄膜を形成することにより優れた特
性の薄膜が得られることが知られている。
性の薄膜が得られることが知られている。
用いられるプラズマの種類としては、DCプラズマ、R
Fプラズマ、あるいはマイクロ波プラズマがある。これ
らの中で、有磁場マイクロ波プラズマは、動作ガス圧が
、10−5Torr程度と低く、優れた特性の薄膜を形
成するために盛んに研究されている。たとえば、特願昭
60−147525号3ペーノ 1^ には有磁場マイクロ波プラズマを用いた蒸着装置によシ
、優れた特性の薄膜が得られることが示されている。
Fプラズマ、あるいはマイクロ波プラズマがある。これ
らの中で、有磁場マイクロ波プラズマは、動作ガス圧が
、10−5Torr程度と低く、優れた特性の薄膜を形
成するために盛んに研究されている。たとえば、特願昭
60−147525号3ペーノ 1^ には有磁場マイクロ波プラズマを用いた蒸着装置によシ
、優れた特性の薄膜が得られることが示されている。
発明が解決しようとする問題点
特願昭60−147525号に示されているような装置
では、イオン化室が真空容器から外部へ突出した形で設
けられているため、イオン化室へ導入されたガスは効率
よくイオン化されるが、蒸発源からの蒸発物質を効率よ
くイオン化することは困難であった。また膜厚や膜質分
布を均一にするため、基板とイオン化室との距離を大き
くする必要があり、イオンが拡散しやすいため大量のイ
オンを基板表面に照射するのが困難であった。またイオ
ン化室の形状によシ、マイクロ波の入射電力に対する反
射電力の割合を小さくするのが困難な場合があった。さ
らに装置の構造が複雑になるという問題点があった。本
発明の目的は、前記問題点を解決した特性の優れた薄膜
を大きな面積に渡シ均一に、大きな速度で形成すること
ができ、構造が単純な薄膜形成装置を提供することであ
る。
では、イオン化室が真空容器から外部へ突出した形で設
けられているため、イオン化室へ導入されたガスは効率
よくイオン化されるが、蒸発源からの蒸発物質を効率よ
くイオン化することは困難であった。また膜厚や膜質分
布を均一にするため、基板とイオン化室との距離を大き
くする必要があり、イオンが拡散しやすいため大量のイ
オンを基板表面に照射するのが困難であった。またイオ
ン化室の形状によシ、マイクロ波の入射電力に対する反
射電力の割合を小さくするのが困難な場合があった。さ
らに装置の構造が複雑になるという問題点があった。本
発明の目的は、前記問題点を解決した特性の優れた薄膜
を大きな面積に渡シ均一に、大きな速度で形成すること
ができ、構造が単純な薄膜形成装置を提供することであ
る。
問題点を解決するだめの手段
真空排気系を有する金属製容器内に、蒸発源と、基板保
持具を備え、かつ前記金属製容器の壁面に設けたマイク
ロ波導入窓と、前記金属製容器内に設けた磁界発生装置
とを備えた薄膜形成装置を構成する。
持具を備え、かつ前記金属製容器の壁面に設けたマイク
ロ波導入窓と、前記金属製容器内に設けた磁界発生装置
とを備えた薄膜形成装置を構成する。
作 用
本発明の装置によれば、基板表面近傍で、導入したガス
や蒸発源から蒸発した原子や分子をプラズマ化できるた
め、プラズマの効果が高まり、付着力や品質の優れた薄
膜が形成できたものと考えられる。まだ磁界発生装置を
真空排気系を有する金属製容器内に設けただめ、前記金
属製容器がマイクロ波共振器として働き、マイクロ波の
整合が合わせやすくなシ、入射電力のほぼ100%をプ
ラズマ化のエネルギーとして用いることができ、装置の
構成が簡単なものとなった。
や蒸発源から蒸発した原子や分子をプラズマ化できるた
め、プラズマの効果が高まり、付着力や品質の優れた薄
膜が形成できたものと考えられる。まだ磁界発生装置を
真空排気系を有する金属製容器内に設けただめ、前記金
属製容器がマイクロ波共振器として働き、マイクロ波の
整合が合わせやすくなシ、入射電力のほぼ100%をプ
ラズマ化のエネルギーとして用いることができ、装置の
構成が簡単なものとなった。
実施例
第1図は本発明の薄膜形成装置の1つの形態を示す。金
属製容器1は、真空排気系11により内6ページ 部を真空にすることができる。金属製容器1の内部には
、基板加熱ヒーター4が埋め込まれた基板保持具2.基
板3.シャッター8.氷冷ジャケット6に保持された磁
界発生装置5.抵抗加熱蒸発源7などが設置されている
