CN110872693B - 成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法 - Google Patents

成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。在靶上的产生溅射粒子的溅射区域相对于腔室移动的情况下，准确地取得溅射区域周边的压力。成膜装置(1)具有内部配置成膜对象物(6)及靶(2)的腔室(10)，一边使从上述靶(2)产生溅射粒子的溅射区域(A1)在腔室(10)内移动，一边使溅射粒子堆积在成膜对象物(6)上进行成膜，其特征在于，该成膜装置(1)具有：配置在腔室(10)内，取得上述腔室(10)内的压力的压力传感器(7)；以及使压力传感器(7)与溅射区域(A1)的移动一起移动的移动部件(12)。

Description

成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。
背景技术
作为在基板或形成在基板上的层叠体等成膜对象物上形成由金属或金属氧化物等材料构成的薄膜的方法，广泛已知有溅射法。通过溅射法进行成膜的溅射装置具有在真空腔室内使由成膜材料构成的靶与成膜对象物相向地配置的结构。若对靶施加负的电压，则在靶的附近产生等离子体，通过电离的惰性气体元素与靶表面碰撞而从靶表面放出溅射粒子，放出的溅射粒子在成膜对象物上堆积而成膜。另外，还已知有在靶的背面(圆筒形的靶的情况下为靶的内侧)配置磁铁，通过产生的磁场提高阴极附近的电子密度来高效地进行溅射的磁控溅射法。
作为现有的这种成膜装置，例如已知有专利文献1所记载的装置。该成膜装置使靶相对于成膜对象物的成膜面平行移动而成膜。在专利文献1中没有记载如何检测腔室内的溅射气体的压力并进行调压。
另一方面，在专利文献2中记载了利用相对于腔室固定设置的真空计(压力传感器)来测定腔室内的压力，由此将腔室内的压力调整为规定的压力。在如专利文献1那样靶移动的情况下，也如专利文献2那样，考虑使用压力传感器将腔室内的压力调整为规定的压力。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-172240号公报
专利文献2：日本特开2005-139549号公报
可是，实际上，存在腔室内的压力不均匀的情况。例如，存在如下情况：在导入溅射气体的气体导入口的附近压力较高，在与真空泵连接的排气口的附近压力较低这样的腔室内的压力不均匀。
在如专利文献2那样在腔室内阴极不移动的溅射装置中，从靶的表面放出溅射粒子的溅射区域不会在腔室内移动。因此，在溅射工艺期间，溅射区域的周边的压力大致保持恒定。可是，例如在如专利文献1那样阴极在腔室内移动那样的情况下，由于溅射区域相对于腔室移动，因此在溅射工艺期间，溅射区域的周边的压力变化，成膜的膜的膜厚、膜质产生不均。
发明内容
本发明的目的在于提供一种在放出溅射粒子的溅射区域相对于腔室移动的情况下，能够准确地取得溅射区域的周边的压力的成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。
用于解决课题的技术方案
作为本发明的一技术方案的成膜装置，具有内部配置成膜对象物以及靶的腔室，该成膜装置一边使从所述靶产生溅射粒子的溅射区域在所述腔室内移动，一边使所述溅射粒子堆积于所述成膜对象物而成膜，其特征在于，该成膜装置具有：压力传感器，配置在所述腔室内，取得所述腔室内的压力；以及移动部件，使所述压力传感器与所述溅射区域的移动一起移动。
此外，作为本发明的另一技术方案的成膜方法，包括将成膜对象物配置在腔室内，使从与所述成膜对象物相向配置的靶飞出的溅射粒子堆积而成膜的溅射成膜工序，其特征在于，所述溅射成膜工序是一边使所述靶的产生溅射粒子的溅射区域相对于所述腔室相对移动一边进行成膜的工序，所述溅射成膜工序中，利用与所述靶的溅射区域一起移动的压力传感器取得所述腔室内的压力的信息，调整所述腔室内的压力。
