JP6865417B2

JP6865417B2 - 除電装置

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Publication number: JP6865417B2
Application number: JP2017159483A
Authority: JP
Inventors: 隆池畑; 池畑　　隆; 信雄野村
Original assignee: Ibaraki University NUC; Kasuga Denki Inc
Current assignee: Ibaraki University NUC; Kasuga Denki Inc
Priority date: 2016-09-23
Filing date: 2017-08-22
Publication date: 2021-04-28
Anticipated expiration: 2037-08-22
Also published as: JP2018056115A

Description

この発明は、高真空を維持した空間内の除電対象を除電するための除電装置に関する。

従来から、例えば、ガスバリア性を付与するために、樹脂製のフィルムの表面にアルミなどの金属の薄膜を形成するなど、樹脂製のフィルム表面に蒸着によって薄膜を形成することが行なわれている。
蒸着が施される樹脂製のフィルムは、絶縁性のため、静電気帯電しやすい性質を持っている。また、蒸着プロセスの雰囲気は高真空なので、電気的に絶縁性である。

そのため、高真空下で上記フィルムなどの表面が一旦帯電するとその電荷は逃げにくく、帯電状態が維持されてしまう。
帯電すると、フィルム同士は付着しやすく、搬送不良を起こしたり、しわや傷の原因になったりする。
また、蒸着処理の前にフィルム表面が帯電していると、蒸着が不均一になってしまうこともある。
なお、上記フィルムが帯電する原因は様々であるが、蒸着材に電子ビームを照射して蒸着する場合には、蒸着時に特に帯電しやすい。

また、ＬＳＩ（Large Scale Integration）などのデバイスの製造プロセスでは、高真空下での処理が必要である。そして、ＬＳＩなどは、静電気帯電とこれに起因する放電によって損傷してしまうような静電気敏感デバイスである。
このように、高真空中で行なわれる、フィルムの真空製膜プロセスや静電気敏感デバイスの製造プロセスなどで、除電の用途がある。
しかし、コロナ放電によって生成されるイオンでフィルムの表面電荷を中和する一般的な除電装置をそのまま用いることはできない。
なぜなら、真空製膜プロセスや静電気敏感デバイスの製造が実行される高真空下では、コロナ放電によってイオンを生成することができないからである。

このような高真空で蒸着処理されたフィルムを除電できる装置として、特許文献１に示す装置が知られていた。
この従来の装置では、高真空を維持して蒸着膜を形成する製膜室と、処理後のフィルムを巻き取る巻き取り室とを隔壁で区画している。
上記巻き取り室には、一対の電極を設けるとともに、真空排気手段とガス供給手段とを設けている。そして、この巻き取り室内にガスを供給しながら、一対の電極間に電場を形成して、巻き取り室全体にプラズマを生成させている。このプラズマによってフィルムロールの電荷を除電するようにしていた。

特開平１０−２９８７５８号公報特開２００９−１８１９３８号公報特許第３６１９９８９号公報

上記従来の装置では、巻き取り室全体にガスを供給してプラズマを生成させているため、製膜室の真空度を維持するためには、両室間を区分けする区画壁が必須であった。しかも、上記区画を介してフィルムを連続させなければならないので、フィルムを通過させる隙間の寸法管理や隔壁の構造が複雑になってしまう。
また、製膜室と巻き取り室とのそれぞれに、内部の真空度を維持するための真空排気手段を個別に設ける必要もあった。
このように、上記従来の装置は、区画壁や各室ごとの真空排気手段が必要なうえ、構造が複雑になってしまう。そのため、装置全体が大型化してしまうという問題があった。
この発明の課題は、区画壁を不要にしながら、全体の真空度を落とさずに除電ができる除電装置を提供することである。

第１の発明は、１Ｐａ以下の高真空を実現するチャンバーと、このチャンバー内に設けられ、除電対象を保持する保持手段と、高電圧が印加される放電電極と、上記放電電極との間で電場を形成する接地電極と、上記保持手段で保持された上記除電対象、上記放電電極及び上記接地電極で囲まれた空間でプラズマを生成させるためのプラズマ生成用のガスをパルス的に供給するガス供給手段とが備えられ、上記放電電極に高電圧が印加されるとともに、上記プラズマ生成用のガスが供給されたとき、上記電場によって上記空間にプラズマが生成され、このプラズマを介して上記除電対象の表面電荷が上記接地電極に流れる構成にしたことを特徴とする。

