KR20200081184A - 성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 - Google Patents

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KR20200081184A
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sputtering
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히로키 스가와라
유키오 마츠모토
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캐논 톡키 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 불균일한 압력 분포를 가지는 챔버 내에 있어서 스퍼터링 영역을 이동시키면서 스퍼터링을 행하는 경우라도, 스퍼터링의 품질 저하를 억제한다.
[해결 수단] 성막 장치(1)는, 성막 대상물(6) 및 타겟(2)이 내부에 배치되는 챔버(10)와, 타겟(2)으로부터 스퍼터 입자를 발생시키는 스퍼터링 영역 A1을 챔버(10) 내에서 이동시키는 이동 수단(이동대 구동 장치(12))을 갖는다. 성막 장치(1)는, 이동 수단에 의해 스퍼터링 영역 A1을 이동시키면서 스퍼터 입자를 성막 대상물(6)에 퇴적시켜 성막한다. 이동 수단은, 스퍼터링 영역 A1의 근방의 압력에 따라, 스퍼터링 영역 A1의 이동 속도를 변화시킨다.

Description

성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법{FILM FORMING APPARATUS, FILM FORMING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
기판이나 기판 상에 형성된 적층체 등의 성막 대상물에, 금속이나 금속 산화물 등의 재료로 이루어진 박막을 형성하는 방법으로서, 스퍼터법이 널리 알려져 있다. 스퍼터법에 따라 성막을 행하는 성막 장치는, 진공 챔버 내에 있어, 성막 재료로 이루어진 타겟과 성막 대상물을 대향시켜 배치한 구성을 갖고 있다. 타겟에 전압을 인가하면 타겟의 근방에 플라즈마가 발생하여, 전리한 불활성 가스 원소가 타겟 표면에 충돌함으로써 타겟 표면으로부터 스퍼터 입자가 방출되며, 방출된 스퍼터 입자가 성막 대상물에 퇴적하여 성막된다. 또한, 타겟의 배면(원통형 타겟의 경우에는 타겟의 내측)에 마그넷을 배치하고, 발생하는 자장에 의해 캐소드 근방의 전자 밀도를 높여서 효율적으로 스퍼터하는, 마그네트론 스퍼터법도 알려져 있다.
종래의 이 종류의 성막 장치로서는, 예를 들면, 특허문헌 1에 기재된 바와 같은 것이 알려져 있다. 특허문헌 1의 성막 장치는, 타겟을 성막 대상물의 성막면에 대해 평행 이동시켜 성막한다.
일본특허공개 제2015-172240호 공보
여기서, 성막 장치의 챔버 내의 압력은 균일하지 않는 경우가 있다. 즉, 스퍼터 가스를 도입하는 가스 도입구의 부근에서는 압력이 높고, 진공 펌프에 접속되는 배기구의 부근에서는 압력이 낮은 것과 같이, 챔버 내의 압력 분포가 불균일로 되는 경우가 있다. 특허문헌 1과 같이 챔버 내에서 캐소드를 이동시키면서 스퍼터링을 행하면, 타겟의 표면으로부터 스퍼터 입자가 방출되는 스퍼터링 영역도 챔버에 대해서 이동한다. 그 때문에, 위에서 설명한 바와 같이 챔버 내의 압력 분포가 불균일한 조건 하에서 스퍼터링 영역을 이동시키면서 스퍼터링을 행하면, 스퍼터링 영역의 주변의 압력이 스퍼터링 프로세스 사이에 변화한다. 스퍼터 입자의 평균 자유 행정은 압력에 반비례 하여, 분자 밀도가 낮은 압력이 낮은 영역에서는 길고, 분자 밀도가 높은 압력이 높은 영역에서는 짧기 때문에, 압력이 다르다면 성막 레이트가 변화하여 버린다. 그 결과, 성막의 품질 저하, 예를 들면 막두께나 막질의 불균일 등이 생길 우려가 있다. 그러나, 특허문헌 1에는, 챔버 내의 스퍼터 가스의 압력 분포에 따른 성막의 제어에 관해서는 기재되지 않았다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 불균일한 압력 분포를 갖는 챔버 내에 있어서 스퍼터링 영역을 이동시키면서 스퍼터링을 행할 경우에도, 스퍼터링의 품질 저하를 억제하는 것에 있다.
본 발명의 일 측면으로서의 성막 장치는, 성막 대상물 및 타겟이 내부에 배치되는 챔버와, 상기 타겟으로부터 스퍼터 입자를 발생시키는 스퍼터링 영역을 상기 챔버 내에서 이동시키는 이동 수단과, 상기 타겟에 전력을 공급하는 전력 공급 수단을 갖고, 상기 이동 수단에 의해 상기 스퍼터링 영역을 이동시키면서 상기 스퍼터 입자를 상기 성막 대상물에 퇴적시켜 성막하는 성막 장치로서, 상기 전력 공급 수단은, 상기 스퍼터링 영역의 근방의 압력에 따라, 상기 타겟에 공급하는 전력을 변화시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면으로서의 성막 장치는, 성막 대상물 및 타겟이 내부에 배치되는 챔버와, 상기 타겟으로부터 스퍼터 입자를 발생시키는 스퍼터링 영역을 상기 챔버 내에서 이동시키는 이동 수단과, 상기 타겟에 전력을 공급하는 전력 공급 수단을 갖고, 상기 이동 수단에 의해 상기 스퍼터링 영역을 이동시키면서 상기 스퍼터 입자를 상기 성막 대상물에 퇴적시켜 성막하는 성막 장치로서, 상기 전력 공급 수단은, 상기 챔버 내에 있어서의 상기 스퍼터링 영역의 위치에 따라, 상기 타겟에 공급하는 전력을 변화시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면으로서의 성막 방법은, 성막 대상물과 타겟이 배치된 챔버를 이용한 성막 방법으로서, 상기 타겟으로부터 스퍼터 입자를 발생시키는 스퍼터링 영역을 상기 챔버 내에서 이동시키면서, 상기 스퍼터 입자를 상기 성막 대상물에 퇴적시켜 성막하는 성막 공정을 포함하고, 상기 성막 공정에서는, 상기 스퍼터링 영역의 근방의 압력에 따라, 상기 타겟에 공급하는 전력을 변화시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면으로서의 성막 방법은, 성막 대상물과 타겟이 배치된 챔버를 이용한 성막 방법으로서, 상기 타겟으로부터 스퍼터 입자를 발생시키는 스퍼터링 영역을 상기 챔버 내에서 이동시키면서, 상기 스퍼터 입자를 상기 성막 대상물에 퇴적시켜 성막하는 성막 공정을 포함하고, 상기 성막 공정에서는, 상기 챔버 내에 있어서의 상기 스퍼터링 영역의 위치에 따라, 상기 타겟에 공급하는 전력을 변화시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면으로서의 전자 디바이스의 제조 방법은, 전자 디바이스의 제조 방법으로서, 성막 대상물과 타겟을 상기 성막 대상물에 대향하도록 챔버 내에 배치하는 공정과, 상기 타겟으로부터 스퍼터 입자를 발생시키는 스퍼터링 영역을 상기 챔버 내에서 이동시키면서, 상기 스퍼터 입자를 상기 성막 대상물에 퇴적시켜 성막하는 성막 공정을 포함하고, 상기 성막 공정에서는, 상기 스퍼터링 영역의 근방의 압력에 따라, 상기 타겟에 공급하는 전력을 변화시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면으로서의 전자 디바이스의 제조 방법은, 전자 디바이스의 제조 방법으로서, 성막 대상물과 타겟을 상기 성막 대상물에 대향하도록 챔버 내에 배치하는 공정과, 상기 타겟으로부터 스퍼터 입자를 발생시키는 스퍼터링 영역을 상기 챔버 내에서 이동시키면서, 상기 스퍼터 입자를 상기 성막 대상물에 퇴적시켜 성막하는 성막 공정을 포함하고, 상기 성막 공정에서는, 상기 챔버 내에 있어서의 상기 스퍼터링 영역의 위치에 따라, 상기 타겟에 공급하는 전력을 변화시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 불균일한 압력 분포를 갖는 챔버 내에 있어서 스퍼터링 영역을 이동시키면서 스퍼터링을 행할 경우라도, 스퍼터링의 품질 저하를 억제할 수 있다.