而且，作为本发明的另一技术方案的电子器件的制造方法，包括将成膜对象物配置在腔室内，使从与所述成膜对象物相向配置的靶飞出的溅射粒子堆积而成膜的溅射成膜工序，其特征在于，所述溅射成膜工序是一边使所述靶的产生溅射粒子的溅射区域相对于所述腔室相对移动一边进行成膜的工序，在所述溅射成膜工序中，利用与所述靶的溅射区域一起移动的压力传感器取得所述腔室内的压力的信息，调整所述腔室内的压力。
发明的效果
根据本发明，在靶上的产生溅射粒子的溅射区域相对于腔室移动的情况下，能够准确地取得溅射区域周边的压力。
附图说明
图1(A)是表示实施方式1的成膜装置的结构的示意图，(B)是(A)的侧视图。
图2(A)和(B)是表示腔室内的压力分布和调压状态的示意图，(C)是表示图1的磁铁单元的结构的立体图。
图3是表示实施方式2的成膜装置的结构的示意图。
图4是表示实施方式3的成膜装置的结构的示意图。
图5(A)是表示实施方式4的成膜装置的结构的示意图，(B)～(D)是表示平面阴极的其它的方式的示意图。
图6(A)是表示实施方式5的成膜装置的结构的示意图，(B)是(A)的侧视图。
图7是表示有机EL元件的一般的层结构的图。
附图标记说明
1、成膜装置；2、靶；6、成膜对象物；7、压力传感器；10、腔室；12、直线驱动机构(移动部件)；A1、溅射区域。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行详细说明。但是，以下的实施方式只不过是例示性地表示本发明的优选的结构，本发明的范围并不限定于这些结构。另外，以下的说明中的装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等，只要没有特别特定的记载，就不意味着将本发明的范围限定于这些。
[实施方式1]
首先，参照图1(A)及图1(B)，对实施方式1的成膜装置1的基本的结构进行说明。本实施方式的成膜装置1用于在半导体器件、磁器件、电子零件等各种电子器件、光学零件等的制造中用于在基板(也包括在基板上形成有层叠体的结构)上堆积形成薄膜。更具体而言，成膜装置1在发光元件、光电转换元件、触摸面板等电子器件的制造中优选使用。其中，本实施方式的成膜装置1在有机EL(Erectro Luminescence)元件等有机发光元件、有机薄膜太阳能电池等有机光电转换元件的制造中特别优选使用。另外，本发明中的电子器件也包括具备发光元件的显示装置(例如有机EL显示装置)、照明装置(例如有机EL照明装置)、具备光电转换元件的传感器(例如有机CMOS图像传感器)。
图7示意性地示出了有机EL元件的一般的层结构。如图7所示，有机EL元件一般是在基板上依次形成阳极、空穴注入层、空穴输送层、有机发光层、电子输送层、电子注入层、阴极的结构。本实施方式的成膜装置1适合用于通过溅射在有机膜上形成用于电子注入层、电极(阴极)的金属、金属氧化物等的层叠被膜时。另外，并不限定于在有机膜上成膜，只要是金属材料、氧化物材料等能够通过溅射成膜的材料的组合，就能够在各种面上进行层叠成膜。
如图1(A)所示，成膜装置1具有在内部配置成膜对象物6和靶2的腔室10和配置在腔室10内的隔着靶2与成膜对象物6相向的位置的磁铁单元3(磁场产生部件)。在该实施方式中，靶2为圆筒形状，与配置在内部的磁铁单元3一起构成旋转阴极单元8。在成膜工序中，旋转阴极单元8的靶2一边以其旋转中心轴为中心旋转，一边沿着与成膜对象物6的成膜面平行的面，在相对于旋转中心轴正交的方向上移动。另一方面，磁铁单元3与靶2不同，不旋转，始终在靶2的与成膜对象物6相向的表面侧生成漏磁场，提高靶2附近的电子密度来进行溅射。生成该漏磁场的区域是产生溅射粒子的溅射区域A1。靶2的溅射区域A1与旋转阴极单元8的移动一起沿着成膜对象物6的成膜面相对于腔室10移动，依次成膜于成膜对象物6。另外，在此，磁铁单元3不旋转，但并不限定于此，磁铁单元3也可以旋转或摆动。
成膜对象物6被保持在支架6a上，水平地配置在腔室10的顶壁10d侧。成膜对象物6例如从设置于腔室10的侧壁的一个闸阀17搬入而成膜，成膜后，从设置于腔室10的另一个侧壁的闸阀18排出。在图示例中，成为在成膜对象物6的成膜面朝向重力方向下方的状态下进行成膜的、所谓的向上淀积的结构，但并不限定于此。例如，也可以是成膜对象物6配置在腔室10的底面侧，在其上方配置旋转阴极单元8，在成膜对象物6的成膜面朝向重力方向上方的状态下进行成膜的、所谓的向下淀积的结构。或者，也可以是在成膜对象物6垂直立起的状态、即成膜对象物6的成膜面与重力方向平行的状态下进行成膜的结构。
