CN110965031A - 成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法，能够尽可能地限制在成膜待命区域从成膜源放出的成膜材料蔓延到成膜区域侧，抑制附着于成膜对象物。该成膜装置具有：与位于成膜待命区域(B1)的成膜源(3)相向地配置的相向构件(41)；以及配置在位于成膜待命区域(B1)的成膜源(3)的成膜区域(A)侧，与成膜源(3)一起相对于成膜对象物(2)相对移动的遮蔽构件(51)，遮蔽构件(51)具有在成膜源(3)位于成膜待命区域(B1)时与相向构件(41)相向的相向端部(5a)，相向端部(5a)的相对移动方向的宽度(L)大于相向端部(5a)与相向构件(41)之间的最短距离。

Description

成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法

技术领域

本发明涉及成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。

背景技术

作为在基板等成膜对象物上成膜的成膜装置，已知有使成膜对象物与成膜源相向地配置，一边使成膜源与成膜对象物相对移动一边进行成膜的成膜装置。在专利文献1中，记载了通过对靶(成膜源)的溅射面进行溅射使溅射粒子(成膜材料)从靶放出，使该溅射粒子堆积在成膜对象物上而形成薄膜的成膜装置(溅射装置)。在该成膜装置中，一边从靶放出溅射粒子一边使成膜对象物与靶的溅射面平行地移动来进行成膜。在成膜时，在成膜对象物与溅射面不面对的区域(成膜待命区域)有靶的状态下开始溅射粒子的放出。并且，在溅射粒子的放出稳定的状态下，使成膜对象物向与溅射面相向的区域(成膜区域)移动，进行成膜。

另外，在专利文献1中，在靶的周围，为了防止溅射粒子附着于腔室的壁面等成膜对象物以外的部分而设置有遮蔽板(遮蔽构件)。溅射面从外周被遮蔽板包围的开口露出，能够与成膜对象物面对。在遮蔽板的开口端设置有向使溅射面的露出区域变窄的方向伸出的伸出部，通过该伸出部限制从溅射面放出的溅射粒子的放出角度。在专利文献1所记载的成膜装置中，利用该遮蔽板，抑制从位于成膜待命区域的靶放出的溅射粒子入射到成膜对象物。

专利文献1：国际公开第2012/057108号

可是，溅射粒子等成膜材料未必呈直线飞翔。例如，由于在进行溅射时导入惰性气体等气体来进行，因此在气氛中存在气体分子，放出的溅射粒子与气氛中的气体分子碰撞而散射。因此，在成膜待命区域中，从遮蔽板的开口放出的溅射粒子发生散射，蔓延到成膜对象物侧，有时会附着于位于在溅射粒子呈直线飞翔的情况下不会附着的位置的成膜对象物。若产生这样的、来自位于成膜待命区域的成膜源的成膜材料向成膜对象物的不希望的堆积，则会使所要形成的膜的膜厚、膜质的均匀性降低。

作为抑制来自位于成膜待命区域的成膜源的成膜材料向成膜对象物的不希望的堆积的方法，也考虑将成膜源的待命位置设为较大地远离成膜对象物的位置的方法。可是，如果采用该方法，则装置的占地面积(设置面积)增大，或者由于腔室的大型化而导致真空设备大规模化。

发明内容

因此，本发明鉴于上述的课题，其目的在于，尽可能地限制在成膜待命区域从成膜源放出的成膜材料蔓延到成膜区域侧，抑制向成膜对象物附着。

用于解决课题的技术方案

作为本发明的一技术方案的成膜装置，具有腔室和移动部件，在该腔室中配置有成膜对象物、和使成膜材料朝向该成膜对象物飞翔而成膜于所述成膜对象物的成膜源，该移动部件使所述成膜源在规定的成膜待命区域与成膜区域之间相对于所述成膜对象物相对移动，其特征在于，该成膜装置具有：相向构件，与位于所述成膜待命区域的所述成膜源相向地配置；以及遮蔽构件，配置在位于所述成膜待命区域的所述成膜源的所述成膜区域的一侧，与所述成膜源一起相对于所述成膜对象物相对移动，所述遮蔽构件具有在所述成膜源位于所述成膜待命区域时以接近的状态与所述相向构件相向的相向端部，该相向端部的所述相对移动方向的宽度比所述成膜源位于所述成膜待命区域时的所述相向端部与所述相向构件之间的最短距离大。

