KR101046191B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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KR101046191B1
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마사키 히라야마
타다히로 오미
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고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

설치 상태 또는 치수 오차에 의한 슬롯 안테나에서의 전류 흐름의 불균일성을 배제하여, 균일한 플라즈마 생성을 가능하게 한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 금속으로 형성된 처리 용기의 일부를 이루는 플레이트 커버(14)의 상부 개구를 폐쇄하도록 유전체(4)를 배치하고, 유전체(4)의 상부에 플라즈마를 발생시키는 슬롯 안테나(5)를 배치하고, 슬롯 안테나(5)의 외연과 플레이트 커버(14)의 내벽부를 전체 둘레에 걸쳐, 탄성을 갖는 도전성 부재(20 또는 25)에 의하여 직접 접촉시키고, 슬롯 안테나(5)에 마이크로파를 공급한 때에, 플레이트 커버(14)와 슬롯 안테나(5)와의 플레이트 커버(14)의 내벽부와 슬롯 안테나(5)의 외연과의 전기적 접속을 확보할 수 있으므로, 플레이트 커버(14)의 내벽부와 슬롯 안테나(5)의 외연과의 사이의 전기 저항의 크기를 대략 동일하게 하여, 슬롯 안테나(5)에 흐르는 마이크로파 전류의 크기를 대략 동일하게 한다.

Description

플라즈마 처리 장치 {PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 피처리 기판을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
도 7은 종래의 플라즈마 처리 장치(30)를 나타낸 단면도이며, 도 8은 도 7에 도시한 슬롯 안테나(5)를 나타낸 평면도이다. 도 7에 도시한 플라즈마 처리 장치(30)는, 예를 들면, 일본특허공개공보 2005-268763호에 기재되어 있는 것이다.
도 7에서, 플라즈마 처리 장치(30)는 상부가 개구된 처리 용기(1)를 포함하고, 처리 용기(1)는 챔버(11)와, 상부 플레이트(12)와, 스페이서(13)와, 플레이트 커버(14)를 쌓아서 구성되어 있다. 이들은 모두 알루미 합금으로 형성되어 있다. 처리 용기(1) 내에는 피처리 기판(2)을 유지하기 위한 서셉터(3)가 배치되어 있다. 서셉터(3)에는 처리 용기(1)의 외부에 설치된 교류 전원(17)으로부터 바이어스용의 고주파 신호가 공급된다.
처리 용기(1) 내의 균일한 배기를 실현하기 위하여, 서셉터(3)의 주위에는 링 형상으로 공간(1A)이 형성되고, 처리 용기(1)의 저부(底部)에는 진공 펌프 등의 도시하지 않은 배기 장치에 의하여 처리 용기(1) 내의 공기를 배기하기 위한 배기 관(16)이 설치되어 있다. 처리 용기(1) 상에는, 서셉터(3) 상의 피처리 기판(2)에 대응하는 위치에 유전판(4)이 배치되고, 또한, 유전판(4)의 상부에는 슬롯 안테나(5)가 설치되어 있다.
슬롯 안테나(5)는, 도 8에 도시한 바와 같은 래디얼 라인 슬롯 안테나이며, 동축 도파관(9)의 외측 도파관에 접속된 평탄한 디스크 형상의 슬롯 안테나 방사판(5a)을 포함하고, 슬롯 안테나 방사판(5a)의 개구부에는 다수의 슬롯(5b)과, 이에 직교하는 다수의 슬롯(5c)이 형성되어 있고, 또한, 외연(外緣)을 따라 복수의 설치 홀(5d)이 형성되어 있다. 슬롯 안테나(5)의 상부에는 지파판(6)이 배치되어 있으며, 슬롯 안테나 방사판(5a)은 설치 홀(5d)에 나사(15)를 꽉 조임으로써 냉각판(7)에 고정된다. 냉각판(7)은 지파판(6)과 슬롯 안테나(5)를 덮어 슬롯 안테나(5)를 냉각하는 것이며, 내부에 냉각수가 공급되어 있다. 냉각판(7)은 냉각판 고정구(固定具)(10)에 의하여 플레이트 커버(14)에 고정된다.