。磁界発生装置5は、−サマリウム、コバルト、鉄、銅
などを主成分とするドーナツ状の希土類磁石であり、外
径200m+内径120mm、厚さ35WrInの形状
を有し、中心部の磁束密度は約900ガウスであった。
属製容器1は、真空排気系11により内6ページ 部を真空にすることができる。金属製容器1の内部には
、基板加熱ヒーター4が埋め込まれた基板保持具2.基
板3.シャッター8.氷冷ジャケット6に保持された磁
界発生装置5.抵抗加熱蒸発源7などが設置されている
。磁界発生装置5は、−サマリウム、コバルト、鉄、銅
などを主成分とするドーナツ状の希土類磁石であり、外
径200m+内径120mm、厚さ35WrInの形状
を有し、中心部の磁束密度は約900ガウスであった。
この磁界発生装置5によシ生ずる磁界は、基板3の表面
や金属製容器1の底面へ向って発散する。磁界発生装置
5は、基板3の下方10oMnの位置に保持した。金属
製容器1の側面にはマイクロ波導入窓9を設置し、発振
器13によシ発生させた2、45GHzの電磁波を、電
力計12を介して導波管14によりマイクロ波導入窓9
から金属製容器1へ導入した。マイクロ波導入窓9の位
置は特別に限定されるものではないが、窓9の直前に金
属製のしゃへい物がない所が望ましい。さらに金属製容
器1の上部にはガス導入口10を設置した。
や金属製容器1の底面へ向って発散する。磁界発生装置
5は、基板3の下方10oMnの位置に保持した。金属
製容器1の側面にはマイクロ波導入窓9を設置し、発振
器13によシ発生させた2、45GHzの電磁波を、電
力計12を介して導波管14によりマイクロ波導入窓9
から金属製容器1へ導入した。マイクロ波導入窓9の位
置は特別に限定されるものではないが、窓9の直前に金
属製のしゃへい物がない所が望ましい。さらに金属製容
器1の上部にはガス導入口10を設置した。
A−7
この装置を用いて酸化アルミニウムの薄膜を形成する際
の手順を説明する。抵抗加熱蒸発源7のBN製ボートに
アルミニウムをセットする。金属製容器1をI C1−
7Torrまで排気後、ガス導入口1oよシ酸素ガスを
導入し、圧力をI X 10−’Torrとする。発振
器13を動作させ、所望のマイクロ波電力を導入し、磁
界発生装置5の近傍に酸素プラズマを形成する。抵抗加
熱蒸発源7に通電し、アルミニウムを蒸発させる。酸化
アルミニウムの堆積速度を一定に保持し、シャッター8
を開き蒸着を開始する。所望の厚さの酸化アルミニウム
薄膜が形成された後、シャッター8を閉じ蒸着を終了す
る。
の手順を説明する。抵抗加熱蒸発源7のBN製ボートに
アルミニウムをセットする。金属製容器1をI C1−
7Torrまで排気後、ガス導入口1oよシ酸素ガスを
導入し、圧力をI X 10−’Torrとする。発振
器13を動作させ、所望のマイクロ波電力を導入し、磁
界発生装置5の近傍に酸素プラズマを形成する。抵抗加
熱蒸発源7に通電し、アルミニウムを蒸発させる。酸化
アルミニウムの堆積速度を一定に保持し、シャッター8
を開き蒸着を開始する。所望の厚さの酸化アルミニウム
薄膜が形成された後、シャッター8を閉じ蒸着を終了す
る。
マイクロ波電力を150W、堆積速度を3人/秒。
基板温度を70℃として、1500人の厚さの酸化アル
ミニウム薄膜を形成したところ、誘電率10゜誘電損失
0.3%以下、絶縁破壊電界強度3.5×106V /
cmでピンホールがほとんど無い優れた薄膜が7ペー/ 素とアルミニウムの反応が促進されたためと考えられる
。
ミニウム薄膜を形成したところ、誘電率10゜誘電損失
0.3%以下、絶縁破壊電界強度3.5×106V /
cmでピンホールがほとんど無い優れた薄膜が7ペー/ 素とアルミニウムの反応が促進されたためと考えられる
。
以上の、手順と同様の手順で、特願昭60−14752
5号に記載の装置を用いて、酸化アルミニウム薄膜を形
成した場合、酸素ガスの活性化は十分性われたが、アル
ミニウム蒸発原子の活性化は十分に行われなかった。つ
捷り第1図の装置で、酸素ガスを導入せずアルミニウム
を蒸発させ、アルミニウム薄膜を形成した場合、磁界発
生装置の近傍でアルミニウムのプラズマが見られ、70
℃に保持されたガラス基板上に付着力の優れたアルミニ
ウム薄膜が形成できたが、特願昭60−147625号
に記載の装置では、プラズマが見られず、アルミニウム