なお、上記プラズマ生成用のガスを供給する空間は、除電対象、上記放電電極及び接地電極の位置関係に依存する。したがって、電極の配置によって、プラズマの生成範囲を制御できることになる。
また、上記「パルス的に」とは、パルスのようにきわめて短時間という意味で、「ガスをパルス的に供給する」とは、瞬間的にガスを供給することを意味している。

第２の発明は、上記放電電極が、上記保持手段で保持された除電対象と対向位置に設けられるとともに、上記接地電極が、上記放電電極の両側もしくは片側に対応する位置に設けられたことを特徴とする。
上記放電電極の両側もしくは片側に対応する位置とは、放電電極を挟んだ両脇もしくは片側の位置であるが、放電電極の両脇から上下左右に多少ずれた位置を含むものとする。例えば、上記接地電極の位置は、上記放電電極を基準にして、除電対象側や放電電極側にずれたり、除電対象の搬送方向にずれたりしていてもよい。

第３の発明は、上記放電電極と接地電極とが対向配置され、上記放電電極と接地電極とで形成される電場の方向に沿った上記除電対象が、上記保持手段によって保持されたことを特徴とする。

第４の発明は、上記放電電極または接地電極の少なくともいずれか一方がメッシュからなることを特徴とする。

第１の発明では、除電対象、放電電極及び除電対象とで囲まれた空間に、パルス的にプラズマ生成用のガスを供給することによって、上記空間にプラズマを生成しながら、チャンバー内に供給されるガスの総量を抑えて、チャンバー全体の真空度の低下を防止している。
したがって、この発明によれば、特別な区画壁を設けなくても、チャンバー全体の高真空を保ちながら、プラズマによって除電対象の電荷を接地電極に流して除電することができる。

仮に、除電対象、放電電極及び除電対象とで囲まれた空間内に供給されるプラズマ生成用のガスの総量が同じであっても、時間をかけて少量ずつ供給した場合には、供給ガスがチャンバー全体に拡散してしまい、上記空間内の圧力がプラズマ生成可能な圧力に達しない可能性がある。
だからといって、上記空間内の圧力がプラズマ生成に必要な圧力になるまで、少量のガスを供給し続けた場合には、チャンバー全体の圧力がプラズマ生成可能な圧力になるようにガスを供給しなければならず、チャンバー全体の真空度を保つことはできない。

これに対し、この発明では、上記空間にプラズマ生成用のガスを、除電対象、放電電極及び除電対象とで囲まれた空間に対し、パルス的な非常に短い時間で供給することで、局所的かつ瞬間的に、上記空間内の圧力をプラズマ生成可能な圧力まで上げることができる。したがって、上記空間に生成されたプラズマによって除電対象を除電しながら、上記空間から拡散したガスを速やかに排気してチャンバー全体の真空度の低下を防止できる。

第２の発明によれば、プラズマが生成される電場が、除電対象と放電電極との対向間隔内に形成される。そのため、放電電極を除電対象に近づければ、プラズマを生成させる空間を狭くできる。言い換えれば、プラズマ生成用のガスを供給して真空度が落ちる領域をより局所的にすることができる。
また、上記放電電極を、ある程度の面積を有する部材で構成した場合には、この放電電極と除電対象とによって、その間に供給されたプラズマ生成用のガスの広がりも抑制できる。
したがって、放電電極で囲まれ、プラズマ生成用のガスによって真空度が低下する領域を局所的にし、チャンバー全体の高真空をより確実に維持することができる。
また、接地電極を、放電電極の両側に設けた場合には、片側のみに設けた場合と比べて、放電電極と接地電極とで形成される電場の偏りを少なくできる。