슬롯 안테나(5)는 외부의 마이크로파 발생 장치(8)의 마이크로파 출력 단자에 동축 도파관(9)을 거쳐 접속되어 있으며, 마이크로파 발생 장치(8)의 접지 단자는 처리 용기(1)에 접속되어 있다. 마이크로파 발생 장치(8)는, 예를 들면, 2.45 GHz의 마이크로파를, 도시하지 않은 부하 정합기(整合器)로부터 동축 도파관(9)을 거쳐 슬롯 안테나(5)로 공급한다. 마이크로파 발생 장치(8)로부터의 마이크로파에 의하여, 도시하지 않은 가스 공급구로부터 공급되어 공간(1B)으로 방출된 플라즈마 가스를 여기한다.
이와 같이 구성된 플라즈마 처리 장치(30)에서 플라즈마 처리할 때에는, 처 리 용기(1) 내의 서셉터(3) 상에 피처리 기판(2)을 재치하고, 가스 도입부로부터 소정의 처리 가스를 처리 용기(1) 내로 공급하면서, 배기관(16)으로부터 배기함으로써 처리 공간(1B) 내를 소정의 압력으로 한다. 그리고, 교류 전원(17)에 의하여 피처리 기판(2)으로 바이어스 고주파를 인가하고, 또한, 마이크로파 발생 장치(8)에 의하여 마이크로파를 발생시켜 슬롯 안테나(5)로 공급한다.
마이크로파는 슬롯 안테나(5)와 냉각판(7)과의 사이를 반경 방향으로 확장하며 진행하지만, 그 때에 지파판(6)의 작용에 의하여 파장이 압축된다. 반경 방향으로 진행하는 마이크로파의 파장에 대응하여 슬롯(5b 및 5c)을 동심원 형상으로, 또한, 상호로 직교하도록 형성하여 둠으로써, 원편파를 갖는 평면파를 슬롯 안테나(5)에 실질적으로 수직의 방향으로 방사할 수 있어, 유전판(4)의 하부에 전계를 발생시킨다. 이렇게 하면, 공간(1B) 내의 처리 가스가 플라즈마화되고, 처리 가스의 종류를 선택함으로써 피처리 기판(2)에 대하여 소정의 플라즈마 처리가 행해진다.
특허 문헌 1 : 일본특허공개공보 2005-268763호
도 9 및 도 10은, 도 7에 도시한 플라즈마 처리 장치(30)에서, 슬롯 안테나(5)로부터 처리 용기(1)로 흐르는 마이크로파 전류가 흐르는 경로를 설명하기 위한 요부(要部) 단면도이다. 특히, 도 9는 도 7의 일점쇄선(30A)으로 둘러싼 부분을 확대하여 도시하고, 도 10은 동일하게 일점쇄선(30A 및 30B)으로 둘러싼 부분을 확대하여 도시한다.
도 7에 도시한 냉각판(7)과 플레이트 커버(14)는, 메인터넌스를 용이하게 하기 위하여, 별도의 부재로서 형성되어 있다. 슬롯 안테나(5)는 지파판(6)과 함께 나사(15)에 의하여 냉각판(7)에 고정되어 있으며, 냉각판(7)을 플레이트 커버(14)의 개구부에 장착한 때에, 냉각판(7)과 플레이트 커버(14)와의 사이에 약간의 갭이 발생된다.