[도 1] (a)는 실시형태 1의 성막 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 도면이며, (b)는 (a)의 측면도이다.
[도 2] 자석 유닛의 구성을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
[도 3] 실시형태 1의 공급 전력 변경의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
[도 4] 챔버 내의 압력 분포와 공급 전력을 모식적으로 나타내는 도면이다.
[도 5] (a)는 실시형태 2의 성막 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 도면이고, (b)~(d)는 자석 유닛의 이동을 나타내는 도면이다.
[도 6] 실시형태 3의 성막 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다.
[도 7] 유기 EL 소자의 일반적인 층 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명한다. 다만, 이하의 실시형태는 본 발명의 바람직한 구성을 예시적으로 나타내는 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위는 그러한 구성에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 설명에 있어서의, 장치의 하드웨어 구성 및 소프트웨어 구성, 처리 플로우, 제조 조건, 치수, 재질, 형상 등은, 특히 특정적인 기재가 없는 한은, 본 발명의 범위를 그들로만 한정하는 취지의 것이 아니다.
본 발명은, 기판 등의 성막 대상물에 박막, 특히 무기 박막을 형성하는데 매우 적합하다. 본 발명은, 성막 장치 및 그 제어 방법, 성막 방법으로서도 파악할 수 있다. 본 발명은 또한, 전자 디바이스의 제조 장치나 전자 디바이스의 제조 방법으로서도 파악할 수 있다. 본 발명은 또한, 제어 방법을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램이나, 당해 프로그램을 저장한 기억 매체로서도 파악할 수 있다. 기억 매체는, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 비일시적인 기억 매체여도 된다.
<실시형태 1>
도면을 참조하여, 실시형태 1의 성막 장치(1)의 기본적인 구성에 대해 설명한다. 성막 장치(1)는, 반도체 디바이스, 자기 디바이스, 전자 부품 등의 각종 전자 디바이스나, 광학 부품 등의 제조에 있어서 기판(기판 상에 적층체가 형성되어 있는 것도 포함) 상에 박막을 퇴적 형성하기 위해 이용된다. 보다 구체적으로는, 성막 장치(1)는, 발광소자나 광전 변환 소자, 터치 패널 등의 전자 디바이스의 제조에 있어 바람직하게 이용된다. 그 중에서도, 본 실시형태와 관련되는 성막 장치(1)는, 유기 EL(ErectroLuminescence) 소자 등의 유기 발광소자나, 유기 박막 태양전지 등의 유기 광전 변환 소자의 제조에 있어 특히 바람직하게 이용된다. 본 발명에 있어서의 전자 디바이스는, 발광소자를 구비한 표시장치(예를 들면 유기 EL 표시장치)나 조명 장치(예를 들면 유기 EL 조명 장치), 광전 변환 소자를 구비한 센서(예를 들면 유기 CMOS 이미지 센서)도 포함하는 것이다.
<유기 EL 소자>
도 7은, 유기 EL 소자의 일반적인 층 구성을 모식적으로 나타내고 있다. 도 7에 나타내는 일반적인 유기 EL 소자는, 기판(성막 대상물(6))에 양극(601), 정공 주입층(602), 정공 수송층(603), 유기 발광층(604), 전자 수송층(605), 전자 주입층(606), 음극(607)이 이 순서로 성막된 구성이다. 본 실시형태와 관련되는 성막 장치(1)는, 유기막 상에, 스퍼터링에 의해, 전자 주입층이나 전극(음극)에 이용되는 금속이나 금속 산화물 등의 적층 피막을 성막할 때에 적합하게 이용된다. 또한, 유기막 상에의 성막에 한정되지 않고, 금속 재료나 산화물 재료 등의 스퍼터로 성막 가능한 재료의 조합이라면, 다양한 면에 적층 성막이 가능하다. 나아가, 본 발명은 금속 재료나 산화물 재료에 의한 성막에 한정되지 않고, 유기 재료에 의한 성막에도 적용할 수 있다. 성막 시에 소망하는 마스크 패턴을 갖는 마스크를 이용함으로써, 성막되는 각 층을 임의로 구성할 수 있다.
<장치 구성>
도 1(a)는, 본 실시형태의 성막 장치(1)의 구성을 나타내는 모식도이다. 성막 장치(1)는, 기판인 성막 대상물(6)을 내부에 수용 가능하다. 성막 장치(1)는, 타겟(2)이 내부에 배치되는 챔버(10)와, 챔버(10) 내의, 타겟(2)을 사이에 두고 성막 대상물(6)과 대향하는 위치에 배치되는 자석 유닛(3)을 갖고 있다. 이 실시형태에서는, 타겟(2)은 원통 형상이며, 내부에 배치되는 자석 유닛(3)과 함께, 성막원으로서 기능하는 회전 캐소드 유닛(8)(이하, 단순히 "캐소드 유닛(8)"이라 칭하는 경우가 있음)을 구성하고 있다. 또한, 여기서 말하는 "원통형"이란, 수학적으로 엄밀한 원통형만을 의미하는 것이 아니라, 모선이 직선이 아니라 곡선인 것이나, 중심축에 수직인 단면이 수학적으로 엄밀한 "원"이 아닌 것도 포함한다. 즉, 본 발명에 있어서의 타겟(2)은, 중심축을 축으로 회전 가능한 대략 원통 형상이면 된다.