第３の発明によれば、対向する放電電極と接地電極とで形成される電場の方向に沿って、除電対象の表面電荷を接地電極へ導くことができる。
また、放電電極及び接地電極が電場に沿って保持された除電対象の両脇を挟むように配置されるため、両電極を除電対象の厚み方向に長くすれば、一対の電極のみで、除電対象の両面を同時に除電することもできる。つまり、部品点数を少なくして、装置の製造コストを低く抑えることもできる。
さらに、板状の電極を対向配置させた場合には、これら両電極によって、プラズマ生成用のガスが除電対象の幅方向に広がることを抑制することができる。

第４の発明によれば、メッシュからなる放電電極又は接地電極を介して、電極の外側から、除電対象、放電電極及び接地電極で囲まれた空間内に、プラズマ生成用のガスを供給することができる。
狭い空間に、ガス噴出口を臨ませる場合と比べて、ガス供給手段の設置の自由度を高くできる。

この発明の第１実施形態の除電装置の構成図である。第１実施形態の主要部を示した斜視図である。第２実施形態の電極配置を示した模式図である。第３実施形態の除電装置の構成図である。第３実施形態の除電装置を用いた確認実験の結果を示すグラフである。

図１，２にこの発明の第１実施形態を示す。
第１実施形態の除電装置は、真空ポンプＰによって、１［Ｐａ］以下の目的の高真空が保たれるチャンバー１内で、ローラ２などで搬送され、その後、図示しない位置で巻き取られるフィルムＦの表面電荷を除電する除電装置である。
この第１実施形態では、上記フィルムＦが除電対象であり、ローラ２（図２参照）が除電対象を保持する保持手段である。

なお、図１は、第１実施形態の除電装置の構成図で、図２は、この第１実施形態における除電装置の主要部の斜視図であるが、図１では上記ローラ２を省略している。
また、チャンバー１内には、フィルムＦの表面に薄膜を形成する図示しない蒸着プロセスが設けられ、チャンバー１全体の圧力は、上記ポンプＰによって、蒸着可能な圧力、例えば１０^−４〜１０^−２［Ｐａ］の高真空に保たれるようにしている。

上記チャンバー１内には、上記フィルムＦの表裏面ｓ１，ｓ２に対向させてメッシュで構成された放電電極３，４と、ガス供給パイプ５，６とが設けられている。
上記放電電極３，４は、フィルムＦの幅方向に長さを有する電極であって、図示しない支持手段によってチャンバー１の側面に支持され、絶縁体で被覆された導線によってチャンバー１外の電源７と接続されている。この電源７は、上記放電電極３，４に対して、後で説明するプラズマを生成可能な電圧を出力できればよく、その電圧は直流電圧に限られない。上記電源７から出力される電圧としては、規則的あるいは不規則に正負の極性が入れ替わったり、正負どちらか一方の極性が間欠的に出力されたりするものでもよい。
さらに、上記チャンバー１内には、上記放電電極３，４の長手方向両側であって上記フィルムＦの幅を挟む位置に、棒状の接地電極９，１０を設けている。これら接地電極９，１０は、上記放電電極３，４との間で電場Ｅ１，Ｅ２を形成するとともに、フィルムＦの表面ｓ１，ｓ２上の電荷をアースへ流すためのものである。

また、上記ガス供給パイプ５，６には、チャンバー１外のバルブＶ１，Ｖ２を介して図示しないプラズマ生成用のガス、例えばエアや窒素ガスの供給源が接続されるとともに、上記バルブＶ１，Ｖ２には、これらのバルブＶ１，Ｖ２の開閉を制御するためのバルブ制御部８が接続されている。
この第１実施形態では、上記ガス供給パイプ５，６、バルブＶ１，Ｖ２、上記バルブ制御部８及び図示しないガスの供給源によって、この発明のガス供給手段を構成している。