如图1(B)所示，旋转阴极单元8是两端被固定在移动台230上的支承块210和端块220支承的结构，圆筒形状的靶2旋转自如，内部的磁铁单元3以固定状态被支承。移动台230借助线性轴承等搬送引导件240沿一对导轨250在水平方向上移动自如地被支承。在图中，若将与导轨250平行的方向设为X轴、将垂直的方向设为Z轴、将在水平面内与导轨250正交的方向设为Y轴，则旋转阴极单元8一边在其旋转轴朝向Y轴方向的状态下以旋转轴为中心旋转，一边相对于成膜对象物6平行地、即在XY平面上沿X轴方向移动。
靶2由作为旋转驱动装置的靶驱动装置11旋转驱动。虽然未特别图示，但靶驱动装置11具有马达等驱动源，应用经由动力传递机构向靶2传递动力的一般的驱动机构，例如搭载于支承块210或端块220等。另一方面，移动台230被直线驱动机构12沿Y轴方向直线驱动。关于直线驱动机构12，虽未特别图示，但也能够采用使用将旋转马达的旋转运动转换为直线运动的滚珠丝杠等的丝杠进给机构、线性马达等公知的各种直线运动机构。
靶2在该实施方式中为圆筒形状，作为对成膜对象物6进行成膜的成膜材料的供给源发挥功能。靶2的材质没有特别限定，例如可以举出Cu、Al、Ti、Mo、Cr、Ag、Au、Ni等金属单质、或者包含这些金属元素的合金或化合物。作为靶2的材质，也可以是ITO、IZO、IWO、AZO、GZO、IGZO等透明导电氧化物。靶2在形成有这些成膜材料的层的内侧形成有由其它的材料构成的衬管2a的层。该衬管2a与电源13连接，作为从电源13施加偏置电压的阴极发挥功能。偏置电压可以施加于靶本身，也可以没有衬管。另外，腔室10接地。另外，靶2是圆筒形的靶，但这里所说的“圆筒形”不是仅意味着数学上严格的圆筒形，也包括母线不是直线而是曲线的形状、与中心轴垂直的截面不是数学上严格的“圆”的形状。即，本发明中的靶2只要是能够以中心轴为轴旋转的圆筒状即可。
磁铁单元3在朝向成膜对象物6的方向上形成磁场，如图2(C)所示，具备在与旋转阴极单元8的旋转轴平行的方向上延伸的中心磁铁31、和包围中心磁铁31的与中心磁铁31不同极的周边磁铁32、以及轭板33。周边磁铁32由与中心磁铁31平行地延伸的一对直线部32a、32b和连结直线部32a、32b的两端的旋转部32c、32d构成。由磁铁单元3形成的磁场具有从中心磁铁31的磁极朝向周边磁铁32的直线部32a、32b呈环状返回的磁力线。由此，在靶2的表面附近形成沿靶2的长度方向延伸的圆环型的磁场的通道。通过该磁场捕捉电子，使等离子体集中在靶2的表面附近，提高溅射的效率。该磁铁单元的磁场泄漏的靶2的表面的区域是产生溅射粒子的溅射区域A1。
腔室10与气体导入部件16及排气部件15连接，成为能够将内部维持为规定的压力的结构。这些气体导入部件16及排气部件15构成压力调整部件。即，溅射气体(氩等惰性气体、氧、氮等反应性气体)由气体导入部件16通过设置于腔室10的导入口41、42而被导入腔室10的内部。另外，由真空泵等排气部件15从腔室10的内部通过排气口5进行排气。由此，腔室10的内部的压力被调整为规定的压力。
气体导入部件16具有多个导入口41、42，由未图示的储气瓶等供给源、连接供给源和导入口41、42的配管系统、设置于配管系统的各种真空阀、质量流量控制器等构成，能够通过质量流量控制器的流量控制阀来调整供给量。流量控制阀为电磁阀等能够电控制的结构。导入口41、42图示为配置于腔室的垂直的侧壁，但并不限定于侧壁，可以设置于底壁，也可以设置于顶壁。另外，配管也可以在腔室内延伸，导入口在腔室10内开口。另外，各导入口41、42也能够分别设置多个，沿着靶2的长度方向配置。
排气部件15设置有真空泵、将真空泵与排气口54连接的配管系统、和在配管系统中设置的电导阀等能够电控制的流量控制阀，能够通过控制阀调整排气量。排气口5在图示例中设置于底壁，但并不限定于底壁，可以设置于垂直的侧壁，也可以设置于顶壁。另外，配管也可以在腔室内延伸，排气口5在腔室10内开口。