냉각판(7)을 플레이트 커버(14)에 장착할 때에, 냉각판(7)과 플레이트 커버(14)와의 사이의 갭이 균일하게 되도록 하면, 냉각판(7)이 직접 플레이트 커버(14)에 접촉되지 않는다. 그 결과, 전류는 슬롯 안테나(5)로부터, 도 9의 화살표(IA)로 나타낸 바와 같이, 표피 효과에 의하여 냉각판(7)의 외벽부를 따라 상방향으로 흐르고, 또한, 냉각판 고정구(10)의 하면으로부터, 플레이트 커버(14), 스페이서(13), 상부 플레이트(12), 챔버(11) 각각의 내벽부를 따라 흘러, 마이크로파 발생 장치(8)의 접지 단자로 되돌아온다. 이 경우, 마이크로파 전류의 흐름은 동심 형상으로 반경 방향으로 확장되면서 진행되므로, 슬롯 안테나(5)면에 있어서 균일 해지므로, 플라즈마 밀도도 균일해진다.
그러나, 냉각판(7) 또는 플레이트 커버(14)를 제조할 때에, 공작(工作) 정밀도 또는 공차(公差)의 문제로부터 공극(空隙)을 확보할 필요가 있고, 냉각판(7)을 플레이트 커버(14)에 장착할 때마다, 냉각판(7)의 플레이트 커버(14)로의 장착 장소가 약간 어긋나게 되어, 갭의 간격이 변동되고, 냉각판(7) 또는 플레이트 커버(14)마다 갭의 치수가 바뀌어버린다. 또한, 설치 상태에 따라서도 갭의 간격이 변동되는 경우도 있다.
특히, 도 10에 도시한 일점쇄선(30A)측에서, 냉각판(7)이 플레이트 커버(14)에 직접 접촉하여, 일점쇄선(30B)측의 갭이 넓어지면, 일점쇄선(30A)측에서는 슬롯 안테나(5)로부터 냉각판(7)과 플레이트 커버(14)와의 접촉 부분으로, 화살표(IB)로 나타낸 바와 같이, 직접 마이크로파 전류가 흐른다. 이에 대해, 일점쇄선(30B)측에서는, 도 9의 설명과 마찬가지로, 화살표(IC)로 나타낸 경로로 마이크로파 전류가 흐른다. 이 때문에, 슬롯 안테나(5)로 흐르는 마이크로파 전류의 흐름이, 도 8의 파선으로 나타낸 바와 같이 치우치므로 불균일해지고, 플라즈마 밀도가 불균일해진다.
여기서, 본 발명의 목적은, 설치 상태 또는 치수 오차로 인한 전류 흐름의 불균일성을 배제하여, 균일한 플라즈마 생성을 가능하게 한 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은, 상부 개구를 갖고, 금속으로 형성된 처리 용기와, 처리 용기의 상부 개구를 폐쇄하도록 배치된 유전체와, 접지측이 처리 용기에 접속되어 있으며, 마이크로파를 공급하기 위한 마이크로파 공급원과, 유전체 상에 배치되고, 마이크로파 공급원으로부터의 마이크로파를, 유전체를 투과시켜 처리 용기의 내부로 공급하고, 처리 용기의 내부에 플라즈마를 발생시키는 평판 형상 안테나와, 처리 용기의 내벽부 및 평판 형상 안테나의 외연부에 직접 접촉하는 도전성 부재를 구비한다.
도전성 부재에 의하여 처리 용기 전체 둘레에 걸쳐 평판 형상 안테나와 처리 용기의 내벽부를 직접 접촉시킴으로써, 처리 용기의 내벽과 평판 형상 안테나 외연과의 사이의 전기 저항의 크기를 대략 동일하게 할 수 있으므로, 마이크로파 전류의 크기를 대략 동일하게 할 수 있다.
바람직하게는, 도전성 부재는, 평판 형상 안테나측에 설치되어, 처리 용기의 실질적으로 전체 둘레에 걸쳐 처리 용기의 내벽부에 탄성적으로 접촉한다. 도전성 부재를 평판 형상 안테나측에 설치함으로써, 처리 용기에 장착하는 것이 용이해진다.
바람직하게는, 평판 형상 안테나를 덮는 커버 부재를 포함하고, 평판 형상 안테나는 커버 부재에 나사에 의하여 고정되어 있고, 도전성 부재는 평판 형상 안테나와 함께 나사에 의하여 커버 부재에 고정된다. 도전성 부재를 평판 형상 안테나와 함께 커버 부재에 고정하므로, 도전성 부재의 설치가 용이해진다.