また、上記ガス供給パイプ５，６は、上記フィルムＦの幅を覆う長さを備え、上記放電電極３，４を介してフィルムＦの表面ｓ１，ｓ２に対向する側に、図示しない複数のガス噴出口が形成されている。したがって、これらガス供給パイプ５，６に、上記バルブＶ１，Ｖ２を介してプラズマ生成用のガスを供給すると、このプラズマ生成用のガスは、上記ガス噴出口から噴出し、メッシュからなる放電電極３，４を通過して、フィルムＦ、放電電極３，４及び接地電極９，１０で囲まれた空間１１，１２内に供給される。
そして、上記バルブ制御部８はパルス的に上記バルブＶ１，Ｖ２を開状態としたとき、上記空間１１，１２内に、プラズマ生成用のガスをパルス的に供給する。

次に、上記除電装置の作用を説明する。
チャンバー１内は、上記真空ポンプＰによって蒸着処理が可能な高真空が維持され、図示しない搬送手段によって矢印ａ方向に搬送されているフィルムＦの表面ｓ１，ｓ２は帯電しているものとする。
また、上記バルブＶ１，Ｖ２はバルブ制御部８によって閉状態が保たれている。
この状態で、放電電極３，４に直流高電圧を印加すると、放電電極３と一対の接地電極９，１０とによって電場Ｅ１が形成されるとともに、放電電極４と接地電極９，１０とによって電場Ｅ２が形成される。

このように電場Ｅ１，Ｅ２が形成されたとき、上記バルブＶ１，Ｖ２が閉状態を維持していれば、電場Ｅ１，Ｅ２内も上記高真空に保たれ、放電は発生しない。
このように放電電極３，４に高電圧を印加した状態で、上記バルブ制御部８によってバルブＶ１，Ｖ２をパルス的に開状態にして、プラズマ生成用のガスをパルス的に供給する。つまり、バルブＶ１，Ｖ２を短時間だけ開状態にしてプラズマ生成用のガスを上記空間１１，１２に瞬間的に供給し、すぐにバルブＶ１，Ｖ２を閉状態にして上記ガスの供給を停止する。

上記のように、バルブＶ１，Ｖ２が開かれて、ガス供給パイプ５，６からプラズマ生成用のガスが供給され、空間１１，１２内の圧力がプラズマ生成可能圧力まで上昇すると、電場Ｅ１，Ｅ２によって空間１１，１２にはプラズマが生成される。
このように、フィルムＦ、放電電極３，４及び接地電極９，１０とで囲まれた空間１１，１２内にプラズマが生成されると、上記フィルムＦの表面ｓ１，ｓ２がプラズマに曝される。したがって、フィルムＦの表面ｓ１，ｓ２の電荷が、プラズマを介して上記接地電極９，１０に流れ、フィルムＦの両面ｓ１，ｓ２が同時に除電される。
なお、プラズマ生成可能圧力とは、大気圧未満で１［Ｐａ］より高い圧力範囲である。

この第１実施形態では、プラズマを生成したい空間１１，１２に向かってプラズマ生成用のガスをパルス的に供給し、必要量を超えるガスができるだけ供給されないようにしている。上記必要量とは、上記空間１１，１２内をプラズマ生成可能圧力にするためのガス量のことである。
また、上記したように、チャンバー１内のガスは、真空ポンプＰによって常時排気されるようにしている。
したがって、第１実施形態では、プラズマによってフィルムＦの表面を除電しながら、チャンバー１の全体の圧力を、蒸着処理が可能な高真空に維持することができる。
特に、上記バルブ制御部８がバルブＶ１，Ｖ２を制御して、プラズマ生成用のガスの供給が停止されている間には、チャンバー１内の排気がより進んで、空間１１，１２内の真空度も元通りに回復し、チャンバー１全体の高真空は維持される。

なお、この第１実施形態では、１つの放電電極３と一対の接地電極９，１０とによって、電場Ｅ１が形成されるとともに上記空間１１がその四方を上記放電電極３、接地電極９，１０及びフィルムＦで囲まれている。また、放電電極４と一対の接地電極９，１０とによって、電場Ｅ２が形成されるとともに上記空間１２がその四方を上記放電電極４、接地電極９，１０及びフィルムＦで囲まれている。
ただし、電場を形成し、フィルムＦとともに、上記プラズマ生成用のガスを供給すべき空間を囲む電極の数や配置は図１に示すものに限定されない。

