JP2020033627A - 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、図1(A)および図1(B)を参照して、実施形態1の成膜装置1の基本的な構成について説明する。本実施形態に係る成膜装置1は、半導体デバイス、磁気デバイス、電子部品などの各種電子デバイスや、光学部品などの製造において基板(基板上に積層体が形成されているものも含む)上に薄膜を堆積形成するために用いられる。より具体的には、成膜装置1は、発光素子や光電変換素子、タッチパネルなどの電子デバイスの製造において好ましく用いられる。中でも、本実施形態に係る成膜装置1は、有機EL(ErectroLuminescence)素子などの有機発光素子や、有機薄膜太陽電池などの有機光電変換素子の製造において特に好ましく適用可能である。なお、本発明における電子デバイスは、発光素子を備えた表示装置(例えば有機EL表示装置)や照明装置(例えば有機EL照明装置)、光電変換素子を備えたセンサ(例えば有機CMOSイメージセンサ)も含むものである。
動台230は、リニアベアリング等の搬送ガイド240を介して一対の案内レール250に沿って水平方向に移動自在に支持されている。図中、案内レール250と平行方向をX
軸、垂直方向をZ軸、水平面で案内レール250と直交方向をY軸とすると、回転カソードユニット8は、その回転軸はY軸方向に向けた状態で、回転軸を中心に回転しながら、成膜対象物6に対して平行に、すなわちXY平面上をX軸方向に移動する。
、供給源と導入口41,42を接続する配管系と、配管系に設けられる各種真空バルブ、マスフローコントローラ等から構成され、マスフローコントローラの流量制御弁によって、供給量を調整可能となっている。流量制御弁は、電磁弁等の、電気的に制御可能な構成となっている。導入口41,42は、チャンバの垂直の側壁に配置されているように図示されているが、側壁に限定されず、底壁に設けられていてもよいし、天井壁に設けられていてもよい。また、配管がチャンバ内に延びて、導入口がチャンバ10内に開口していてもよい。また、各導入口41,42は、それぞれ複数設けられ、ターゲット2の長手方向に沿って配置される構成とすることもできる。
力制限弁をフィードバック制御する。この制御量は、差分に対する制御量が予め定められており、逐次制御される。
図3は、本発明の実施形態2に係る成膜装置101を示している。実施形態2に係る成膜装置101は、圧力センサ71,72を複数配置したものである。図示例では、回転カソードユニット8の移動方向の前後2か所に配置し、回転カソードユニット8の移動と共に移動するように構成されている。特に、図示例では、移動方向前後の防着板261,262に取り付けられている。なお、この構成に限定はされず、たとえば、移動台230を回転カソードユニット8の移動方向(すなわち、X軸の正の向き及び負の向きのそれぞれ)に延在させておき、その延在部のそれぞれに圧力センサ71,72を配置してもよい。
図4は、本発明の実施形態3に係る成膜装置102を示している。実施形態3に係る成膜装置102では、回転カソードユニット8と共に移動する圧力センサ7だけでなく、チャンバ10に、所定位置の圧力を測定する第2の圧力センサとして固定圧力センサ9が配置されている。本実施形態では、圧力センサ7としては比較的小型な真空計である熱伝導式真空計が用いられ、固定圧力センサ9としては隔膜真空計が用いられている。
図5(A)は、本発明の実施形態4に係る成膜装置103を示している。実施形態4に係る成膜装置103では、円筒状のターゲット302を使用した回転カソードユニットではなく、平板形状のターゲット302を使用したプレーナカソードユニット308が用いられている。プレーナカソードユニット308は、成膜対象物と平行に配置されたターゲット302を有し、このターゲット302の成膜対象物6と反対側に磁場発生手段である磁石ユニット3が配置されている。また、ターゲット302の成膜対象物6とは反対側の面には、電源13から電力が印加されるバッキングプレート302aが設けられ、移動方向の前後に配置されたケース板361,362に挟まれて一体的に固定されている。底板363に磁石ユニット3が固定されている。そして、プレーナカソードユニット308は、移動台230の上面に固定され、移動台230の上面には、実施形態2と同様に、プレーナカソードユニット308の移動方向の前後2か所に、それぞれ移動圧力センサ71,72が配置されている。すなわち、移動圧力センサ71,72は、ターゲット302のスパッタリング領域A1に対して、所定距離だけ移動方向前方に位置している。
図6(A),(B)は、本発明の実施形態5に係る成膜装置104を示している。上記
実施形態4の図5(B)〜(D)においては、プレーナカソードユニット303内において、磁石ユニット3がターゲット302に対して相対移動可能となっていた。一方、この実施形態5では、平板形状のターゲット402がX軸方向およびY軸方向の両方において成膜対象物6よりも大きく、チャンバ10に対して固定されて設けられている。また、磁場発生手段としての磁石ユニット3が、チャンバ10に固定されたターゲット402に対して(すなわち、チャンバ10に対して)移動し、ターゲット402のターゲット粒子が放出されるスパッタリング領域A1を、成膜対象物6に沿って移動させるようにしたものである。
なお、上記実施形態では、回転カソードユニット8や、プレーナカソードユニットが1つの場合を例示したが、ロータリーカソード8やプレーナカソードユニットがチャンバ10の内部に複数配置された成膜装置にも適用可能である。たとえば、回転カソードユニット8の場合、磁石ユニット3を複数有し、これら磁石ユニット3のそれぞれに対応して複数のターゲット2が配置され、各磁石ユニット3と対応する各ターゲット2によって複数組のターゲットユニットである回転カソードユニット8が構成され、直線駆動機構12によって複数組の回転カソードユニット8を共に移動させる。また、プレーナカソードユニット308の場合、磁石ユニット3を複数有し、これら磁石ユニット3のそれぞれに対応して複数のターゲット302が配置され、各磁石ユニット3と対応する各ターゲット302によって複数組のターゲットユニットであるプレーナカソードユニット8が構成され、直線駆動機構12によって複数組のプレーナカソードユニット8を共に移動させる。
2 ターゲット
6 成膜対象物
7 圧力センサ
10 チャンバ
12 直線駆動機構(移動手段)
A1 スパッタリング領域
Claims (20)
- 成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバを有し、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記チャンバ内に配置され、前記チャンバ内の圧力を取得する圧力センサと、