바람직하게는, 도전성 부재는 링 형태로서, 그 외연부가 직경 방향 바깥쪽 및 상방으로 솟아올라, 처리 용기의 내벽부에 탄성적으로 접촉하는 접촉편(接觸片) 을 포함한다. 접촉편에 의하여 탄성적으로 처리 용기의 내벽부에 접촉시킬 수 있으므로, 전기적인 접속을 확실히 할 수 있다.
바람직하게는, 평판 형상 안테나를 덮는 커버 부재를 포함하고, 도전성 부재는, 커버 부재에 유지되어 처리 용기의 내벽부 및 평판 형상 안테나 모두에 탄성적으로 접촉한다. 도전성 부재를 커버 부재로 유지함으로써, 처리 용기에 장착하는 것이 용이해진다.
바람직하게는, 도전성 부재는, 소정의 폭을 갖는 금속 띠를 나선 형상으로 감아 돌린 링 형태이며, 커버 부재는 도전성 부재를 맞추어 삽입하기 위한 홈을 포함하고, 도전성 부재는 홈에 맞추어 삽입됨으로써 평판 형상 안테나와 처리 용기의 내벽부에 탄성적으로 접촉한다.
홈에 도전성 부재를 맞추어 삽입함으로써, 커버 부재를 처리 용기에 설치한 때에, 도전성 부재는 홈의 벽부와 처리 용기의 내벽부에서 압력을 받아 변형하여, 평판 형상 안테나와 처리 용기의 내벽부와의 전기적 접속을 양호하게 한다.
본 발명에 의하면, 도전성 부재에 의하여 처리 용기 전체 둘레에 걸쳐, 평판 형상 안테나와 처리 용기의 내벽부를 직접 접촉시킴으로써, 처리 용기의 내벽과 평판 형상 안테나 외연과의 사이의 전기 저항의 크기를 대략 동일하게 할 수 있으므로, 마이크로파 전류의 크기가 대략 동일해지고, 마이크로파가 균일하게 확장되어, 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에서의 플라즈마 처리 장치(40)의 요부 단면도이며, 도 7에 도시한 일점쇄선(30A)에 대응하는 부분의 확대도이며, 도 2는 도 1에 도시한 일점쇄선(C)으로 나타낸 부분을 확대하여 도시한 도면이며, 도 3은 도 1 및 도 2에 나타낸 도전성 부재(20)를 도시한 외관 사시도이다.
도 1 내지 도 3에서, 본 발명의 일 실시예의 플라즈마 처리 장치(40)는, 도 7에 도시한 플라즈마 처리 장치(30)와 마찬가지로, 상부 개구를 갖고, 알루미 합금 등의 금속으로 형성된 처리 용기(1)로서의 챔버(11)와, 상부 플레이트(12)와, 스페이서(13)와, 플레이트 커버(14)와, 처리 용기(1)의 상부 개구를 폐쇄하도록 배치된 유전체(4)와, 마이크로파를 유전체(4)로 공급하고, 마이크로파를, 유전체(4)를 투과시켜 처리 용기의 내부로 공급하여, 처리 용기의 내부에 플라즈마를 발생시키는 평판 형상 안테나로서의 슬롯 안테나(5)를 포함한다. 또한, 슬롯 안테나(5) 상에는 지파판(6)이 재치되어 있으며, 슬롯 안테나(5)는 도전성 부재(20)와 함께 커버 부재로서의 냉각판(7)에 나사(15)에 의하여 고정된다. 냉각판(7)은 냉각판 고정구(10)에 의하여 플레이트 커버(14)에 고정된다.