例えば、図１，２において接地電極１０を省略して、放電電極３，４と接地電極９とによってフィルムＦの両側に電場を形成するとともに、フィルムＦ、放電電極３及び接地電極９で三方を囲まれた空間１１と、フィルムＦ、放電電極４及び接地電極９で三方を囲まれた空間１２とを、プラズマ生成用のガスを供給する空間とすることができる。
また、上記一対の接地電極９，１０に替えて、チャンバー１の側面をアース電極として、放電電極３，４とチャンバー１の側面との間に電場を形成するようにしてもよい。

さらに、上記放電電極３，４及び接地電極９，１０としては、メッシュ、板、棒、線など、様々な形態のものを用いることができる。
例えば、接地電極９，１０にメッシュで構成される電極を用いれば、接地電極９，１０の外側から上記空間１１，１２内へ、プラズマ生成用のガスを供給することができる。このように、放電電極や接地電極をメッシュで構成すれば、空間１１，１２の外側にガス供給手段を設けることができ、その設置位置の自由度が上がる。

一方、ガス供給手段としてのガス供給パイプの噴出口を、上記空間１１，１２内に臨ませ、上記空間１１，１２内に直接ガスを供給するようにしてもよい。
また、上記放電電極や接地電極が板部材の場合には、それらで囲まれる空間にパルス的に供給されたプラズマ生成用のガスの拡散を上記電極によって規制して、圧力が上昇する範囲をより局所に限定することもできる。

図３に示すのは、図示しないチャンバー内に保持された除電対象であるフィルムＦの幅を挟んで、放電電極１３と接地電極１４とを対向配置させた第２実施形態である。
その他の構成は図示していないが、上記チャンバー内は常時真空排気され、全体として高真空が保たれるように構成されている。そして、フィルムＦ、放電電極１３及び接地電極１４で囲まれた空間１５，１６内にプラズマ生成用のガスをパルス的に供給するガス供給手段が設けられている点は、上記第１実施形態と同様である。
また、上記放電電極１３はメッシュ、接地電極１４は板部材からなる。

このような装置において、放電電極１３に高電圧を印加すれば、対向する上記接地電極１４との間に電場Ｅ３，Ｅ４が形成される。そのため、点線の矢印で示すように、プラズマ生成用のガスを放電電極１３のメッシュを通過させて上記空間１５，１６内に供給すれば、上記空間１５，１６内にはプラズマが生成される。このプラズマを介してフィルムＦの表面電荷が接地電極１４に流れ、フィルムＦの両面が除電される。
この第２実施形態においても、プラズマ生成用のガスを、フィルムＦ、放電電極１３及び接地電極１４で囲まれた空間１５，１６内に、パルス的に供給する。これによって、チャンバー全体の真空度の低下を抑制しながら、プラズマによってフィルムＦの両面を除電することができる。

また、この第２実施形態でも、対向配置される放電電極及び接地電極は、メッシュ、板、棒など、どのような形態のものでも構わない。
例えば、上記接地電極１４をメッシュで形成し、接地電極１４の外側から上記空間１５，１６内にプラズマ生成用のガスを供給するようにしてもよい。また、放電電極１３及び接地電極１４をともにメッシュで形成して、一方の電極側から供給されたプラズマ生成用のガスを他方の電極側から吸引排気するようにしてもよい。また、上記両電極１３，１４の外側から上記空間１５，１６内に、プラズマ生成用のガスを供給するようにしてもよい。

さらに、上記対向する放電電極１３と接地電極１４との間に、フィルムＦと対向する二点鎖線で示す接地電極１７，１８を設けて上記空間１５，１６の四方を囲むようにしてもよい。このように、上記空間１５，１６の四方が囲まれれば、三方のみが囲まれた場合と比べ、空間１５，１６内に供給されたガスの拡散を抑制したり、ガスの方向を制御したりしやすいというメリットがある。