성막이 행해지기 전에, 성막 대상물(6)이 마스크(6b)와 얼라인먼트 되고 홀더(6a)에 의해 보유 지지된다. 홀더(6a)는, 성막 대상물(6)을 정전기력에 의해 흡착 보유 지지하기 위한 정전척을 구비하고 있어도 되고, 성막 대상물(6)을 협지하는 클램프 기구를 구비하고 있어도 된다. 또한, 홀더(6a)는, 성막 대상물(6)의 배면으로부터 마스크(6b)를 끌어당기기 위한 마그넷판을 구비하고 있어도 된다. 성막 공정에 있어서는, 캐소드 유닛(8)의 타겟(2)이, 그 회전 중심축을 중심으로 회전하면서, 회전 중심축에 대해 직교 방향으로 이동한다. 한편, 자석 유닛(3)은, 타겟(2)과 달리 회전하지 않으며, 항상 타겟(2)의 성막 대상물(6)과 대향하는 표면 측에 누설 자장을 생성하고, 타겟(2) 근방의 전자 밀도를 높게 하여 스퍼터 한다. 이 누설 자장이 생성되는 영역이, 스퍼터 입자가 발생하는 스퍼터링 영역 A1이다. 타겟(2)의 스퍼터링 영역 A1이, 캐소드 유닛(8)의 이동과 함께 챔버(10)에 대해 이동함으로써, 성막 대상물(6) 전체에 순차 성막이 이루어진다. 여기서는 자석 유닛(3)은 회전하지 않는 것으로 하였지만, 이에 한정되지 않고, 자석 유닛(3)도 회전 또는 요동해도 된다.
홀더(6a)에 보유 지지된 성막 대상물(6)은, 챔버(10)의 천정벽(10d) 측에 수평으로 배치되어 있다. 성막 대상물(6)은, 예를 들면, 챔버(10)의 측벽에 설치된 일방의 게이트 밸브(17)로부터 반입되어 성막되고, 성막 후, 챔버(10)의 타방의 측벽에 설치된 게이트 밸브(18)로부터 반출된다. 도면에서는, 성막 대상물(6)의 성막면이 중력 방향 하방을 향한 상태에서 성막이 이루어지는 데포 업의 구성으로 되어 있다. 그러나, 성막 대상물(6)이 챔버(10)의 저면 측에 배치되고 그 상방에 캐소드 유닛(8)이 배치되어, 성막 대상물(6)의 성막면이 중력 방향 상방을 향한 상태에서 성막이 이루어지는, 데포 다운의 구성이어도 된다. 혹은, 성막 대상물(6)이 수직으로 세워진 상태, 즉, 성막 대상물(6)의 성막면이 중력 방향과 평행한 상태에서 성막이 이루어지는 구성이어도 된다. 또한, 성막 대상물(6)은, 게이트 밸브(17) 및 게이트 밸브(18) 중 어느 일방으로부터 챔버(10)로 반입되어 성막되고, 성막 후, 반입 시에 통과한 게이트 밸브로부터 반출되어도 된다.
도 1(a)에 나타낸 것처럼, 본 실시형태에서는, 챔버(10)의 X축 방향의 양단부에 가스 도입 수단(16)(후술)과 접속되는 도입구(41, 42)가 배치되고, 중앙부에 배기 수단(15)(후술)과 접속되는 배기구(5)가 배치되어 있다.
도 1(b)는, 도 1(a)의 성막 장치(1)를 다른 방향으로부터 본 측면도이다. 캐소드 유닛(8)은, 양단이 이동대(230) 상에 고정된 서포트 블록(210)과 엔드 블록(220)에 의해 지지되고 있다. 캐소드 유닛(8)의 원통 형상의 타겟(2)은 회전 가능하며, 그 내부의 자석 유닛(3)은 고정 상태로 지지되고 있다.
이동대(230)는, 리니어 베어링 등의 반송 가이드(240)를 통해서, 한 쌍의 안내 레일(250)을 따라 이동 가능하게 지지되고 있다. 캐소드 유닛(8)은, 그 회전축 N을 Y축 방향으로 연신한 상태에서, 회전축을 중심으로 회전하면서, 성막 대상물(6)에 대향하는 이동 영역 내를, 안내 레일(250)을 따라 이동하는(도 1(a)의 흰색 화살표).
타겟(2)은, 회전 수단인 타겟 구동 장치(11)에 의해 회전 구동된다. 타겟 구동 장치(11)로서는, 모터 등의 구동원을 갖고, 동력 전달 기구를 거쳐 타겟(2)으로 동력을 전달하는 일반적인 구동 기구를 이용할 수 있다. 타겟 구동 장치(11)는, 서포트 블록(210) 또는 엔드 블록(220)에 탑재되어 있어도 된다.
이동대(230)는, 이동대 구동 장치(12)에 의해, 안내 레일(250)을 따라 구동된다. 본 실시형태에서는, 이동대(230)가 이동함으로써 타겟(2)을 포함한 캐소드 유닛(8)이 챔버(10) 내에서 이동하며, 이에 수반하여 스퍼터링 영역 A1이 챔버(10) 내에서 이동한다. 따라서, 본 실시형태에 있어서의 이동대 구동 장치(12)는, 스퍼터링 영역 A1을 챔버(10) 내에서 이동시키는 이동 수단이며, 이동대(230)의 이동 속도는 캐소드 유닛(8)의 이동 속도가 된다. 또한, 자석 유닛이 캐소드 유닛(8)에 대해 고정되어 있을 때에는, 이동대(230)의 이동 속도는 스퍼터링 영역 A1의 이동 속도가 된다. 이동대 구동 장치(12)에 대해서는, 회전 모터의 회전운동을 구동력으로 변환하는 볼 나사 등을 이용한 나사 이송 기구, 리니어 모터 등, 공지의 여러 운동 기구를 이용할 수 있다. 도시하는 예의 이동대 구동 장치(12)는, 타겟의 긴 길이방향(Y축 방향)과 교차하는 방향(X축 방향)으로 타겟을 이동시킨다. 상기 스퍼터링 영역을 이동시키는 이동대(230)의 타겟 이동 방향의 전후에 방착판(261, 262)을 설치해도 된다. 또한, 안내 레일(250)이나 이동대(230), 제어부(14)를 이동 수단에 포함시켜 생각해도 된다.