도전성 부재(20)는 슬롯 안테나(5)측에 설치되어, 처리 용기의 일부를 구성하는 플레이트 커버(14)의 실질적으로 전체 둘레에 걸쳐 플레이트 커버(14)의 내측에 탄성적으로 직접 접촉하여, 마이크로파 전류가 흐르는 경로를 형성한다. 이 경로에 의하여, 플레이트 커버(14), 스페이서(13), 상부 플레이트(12) 및 챔버(11) 각각의 전체 둘레에 걸쳐, 각각의 내벽과 슬롯 안테나(5)의 외연과의 사이의 전기 저항의 크기를 대략 동일하게 함으로써, 마이크로파 전류의 크기를 대략 동일하게 하여 균일하게 마이크로파를 전파시켜, 균일한 플라즈마를 생성할 수 있다. 도전성 부재(20)는 링 형태로서, 예를 들면, 인 청동(靑銅) 등으로 형성되어 있으며, 도 3에 도시한 바와 같이, 냉각판(7)의 하면에 접촉하는 평탄한 링 형상부(21)와, 링 형상부(21)의 주연부가 직경 방향 및 상방으로 솟아오르는 다수의 접촉편(22)을 포함하고, 접촉편(22)은 처리 용기(1)의 내벽부에 탄성적으로 접촉한다.
링 형상부(21)에는, 도 8에 도시한 슬롯 안테나(5)의 설치 홀(5d)에 대응하여 설치 홀(23)이 형성되어 있다. 슬롯 안테나(5)의 설치 홀(5d)과 도전성 부재(20)의 설치 홀(23)에 나사(15)를 삽입하여 냉각판(7)에 나사 고정한다. 접촉편(22)은. 도 2에 도시한 바와 같이, 링 형상부(21)의 외연부가 직경 방향 바깥쪽 및 상방으로 솟아오르도록 형성되어 있으므로, 탄성을 가지고 있다. 이 때문에, 도전성 부재(20)와 슬롯 안테나(5)를 설치한 냉각판(7)을 플레이트 커버(14)에 고정하면, 접촉편(22)의 외벽부가 플레이트 커버(14)의 내벽부에 의하여 압력을 받으므로, 도 2의 파선(E)으로 나타낸 상태로부터 실선으로 나타낸 상태로 변형하여, 슬롯 안테나(5)와 플레이트 커버(14)를 강제적으로 전기적으로 접속한다.
도 1에는, 도시를 생략하고 있으나, 도 7과 마찬가지로, 마이크로파 공급원으로서 작동하는 마이크로파 발생 장치가 설치되어 있다. 마이크로파 출력 단자로부터, 도시하지 않은 동축 도파관을 거쳐 마이크로파가 슬롯 안테나(5)로 공급되어 있으며, 접지 단자는 처리 용기(1)에 접속되어 있다. 마이크로파 발생 장치로부터 마이크로파가 슬롯 안테나(5)로 공급되면, 도 1의 화살표(ID)로 나타낸 바와 같이, 슬롯 안테나(5)로부터 도전성 부재(20)를 거쳐, 플레이트 커버(14), 스페이서(13), 상부 플레이트(12) 및 챔버(11)의 경로로 마이크로파 전류가 흘러, 마이크로파 발생 장치로 되돌아온다.
슬롯 안테나(5)를 설치한 냉각판(7)을 플레이트 커버(14)에 설치한 때에, 냉각판(7)의 플레이트 커버(14)로의 장착 장소가 약간 어긋나게 되는 경우가 있다. 이 때문에, 갭의 간격이 변동하여, 냉각판(7) 또는 플레이트 커버(14)마다 갭의 치수가 변해버려도, 도전성 부재(20)에 의하여 플레이트 커버(14)의 내벽부와 슬롯 안테나(5)의 외연과의 전기적 접속을 확보할 수 있다. 이에 의해, 플레이트 커버(14)의 내벽부와 슬롯 안테나(5)의 외연과의 사이의 전기 저항의 크기를 대략 동일하게 하여, 슬롯 안테나(5)에 흐르는 마이크로파 전류를 균일하게 할 수 있다. 그 결과, 공작 정밀도 또는 공차 등에 영향을 받지 않고, 슬롯 안테나(5)의 전면(全面)으로부터 발생되는 플라즈마 밀도를 균일하게 할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에서의 플라즈마 처리 장치(50)의 요부 단면도이며, 도 7에 도시한 일점쇄선(30A)에 대응하는 부분의 확대도이며, 도 5는 도 4에 도시한 일점쇄선(D)으로 나타낸 부분을 확대하여 도시한 도면이며, 도 6은 도 4 및 도 5에 도시한 도전성 부재(25)를 나타낸 외관 사시도이다.