薄膜の付着力も小さかった。磁界発生装置6は、基板3
の表面近傍に、基板面に垂直な方向の磁力線が生ずるよ
うに配置したが、これはプラズマ中の電子が磁力線に添
って移動し、移動した電子に引かれてイオンも移動する
という性質を利用し、基板表面にイオンが効率的に照射
されるためである。しかし基板面に平行な成分の磁力線
のみの場合でも、イオンや他の活性種(励起原子や励起
分子など)の拡散の効果により、基板表面での蒸発原子
や分子の反応を促進することが可能であシ、付着力や、
薄膜の品質の告上にある程度の効果が見られた。
5号に記載の装置を用いて、酸化アルミニウム薄膜を形
成した場合、酸素ガスの活性化は十分性われたが、アル
ミニウム蒸発原子の活性化は十分に行われなかった。つ
捷り第1図の装置で、酸素ガスを導入せずアルミニウム
を蒸発させ、アルミニウム薄膜を形成した場合、磁界発
生装置の近傍でアルミニウムのプラズマが見られ、70
℃に保持されたガラス基板上に付着力の優れたアルミニ
ウム薄膜が形成できたが、特願昭60−147625号
に記載の装置では、プラズマが見られず、アルミニウム
薄膜の付着力も小さかった。磁界発生装置6は、基板3
の表面近傍に、基板面に垂直な方向の磁力線が生ずるよ
うに配置したが、これはプラズマ中の電子が磁力線に添
って移動し、移動した電子に引かれてイオンも移動する
という性質を利用し、基板表面にイオンが効率的に照射
されるためである。しかし基板面に平行な成分の磁力線
のみの場合でも、イオンや他の活性種(励起原子や励起
分子など)の拡散の効果により、基板表面での蒸発原子
や分子の反応を促進することが可能であシ、付着力や、
薄膜の品質の告上にある程度の効果が見られた。
蒸発源としては、抵抗加熱蒸発源以外に、電子ビーム加
熱蒸発源、あるいは第2図に示すように、ハロゲン化物
、水素化物、有機金属化合物などからなるガスを放出す
るガスソース15も有効に用いることができた。
熱蒸発源、あるいは第2図に示すように、ハロゲン化物
、水素化物、有機金属化合物などからなるガスを放出す
るガスソース15も有効に用いることができた。
第1図の装置の抵抗加熱蒸発源7を電子ビーム加熱蒸発
源に取り換えて、マンガン付活硫化亜鉛薄膜を形成した
。金属製容器の真空度を3X10””Torr 、基
板温度を70℃、マイクロ波電力を150W、堆積速度
を15八/秒、蒸発ペレットを1原子係のマンガンを含
む硫化亜鉛焼結体として、厚さ3000への薄膜を形成
した。この薄膜と、マイクロ波電力を印加しなかった場
合の層膜を比較したところ、マイクロ波電力を印加して
作成し7た薄膜の方が50俤大きなホトルミネセンスが
待9へ。
源に取り換えて、マンガン付活硫化亜鉛薄膜を形成した
。金属製容器の真空度を3X10””Torr 、基
板温度を70℃、マイクロ波電力を150W、堆積速度
を15八/秒、蒸発ペレットを1原子係のマンガンを含
む硫化亜鉛焼結体として、厚さ3000への薄膜を形成
した。この薄膜と、マイクロ波電力を印加しなかった場
合の層膜を比較したところ、マイクロ波電力を印加して
作成し7た薄膜の方が50俤大きなホトルミネセンスが
待9へ。
られた。また付着力も優れていることが判明した。
このように形成したマンガン付活硫化亜鉛薄膜を用いて
2重絶縁層形薄膜EL素子を形成したところ、マイクロ
波電力を印加せずに形成した素子と比較して1,5倍高
いEL発光が得られた。
2重絶縁層形薄膜EL素子を形成したところ、マイクロ
波電力を印加せずに形成した素子と比較して1,5倍高
いEL発光が得られた。
磁界発生装置として、希土類磁石を用いたが、電磁石を
用いても同様の効果が得られることはもちろんである。
用いても同様の効果が得られることはもちろんである。
しかし、電磁石で希土類磁石と同等の磁界強度を発生さ
せるには装置が大きくなシ、構成も若干複雑になるとい
う欠点がある。磁界発生部の中心での磁束密度は150
ガウス以上あれば、容易に蒸発粒子や、導入ガスをイオ
ン化することができた。
せるには装置が大きくなシ、構成も若干複雑になるとい
う欠点がある。磁界発生部の中心での磁束密度は150
ガウス以上あれば、容易に蒸発粒子や、導入ガスをイオ
ン化することができた。
以上の実施例では、酸化アルミニウム、アルミニウム、
硫化亜鉛薄膜について説明したが、その他の化合物薄膜
や金属薄膜についても同様の高品質薄膜が得られたこと