図４に示す第３実施形態は、図１に示す第１実施形態の上記ガス供給パイプ５の代わりに、ガス噴射ノズル１９を備え、図１に示す第１実施形態の一方の放電電極４及びガス供給パイプ６を省略した除電装置である。
上記ガス噴射ノズル１９は、図示しないプラズマ生成用のガス供給源に接続されたバルブＶ３に接続され、このバルブＶ３にはバルブＶ３の開閉を制御して、上記ガスをパルス的に供給するためのバルブ制御部８が接続されている。

この第３実施形態において上記第１実施形態と同様の構成要素には、図１と同じ符号を用い、各要素の詳細な説明は省略する。
また、この第３実施形態の除電装置は、その性能を確認する実験を行なうため、除電対象としてフィルムＦではなく、帯電した金属製のプレートＰＬを用いることにする。そして、このプレートＰＬにはチャンバー１外でチャージプレートモニター（ヒューグルエレクトロニクス７００Ａ型）２０を接続している。このチャージプレートモニター２０は、上記プレートＰＬを帯電させたり、その表面電位の変化を測定したりする機能を備えている。
さらに、第３実施形態のチャンバー１は接地され、このチャンバー１の側面１ａ，１ｂがこの発明の接地電極として機能する。

したがって、放電電極３に高電圧を印加すると、この放電電極３と側面１ａ，１ｂとの間に電場が形成される。
また、上記プレートＰＬ、放電電極３及び接地電極である側面１ａ，１ｂによって囲まれた空間２１に向かって、上記ガス噴射ノズル１９からプラズマ生成用のガスをパルス的に供給し、この空間２１にプラズマを生成させるようにしていている。このプラズマに曝されたプレートＰＬの表面が除電される点は、上記他の実施形態と同じである。

この第３実施形態の除電装置の除電性能を確認するための確認実験を行なったので、この実験について以下に簡単に説明する。
この確認実験の実験条件は以下のとおりである。
チャンバー１は、底面が直径１００［ｍｍ］の円、高さが５００［ｍｍ］の円筒状で、その容量は約４［Ｌ］である。
真空ポンプＰの排気量は、２５０［Ｌ／ｓ］である。
また、上記ガス噴射ノズル１９の先端と放電電極３との距離は３［ｍｍ］である。
さらに、除電対象となる上記プレートＰＬは、上記放電電極３との距離１７０［ｍｍ］の位置にセットされている。

まず、真空ポンプＰによって、チャンバー１内を５×１０^−５［Ｐａ］以下まで排気し、真空ポンプＰは常時作動させておく。
次に、放電電極３に＋１０［ｋＶ］印加する。
さらに、プレートＰＬを＋５００［Ｖ］または−５００［Ｖ］に帯電させて除電対象とする。なお、表面電位が＋５００［Ｖ］に帯電したプレートＰＬと−５００［Ｖ］に帯電したプレートＰＬとのそれぞれについて、以下の手順で確認実験を行なった。

放電電極３に１０［ｋＶ］を印加し、その状態で、バルブ制御部８によってバルブＶ３を開状態とし、プラズマ生成用のガスを、ガス噴射ノズル１９から噴射させる。なお、上記プラズマ生成用のガスとしては、１０^５［Ｐａ］の窒素のガスを用いた。
また、上記バルブ制御部８は、上記バルブＶ３を約１００［μｓ］の間、開状態とし、その間に窒素ガスがパルス的に噴射されるようにした。
そして、上記チャージプレートモニター２０によって、上記プレートＰＬの表面電位の時間変化を計測した。

上記放電電極３への電圧印加と、上記空間２１への窒素ガスの噴射とによって、空間２１内にプラズマが生成され、上記プレートＰＬの表面電位が下がり始めた。
この表面電位の変化は、図５のグラフに示すとおりである。
このグラフ中の実線（１）は、＋５００［Ｖ］に帯電させたプレートＰＬの表面電位の時間変化であり、破線（２）は−５００［Ｖ］に帯電させたプレートＰＬの表面電位の時間変化である。
なお、上記バルブＶ３を開いてガス噴射ノズル１９から窒素ガスが噴射された瞬間を、図５のグラフにおける時間軸のゼロとしている。