이 실시예의 플라즈마 처리 장치는, 도 1과 마찬가지로, 챔버(11)와, 상부 플레이트(12)와, 스페이서(13)와, 플레이트 커버(14)와, 유전체(4)와, 슬롯 안테나(5)와, 지파판(6)을 포함한다. 슬롯 안테나(5)는 냉각판(7)에 나사(15)에 의하여 고정된다. 냉각판(7)은 냉각판 고정구(10)에 의하여 플레이트 커버(14)에 고정된다. 슬롯 안테나(5)는 도전성 부재(25)를 거쳐 플레이트 커버(14)의 내벽부에 전기 적으로 접속된다.
이 실시예에 사용되는 도전성 부재(25)는, 도 6에 도시한 바와 같은 소정의 폭을 갖고, 두께가 예를 들면 0.1 mm 정도의 구리 또는 알루미늄, 또는 SUS 등의 금속 띠를 나선 형상으로 감아 돌린 링 형태이며, 냉각판(7)에 유지되어, 플레이트 커버(14)의 내벽부 및 슬롯 안테나(5) 모두에 탄성적으로 접촉한다. 냉각판(7)의 외벽부의 하부에는, 역 V 자 형상의 홈(71)이 외벽부 전역에 걸쳐 플레이트 커버(14)의 내벽부에 대향하도록 형성된다. 이 홈(71)에 도전성 부재(25)를 맞추어 삽입한다. 이 때, 도전성 부재(25) 중에, 도 6에 도시한 바와 같이, 와이어(26)를 삽입하여 원이 되게하여, 홈(71)에 장착하는 것을 용이하게 하고, 장착 시에 이탈되지 않게 한다. 냉각판(7)에 도전성 부재(25)를 설치한 후, 냉각판(7)을 플레이트 커버(14)에 장착한다.
도전성 부재(25)는, 홈(71)의 벽부와 커버 플레이트(14)의 내벽부와의 사이에서 개재되므로, 압축되어 단면이 원형에서 타원으로 변형된다. 그 결과, 도전성 부재(25)는 슬롯 안테나(5)를 누르므로, 슬롯 안테나(5)와 커버 플레이트(14)를 전기적으로 접속하고, 전위차를 없애어 등전위로 유지한다. 그 결과, 플레이트 커버(14)의 내벽부와 슬롯 안테나(5)의 외연과의 전기적 접속을 확보할 수 있으므로, 플레이트 커버(14)의 내벽부와 슬롯 안테나(5)의 외연과의 사이의 전기 저항의 크기를 대략 동일하게 하고, 슬롯 안테나(5)에 흐르는 마이크로파 전류를 균일하게 할 수 있다. 그 결과, 공작 정밀도 또는 공차 등에 영향을 받지 않고, 슬롯 안테나(5)의 전면에서의 플라즈마 밀도를 균일하게 할 수 있다.
또한, 도전성 부재(20, 25)는, 플레이트 커버(14)의 내벽부와 슬롯 안테나(5)의 외연을 전기적으로 접속할 수 있는 것이라면, 도 3 및 도 6에 도시한 것 이외의 것이어도 좋다.
이상, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 도시한 실시예에 한정되지 않는다. 도시된 실시예에 대해, 본 발명과 동일한 범위 내에서, 또는 균등한 범위 내에서 다양한 수정 또는 변형을 가할 수 있다.