此外，作为本发明的另一技术方案的成膜装置，具有腔室和移动部件，在该腔室中配置有成膜对象物、和使成膜材料朝向该成膜对象物飞翔而成膜于所述成膜对象物的成膜源，该移动部件使所述成膜源在规定的成膜待命区域与成膜区域之间相对于所述成膜对象物相对移动，其特征在于，该成膜装置具有：相向构件，与位于所述成膜待命区域的所述成膜源相向地配置；以及遮蔽构件，配置在位于所述成膜待命区域的所述成膜源的所述成膜区域的一侧，与所述成膜源一起相对于所述成膜对象物相对移动，所述遮蔽构件具有在所述成膜源位于所述成膜待命区域时以接近的状态与所述相向构件相向的相向端部，在所述成膜源位于所述成膜待命区域时，在所述相向构件与所述相向端部之间形成有限制来自所述成膜待命区域内的成膜材料向所述成膜区域的一侧飞翔的间隙。

而且，作为本发明的另一技术方案的成膜方法，具有如下工序：准备工序，使成膜源在腔室内的成膜待命区域待命，成为成膜材料从所述成膜源飞翔的状态；以及成膜工序，使在所述准备工序中成为了所述成膜材料飞翔的状态的所述成膜源从所述成膜待命区域向所述腔室内的成膜区域相对于所述成膜对象物相对移动，并使从所述成膜源飞翔的成膜材料堆积在所述成膜对象物上而进行成膜，其特征在于，在所述成膜待命区域设置与位于该成膜待命区域的所述成膜源相向的相向构件，并且在所述成膜源的所述成膜区域的一侧设置与所述成膜源一起相对于所述成膜对象物进行相对移动的遮蔽构件，在所述准备工序中，使所述成膜源在所述成膜待命区域待命，并且在使所述遮蔽构件的相向端部与所述相向构件接近的状态下，开始从所述成膜源放出所述成膜材料，使通过所述遮蔽构件的相向端部与所述相向构件之间的间隙而向所述成膜区域的一侧移动的成形材料附着于接近的所述相向构件和所述遮蔽构件的相向端部。

而且，作为本发明的另一技术方案的电子器件的制造方法，其具有如下工序：准备工序，使成膜源在腔室内的成膜待命区域待命，成为成膜材料从所述成膜源飞翔的状态；以及成膜工序，使在所述准备工序中成为了所述成膜材料飞翔的状态的所述成膜源从所述成膜待命区域向所述腔室内的成膜区域相对于所述成膜对象物相对移动，并使从所述成膜源飞翔的成膜材料堆积在所述成膜对象物上而进行成膜，其特征在于，在所述成膜待命区域设置与位于该成膜待命区域的所述成膜源相向的相向构件，并且在所述成膜源的所述成膜区域的一侧设置与所述成膜源一起相对于所述成膜对象物进行相对移动的遮蔽构件，在所述准备工序中，使所述成膜源在所述成膜待命区域待命，并且在使所述遮蔽构件的相向端部与所述相向构件接近的状态下，开始从所述成膜源放出所述成膜材料，使通过所述遮蔽构件的相向端部与所述相向构件之间的间隙而向所述成膜区域的一侧移动的成形材料附着于接近的所述相向构件和所述遮蔽构件的相向端部。

发明效果

根据本发明，能够尽可能地限制在成膜待命区域从成膜源放出的成膜材料蔓延到成膜区域侧，抑制附着于成膜对象物。

附图说明

图1(A)是表示实施方式1的成膜装置的结构的示意图，(B)是(A)的第一成膜待命区域的放大图，(C)是旋转阴极单元位于第二成膜待命区域的情况下的放大图。

图2(A)是图1(A)的俯视图，(B)是表示旋转阴极的磁铁单元的立体图。

图3(A)是表示图1的装置的遮蔽构件的变形例1的示意图，(B)是表示变形例2的示意图。

图4是表示图1的装置的遮蔽构件的变形例3的示意图。

图5是表示有机EL元件的一般的层结构的图。

附图标记说明

1、成膜装置；2、成膜对象物；3、旋转阴极单元(成膜源)；41、42、第一相向构件、第二相向构件；51、52、第一遮蔽构件、第二遮蔽构件；5a、相向端部；10、腔室；12、直线驱动机构(驱动机构、移动部件)；A1、成膜区域；B1、B2、第一成膜待命区域、第二成膜待命区域；L、相向端部的宽度；d1、相向端部与相向构件间的最短距离。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行详细说明。可是，以下的实施方式只不过是例示性地表示本发明的优选的结构，本发明的范围并不限定于这些结构。另外，以下的说明中的装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等，只要没有特别特定的记载，就不意味着将本发明的范围限定于这些。

[实施方式1]