在图示例中，上述气体导入部件16的导入口41、42设置在旋转阴极单元8进行直线移动的移动范围的始端侧的侧壁10b和终端侧的侧壁10a，排气口5设置在直线移动范围的中央位置的底壁10c侧。在溅射工序中，一边从导入口4导入溅射气体，一边从排气口5排气而维持一定的规定的压力，腔室10内的压力分布P0(x)如图2(a)所示，成为始端以及终端侧相对高且排气口5所位于的中央部低的状态。本发明将取得腔室10内的压力的压力传感器7设置于旋转阴极单元8的移动台230，使其与移动台230的移动一起移动，能够取得溅射区域A1的周边的压力。作为压力传感器7，能够利用电容压力计等隔膜真空计、皮拉尼真空计、热电偶真空计等热传导式真空计、石英晶体摩擦真空计等各种真空计。作为压力传感器7，优选使用作为比较小型的真空计的热传导式真空计或石英晶体摩擦真空计。压力传感器7与控制部14连接，基于由压力传感器7取得的压力的信息，控制构成压力调整部件的气体导入部件16、排气部件15，调整腔室10内的压力。
接着，对成膜装置1的作用进行说明。在溅射工序中，由控制部14驱动靶驱动装置11而使靶2旋转，从电源13施加偏置电压，并且驱动直线驱动机构12，使旋转阴极单元8从直线运动方向的移动范围的始端以规定速度移动。若施加偏置电位，则利用磁铁单元3，等离子体集中生成于面向成膜对象物6的靶2的表面附近，等离子体中的阳离子状态的气体离子对靶2进行溅射，飞散的溅射粒子堆积于成膜对象物6。随着旋转阴极单元8的移动，从旋转阴极单元8的移动方向上游侧朝向下游侧依次堆积溅射粒子，由此成膜。
在该实施方式中，在旋转阴极单元8的移动路径的始端侧和终端侧具有气体的导入口41、42，在旋转阴极单元8的移动路径的中央附近的底壁10c配置有排气口5。因此，如图2(a)所示，腔室10的内部的压力成为在旋转阴极单元8的移动路径的始端侧和终端侧压力高且在中央附近压力低的压力分布。在本实施方式中，由于在旋转阴极单元8的移动台230设置有压力传感器7，因此压力传感器7与旋转阴极单元8的移动一起移动，准确地检测出溅射粒子的产生区域周边的压力，并将检测值始终发送给控制部14。控制部14对设置于气体导入部件16和排气部件15的配管系统的流量控制阀、压力限制阀进行反馈控制，以使目标压力与检测出的压力的差值为零。预先决定针对差值的控制量，并逐步控制该控制量。
图2(B)示意性地表示控制状态。即，P0(x)表示初始状态的压力分布。目标压力为pt。例如，若旋转阴极单元8的X轴方向的位置为x1，检测出的压力为P0(x1)，则与目标压力pt的差值Δ1为(P0(x1)-(pt))。在该实施方式中，在该差Δ1的绝对值为规定值以下的情况下，利用排气部件15调整压力，在绝对值大于规定值的情况下，利用排气部件15以及气体导入部件16调整压力。关于排气部件15及气体导入部件16的调整量，预先求出压力差与调整量的关系并存储在控制部14中，向排气部件15和气体导入部件16输出控制信号。实际上，从指示起直到气压达到目标压力pt为止存在时间差，但在图2(B)中，若忽略时间差进行说明，则压力分布从P0(x)变化为P1(x)。
进而，在旋转阴极单元8前进至x2的时刻，若压力传感器7所取得的压力为P1(x2)，则与目标压力pt的差值Δ2在(P0(x2)-(pt))中为负，另外，绝对值小于差值Δ1。在该差Δ2的绝对值为规定值以下的情况下，利用排气部件15调整压力，在绝对值大于规定值的情况下，利用排气部件15以及气体导入部件16调整压力。例如，在差值Δ1与差值Δ2的绝对值之间存在阈值的情况下，在x1的位置，利用排气部件15以及气体导入部件16进行调整，在x2的位置，仅利用排气部件15来调整压力。这样，即使是在气体压力的压力分布不均匀的腔室内，也能够检测旋转阴极单元8的移动位置处的压力，将与目标压力之差控制成为零，因此能够大致均匀地调整旋转阴极单元8的溅射区域A附近的压力，能够使基于压力差的生成于成膜对象物6的膜的膜厚、膜质大致均匀地成膜。
接着，对本发明的其它的实施方式进行说明。在以下的说明中，主要仅对不同点进行说明，对相同的结构部分标注相同的附图标记并省略说明。
[实施方式2]