타겟(2)은, 성막 대상물(6)에 성막을 행하는 성막 재료의 공급원으로서 기능한다. 타겟(2)의 재질로서 예를 들면, Cu, Al, Ti, Mo, Cr, Ag, Au, Ni 등의 금속 단체, 혹은, 그들 금속 원소를 포함한 합금 또는 화합물을 들 수 있다. 혹은, ITO, IZO, IWO, AZO, GZO, IGZO 등의 투명 도전 산화물이어도 된다. 이러한 성막 재료가 형성된 층의 내측에는, 다른 재료로 이루어진 백킹 튜브(2a)의 층이 형성되어 있다. 백킹 튜브(2a)에는, 타겟 홀더(도시하지 않음)를 거쳐 전원(13)이 접속된다. 이 때, 타겟 홀더(도시하지 않음) 및 백킹 튜브(2a)는, 전원(13)으로부터 인가되는 바이어스 전압(예를 들면, 부의 전압)을 타겟(2)에 인가하는 캐소드로서 기능한다. 다만, 백킹 튜브를 마련하지 않고, 바이어스 전압을 타겟 그 자체에 인가하여도 된다. 또한, 챔버(10)는 접지되어 있다.
성막 장치(1)는, 타겟(2)에 전력을 공급하는 전력 공급 수단을 갖는다. 위에서 설명한 바와 같이, 타겟(2)에는 백킹 튜브(2a)를 거쳐서 또는 직접, 전원(13)으로부터 바이어스 전압이 인가되고, 이에 의해 전력이 공급된다. 따라서, 본 실시형태에 있어서의 전력 공급 수단은 전원(13)을 포함한다. 또한, 전원(13)은 제어부(14)에 의해 제어되어, 제어부(14)에 의해 지시된 전력을 타겟(2)에 공급하기 때문에, 본 실시형태에 있어서의 전력 공급 수단에 제어부(14)를 포함시켜 생각해도 된다. 혹은, 전력 공급 수단에는 전원(13)을 포함시키지 않고, 제어부(14)만을 포함시켜 생각해도 된다.
자석 유닛(3)은, 성막 대상물(6)을 향하는 방향으로 자장을 형성한다. 도 2에 나타내는 것처럼, 자석 유닛(3)은, 캐소드 유닛(8)의 회전축과 평행 방향으로 연장하는 중심 자석(31)과, 중심 자석(31)을 둘러싼 중심 자석(31)과는 이극의 주변 자석(32)과, 요크판(33)을 구비하고 있다. 또한, 중심 자석(31)은, 캐소드 유닛(8)의 이동 방향과 교차하는 방향으로 연장하고 있다고 말할 수도 있다. 주변 자석(32)은, 중심 자석(31)과 평행으로 연장하는 한 쌍의 직선부(32a, 32b)와, 직선부(32a, 32b)의 양단을 연결하는 회전부(32c, 32d)에 의해 구성되어 있다. 자석 유닛(3)에 의해 형성되는 자장은, 중심 자석(31)의 자극으로부터, 주변 자석(32)의 직선부(32a, 32b)를 향해 루프 형상으로 돌아오는 자력선을 가지고 있다. 이에 의해, 타겟(2)의 표면 근방에는, 타겟(2)의 긴 길이방향으로 연장한 토로이달형의 자장의 터널이 형성된다. 이 자장에 의해, 전자가 포착되고, 타겟(2)의 표면 근방에 플라즈마를 집중시켜, 스퍼터링의 효율이 향상되고 있다. 이 자석 유닛의 자장이 누설되는 타겟(2) 표면의 영역이, 도 1(a)에 있어서 스퍼터 입자가 발생하는 스퍼터링 영역 A1으로서 나타난다. 스퍼터링 영역 A1의 근방의 가스 압력이 스퍼터 입자의 비상 거리에 영향을 미친다. 또한, 스퍼터링 영역 A1의 근방의 범위는, 반드시 거리에 의해 한정되는 것이 아니며, 요구되는 성막 정밀도에 미치는 영향에 따라 적절히 규정해도 된다.
챔버(10)에는, 가스 도입 수단(16) 및 배기 수단(15)이 접속되어 있다. 가스 도입 수단(16) 및 배기 수단(15)은 압력 조정 수단으로서 기능하고, 제어부(14)의 제어를 받아 스퍼터 가스의 도입이나 배기를 행함으로써, 챔버 내부의 압력을 조정하거나, 챔버 내부를 소정의 압력으로 유지하거나 한다. 스퍼터 가스는, 예를 들면, 아르곤 등의 불활성 가스나 산소나 질소 등의 반응성 가스이다. 본 실시형태의 가스 도입 수단(16)은, 챔버(10)의 양측부에 설치된 도입구(41, 42)를 통해 스퍼터 가스를 도입한다. 또한, 진공 펌프 등의 배기 수단(15)은, 배기구(5)를 통해 챔버(10)의 내부로부터 외부로 기체를 배출하여 배기를 행한다.
가스 도입 수단(16)은, 가스 봄베 등의 공급원과, 공급원과 도입구(41, 42)를 접속하는 배관계와, 배관계에 설치되는 각종 진공 밸브, 매스 플로우 콘트롤러 등으로 구성되어 있다. 가스 도입 수단(16)은, 매스 플로우 콘트롤러의 유량 제어 밸브에 의해, 가스 도입량을 조정 가능하게 되어 있다. 유량 제어 밸브는, 전자 밸브 등의, 전기적으로 제어 가능한 구성으로 되어 있다. 또한, 도입구(41, 42)를 배치하는 위치는, 챔버의 양측벽으로 한정되지 않고, 일방의 측벽이여도 되고, 저벽이나 천정벽이여도 된다. 또한, 배관이 챔버 내로 연장되어, 도입구가 챔버(10) 내에 개구하여 있어도 좋다. 또한, 각 측벽의 도입구(41, 42)는, 각각 타겟(2)의 긴 길이방향(Y축 방향)으로 복수 배치되어도 좋다.
배기 수단(15)은, 진공 펌프와, 진공 펌프와 배기구(5)를 접속하는 배관계와, 배관계에 설치되는 컨덕턴스 밸브 등의 전기적으로 제어 가능한 유량 제어 밸브를 포함하며, 제어 밸브에 의해 배기량을 조정 가능한 구성이다. 배기구(5)를 배치하는 위치는, 도시하는 예와 같은 저벽의 중앙부에 한정되지 않고, 저벽의 단부(측벽 근처의 위치)여도 되고, 측벽이여도 되고, 천정벽이여도 된다. 또한, 배관이 챔버 내로 연장되고, 배기구(5)가 챔버(10) 내로 개구하여 있어도 된다.
도시하는 예에서는, 도입구(41, 42)는, 캐소드 유닛(8)이 이동하는 이동 영역의 시단(始端)측의 측벽(10b)과, 종단(終端)측의 측벽(10a)에 설치되고, 배기구(5)는 이동대의 이동 영역의 중앙 위치의 저벽(10c) 측에 설치되어 있다. 성막 공정(스퍼터 공정)에 있어서는, 스퍼터 가스를 도입구(4)로부터 도입하면서, 또한, 배기구(5)로부터 배기하면서, 성막을 행한다.