首先，参照图1(A)及图2(A)，对实施方式1的成膜装置1的基本的结构进行说明。本实施方式的成膜装置1用于在半导体器件、磁器件、电子零件等各种电子器件、光学零件等的制造中用于在成膜对象物2(也包括在基板上形成有层叠体的结构)上堆积形成薄膜。更具体而言，成膜装置1在发光元件、光电转换元件、触摸面板等电子器件的制造中优选使用。其中，本实施方式的成膜装置1在有机EL(Erectro Luminescence)元件等有机发光元件、有机薄膜太阳能电池等有机光电转换元件的制造中特别优选使用。另外，本发明中的电子器件也包括具备发光元件的显示装置(例如有机EL显示装置)、照明装置(例如有机EL照明装置)、具备光电转换元件的传感器(例如有机CMOS图像传感器)。

图5示意性地示出了有机EL元件的一般的层结构。如图5所示，有机EL元件一般是在基板上依次形成阳极、空穴注入层、空穴输送层、有机发光层、电子输送层、电子注入层、阴极的结构。本实施方式的成膜装置1适合用于通过溅射在有机膜上形成用于电子注入层、电极(阴极)的金属、金属氧化物等的层叠被膜时。另外，并不限定于在有机膜上成膜，只要是金属材料、氧化物材料等能够通过溅射成膜的材料的组合，就能够在各种面上进行层叠成膜。

如图1(A)所示，成膜装置1具有腔室10和驱动机构(直线驱动机构12)。在腔室10的内部配置有成膜对象物2、和使作为成膜材料的溅射粒子朝向成膜对象物2飞翔而成膜于成膜对象物2的作为成膜源的旋转阴极单元3(以下，简称为“阴极单元3”)。驱动机构驱动阴极单元3和成膜对象物2中的至少一方，以使阴极单元3相对于成膜对象物2相对移动。在本实施方式中，作为驱动机构的直线驱动机构12驱动阴极单元3。另外，本发明并不限定于此，驱动机构也可以驱动成膜对象物2，基于驱动机构的驱动也可以不是直线驱动。

腔室10成为连接有未图示的气体导入部件及排气部件，能够将内部维持为规定的压力的结构。即，利用气体导入部件向腔室10的内部导入溅射气体(氩等惰性气体、氧、氮等反应性气体)，另外，利用真空泵等排气部件从腔室10的内部进行排气，腔室10的内部的压力被调压为规定的压力。

成膜对象物2保持于支架21，水平地配置于腔室10的顶壁10d侧。成膜对象物2例如从设置于腔室10的侧壁的未图示的闸阀搬入而成膜，成膜后，从闸阀排出。在图示例中，成为在成膜对象物2的成膜面2a朝向重力方向下方的状态下进行成膜的、所谓的向上淀积的结构，但并不限定于此。例如，也可以是如下结构：成膜对象物2配置于腔室10的底面侧，在其上方配置有阴极单元3，在成膜对象物2的成膜面2a朝向重力方向上方的状态下进行成膜的、所谓的向下淀积的结构。或者，也可以是在成膜对象物2垂直立起的状态、即成膜对象物2的成膜面与重力方向平行的状态下进行成膜的结构。

阴极单元3具备在移动方向上隔开规定间隔而排列配置的一对旋转阴极3A、3B。如图2(A)所示，两个旋转阴极3A、3B的两端被固定在移动台230上的支承块210和端块220支承。另外，旋转阴极3A、3B具有圆筒形状的靶35和配置在靶35内部的磁铁单元30。利用支承块210和端块220将靶35支承为旋转自如，磁铁单元30以固定状态被支承。另外，在此，磁铁单元30不旋转，但并不限定于此，磁铁单元30也可以旋转或摆动。移动台230借助线性轴承等搬送引导件沿着一对导轨250在与成膜对象物2的成膜面2a平行的方向(在此为水平方向)上移动自如地被支承。在图中，若将与导轨250平行的方向设为X轴、将垂直的方向设为Z轴、将在水平面内与导轨250正交的方向设为Y轴，则阴极单元3一边在其旋转轴朝向Y轴方向的状态下以旋转轴为中心旋转，一边相对于成膜对象物2平行地、即在XY平面上沿X轴方向移动。

旋转阴极3A、3B的靶35在本实施方式中为圆筒形状，作为对成膜对象物2进行成膜的成膜材料的供给源发挥功能。靶35的材质没有特别限定，例如可以举出Cu、Al、Ti、Mo、Cr、Ag、Au、Ni等金属单质、或者包含这些金属元素的合金或化合物。作为靶35的材质，也可以是ITO、IZO、IWO、AZO、GZO、IGZO等透明导电氧化物。靶35在形成有这些成膜材料的层的内侧形成有由其它的材料构成的衬管35b的层。该衬管35b与电源13电连接，作为从电源13施加偏置电压的阴极发挥功能。偏置电压可以施加于靶本身，也可以没有衬管。另外，腔室10接地。另外，靶35是圆筒形的靶，但这里所说的“圆筒形”不是仅意味着数学上严格的圆筒形，也包括母线不是直线而是曲线的形状、与中心轴垂直的截面不是数学上严格的“圆”的形状。即，本发明中的靶35只要是能够以中心轴为轴旋转的圆筒状即可。