图3表示本发明的实施方式2的成膜装置101。实施方式2的成膜装置101配置有多个压力传感器71、72。在图示例中，构成为配置在旋转阴极单元8的移动方向的前后两处，与旋转阴极单元8的移动一起移动。特别是在图示例中，安装于移动方向前后的附着防止板261、262。另外，并不限定于该结构，例如，也可以使移动台230在旋转阴极单元8的移动方向(即，X轴的正方向以及负方向的各个方向)上延伸，在其延伸部分别配置压力传感器71、72。
在该实施方式中，根据旋转阴极单元8的行进方向，选择要使用的压力传感器71、72。即，在旋转阴极单元8沿图3的箭头方向行进的情况下，使用位于行进方向前方的压力传感器即压力传感器71。在向相反方向移动的情况下，选择压力传感器72。根据该旋转阴极单元8的移动方向来调整压力时所使用的压力传感器的选择由控制部14进行，控制部14构成选择部件。另外，由于压力传感器71、72位于比旋转阴极单元8的溅射区域A靠行进方向前方的位置，因此溅射区域A能够预先取得此后进入的区域的压力信息，因此能够提高调压的精度。另外，在行进方向仅为任意一方的情况下，只要设置于单侧即可。
[实施方式3]
图4表示本发明的实施方式3的成膜装置102。在实施方式3的成膜装置102中，不仅配置有与旋转阴极单元8一起移动的压力传感器7，还在腔室10配置有作为测定规定位置的压力的第二压力传感器的固定压力传感器9。在本实施方式中，作为压力传感器7，使用作为比较小型的真空计的热传导式真空计，作为固定压力传感器9使用隔膜真空计。
压力传感器7及固定压力传感器9优选切换使用。例如，优选在成膜时使用压力传感器7检测压力并进行调压，在非成膜时使用固定压力传感器7进行调压。另外，在成膜时，首先，优选在利用固定压力传感器9测定压力，且腔室10的内部的压力到达能够由压力传感器7测定的压力范围后，控制部14将要使用的压力传感器切换为压力传感器7。在该实施方式3中，控制部14构成切换部件，该切换部件根据压力，利用固定压力传感器9或压力传感器7对调整压力时使用的压力传感器进行切换。
[实施方式4]
图5(A)表示本发明的实施方式4的成膜装置103。在实施方式4的成膜装置103中，采用使用了平板形状的靶302的平面阴极单元308，而不是使用了圆筒状的靶302的旋转阴极单元。平面阴极单元308具有与成膜对象物平行地配置的靶302，在该靶302的与成膜对象物6相反侧配置有作为磁场产生部件的磁铁单元3。另外，在靶302的与成膜对象物6相反侧的面上，设置有从电源13施加电力的背板302a，该背板302a被配置在移动方向的前后的壳板361、362夹持而一体地固定。在底板363上固定有磁铁单元3。而且，平面阴极单元308固定于移动台230的上表面，在移动台230的上表面，与实施方式2同样地，在平面阴极单元308的移动方向的前后两处分别配置有移动压力传感器71、72。即，移动压力传感器71、72相对于靶302的溅射区域A1，位于移动方向前方规定距离。
另外，移动压力传感器71、72在图示例中配置在移动台230上，但也可以安装在前后的壳板361、362上。另外，在该平面阴极单元303的情况下，也可以如实施方式3那样与固定压力传感器9组合。另外，如图5(B)～(D)所示，在平面阴极单元303的壳体306内，也可以是磁铁单元3相对于靶302能够相对移动。这样，能够使溅射区域A1相对于靶302相对地挪动，能够提高靶302的利用效率。
[实施方式5]
图6(A)、(B)表示本发明的实施方式5的成膜装置104。在上述实施方式4的图5(B)～(D)中，在平面阴极单元303内，磁铁单元3相对于靶302能够相对移动。另一方面，在该实施方式5中，平板形状的靶402在X轴方向以及Y轴方向这两个方向上比成膜对象物6大，相对于腔室10被固定地设置。另外，作为磁场产生部件的磁铁单元3相对于固定于腔室10的靶402(即，相对于腔室10)移动，使靶402的放出靶粒子的溅射区域A1沿着成膜对象物6移动。
靶402配置在真空区域与大气压区域的交界部分，磁铁单元3置于腔室10外的大气中。即，如图6(A)所示，靶402配置成气密地堵塞设置于腔室10的底壁10c的开口部10c1，靶402面向腔室10的内部空间，与成膜对象物6相向。在此，在靶402的与成膜对象物6相反侧的面设置有从电源13施加电力的背板402a，背板402a面向外部空间。