성막 장치(1)는, 이동대(230)에 설치되어, 캐소드 유닛(8)의 근방의 압력을 취득 가능한 압력 센서(7)를 갖고 있다. 즉, 성막 장치(1)는, 캐소드 유닛(8)과 함께 이동 가능한 압력 센서(7)를 갖고 있다. 환언하면, 압력 센서(7)는 스퍼터링 영역 A1과 함께 이동 가능하다. 압력 센서(7)를 압력 취득 수단이라 생각해도 되고, 압력 센서와 제어부(14)를 포함하여 압력 취득 수단이라 생각해도 된다. 압력 센서(7)는 취득한 압력치를 제어부(14)로 송신한다. 압력 센서(7)로서는, 커패시턴스 마노미터 등의 격막 진공계, 피라니 진공계나 열전대 진공계 등의 열전도식 진공계, 수정 마찰 진공계 등의 각종 진공계를 이용할 수 있다. 또한, 압력 센서(7)는 스퍼터링 영역 근방의 압력을 측정할 수 있으면 된다. 따라서, 압력 센서를 방착판(261, 262)에 설치해도 된다. 또한, 챔버 내부에 복수의 압력 센서를 설치해 두고, 이동대(230)의 위치 정보에 따라 가장 가까이 있는 압력 센서의 측정치를 취득해도 좋다. 이 때, 복수의 압력 센서(7)는, 캐소드 유닛(8)의 이동 경로를 따라 나란히 배치되어 있는 것이 바람직하다. 압력 센서(7)를 챔버 내부에 설치할 경우, 스퍼터링 영역과 대략 동일한 높이에 설치하는 것이 바람직하다.
<성막 방법>
다음으로, 성막 장치(1)를 이용한 성막 방법에 대해 설명한다. 본 실시형태와 관련되는 성막 방법은, 성막 공정(스퍼터 공정)을 포함한다. 성막 공정에서는, 제어부(14)에 의해, 타겟 구동 장치(11)를 구동시켜 타겟(2)을 회전시키고, 전원(13)으로부터 타겟(2)으로 바이어스 전압을 인가하여 타겟(2)에 전력을 공급한다. 타겟(2)을 회전시키면서 타겟(2)에 바이어스 전압을 인가함과 함께, 이동대 구동 장치(12)를 구동하여, 이동 영역의 시단으로부터 종단을 향해 캐소드 유닛(8)을 이동시킨다. 타겟(2)에 바이어스 전압이 인가되어 전력이 공급되면, 성막 대상물(6)에 대향하는 타겟(2)의 표면 근방에 플라즈마가 집중하여 생성되며, 플라즈마 중의 양이온 상태의 가스 이온이 타겟(2)을 스퍼터하고, 비산한 스퍼터 입자가 성막 대상물(6)에 퇴적한다. 캐소드 유닛(8)의 이동에 수반하여, 캐소드 유닛(8)의 이동 방향 상류측으로부터 하류측을 향해 순차, 스퍼터 입자는 퇴적된다. 이에 의해 성막 대상물 상에 성막이 이루어진다. 본 실시형태에서는, 성막 공정에 있어서 스퍼터링 영역 A1을 이동시키면서, 스퍼터링 영역 A1의 근방의 압력에 따라서 타겟(2)에 공급하는 전력을 제어한다.
<공급 전력 제어>
다음으로, 본 실시형태와 관련되는 성막 장치(1)에 의한 성막 공정 중의 공급 전력 제어에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 도 3은, 공급 전력 변경의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
성막 처리 개시 후, 스텝 S101에 있어서, 제어부(14)는, 압력 센서(7)로부터 압력치를 취득한다. 이에 의해, 제어부(14)는, 스퍼터링 영역 A1의 근방의 압력 정보를 취득한다.
스텝 S102에 있어서, 제어부(14)는, 기억부(도시하지 않음)에 기억된 테이블이나 수식을 참조하고, 스텝 S101에서 취득한 압력치에 기초하여, 바람직한 공급 전력을 결정한다.
스텝 S103에 있어서, 제어부(14)는, 전원(13)을 제어하여, 타겟(2)에 공급하는 전력을 스텝 S103에 있어 결정된 전력으로 변경한다. 이에 의해, 캐소드 유닛(8)의 근방의 압력에 기초하여 결정된 적절한 전력을 타겟(2)에 공급하여, 스퍼터링이 행해진다. 또한, 전력의 변경은, 타겟(2)에 인가하는 바이어스 전압 및 타겟(2)에 흘리는 전류 중 적어도 일방을 변경함으로써 행한다.
스텝 S104에 있어서, 제어부(14)는, 성막 대상물(6)의 성막이 완료되었는지 아닌지를 판정한다. 판정의 결과, 성막이 완료되어 있지 않으면 스텝 S106으로 진행하여, 캐소드 유닛(8)의 이동 및 공급 전력 제어를 행하면서, 성막이 계속된다.
도 4에, 본 실시형태의 장치 구성에 의해 규정되는, 챔버(10) 내의 타겟의 위치 X에 따라서 변화하는 압력 P(x)를 나타낸다. 또한, 본 실시형태에서 목표로 하는, 타겟(2)에 공급하는 전력 Pw(x)를 나타낸다. 또한, 본 실시형태에 있어 스퍼터 입자를 발생시키는 스퍼터링 영역 A1의 위치는 타겟(2)의 위치에 따라서 정해지기 때문에, 스퍼터링 영역 A1의 이동 속도는, 타겟(2)의 이동 속도와 마찬가지로 생각할 수 있다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 챔버(10) 내의 압력은 불균일한 분포를 갖고, 도입구(42)에 가까운 시단측 위치 x1 및 도입구(41)에 가까운 종단측 위치 x3에서는 상대적으로 높고, 배기구(5)가 있는 중앙부의 위치 x2에서는 상대적으로 낮다. 이와 같이 챔버 내의 압력 분포가 불균일한 조건 하에서 스퍼터링 영역 A1을 이동시키면서 스퍼터링을 행하면, 스퍼터링 영역 A1의 주변의 압력이 스퍼터링 프로세스의 사이에 변화한다. 스퍼터링 영역 A1으로부터 방출된 스퍼터 입자의 평균 자유 행정은 압력에 반비례하여, 압력이 낮은 영역에서는 길고, 압력이 높은 영역에서는 짧다. 그 때문에, 스퍼터링 영역 A1의 주위의 압력이 낮을 때에는 성막 대상물(6)까지 도달하는 스퍼터 입자의 양이 상대적으로 많아져, 성막 레이트는 상대적으로 커진다. 한편, 스퍼터링 영역 A1의 주위의 압력이 높을 때에는 성막 대상물(6)까지 도달하는 양이 상대적으로 적게 되어, 성막 레이트는 상대적으로 작아진다. 이와 같이 성막 레이트가 변동하면, 성막 대상물(6)에 성막되는 막의 막두께나 막질에 불균일이 생겨 버린다.
