JP2020105567A - 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ッタリング領域の近傍の圧力に応じて、前記ターゲットに供給する電力を変化させることを特徴とする。
図面を参照して、実施形態1の成膜装置1の基本的な構成について説明する。成膜装置1は、半導体デバイス、磁気デバイス、電子部品などの各種電子デバイスや、光学部品などの製造において基板(基板上に積層体が形成されているものも含む)上に薄膜を堆積形成するために用いられる。より具体的には、成膜装置1は、発光素子や光電変換素子、タッチパネルなどの電子デバイスの製造において好ましく用いられる。中でも、本実施形態に係る成膜装置1は、有機EL(ErectroLuminescence)素子などの有機発光素子や、有機薄膜太陽電池などの有機光電変換素子の製造において特に好ましく用いられる。本発明における電子デバイスは、発光素子を備えた表示装置(例えば有機EL表示装置)や照明装置(例えば有機EL照明装置)、光電変換素子を備えたセンサ(例えば有機CMOSイメージセンサ)も含むものである。
図7は、有機EL素子の一般的な層構成を模式的に示している。図7に示す一般的な有機EL素子は、基板(成膜対象物6)に陽極601、正孔注入層602、正孔輸送層603、有機発光層604、電子輸送層605、電子注入層606、陰極607がこの順番に成膜された構成である。本実施形態に係る成膜装置1は、有機膜上に、スパッタリングによって、電子注入層や電極(陰極)に用いられる金属や金属酸化物等の積層被膜を成膜する際に好適に用いられる。また、有機膜上への成膜に限定されず、金属材料や酸化物材料等のスパッタで成膜可能な材料の組み合わせであれば、多様な面に積層成膜が可能である。さらに、本発明は金属材料や酸化物材料による成膜に限定されず、有機材料による成膜にも適用可能である。成膜の際に所望のマスクパターンを有するマスクを用いることにより、成膜される各層を任意に構成できる。
図1(a)は、本実施形態の成膜装置1の構成を示す模式図である。成膜装置1は、基板である成膜対象物6を内部に収容可能である。成膜装置1は、ターゲット2が内部に配置されるチャンバ10と、チャンバ10内の、ターゲット2を介して成膜対象物6と対向する位置に配置される磁石ユニット3と、を有している。この実施形態では、ターゲット2は円筒形状であり、内部に配置される磁石ユニット3と共に、成膜源として機能する回転カソードユニット8(以下、単に「カソードユニット8」と称することがある)を構成している。なお、ここで言う「円筒形」とは、数学的に厳密な円筒形のみを意味するのではなく、母線が直線ではなく曲線であるものや、中心軸に垂直な断面が数学的に厳密な「
円」ではないものも含む。すなわち、本発明におけるターゲット2は、中心軸を軸に回転可能な略円筒形状であればよい。
ニット8がチャンバ10内で移動し、これに伴ってスパッタリング領域A1がチャンバ10内で移動する。したがって、本実施形態における移動台駆動装置12は、スパッタリング領域A1をチャンバ10内で移動させる移動手段であり、移動台230の移動速度はカソードユニット8の移動速度となる。また、磁石ユニットがカソードユニット8に対して固定されているときには、移動台230の移動速度はスパッタリング領域A1の移動速度となる。移動台駆動装置12については、回転モータの回転運動を駆動力に変換するボールねじ等を用いたねじ送り機構、リニアモータ等、公知の種々の運動機構を用いることができる。図示例の移動台駆動装置12は、ターゲットの長手方向(Y軸方向)と交差する方向(X軸方向)にターゲットを移動させる。前記スパッタリング領域を移動させる移動台230のターゲット移動方向の前後に防着板261,262を設けてもよい。なお、案内レール250や移動台230、制御部14を移動手段に含めて考えてもよい。
手段16および排気手段15は圧力調整手段として機能し、制御部14の制御を受けてスパッタガスの導入や排気を行うことで、チャンバ内部の圧力を調整したり、チャンバ内部を所定の圧力に維持したりする。スパッタガスは、例えば、アルゴン等の不活性ガスや酸素や窒素等の反応性ガスである。本実施形態のガス導入手段16は、チャンバ10の両側部に設けられた導入口41,42を通じてスパッタガスを導入する。また、真空ポンプ等の排気手段15は、排気口5を通じてチャンバ10の内部から外部へ気体を排出して排気を行う。
次に、成膜装置1を用いた成膜方法について説明する。本実施形態に係る成膜方法は、成膜工程(スパッタ工程)を含む。成膜工程では、制御部14にて、ターゲット駆動装置11を駆動させてターゲット2を回転させ、電源13からターゲット2にバイアス電圧を印加してターゲット2に電力を供給する。ターゲット2を回転させながらターゲット2にバイアス電圧を印加するとともに、移動台駆動装置12を駆動し、移動領域の始端から終端に向かってカソードユニット8を移動させる。ターゲット2にバイアス電圧が印加され