磁铁单元3配置在腔室10外，压力传感器7配置在腔室10内。磁铁单元3在腔室10之外被磁铁单元移动装置430支承，能够沿着靶402在X轴方向上移动。磁铁单元3通过磁铁驱动装置121驱动磁铁单元移动装置430而被驱动。磁铁单元移动装置430是沿X轴方向对磁铁单元3进行直线引导的装置，虽未特别图示，但由支承磁铁单元3的移动台和引导移动台的轨道等引导件等构成。压力传感器7被配置在腔室10内的传感器移动装置450支承，能够沿着靶402在X轴方向上移动，由压力传感器驱动装置122驱动。关于传感器移动装置450，也与磁铁单元移动装置430同样地，由支承压力传感器7的移动台和引导移动台的轨道等引导件等构成。磁铁驱动装置121及压力传感器驱动装置122由控制部14控制，通过与磁铁单元3的移动同步地驱动压力传感器7，使压力传感器7与溅射区域A1的移动一起移动。
另外，在该实施方式中，在腔室10的底壁10c配置有靶402，因此，如图6(B)所示，排气口51、52设置于腔室10的前壁(侧壁)10e和后壁(侧壁)10f。另外，传感器移动装置450以及压力传感器7配置于磁铁单元3的长边方向(Y轴方向)的两侧，即，腔室10的前壁10e的内侧面与磁铁单元3之间的空间、以及腔室10的后壁10f的内侧面与磁铁单元3之间的空间的两处，检测磁铁单元3的长度方向两侧的压力。检测值例如作为2个压力传感器7的平均值而被调整压力。
[其它的实施方式]
此外，在上述实施方式中，例示了旋转阴极单元8、平面阴极单元为一个的情况，但也能够应用于在腔室10的内部配置有多个旋转阴极单元8、平面阴极单元的成膜装置。例如，在旋转阴极单元8的情况下，具有多个磁铁单元3，与这些磁铁单元3分别对应地配置有多个靶2，由与各磁铁单元3对应的各靶2构成多组作为靶单元的旋转阴极单元8，通过直线驱动机构12使多组旋转阴极单元8一起移动。另外，在平面阴极单元308的情况下，具有多个磁铁单元3，与这些磁铁单元3分别对应地配置有多个靶302，由与各磁铁单元3对应的各靶302构成多组作为靶单元的平面阴极单元308，通过直线驱动机构12使多组平面阴极单元308一起移动。

Claims (19)

1.一种成膜装置，具有内部配置成膜对象物以及靶的腔室，
该成膜装置一边使从所述靶产生溅射粒子的溅射区域在所述腔室内移动，一边使所述溅射粒子堆积于所述成膜对象物而成膜，
其特征在于，
该成膜装置具有：
压力传感器，配置在所述腔室内，取得所述腔室内的压力；
移动部件，使所述压力传感器与所述溅射区域的移动一起移动；以及
压力调整部件，基于由所述压力传感器取得的所述压力的信息来调整所述腔室内的压力，
沿着所述溅射区域的移动方向在所述溅射区域的移动方向的前后具有多个通过所述移动部件而移动的所述压力传感器，
该成膜装置具有选择部件，该选择部件根据所述溅射区域的移动方向来选择通过所述压力调整部件调整压力时使用的压力传感器。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述压力调整部件调整所述腔室内的压力，以使由所述压力传感器取得的压力成为目标压力。
3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述压力调整部件包括排气部件和气体导入部件，
在由所述压力传感器取得的压力与目标压力之差的绝对值为规定值以下的情况下，利用所述排气部件调整压力，在所述绝对值大于规定值的情况下，利用所述排气部件和所述气体导入部件调整压力。
4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
该成膜装置具有固定于所述腔室的第二压力传感器。
5.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，
该成膜装置具有切换部件，该切换部件根据所述腔室内的压力，利用与所述溅射区域的移动一起移动的所述压力传感器和所述第二压力传感器来对通过所述压力调整部件调整压力时所使用的压力传感器进行切换。