따라서 본 실시형태에서는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 타겟(2)에 공급하는 전력 Pw를, 캐소드 유닛(8)의 이동 경로의 시단측 x1 및 종단측 x3에서 크고, 중앙부 x2에서 작아지도록 변화시킨다. 즉, 스퍼터링 영역 A1의 근방의 압력이 제1 압력 P(x2)일 때 타겟(2)에 제1 전력 Pw(x2)를 공급한다. 그리고, 스퍼터링 영역 A1의 근방의 압력이 제1 압력 P(x2)보다 높은 제2 압력 P(x3)일 때는 제1 전력 Pw(x2)보다 큰 제2 전력 Pw(x3)를 공급한다.
이에 의해, 스퍼터링 영역 A1의 근방의 압력이 높아 스퍼터 입자의 평균 자유 행정이 짧아질 때는, 보다 큰 전력이 공급되기 때문에, 스퍼터링 영역 A1으로부터 방출되는 스퍼터 입자의 양이 증가한다. 따라서, 스퍼터 입자의 평균 자유 행정이 짧아져도, 성막 레이트를 대략 일정으로 유지할 수 있다. 또한, 스퍼터링 영역 A1의 근방의 압력이 낮아 스퍼터 입자의 평균 자유 행정이 길어질 때는, 보다 작은 전력이 공급되기 때문에, 스퍼터링 영역 A1으로부터 방출되는 스퍼터 입자의 양이 감소한다. 따라서, 스퍼터 입자의 평균 자유 행정이 길어져도, 성막 레이트를 대략 일정으로 유지할 수 있다. 이와 같이, 본 실시형태에 의하면, 챔버 내부의 가스의 압력 분포가 불균일하더라도, 성막 레이트를 대략 일정으로 유지할 수 있다. 따라서, 성막 대상물(6)에 생성되는 막의 막두께나 막질의 불균일을 저감하고, 스퍼터링의 품질 저하를 억제할 수 있다.
또한 상기 예에서는 압력 센서(7)가 축차적으로 압력치를 취득하고, 제어부(14)가 압력치에 기초하여 바람직한 공급 전력을 결정하고, 전원(13)의 제어 조건을 결정하고 있었다. 그러나, 캐소드 유닛(8)의 X축 방향의 위치마다 적절한 공급 전력을 미리 결정해 둔다면, 압력 센서는 반드시 필요한 것은 아니다. 캐소드 유닛(8)의 X축 방향에 있어서의 위치와 공급 전력이 대응지어진 테이블 또는 수식을 기억부(도시하지 않음)에 미리 기억시켜 두어도 된다. 그리고, 도 3의 흐름도의 스텝 S101 및 스텝 S102 대신에, 제어부(14)가, 타겟의 X축 방향의 위치의 정보와 당해 테이블 또는 수식에 기초하여 공급 전력을 결정하도록 해도 된다. 상술한 테이블 또는 수식은, 챔버 내의 압력 분포를 미리 취득해 두고, 그 압력 분포에 기초하여 생성할 수 있다. 혹은, 캐소드 유닛(8)의 X축 방향에 있어서의 위치에 기초하여 미리 취득된 챔버 내의 압력 분포에 기초하여 스퍼터링 영역의 근방의 압력을 취득하고, 스퍼터링 영역의 근방의 압력에 기초하여 적절한 공급 전력을 결정하여도 된다. 챔버 내의 압력 분포는, 배기 수단(15)의 능력이나 유량 제어치, 가스 도입 수단(16)의 능력이나 유량 제어치, 배기구와 도입구의 위치 관계 등에 기초하여 정해지기 때문에, 미리 시뮬레이션이나 압력 센서를 이용한 측정에 의해 취득 가능하다.
또한, 도시하는 예에서는 양측벽에 도입구, 저벽에 배기구가 배치되어 있었다. 그러나, 도입구와 배기구가 어떻게 배치되었다고 하더라도, 제어부(14)가 압력 센서의 출력치에 따라 전원(13)을 제어하거나, 미리 실측 또는 시뮬레이션으로 취득한 압력 분포에 따라 X축 방향의 위치에 따라서 전원(13)의 제어치를 프로그램하거나 함으로써, 적절히 공급 전력을 결정할 수 있다.
<실시형태 2>
다음으로, 본 발명의 실시형태 2에 대해 설명한다. 이하, 실시형태 1과의 차이점을 중심으로 설명을 하고, 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하고 설명을 간략화한다.
도 5(a)는, 본 실시형태의 성막 장치(1)를 나타내고 있다. 성막 장치(1)에는, 원통형의 타겟을 사용한 회전 캐소드 유닛이 아니라, 평판 형상의 타겟(302)을 사용한 플래나(planar) 캐소드 유닛(308)이 이용되고 있다. 플래나 캐소드 유닛(308)은, 성막 대상물(6)과 평행으로 배치된 타겟(302)을 갖고, 이 타겟(302)의 성막 대상물(6)과 반대측에 자장 발생 수단인 자석 유닛(3)이 배치되어 있다. 또한, 타겟(302)의 성막 대상물(6)과는 반대측의 면에는, 전원(13)으로부터 전력이 인가되는 백킹 플레이트(302a)가 설치되어 있다. 백킹 플레이트(302a)에 전력이 인가됨으로써, 스퍼터링 영역 A1으로부터 스퍼터 입자가 방출된다. 플래나 캐소드 유닛(308)은, 이동대(230)의 상면에 설치되어 있다.
성막 공정에 있어서는, 플래나 캐소드 유닛(308)이, 성막 대상물(6)의 성막면에 대향하는 이동 영역 상을, 안내 레일(250)을 따라, 타겟(302)의 긴 길이방향에 대해서 직교 방향(도면 중, X축 방향)으로 이동한다. 타겟(302)의 성막 대상물(6)과 대향하는 표면 근방이, 자석 유닛(3)에 의해 생성되는 자장에 의해 전자 밀도를 높일 수 있어, 스퍼터 입자가 발생하는 스퍼터링 영역 A1이다. 성막 공정에 있어서는, 플래나 캐소드 유닛(308)의 이동과 함께, 스퍼터링 영역 A1이 성막 대상물(6)의 성막면을 따라 이동하여, 성막 대상물(6)에 순차 성막한다.
또한, 도 5(b)~도 5(d)에 나타내는 바와 같이, 플래나 캐소드 유닛(308) 내에 있어서, 자석 유닛(3)이, 타겟(302)에 대해 상대 이동 가능하게 되어 있어도 좋다. 이와 같이 하면, 스퍼터링 영역 A1을 타겟(302)에 대해 상대적으로 비켜 놓을 수 있어서 타겟(302)의 이용 효율을 높일 수 있다.