て電力が供給されると、成膜対象物6に対向するターゲット2の表面近傍にプラズマが集中して生成され、プラズマ中の陽イオン状態のガスイオンがターゲット2をスパッタし、飛散したスパッタ粒子が成膜対象物6に堆積する。カソードユニット8の移動に伴って、カソードユニット8の移動方向上流側から下流側に向けて順次、スパッタ粒子は堆積される。これにより成膜対象物上に成膜がなされる。本実施形態では、成膜工程においてスパッタリング領域A1を移動させつつ、スパッタリング領域A1の近傍の圧力に応じてターゲット2に供給する電力を制御する。
次に、本実施形態に係る成膜装置1による成膜工程中の供給電力制御について図面を参照して説明する。図3は、供給電力変更の流れを示すフローチャートである。
カソードユニット8の移動経路の始端側x1および終端側x3で大きく、中央部x2で小さくなるように変化させる。すなわち、スパッタリング領域A1の近傍の圧力が第1の圧力P(x2)であるときにターゲット2に第1の電力Pw(x2)を供給する。そして、スパッタリング領域A1の近傍の圧力が第1の圧力P(x2)よりも高い第2の圧力P(x3)であるときには第1の電力Pw(x2)よりも大きい第2の電力Pw(x3)を供給する。
次に、本発明の実施形態2について説明する。以下、実施形態1との相違点を中心として説明を行い、同一の構成要素については同一の符号を付して説明を簡略化する。
れることで、スパッタリング領域A1からスパッタ粒子が放出される。プレーナカソードユニット308は、移動台230の上面に設置されている。
次に、本発明の実施形態3について説明する。以下、上記各実施形態との相違点を中心として説明を行い、同一の構成要素については同一の符号を付して説明を簡略化する。
れる。磁石ユニット移動装置430は、磁石ユニット3をX軸方向に直線案内する装置であり、特に図示しないが、磁石ユニット3を支持する移動台と移動台を案内するレール等のガイド等によって構成される。この磁石ユニット3の移動によって、スパッタリング領域A1がX軸方向に移動していく。圧力センサ7は、チャンバ10内に配置したセンサ移動装置450に支持され、ターゲット402に沿って、X軸方向に移動可能となっている。センサ移動装置450についても、磁石ユニット移動装置430と同様に、圧力センサ7を支持する移動台と移動台を案内するレール等のガイド等によって構成される。磁石ユニット3および圧力センサ7は制御部14によって制御されて移動し、制御部14は、圧力センサ7が測定した圧力値を随時取得する。
上記各実施形態では、カソードユニット8や、プレーナカソードユニット308が1つの場合を示したが、これらのユニットがチャンバ内部に複数配置されていてもよい。あるいは、これらのユニットが1つであっても、ユニット内に複数のターゲットが配置されていてもよい。また、上述の各実施形態では、成膜工程においてターゲット2に供給する電力を調整する場合を示したが、これに加えて、スパッタリング領域A1のチャンバ10内における位置または近傍の圧力に応じて、チャンバ10内の圧力、スパッタリング領域A1の移動速度、および、ターゲット2と成膜対象物6との間の距離(T−S距離)の少なくとも一つを調整してもよい。また、上記各実施形態で示した各構成要素は、上記各実施形態の例に限定されず、矛盾を生じない限りにおいて互いに任意に組み合わせて構わない。
2 ターゲット
6 成膜対象物
10 チャンバ
12 移動台駆動装置(移動手段)
13 電源
14 制御部
A1 スパッタリング領域
Claims (21)
- 成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバと、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、
前記ターゲットに電力を供給する電力供給手段と、
を有し、
前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記電力供給手段は、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて、前記ターゲットに供給する電力を変化させる
ことを特徴とする成膜装置。 - 前記スパッタリング領域の近傍の圧力を取得する圧力取得手段をさらに有する
ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 - 前記移動手段は、前記スパッタリング領域の近傍の圧力が高いほど、前記ターゲットに供給する電力を大きくする
ことを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。 - 前記移動手段は、
前記スパッタリング領域の近傍の圧力が第1の圧力であるときに、前記ターゲットに第1の電力を供給し、
前記スパッタリング領域の近傍の圧力が前記第1の圧力よりも高い第2の圧力であるときに、前記ターゲットに前記第1の電力よりも大きい第2の電力を供給する
ことを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。 - 前記圧力取得手段は、圧力センサである