図５のグラフのように、この第３実施形態の除電装置を用いた実験では、ガス噴射ノズル１９から窒素ガスを噴射してから、約４０［ｍｓ］後に、プレートＰＬは、その表面電位が±数十［Ｖ］になるまで除電され、５０［ｍｓ］後で、ほぼ０［Ｖ］になることを確認できた。
そして、上記除電中であっても、チャンバー１内の真空度の変化は確認されなかった。
これらの結果から、上記第３実施形態の除電装置が、チャンバー全体の高真空を保ちながら、高速除電を可能にするものであることを確認できた。
また、上記第３実施形態では、上記ガス噴射ノズル１９から１００［μｓ］の間、パルス的に窒素ガスを噴射させることで上記空間２１内をプラズマ生成可能圧力まで上昇させることができるとともに、上記パルス的なガスの供給量ではチャンバー１全体の真空度には影響を与えないことも確認できた。

以上のように、第１〜３実施形態の除電装置は、プラズマ生成用のガスを、局所的に、しかもパルス的に供給することによって、隔壁が無くても、チャンバー全体の高真空を保ちながら、除電対象を除電することができるものである。
そのため、高真空が必要な、蒸着プロセスやデバイス製造プロセスを設けたチャンバーを単純な構成にしながら、その内部で除電対象を除電することができる。
そして、プラズマが生成される上記空間１１，１２，１５，１６，２１は、除電したいタイミングに合わせて、蒸着などの真空処理プロセスの前後のいずれか一方あるいは両方に設けることができる。

また、除電対象の両面を同時に除電する場合には、上記第１，２実施形態のように、除電対象とともにプラズマが生成される空間を囲む放電電極及び接地電極を除電対象の両側に設ければよいし、一方の面のみを除電する場合には、第３実施形態のように除電対象とともに上記空間を囲む放電電極及び接地電極を除電対象の一方の面側のみに設ければよい。
いずれにしても、放電電極、接地電極及びガス供給パイプの配置、印加電圧、プラズマ生成用のガスの供給時間などは、除電対象の種類や、除電目的に応じて設定する必要がある。
また、チャンバー全体の真空度は、チャンバーの容積や真空ポンプの排気能力によっても変わる。したがって、チャンバー内の構成や排気能力などに応じて、上記パルス的なガスの供給時間の最適値を設定することができる。

真空処理プロセスでの除電に適用できる。

１チャンバー
２（保持手段）ローラ
３，４放電電極
５，６ガス供給パイプ
７電源
８バルブ制御部
９，１０接地電極
１１，１２空間
１３放電電極
１４接地電極
１５，１６空間
１７，１８接地電極
１９ガス噴射ノズル
２１空間
１ａ，１ｂ（接地電極となる）側面
Ｆ（除電対象）フィルム
ＰＬ（除電対象）プレート
Ｅ１〜Ｅ４電場
Ｖ１〜Ｖ３バルブ

Claims

１Ｐａ以下の高真空を実現するチャンバーと、
このチャンバー内に設けられ、除電対象を保持する保持手段と、
高電圧が印加される放電電極と、
上記放電電極との間で電場を形成する接地電極と、
上記保持手段で保持された上記除電対象、上記放電電極及び上記接地電極で囲まれた空間でプラズマを生成させるためのプラズマ生成用のガスをパルス的に供給するガス供給手段とが備えられ、
上記放電電極に高電圧が印加されるとともに、上記プラズマ生成用のガスが供給されたとき、上記電場によって上記空間にプラズマが生成され、このプラズマを介して上記除電対象の表面電荷が上記接地電極に流れる構成にした除電装置。
上記放電電極は、上記保持手段で保持された除電対象と対向位置に設けられるとともに、
上記接地電極は、上記放電電極の両側もしくは片側に対応する位置に設けられた請求項１に記載の除電装置。
上記放電電極と接地電極とが対向配置され、
上記放電電極と接地電極とで形成される電場の方向に沿った上記除電対象が、上記保持手段によって保持された請求項１又は２に記載の除電装置。
上記放電電極または接地電極の少なくともいずれか一方がメッシュからなる請求項１〜３のいずれか１に記載の除電装置。