본 실시형태에서도 실시형태 1과 마찬가지로, 스퍼터링 영역 A1의 위치에 따라(본 실시형태에서는 플래나 캐소드 유닛(308)의 위치에 따라), 타겟(2)에 공급하는 전력을 조정한다. 이에 의해, 본 실시형태에 있어서도, 챔버 내부의 가스의 압력 분포가 불균일하더라도, 성막 레이트를 대략 일정으로 유지할 수 있다. 그 결과, 성막 대상물(6)에 생성되는 막의 막두께나 막질의 불균일을 저감하고, 스퍼터링의 품질 저하를 억제할 수 있다.
<실시형태 3>
다음으로, 본 발명의 실시형태 3에 대해 설명한다. 이하, 상기 각 실시형태와의 차이점을 중심으로 설명을 하며, 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하고 설명을 간략화한다.
도 6은, 본 실시형태의 성막 장치(1)를 나타내고 있다. 상술한 도 5(b)~도 5(d)에 있어서는, 플래나 캐소드 유닛 내의 자석 유닛(3)이, 타겟(302)에 대해서 상대 이동 가능하게 되어 있었다. 본 실시형태에서는, 평판 형상의 타겟(402)이 X축 방향 및 Y축 방향의 양방에 있어서 성막 대상물(6)보다 크고, 챔버(10)에 대해 고정되어 설치되어 있다. 또한, 자장 발생 수단으로서의 자석 유닛(3)이, 챔버(10)에 고정된 타겟(402)에 대해(즉, 챔버(10)에 대해) 이동한다. 이에 수반하여, 타겟(402)의 타겟 입자가 방출되는 스퍼터링 영역 A1도 성막 대상물(6)에 대해서 이동한다.
타겟(402)은, 진공 영역과 대기압 영역의 경계 부분에 배치되고, 자석 유닛(3)은 챔버(10) 밖의 대기 중에 놓여진다. 즉, 도 6에 나타내는 바와 같이, 타겟(402)은, 챔버(10)의 저벽(10c)에 설치된 개구부(10c1)를 기밀하게 막도록 배치된다. 타겟(402)은 챔버(10)의 내부 공간에 면하고, 성막 대상물(6)과 대향하여 있다. 타겟(402)의 성막 대상물(6)과는 반대측의 면에는, 전원(13)으로부터 전력이 인가되는 백킹 플레이트(402a)가 설치되어 있고, 백킹 플레이트(402a)는 외부 공간에 면하고 있다. 또한, 여기서는 타겟(402)이 진공 영역과 대기압 영역의 경계 부분에 배치되는 것으로 하였지만, 이에 한정되지 않고, 타겟(402)과 대기압 영역과의 사이에 다른 부재를 설치해도 되고, 타겟(402)을 챔버(10)의 저벽(10c)에 배치해도 된다.
자석 유닛(3)은, 챔버(10)의 밖에 배치되고, 압력 센서(7)는 챔버(10) 내에 배치된다. 자석 유닛(3)은, 챔버(10)의 밖에서, 자석 유닛 이동 장치(430)에 지지되며, 타겟(402)을 따라 X축 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 자석 유닛(3)은, 마그넷 구동 장치(121)가 자석 유닛 이동 장치(430)를 구동함으로써 구동된다. 자석 유닛 이동 장치(430)는, 자석 유닛(3)을 X축 방향으로 직선 안내하는 장치이며, 특히 도시하지 않지만, 자석 유닛(3)을 지지하는 이동대와 이동대를 안내하는 레일 등의 가이드 등으로 구성된다. 이 자석 유닛(3)의 이동에 의해, 스퍼터링 영역 A1이 X축 방향으로 이동하여 간다. 압력 센서(7)는, 챔버(10) 내에 배치한 센서 이동 장치(450)에 지지되며, 타겟(402)을 따라, X축 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 센서 이동 장치(450)에 대해서도, 자석 유닛 이동 장치(430)와 마찬가지로, 압력 센서(7)를 지지하는 이동대와 이동대를 안내하는 레일 등의 가이드 등에 의해 구성된다. 자석 유닛(3) 및 압력 센서(7)는 제어부(14)에 의해 제어되어 이동하고, 제어부(14)는, 압력 센서(7)가 측정한 압력치를 수시 취득한다.
본 실시형태에서는, 캐소드 유닛(8)이 이동하는 이동 영역의 시단측의 측벽(10b)에 도입구(42)가 배치되고, 종단측의 측벽(10a)에 배기구(5)가 배치되어 있다. 따라서, 챔버(10) 내에는, 시단측의 측벽(10b)의 근방에서 압력이 높고, 종단측의 측벽(10a)의 근방에서 압력이 낮은 압력 분포가 존재하고 있다. 또한, 도입구(41, 42)나 배기구(51, 52)의 위치나 수는 이 예에 한정되지 않는다.
본 실시형태에서도 상기 각 실시형태와 마찬가지로, 스퍼터링 영역 A1의 위치에 따라(본 실시형태에서는 자석 유닛(3)의 위치에 따라), 타겟(2)에 공급하는 전력을 조정한다. 이에 의해, 본 실시형태에 있어서도, 챔버 내부의 가스의 압력 분포가 불균일하여도, 성막 레이트를 대략 일정으로 유지할 수 있다. 그 결과, 성막 대상물(6)에 생성되는 막의 막두께나 막질의 불균일함을 저감하고, 스퍼터링의 품질 저하를 억제할 수 있다.
<다른 실시형태>
상기 각 실시형태에서는, 캐소드 유닛(8)이나, 플래나 캐소드 유닛(308)이 1개인 경우를 나타냈지만, 이러한 유닛이 챔버 내부에 복수 배치되어 있어도 된다. 혹은, 이러한 유닛이 1개여도, 유닛 내에 복수의 타겟이 배치되어 있어도 된다. 또한, 상술한 각 실시형태에서는, 성막 공정에 있어 타겟(2)에 공급하는 전력을 조정하는 경우를 나타냈지만, 이에 더하여, 스퍼터링 영역 A1의 챔버(10) 내에 있어서의 위치 또는 근방의 압력에 따라서, 챔버(10) 내의 압력, 스퍼터링 영역 A1의 이동 속도, 및, 타겟(2)과 성막 대상물(6) 사이의 거리(T-S 거리) 중 적어도 하나를 조정하여도 된다. 또한, 상기 각 실시형태에 나타낸 각 구성요소는, 상기 각 실시형태의 예에 한정되지 않고, 모순을 일으키지 않는 한 서로 임의로 조합하여도 상관없다.