はもちろんである。
硫化亜鉛薄膜について説明したが、その他の化合物薄膜
や金属薄膜についても同様の高品質薄膜が得られたこと
はもちろんである。
発明の効果
本発明の装置によれば、付着力や品質が優れた酸化物、
窒化物、値化物などの化合物薄膜や、金10 i\− 属、半導体などの薄膜を生産性よく作製することが可能
である。さらに装置の構造が屯純で操作し易く、低価格
であり実用的価値は高い。
窒化物、値化物などの化合物薄膜や、金10 i\− 属、半導体などの薄膜を生産性よく作製することが可能
である。さらに装置の構造が屯純で操作し易く、低価格
であり実用的価値は高い。
第1図は本発明の一実施例における薄膜形成装置の断面
図、第2図は本発明の他の実施例における薄膜形成装置
の断面図である。 1・・・・・金属製容器、2・・・・・・基板保持具、
3・・・・・基板、4・・・・・・基板加熱ヒーター、
5・・・・磁界発生装置、6・・・・・・水冷ジャケッ
ト、7・・・・・抵抗加熱蒸発源、8・・・・・・シャ
ンク−19・・・・・・マイクロ波導入窓、10・・・
・・ガス導入口、11・・・・・真空排気系、12・・
・・・・電力計、13・・・・・・発振器、14・・・
導波W、15・・・・・・ガスソース。
図、第2図は本発明の他の実施例における薄膜形成装置
の断面図である。 1・・・・・金属製容器、2・・・・・・基板保持具、
3・・・・・基板、4・・・・・・基板加熱ヒーター、
5・・・・磁界発生装置、6・・・・・・水冷ジャケッ
ト、7・・・・・抵抗加熱蒸発源、8・・・・・・シャ
ンク−19・・・・・・マイクロ波導入窓、10・・・
・・ガス導入口、11・・・・・真空排気系、12・・
・・・・電力計、13・・・・・・発振器、14・・・
導波W、15・・・・・・ガスソース。
Claims (5)
- (1)真空排気系を有する金属製容器内に、蒸発源と、
基板保持具を備え、かつ前記金属製容器の壁面に設けた
マイクロ波導入窓と、前記金属製容器内に設けた磁界発
生装置とを備えてなる薄膜形成装置。 - (2)基板保持具に保持された基板の表面において、前
記基板面に垂直な方向の磁力線が生ずるように、磁界発
生装置が配置されていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項に記載の薄膜形成装置。 - (3)磁界発生装置が、蒸発源と基板との間に設けられ
、中空状の永久磁石、あるいは中空コイルからなる電磁
石で構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
1項に記載の薄膜形成装置。 - (4)金属製容器に、少なくとも1個以上のガス導入口
を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
の薄膜形成装置。 - (5)蒸発源が、抵抗加熱蒸発源、電子ビーム加熱蒸発
源、あるいは、ハロゲン化物、水素化物、有機金属化合
物などからなるガスを放出するガスソースであることを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の薄膜形成装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13227886A JPS62287072A (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13227886A JPS62287072A (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62287072A true JPS62287072A (ja) | 1987-12-12 |
Family
ID=15077542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13227886A Pending JPS62287072A (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62287072A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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