磁铁单元30在朝向成膜对象物2的方向上形成磁场，如图2(B)所示，具备在与旋转阴极3A的旋转轴平行的方向上延伸的中心磁铁31、和包围中心磁铁31的与中心磁铁31不同极的周边磁铁32、以及轭板33。周边磁铁32由与中心磁铁31平行地延伸的一对直线部32a、32b和连结直线部32a、32b的两端的旋转部32c、32d构成。由磁铁单元30形成的磁场具有从中心磁铁31的磁极朝向周边磁铁32的直线部32a、32b呈环状返回的磁力线。由此，在靶35的表面附近形成沿靶35的长度方向延伸的圆环型的磁场的通道。通过该磁场捕捉电子，使等离子体集中在靶35的表面附近，提高溅射的效率。

靶35由作为旋转驱动装置的靶驱动装置11旋转驱动。虽然未特别图示，但靶驱动装置11具有马达等驱动源，应用经由动力传递机构向靶35传递动力的一般的驱动机构，例如搭载于支承块210或端块220等。另一方面，移动台230被直线驱动机构12沿X轴方向直线驱动。关于直线驱动机构12，虽未特别图示，但也能够采用使用将旋转马达的旋转运动转换为直线运动的滚珠丝杠等的丝杠进给机构、线性马达等公知的各种直线运动机构。

另外，在移动台230上连结有由追随于直线运动的连杆机构构成的大气臂机构60的一端。大气臂机构60具有内部被保持为大气压的中空的多个臂61、62，这些臂61、62通过关节部63相互旋转自如地连结。一个臂61的端部旋转自如地与腔室10的底壁10a的安装部连结，另一个臂62的端部旋转自如地与移动台230的安装部连结。在大气臂机构60的内部收纳有与直线驱动机构12、靶驱动装置11的马达连接的电力缆线、控制信号用的信号缆线、用于供冷却水流动的管等。

在腔室10内设置有阴极单元3与成膜对象物2相向并移动的成膜区域A和使阴极单元3对成膜对象物2的成膜停止而使阴极单元3待命的成膜待命区域B。成膜待命区域B相对于成膜区域A配置在阴极单元3的移动方向的上游侧和下游侧中的至少一侧。在该例子中，在阴极单元3的移动方向的上游侧以及下游侧双方设置有成膜待命区域B。在此，所谓成膜待命区域，是指未在成膜对象物2上进行成膜材料的成膜时的阴极单元3(成膜源)所处的区域。另一方面，所谓成膜区域，是指在成膜对象物2上进行成膜材料的成膜时的阴极单元3(成膜源)所处的区域。在本实施方式中，在基于阴极单元3的成膜的前后的至少一方、特别是成膜前，在使阴极单元3在成膜待命区域B待命的状态下进行用于成膜的准备的放电(预溅射)。通过在成膜待命区域B进行预溅射之后使阴极单元3向成膜区域A移动，能够提高成膜开始时的放电稳定性，能够提高要成膜的膜的膜厚、膜质的均匀性。成膜源从成膜待命区域B向成膜区域A的移动利用驱动机构(直线驱动机构12)来进行。换言之，在本实施方式中，直线驱动机构12是使成膜源在成膜待命区域B与成膜区域A之间相对于成膜对象物2相对地移动的移动部件。

如果将本实施方式中的两个成膜待命区域中的一方设为第一成膜待命区域B1(图1(A)中，右侧)，将另一方设为第二成膜待命区域B2(该图左侧)，则阴极单元3也可以在第一成膜待命区域B1和第二成膜待命区域B2中的任一者待命。在阴极单元3在第一成膜待命区域B1待命的情况下，在之后的成膜工序中，阴极单元3向第二成膜待命区域B2的方向(图中，从右向左；移动方向FL)移动到成膜区域A。在成膜工序中，阴极单元3既可以在成膜区域A内使移动方向反转而返回到第一成膜待命区域B1，也可以不反转或者在反转了偶数次之后到达第二成膜待命区域B2。在阴极单元3在第二成膜待命区域B2待命的情况下，在之后的成膜工序中，阴极单元3向第二成膜待命区域B2的方向(图中，从左向右；移动方向FR)移动到成膜区域A。在成膜工序中，阴极单元3既可以在成膜区域A内使移动方向反转而返回到第二成膜待命区域B2，也可以不反转或者在反转了偶数次之后到达第一成膜待命区域B1。这样，由于仅仅是移动的方向相反，所以在以下的说明中，主要以阴极单元3在第一成膜待命区域B1待命的情况为例进行说明。