6.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，
在进行对所述成膜对象物的成膜时，基于由所述压力传感器取得的压力的信息来调整所述腔室内的压力，在未进行对所述成膜对象物的成膜时，基于由所述第二压力传感器取得的压力的信息来调整所述腔室内的压力。
7.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，
所述第二压力传感器是隔膜真空计。
8.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述压力传感器是热传导式真空计。
9.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
该成膜装置还具有磁场产生部件，该磁场产生部件配置在所述腔室内的、隔着所述靶与所述成膜对象物相向的位置。
10.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
该成膜装置具有使所述靶相对于所述腔室移动的靶驱动部件，
通过利用所述靶驱动部件使所述靶相对于所述腔室移动，使所述溅射区域移动。
11.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述压力传感器是与所述靶一体地组装的结构，
所述移动部件使所述靶和所述压力传感器在与所述靶的长度方向交叉的方向上移动。
12.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述靶是圆筒形，该成膜装置还具有使所述靶旋转的旋转驱动部件。
13.根据权利要求10所述的成膜装置，其特征在于，
所述靶是圆筒形，该成膜装置还具有使所述靶旋转的旋转驱动部件。
14.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
在所述腔室内排列配置有多个所述靶，
所述移动部件使配置的所述多个靶一起移动。
15.根据权利要求9所述的成膜装置，其特征在于，
所述靶是在所述溅射区域的移动方向上延伸的平板形状，
所述靶相对于所述腔室固定设置，
所述移动部件通过使所述磁场产生部件相对于所述腔室移动来使所述溅射区域移动。
16.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述选择部件根据所述溅射区域的移动方向，选择配置在所述溅射区域的移动方向前方的所述压力传感器。
17.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，
所述气体导入部件具有用于向所述腔室内导入气体的多个气体导入口，
所述多个气体导入口沿着所配置的所述靶的长度方向配置。
18.一种成膜方法，包括将成膜对象物配置在腔室内，使从与所述成膜对象物相向配置的靶飞出的溅射粒子堆积而成膜的溅射成膜工序，
其特征在于，
所述溅射成膜工序是一边使所述靶的产生溅射粒子的溅射区域相对于所述腔室相对移动一边进行成膜的工序，
在所述溅射成膜工序中，在沿着所述溅射区域的移动方向在所述溅射区域的移动方向的前后配置的与所述靶的溅射区域一起移动的多个压力传感器中根据所述溅射区域的移动方向来选择调整压力时使用的压力传感器，利用选择的所述压力传感器取得所述腔室内的压力的信息，调整所述腔室内的压力。
19.一种电子器件的制造方法，包括将成膜对象物配置在腔室内，使从与所述成膜对象物相向配置的靶飞出的溅射粒子堆积而成膜的溅射成膜工序，
其特征在于，
所述溅射成膜工序是一边使所述靶的产生溅射粒子的溅射区域相对于所述腔室相对移动一边进行成膜的工序，
在所述溅射成膜工序中，在沿着所述溅射区域的移动方向在所述溅射区域的移动方向的前后配置的与所述靶的溅射区域一起移动的多个压力传感器中根据所述溅射区域的移动方向来选择调整压力时使用的压力传感器，利用选择的所述压力传感器取得所述腔室内的压力的信息，调整所述腔室内的压力。
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