ことを特徴とする請求項2から4のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記圧力取得手段は、予め取得された前記チャンバ内の圧力分布に基づいて前記スパッタリング領域の近傍の圧力を取得する
ことを特徴とする請求項2から4のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記移動手段は、前記ターゲットを前記チャンバ内で移動させることにより、前記スパッタリング領域を移動させる
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記移動手段は、前記ターゲットの長手方向と交差する方向に前記ターゲットを移動させることにより、前記スパッタリング領域を移動させる
ことを特徴とする請求項7に記載の成膜装置。 - 前記移動手段は、前記ターゲットを介して前記成膜対象物と対向するように配置された磁場発生手段を移動させることにより、前記スパッタリング領域を移動させる
ことを特徴とする請求項7または8に記載の成膜装置。 - 前記ターゲットは、前記成膜対象物と対向するように前記チャンバに固定されており、
前記移動手段は、前記ターゲットを介して前記成膜対象物と対向するように配置された磁場発生手段を移動させることにより、前記スパッタリング領域を移動させる
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記ターゲットは円筒形状であり、
前記ターゲットを回転させる回転手段をさらに有する
ことを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記ターゲットは平板形状である
ことを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバと、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、
前記ターゲットに電力を供給する電力供給手段と、
を有し、
前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記電力供給手段は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて、前記ターゲットに供給する電力を変化させる
ことを特徴とする成膜装置。 - 前記チャンバは、気体を前記チャンバから排出する排気口をさらに備え、
前記電力供給手段は、前記スパッタリング領域と前記排気口の位置関係に応じて、前記ターゲットに供給する電力を変化させる
ことを特徴とする請求項1から13のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記移動手段は、前記スパッタリング領域と前記排気口が近いほど、前記ターゲットに供給する電力を小さくする
ことを特徴とする請求項14に記載の成膜装置。 - 前記チャンバは、前記気体を前記チャンバ内に導入する導入口をさらに備え、
前記移動手段は、前記スパッタリング領域と前記導入口の位置関係に応じて、前記ターゲットに供給する電力を変化させる
ことを特徴とする請求項14または15に記載の成膜装置。 - 前記移動手段は、前記スパッタリング領域と前記導入口が近いほど、前記ターゲットに供給する電力を大きくする
ことを特徴とする請求項16に記載の成膜装置。 - 成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバを用いた成膜方法であって、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて、前記ターゲットに供給する電力を変化させる
ことを特徴とする成膜方法。 - 成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバを用いた成膜方法であって、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて、
前記ターゲットに供給する電力を変化させる
ことを特徴とする成膜方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するようにチャンバ内に配置する工程と、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて、前記ターゲットに供給する電力を変化させる
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するようにチャンバ内に配置する工程と、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて、前記ターゲットに供給する電力を変化させる
ことを特徴とする成膜方法。
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