在第一成膜待命区域B1设置有与在该第一成膜待命区域B1待命的阴极单元3相向的第一相向构件41。另外，在阴极单元3的成膜区域A侧，设置有与阴极单元3一起相对于成膜对象物2相对移动的第一遮蔽构件51。第一遮蔽构件51具有相向端部5a，该相向端部5a在阴极单元3在第一成膜待命区域B1待命的位置时以接近的状态与相向构件4相向，在相向端部5a与相向构件41之间形成有间隙G。利用该间隙G，限制在第一成膜待命区域B1中进行阴极单元3的预溅射时产生的溅射粒子(成膜材料)向成膜区域A侧的飞翔，限制蔓延。为了有效地限制蔓延，优选将形成间隙G的相向端部5a的移动方向FL的宽度设定为比相向端部5a与第一相向构件41间最短距离大。即，若将第一遮蔽构件51的相向端部5a的移动方向的宽度设为L，将相向端部5a与第一相向构件41间的最短距离设为d1，则优选满足下述式(1)。

L＞d1式(1)

在本实施方式中，为了进一步满足下述式(2)，调整第一遮蔽构件51的相向端部5a的宽度和相向端部5a与第一相向构件41的配置。

L≥3d1式(2)

由此，能够更有效地抑制溅射粒子向成膜区域A侧的蔓延。若增大宽度L相对于距离d1的比，越能够提高蔓延抑制效果，该关系进一步优选满足下述式(3)。

L≥5d1式(3)

由于宽度L相对于距离d1的比(L/d1)越大，越能够提高溅射粒子的蔓延抑制效果，因此，从蔓延抑制效果的观点出发，优选宽度L越大越好，优选距离d1越大越小。可是，如果使距离d1过小，则在驱动阴极单元3时，遮蔽构件51、52与相向构件41、42可能会发生干涉。因此，优选通过适当地调整宽度L和距离d1来增大宽度L相对于距离d1的比。另外，为了避免遮蔽构件与相向构件的干涉，距离d1例如优选为5mm以上且30mm以下。因此，宽度L例如优选为30mm以上，更优选为90mm以上，进一步优选为150mm以上。更具体而言，距离d1优选为10mm左右，因此，在该情况下，宽度L优选为10mm以上，更优选为30mm以上，进一步优选为50mm以上。

另外，在将第一遮蔽构件51的与第一相向构件41相向的相向端部5a与作为成膜源的旋转阴极3A的最小距离设为d2时，优选满足下述式(4)。

L＞d2式(4)

该最小距离d2是从相向端部5a的第一成膜待命区域B1侧的边缘E到连结旋转阴极3A的截面中心的线与旋转阴极3A的圆形的靶35的表面交叉的点为止的距离。如果这样设定，则能够更有效地限制进入到间隙G内的溅射粒子向成膜区域A侧蔓延。

在本实施方式中，隔着阴极单元3在第一遮蔽构件51的相反侧设置有第二遮蔽构件52。该第一遮蔽构件51和第二遮蔽构件52由固定于移动台230的底板部53连结。第二遮蔽构件52在阴极单元3在第二成膜待命区域B2待命的情况下，如图1(C)所示，位于成膜区域A侧，在与配置于第二成膜待命区域B2的第二相向构件42之间，成为与第一遮蔽构件51和第一相向构件的关系相同的关系。即，第二遮蔽构件52具有相向端部5a，该相向端部5a在阴极单元3在第二成膜待命区域B2待命的位置时，以接近的状态与第二相向构件42相向，在相向端部5a与第二相向构件42之间形成有间隙G。利用该间隙G，限制在第二成膜待命区域B2内的预溅射时产生的溅射粒子(成形材料)向成膜区域A侧的飞翔，限制蔓延。为了有效地限制蔓延，形成间隙G的相向端部5a的移动方向F的宽度L设定为比相向端部5a与第二相向构件42间的最短距离d1大。在该情况下，也与第一遮蔽构件51相同，优选设定为(L≥3d1)，更优选设定为(L≥5d1)。

第一相向构件41以及第二相向构件42均具有以与旋转阴极单元3相向的方式水平(XY平面)延伸的水平板部4a、以及从水平板部4a的成膜区域相反侧的端部以覆盖旋转阴极单元3的成膜区域相反侧的方式垂直(YZ平面)延伸的垂直板部4b。上述第一遮蔽构件51的相向端部5a相向的是水平板部4a。水平板部4a的与移动方向FL、FR平行的方向的长度比包括第一遮蔽构件51以及第二遮蔽构件52在内的旋转阴极单元3的长度长。另一方面，第一遮蔽构件51是在与旋转阴极单元3的移动方向(FL)交叉的方向、在该例子中为正交方向上延伸的板状构件，与第一相向构件41的水平板部4a相向的相向端部5a是与水平板部4a平行的平坦面，成为与第一遮蔽构件51的基端部5b移动方向的厚度相比宽度宽地延伸的延伸部。