1: 성막 장치
2: 타겟
6: 성막 대상물
10: 챔버
12: 이동대 구동장치(이동 수단)
13: 전원
14: 제어부
A1: 스퍼터링 영역

Claims (21)

  1. 성막 대상물 및 타겟이 내부에 배치되는 챔버와,
    상기 타겟으로부터 스퍼터 입자를 발생시키는 스퍼터링 영역을 상기 챔버 내에서 이동시키는 이동 수단과,
    상기 타겟에 전력을 공급하는 전력 공급 수단
    을 갖고,
    상기 이동 수단에 의해 상기 스퍼터링 영역을 이동시키면서 상기 스퍼터 입자를 상기 성막 대상물에 퇴적시켜 성막하는 성막 장치로서,
    상기 전력 공급 수단은, 상기 스퍼터링 영역의 근방의 압력에 따라, 상기 타겟에 공급하는 전력을 변화시키는
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 스퍼터링 영역의 근방의 압력을 취득하는 압력 취득 수단을 더 갖는
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 이동 수단은, 상기 스퍼터링 영역의 근방의 압력이 높을수록, 상기 타겟에 공급하는 전력을 크게 하는
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 이동 수단은,
    상기 스퍼터링 영역의 근방의 압력이 제1 압력일 때, 상기 타겟에 제1 전력을 공급하고,
    상기 스퍼터링 영역의 근방의 압력이 상기 제1 압력보다 높은 제2 압력일 때, 상기 타겟에 상기 제1 전력보다 큰 제2 전력을 공급하는
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압력 취득 수단은, 압력 센서인
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  6. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압력 취득 수단은, 미리 취득된 상기 챔버 내의 압력 분포에 기초하여 상기 스퍼터링 영역의 근방의 압력을 취득하는
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이동 수단은, 상기 타겟을 상기 챔버 내에서 이동시킴으로써, 상기 스퍼터링 영역을 이동시키는
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 이동 수단은, 상기 타겟의 긴 길이방향과 교차하는 방향으로 상기 타겟을 이동시킴으로써, 상기 스퍼터링 영역을 이동시키는
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 이동 수단은, 상기 타겟을 사이에 두고서 상기 성막 대상물과 대향하도록 배치된 자장 발생 수단을 이동시킴으로써, 상기 스퍼터링 영역을 이동시키는
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  10. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 타겟은, 상기 성막 대상물과 대향하도록 상기 챔버에 고정되어 있고,
    상기 이동 수단은, 상기 타겟을 사이에 두고서 상기 성막 대상물과 대향하도록 배치된 자장 발생 수단을 이동시킴으로써, 상기 스퍼터링 영역을 이동시키는
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  11. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 타겟은 원통 형상이며,
    상기 타겟을 회전시키는 회전 수단을 더 갖는
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  12. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 타겟은 평판 형상인
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  13. 성막 대상물 및 타겟이 내부에 배치되는 챔버와,
    상기 타겟으로부터 스퍼터 입자를 발생시키는 스퍼터링 영역을 상기 챔버 내에서 이동시키는 이동 수단과,
    상기 타겟에 전력을 공급하는 전력 공급 수단
    을 갖고,
    상기 이동 수단에 의해 상기 스퍼터링 영역을 이동시키면서 상기 스퍼터 입자를 상기 성막 대상물에 퇴적시켜 성막하는 성막 장치로서,
    상기 전력 공급 수단은, 상기 챔버 내에 있어서의 상기 스퍼터링 영역의 위치에 따라, 상기 타겟에 공급하는 전력을 변화시키는
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 챔버는, 기체를 상기 챔버로부터 배출하는 배기구를 더 구비하고,
    상기 전력 공급 수단은, 상기 스퍼터링 영역과 상기 배기구의 위치 관계에 따라, 상기 타겟에 공급하는 전력을 변화시키는
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 이동 수단은, 상기 스퍼터링 영역과 상기 배기구가 가까울수록, 상기 타겟에 공급하는 전력을 작게 하는
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  16. 제14항 또는 제15항에 있어서,
    상기 챔버는, 상기 기체를 상기 챔버 내로 도입하는 도입구를 더 구비하고,
    상기 이동 수단은, 상기 스퍼터링 영역과 상기 도입구의 위치 관계에 따라, 상기 타겟에 공급하는 전력을 변화시키는
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 이동 수단은, 상기 스퍼터링 영역과 상기 도입구가 가까울수록, 상기 타겟에 공급하는 전력을 크게 하는
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  18. 성막 대상물과 타겟이 배치된 챔버를 이용한 성막 방법으로서,
    상기 타겟으로부터 스퍼터 입자를 발생시키는 스퍼터링 영역을 상기 챔버 내에서 이동시키면서, 상기 스퍼터 입자를 상기 성막 대상물에 퇴적시켜 성막하는 성막 공정을 포함하고,
    상기 성막 공정에서는, 상기 스퍼터링 영역의 근방의 압력에 따라, 상기 타겟에 공급하는 전력을 변화시키는
    것을 특징으로 하는 성막 방법.
  19. 성막 대상물과 타겟이 배치된 챔버를 이용한 성막 방법으로서,
    상기 타겟으로부터 스퍼터 입자를 발생시키는 스퍼터링 영역을 상기 챔버 내에서 이동시키면서, 상기 스퍼터 입자를 상기 성막 대상물에 퇴적시켜 성막하는 성막 공정을 포함하고,
    상기 성막 공정에서는, 상기 챔버 내에 있어서의 상기 스퍼터링 영역의 위치에 따라, 상기 타겟에 공급하는 전력을 변화시키는
    것을 특징으로 하는 성막 방법.
  20. 전자 디바이스의 제조 방법으로서,
    성막 대상물과, 타겟을 상기 성막 대상물에 대향하도록 챔버 내에 배치하는 공정과,
    상기 타겟으로부터 스퍼터 입자를 발생시키는 스퍼터링 영역을 상기 챔버 내에서 이동시키면서, 상기 스퍼터 입자를 상기 성막 대상물에 퇴적시켜 성막하는 성막 공정을 포함하고,
    상기 성막 공정에서는, 상기 스퍼터링 영역의 근방의 압력에 따라, 상기 타겟에 공급하는 전력을 변화시키는
    것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
  21. 전자 디바이스의 제조 방법으로서,
    성막 대상물과, 타겟을 상기 성막 대상물에 대향하도록 챔버 내에 배치하는 공정과,
    상기 타겟으로부터 스퍼터 입자를 발생시키는 스퍼터링 영역을 상기 챔버 내에서 이동시키면서, 상기 스퍼터 입자를 상기 성막 대상물에 퇴적시켜 성막하는 성막 공정을 포함하고,
    상기 성막 공정에서는, 상기 챔버 내에 있어서의 상기 스퍼터링 영역의 위치에 따라, 상기 타겟에 공급하는 전력을 변화시키는
    것을 특징으로 하는 성막 방법.
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