前記圧力センサを、前記スパッタリング領域の移動と共に移動させる移動手段と、を有することを特徴とする成膜装置。 - 前記チャンバ内の圧力を調整する圧力調整手段をさらに備え、
前記圧力調整手段は、前記圧力センサによって取得された前記圧力の情報に基づいて圧力を調整することを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 - 前記圧力調整手段は、前記圧力センサによって取得される圧力が目標圧力となるように、前記チャンバ内の圧力を調整することを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。
- 前記圧力調整手段は、排気手段と、ガス導入手段と、を含み、
前記圧力センサによって取得された圧力と目標圧力との差の絶対値が所定値以下である場合には前記排気手段で圧力を調整し、前記絶対値が所定値よりも大きい場合には前記排気手段および前記ガス導入手段で圧力を調整することを特徴とする請求項2または3に記載の成膜装置。 - 前記チャンバに固定された第2の圧力センサを有することを特徴とする請求項2から4のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記チャンバ内の圧力に応じて、前記圧力調整手段によって圧力を調整する際に用いる圧力センサを、前記スパッタリング領域の移動と共に移動する前記圧力センサと、前記第2の圧力センサと、で切り替える切替手段を有することを特徴とする請求項5に記載の成膜装置。
- 前記成膜対象物への成膜を行っている時には前記圧力センサで取得された圧力の情報に基づいて前記チャンバ内の圧力を調整し、前記成膜対象物への成膜を行っていない時には前記第2の圧力センサで取得された圧力の情報に基づいて前記チャンバ内の圧力を調整することを特徴とする請求項5に記載の成膜装置。
- 前記第2の圧力センサは隔膜真空計であることを特徴とする請求項5から7のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記圧力センサは熱伝導式真空計であることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記チャンバ内の、前記ターゲットを介して前記成膜対象物と対向する位置に配置される磁場発生手段をさらに有することを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記ターゲットを前記チャンバに対して移動させるターゲット駆動手段を有し、
前記ターゲット駆動手段で前記ターゲットを前記チャンバに対して移動させることで、前記スパッタリング領域を移動させることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 前記圧力センサは、前記ターゲットと一体的に組付けられる構成であり、
前記移動手段は、前記ターゲットおよび前記圧力センサを、前記ターゲットの長手方向に交差する方向に移動させることを特徴とする請求項1から11のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 前記ターゲットは円筒形であり、前記ターゲットを回転させる回転駆動手段をさらに有することを特徴とする請求項1から12のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記チャンバ内には複数の前記ターゲットが並んで配置され、
前記移動手段は、配置される前記複数のターゲットを共に移動させることを特徴とする請求項1から13のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 前記ターゲットは、前記スパッタリング領域の移動方向に延在する平板形状であり、
前記ターゲットは前記チャンバに対して固定して設けられ、
前記移動手段は、前記磁場発生手段を前記チャンバに対して移動させることにより、前記スパッタリング領域を移動させることを特徴とする請求項1から11のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 前記移動手段によって移動する前記圧力センサを、前記スパッタリング領域の移動方向に沿って複数有しており、
前記圧力調整手段によって圧力を調整する際に用いる圧力センサを、前記スパッタリング領域の移動方向に応じて選択する選択手段を有することを特徴とする請求項1から15のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 前記選択手段は、前記スパッタリング領域の移動方向に応じて、前記スパッタリング領域の移動方向前方に配置された前記圧力センサを選択することを特徴とする請求項16に記載の成膜装置。
- 前記ガス導入手段は、前記チャンバ内にガスを導入するための複数のガス導入口を有し、
前記複数のガス導入口は、配置される前記ターゲットの長手方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項1から17のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 成膜対象物をチャンバ内に配置し、前記成膜対象物と対向して配置されたターゲットから飛翔するスパッタ粒子を堆積させて成膜するスパッタ成膜工程を含む成膜方法であって、
前記スパッタ成膜工程は、前記ターゲットのスパッタ粒子が発生するスパッタリング領域を前記チャンバに対して相対移動させつつ成膜を行う工程であり、
前記スパッタ成膜工程において、前記ターゲットのスパッタリング領域とともに移動する圧力センサによって前記チャンバ内の圧力の情報を取得して、前記チャンバ内の圧力を調整することを特徴とする成膜方法。 - 成膜対象物をチャンバ内に配置し、前記成膜対象物と対向して配置されたターゲットから飛翔するスパッタ粒子を堆積させて成膜するスパッタ成膜工程を含む電子デバイスの製造方法であって、
前記スパッタ成膜工程は、前記ターゲットのスパッタ粒子が発生するスパッタリング領域を前記チャンバに対して相対移動させつつ成膜を行う工程であり、
前記スパッタ成膜工程において、前記ターゲットのスパッタリング領域とともに移動する圧力センサによって前記チャンバ内の圧力の情報を取得して、前記チャンバ内の圧力を
調整することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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