在该实施方式中，第一遮蔽构件51的面向成膜区域A的一侧的第一侧面5c成为从固定于底板部53的基端部5b朝向上方(相向构件侧)而逐渐向成膜区域A侧倾斜的倾斜面。另一方面，第一遮蔽构件51的旋转阴极单元3侧的第二侧面5d以相对于旋转阴极3A迂回的方式弯曲成“く”字形状，具备从基端部5b朝向第一相向构件41的水平板部4a侧而逐渐向成膜区域A侧倾斜的基端侧倾斜面5d1、和从基端侧倾斜面5d1的端部朝向第一相向构件41而逐渐向旋转阴极3A侧倾斜的相向端部侧倾斜面5d2。通过具有该相向端部侧倾斜面5d2，成膜源位于成膜待命区域B时成膜材料(溅射粒子)难以进入间隙G，由此，能够进一步抑制向成膜区域A的蔓延。第二遮蔽构件52相对于通过第一旋转阴极3A和第二旋转阴极3B的中间的YZ面，与第一遮蔽构件51为对称形状，对相同的构成部分标注相同的附图标记，并省略说明。

接着，对利用成膜装置1的成膜方法进行说明。以下的说明对阴极单元3在第一成膜待命区域B1待命并通过成膜区域A向第二成膜待命区域B2移动的情况进行说明。

首先，阴极单元3在第一成膜待命区域B1待命(图1(A)中，右侧)。在该第一成膜待命区域B1中，在成膜工序(主溅射构成)之前，驱动阴极单元3，对第一旋转阴极3A及第二旋转阴极3B赋予偏压电位。由此，进行使各靶35旋转而使溅射粒子放出的预溅射(准备工序)。预溅射优选进行至形成于各靶35的周围的等离子体的生成稳定为止。

在该预溅射工序中，从各靶35放出的溅射粒子中的、朝向腔室10的顶壁10d飞翔的溅射粒子大部分被第一相向构件51的水平板部51a遮蔽，另外，朝向成膜区域A在移动方向FL上飞翔的溅射粒子大部分被第一遮蔽构件51遮蔽，而且向成膜区域A的相反侧飞翔的溅射粒子被第二遮蔽构件52遮蔽。另一方面，进入第一遮蔽构件51的相向端部51a与第一相向构件41之间的间隙G的溅射粒子散射而向各种方向运动，因此，在通过间隙G的期间，附着于接近的第一相向构件41与第一遮蔽构件51的相向端部5a。由此，限制溅射粒子的飞翔，限制向成膜区域A蔓延的溅射粒子的量。

并且，在进行预溅射一定时间后，转移到主溅射工序。即，一边使阴极单元3的靶35旋转驱动而进行溅射，一边驱动直线驱动机构12使阴极单元3进入成膜区域A。然后，在成膜区域A内使阴极单元3相对于成膜对象物2以规定速度移动。在此期间，利用磁铁单元30，在面向成膜对象物2的靶35的表面附近集中生成等离子体，等离子体中的阳离子状态的气体离子对靶35进行溅射，飞散的溅射粒子堆积于成膜对象物2。随着阴极单元3的移动，溅射粒子从阴极单元3的移动方向上游侧朝向下游侧依次堆积而成膜。当通过成膜区域A时，阴极单元3进入第二成膜待命区域B2，停止直线驱动机构12，并且停止阴极单元3的驱动。而且，也可以根据需要使阴极单元3往复移动来执行成膜。

接着，对本发明的遮蔽构件的变形例进行说明。在以下的说明中，主要仅对与实施方式1的遮蔽构件的不同点进行说明，对相同的构成部分标注相同的附图标记并省略说明。

[变形例]

图3(A)表示遮蔽构件的变形例1。在该变形例1中，第一遮蔽构件151构成为具备笔直的垂直板部15b和从垂直板部15b的一端向成膜区域A侧水平伸出的伸出部15a，伸出部15a构成与第一相向构件41的水平板部4a相向的相向端部。在该情况下，也在伸出部15a与相向构件41的水平板部4a之间形成间隙G，利用该间隙G，限制在第一成膜待命区域B1内的预溅射时产生的溅射粒子(成形材料)向成膜区域A侧的蔓延。并且，伸出部15a的移动方向F的宽度L同伸出部15a与第一相向构件41的水平板部4a之间的最短距离d1的关系和上述实施方式1的第一遮蔽构件与第一相向构件的关系相同。

关于第二遮蔽构件152，与第一遮蔽构件151为对称形状，对相同的构成部分标注相同的附图标记并省略说明。这样，与实施方式1不同，能够通过板材的弯曲成形来成形第一遮蔽构件151以及第二遮蔽构件152，成形变得容易。