본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 반도체 기판을 플라즈마 처리하는 데에 이용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에서의 플라즈마 처리 장치(40)의 요부 단면도이며, 도 7에 도시한 일점쇄선(30A)에 대응하는 부분의 확대도이다.
도 2는 도 1에 도시한 일점쇄선(C)으로 나타낸 부분을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시한 도전성 부재(20)를 나타낸 외관 사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에서의 플라즈마 처리 장치(50)의 요부 단면도이며, 도 7에 도시한 일점쇄선(30A)에 대응하는 부분의 확대도이다.
도 5는 도 4에 도시한 일점쇄선(D)으로 나타낸 부분을 확대하여 도시한 도면이다.
도 6은 도 4 및 도 5에 도시한 도전성 부재(25)를 나타낸 외관 사시도이다.
도 7은 종래의 플라즈마 처리 장치(30)를 나타낸 단면도이다.
도 8은 도 7에 도시한 슬롯 안테나(5)를 나타낸 평면도이다.
도 9는 도 7의 일점쇄선(30A)으로 둘러싼 부분을 확대하여 도시한 도면이다.
도 10은 도 7의 일점쇄선(30B)으로 둘러싼 부분을 확대하여 도시한 도면이다.
*부호의 설명*
4 : 유전체
5 : 슬롯 안테나
6 : 지파판
7 : 냉각판
8 : 마이크로파 발생 장치
9 : 동축 도파관
10 : 냉각판 고정구
11 : 챔버
12 : 상부 플레이트
13 : 스페이서
14 : 플레이트 커버
15 : 나사
20, 25 : 도전성 부재
21 : 링 형상부
22 : 접촉편
23 : 홀
26 : 와이어
40, 50 : 플라즈마 처리 장치
71 : 홈

Claims (6)

  1. 상부 개구를 갖고, 금속으로 형성된 처리 용기와,
    상기 처리 용기의 상부 개구를 폐쇄하도록 배치된 유전체와,
    접지측이 상기 처리 용기에 접속되어 있으며, 마이크로파를 공급하기 위한 마이크로파 공급원과,
    상기 유전체 상에 배치되고, 상기 마이크로파 공급원으로부터의 마이크로파를, 상기 유전체를 투과시켜 상기 처리 용기의 내부로 공급하고, 상기 처리 용기의 내부에 플라즈마를 발생시키는 평판 형상 안테나와,
    상기 처리 용기의 내벽부 및 상기 평판 형상 안테나를 전기적으로 접속시키기 위하여, 상기 처리 용기의 내벽부에 직접 탄성적으로 접촉하는 도전성 부재를 구비하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 부재는, 상기 평판 형상 안테나측에 설치되어, 상기 처리 용기의 둘레에 걸쳐 상기 처리 용기의 내벽부에 탄성적으로 접촉하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 평판 형상 안테나를 덮는 커버 부재를 포함하고,
    상기 평판 형상 안테나는 상기 커버 부재에 나사에 의하여 고정되어 있고,
    상기 도전성 부재는, 상기 평판 형상 안테나와 함께 상기 나사에 의하여 상기 커버 부재에 고정되는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 도전성 부재는 링 형태로서, 그 가장자리부가 직경 방향 바깥쪽 및 상방으로 솟아올라, 상기 처리 용기의 내벽부에 탄성적으로 접촉하는 접촉편을 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 평판 형상 안테나를 덮는 커버 부재를 포함하고,
    상기 도전성 부재는, 상기 커버 부재에 유지되어 상기 처리 용기의 내벽부 및 상기 평판 형상 안테나 모두에 탄성적으로 접촉하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 도전성 부재는, 소정의 폭을 갖는 금속 띠를 나선 형상으로 감아 돌린 링 형태이며,
    상기 커버 부재는, 상기 도전성 부재를 맞추어 삽입하기 위한 홈을 포함하고,
    상기 도전성 부재는, 상기 홈에 맞추어 삽입됨으로써 상기 평판 형상 안테나와 상기 처리 용기의 내벽부에 탄성적으로 접촉하는 플라즈마 처리 장치.
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