[变形例2]

图3(B)表示遮蔽构件的变形例2。该变形例2也与变形例1同样地，第一遮蔽构件251具有笔直的垂直板部25b和从垂直板部25b的一端向成膜区域A侧伸出的伸出部25a，但伸出部25a不是水平伸出，而是向随着朝向成膜区域A侧而逐渐与相向部件的水平板部接近的方向倾斜的倾斜结构。该伸出部25a构成与第一相向构件41的水平板部4a相向的相向端部。在该情况下，也在伸出部25a与相向构件41的水平板部4a之间形成间隙G，利用该间隙G，限制在第一成膜待命区域B1内的预溅射时产生的溅射粒子(成形材料)向成膜区域A侧的蔓延。并且，伸出部15a的移动方向F的宽度L同伸出部25a与第一相向构件41的水平板部4a之间的最短距离d1的关系和上述实施方式1的第一遮蔽构件和第一相向构件的关系相同。其中，伸出部25a与第一相向构件41的水平板部4a之间的最短距离d1是伸出部25a的成膜区域A侧的伸出端。

第二遮蔽构件252也是与第一遮蔽构件251对称的形状，对相同的构成部分标注相同的附图标记并省略说明。在该情况下，也能够通过板材的弯曲成形来成形第一遮蔽构件251以及第二遮蔽构件252，成形变得容易。另外，该伸出部25a的倾斜结构既可以是相对于第一相向构件41的水平板部4a以朝向成膜区域A侧间隙张开的方式倾斜的结构，也可以是间隙阶段性地变小那样的台阶形状，能够进行各种变形。

[变形例3]

图4表示遮蔽构件的变形例3。该变形例3也与变形例1同样地，第一遮蔽构件351由笔直的板材构成，但在一端没有伸出部，笔直的第一遮蔽构件351的相向端部35a接近第一相向构件41的水平板部4a。在该情况下，也在相向端部35a与相向构件41的水平板部4a之间形成间隙G，利用该间隙G，限制在第一成膜待命区域B1内的预溅射时产生的溅射粒子(成形材料)向成膜区域A侧的蔓延。为了有效地限制蔓延，形成间隙G的相向端部35a的移动方向F的宽度L设定为比相向端部35a与第一相向构件41之间的最短距离d1大。第二遮蔽构件352也与第一遮蔽构件351呈对称形状，对相同的构成部分标注相同的附图标记并省略说明。

[其他的实施方式]

此外，在上述实施方式中，阴极单元3将两个旋转阴极3A、3B设为2连配置，但也可以是3个以上，还可以是1个。另外，阴极单元3也可以不是具有能够旋转的靶35的旋转阴极，而是具有平板状的靶的平面阴极。而且，本发明并不限定于溅射成膜装置，也能够应用于不使用溅射的蒸镀方式的成膜源。

Claims (17)

1.一种成膜装置，具有腔室和移动部件，在该腔室中配置有成膜对象物、和使成膜材料朝向该成膜对象物飞翔而成膜于所述成膜对象物的成膜源，该移动部件使所述成膜源在规定的成膜待命区域与成膜区域之间相对于所述成膜对象物相对移动，其特征在于，

该成膜装置具有：

相向构件，与位于所述成膜待命区域的所述成膜源相向地配置；以及

遮蔽构件，配置在位于所述成膜待命区域的所述成膜源的所述成膜区域的一侧，与所述成膜源一起相对于所述成膜对象物相对移动，

所述遮蔽构件具有在所述成膜源位于所述成膜待命区域时以接近的状态与所述相向构件相向的相向端部，

该相向端部的所述相对移动方向的宽度比所述成膜源位于所述成膜待命区域时的所述相向端部与所述相向构件之间的最短距离大。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述遮蔽构件具有在与所述成膜源的相对移动方向交叉的方向上延伸的壁部，在该壁部的一端设置有所述相向端部，该相向端部成为宽度比所述壁部的所述相对移动方向的厚度宽的延伸部。

3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述移动部件使所述成膜源和所述遮蔽构件沿着所述成膜对象物的成膜面移动。

4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述成膜源是溅射阴极。

5.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述成膜源具有磁场产生部件，该磁场产生部件配置在隔着配置在所述腔室内的靶与所述成膜对象物相向的位置。

6.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述成膜源具有磁场产生部件，该磁场产生部件配置在配置于所述腔室内的圆筒状的靶的内部。

7.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，

该成膜装置还具备旋转驱动部，该旋转驱动部驱动所述圆筒状的靶旋转。

8.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，

在对所述成膜对象物进行成膜前，在所述成膜待命区域中，使所述成膜源的周围生成等离子体。

9.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

该成膜装置具有配置在基于所述移动部件的所述成膜源的相对移动方向的上游侧的第一成膜待命区域、和配置在基于所述移动部件的所述成膜源的相对移动方向的下游侧的第二成膜待命区域，

该成膜装置具有在所述第一成膜待命区域中与所述成膜源相向的第一相向构件、和在所述第二成膜待命区域中与所述成膜源相向的第二相向构件。

10.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

该成膜装置具有配置在基于所述移动构件的所述成膜源的相对移动方向的上游侧的第一遮蔽构件、和配置在基于所述移动构件的所述成膜源的相对移动方向的下游侧的所述第二遮蔽构件。

11.根据权利要求10所述的成膜装置，其特征在于，

所述第一遮蔽构件所具有的与所述相向构件相向的相向端部从所述成膜源的一侧朝向基于所述移动构件的所述成膜源的相对移动方向的上游侧延伸，

所述第二遮蔽构件所具有的与所述相向构件相向的相向端部从所述成膜源的一侧朝向基于所述移动构件的所述成膜源的相对移动方向的下游侧延伸。

12.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

在将所述相向端部的所述相对移动方向的宽度设为L，将所述相向端部与所述相向构件之间的最短距离设为d1时，满足下述式(1)：

L≥3d1式(1)。

13.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

在将所述相向端部的所述相对移动方向的宽度设为L，将所述相向端部与所述相向构件之间的最短距离设为d1时，满足下述式(2)：

L≥5d1式(2)。

14.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

在将所述遮蔽构件的与所述相向构件相向的相向端部同所述成膜源之间的最小距离设为d2时，进一步满足下述式(3)：

L＞d2式(3)。

15.一种成膜装置，具有腔室和移动部件，在该腔室中配置有成膜对象物、和使成膜材料朝向该成膜对象物飞翔而成膜于所述成膜对象物的成膜源，该移动部件使所述成膜源在规定的成膜待命区域与成膜区域之间相对于所述成膜对象物相对移动，其特征在于，

该成膜装置具有：

相向构件，与位于所述成膜待命区域的所述成膜源相向地配置；以及

遮蔽构件，配置在位于所述成膜待命区域的所述成膜源的所述成膜区域的一侧，与所述成膜源一起相对于所述成膜对象物相对移动，

所述遮蔽构件具有在所述成膜源位于所述成膜待命区域时以接近的状态与所述相向构件相向的相向端部，

在所述成膜源位于所述成膜待命区域时，在所述相向构件与所述相向端部之间形成有限制来自所述成膜待命区域内的成膜材料向所述成膜区域的一侧飞翔的间隙。

16.一种成膜方法，具有如下工序：

准备工序，使成膜源在腔室内的成膜待命区域待命，成为成膜材料从所述成膜源飞翔的状态；以及

成膜工序，使在所述准备工序中成为了所述成膜材料飞翔的状态的所述成膜源从所述成膜待命区域向所述腔室内的成膜区域相对于所述成膜对象物相对移动，并使从所述成膜源飞翔的成膜材料堆积在所述成膜对象物上而进行成膜，

其特征在于，

在所述成膜待命区域设置与位于该成膜待命区域的所述成膜源相向的相向构件，并且在所述成膜源的所述成膜区域的一侧设置与所述成膜源一起相对于所述成膜对象物进行相对移动的遮蔽构件，

在所述准备工序中，使所述成膜源在所述成膜待命区域待命，并且在使所述遮蔽构件的相向端部与所述相向构件接近的状态下，开始从所述成膜源放出所述成膜材料，使通过所述遮蔽构件的相向端部与所述相向构件之间的间隙而向所述成膜区域的一侧移动的成形材料附着于接近的所述相向构件和所述遮蔽构件的相向端部。

17.一种电子器件的制造方法，其具有如下工序：

准备工序，使成膜源在腔室内的成膜待命区域待命，成为成膜材料从所述成膜源飞翔的状态；以及

成膜工序，使在所述准备工序中成为了所述成膜材料飞翔的状态的所述成膜源从所述成膜待命区域向所述腔室内的成膜区域相对于所述成膜对象物相对移动，并使从所述成膜源飞翔的成膜材料堆积在所述成膜对象物上而进行成膜，

其特征在于，

在所述成膜待命区域设置与位于该成膜待命区域的所述成膜源相向的相向构件，并且在所述成膜源的所述成膜区域的一侧设置与所述成膜源一起相对于所述成膜对象物进行相对移动的遮蔽构件，

在所述准备工序中，使所述成膜源在所述成膜待命区域待命，并且在使所述遮蔽构件的相向端部与所述相向构件接近的状态下，开始从所述成膜源放出所述成膜材料，使通过所述遮蔽构件的相向端部与所述相向构件之间的间隙而向所述成膜区域的一侧移动的成形材料附着于接近的所述相向构件和所述遮蔽构件的相向端部。

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