KR920007084A - 마이크로파 플라즈마 처리방법 및 장치 - Google Patents

마이크로파 플라즈마 처리방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

마이크로파 플라즈마 처리방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예의 마이크로파 플라즈마 애칭장치의 요부 단변도,
제15도, 제16도는 방전블럭의 정상면과 도파관의 정상벽면과의 간격을 조절하는 장치구성의 구체예를 각각 나타내는 마이크로파 플라즈마 애칭 장치의 요부 단면도.

Claims (18)

  1. 마이크로파를 발진하는 스텝과, 그 마이크로파 전파용의 도파관과는 격리되고 내부에 플라즈마 생성영역을 가지는 방전수단의 내부에 상기 마이크로파를 그 진행방향에 대응해서만 도입하는 스탭과, 상기 방전수단의 내부에 처리가스를 적어도 상기 마이크로파의 전계의 작용에 의하여 플라즈마화하는 스텝과, 그 플라즈마에 의하여 시료의 피처리면을 처리하는 스텝을 가지는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 방전수단의 내부에 에칭가스를 도입하고, 적어도 상기 마이크로파의 작용에 의하여 상기 에칭 가스를 플라즈마화하고, 그 플라즈마에 의하여 상기 시료의 피처리면을 에칭처리하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 에칭가스로서, CxF r와 CH3F 와 SF6와의 혼합가스를 사용하고, 그 혼합가스의 플라즈마에 의하여 상기 시료의 실리콘 산화막을 에칭처리하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 에칭가스로서, CxF r와 CH4와 SF6와의 혼합가스를 사용하고, 그 혼합가스의 플라즈마에 의하여 상기 시료의 실리콘 산화막을 에칭처리하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  5. 제3,4항에 있어서, 상기 시료가 설치되는 시료대의 온도를 0℃로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 에칭가스로서 불화탄소 가스를 사용하고, 그 불화탄소가스의 플라즈마에 의하여 상기 시료의 실리콘 산화막을 에칭 처리하고, 상기 불화탄소가스의 플라즈마 중의 탄소분자, 산소원자 또는 불소원자의 발광을 선택하고 그 선택된 발광의 발광강도의 경시변화를 모니터하여 상기 실리콘 산화막의 에칭종점을 검출하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  7. 제2항에 있어서, 상기 에칭가스로서 불화탄소 가스를 사용하고, 실리콘 막상에 실리콘 산화막이 적충된 상기 시료의 상기 실리콘 산화막을 상기 불화탄소가스의 플라즈마에 의하여 에칭처리하고, 그 에칭처리시에 상기 방전수단을 가온하는 마이크로파 J것을 플라즈마 처리방법.
  8. 제2항에 있어서, 상기 에칭가스로서 불화탄소 가스를 사용하고, 실리콘 막상에 산화막이 적충된 상기 시료의 상기 실리콘 산화막을 상기 불화탄소가스의 플라즈마에 의하여 에칭처리하고, 그 에칭처리시에 상기 방전수의 온도를 일정온도로 조절하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  9. 마이크로파 발진수단으로부터 발진된 마이크로파 전파용의 도파관과는 격리된 내부에 플라즈마 생성영역을 가지는 방전수단을 상기 도파관부에 가지고, 상기 플라즈마에 의하여 시료의 피처리면을 처리하는 장치에 있어서, 상기 방전수단의 상기 마이크로파의 진행방향과 대응하는 부분을 마이크로파 투과제로 형성하고, 기타의 부분을 마이크로파 불투과재로 형성한 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 마이크로파 불투과재로서, 도전재료 또는 비자성 도전재료를 사용한 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 시료가 설치되는 시료대에 바이어스용 전원을 접속한 마이크로파 플라지마 처리장치.
  12. 제9항에 있어서, 상기 도파관의 내부공간을 상기 마이크로파의 임피던스 매칭이 가능한 공간으로 한 마이크로파 플라지마 처리장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 도파관의 내부공간의 형상율, 상기 마이크로파의 전파도입부로부터 확대하고, 그후 상기 방전수단의 상기 마이크로파의 진행방향과 대응하는 부분에서 축소하는 형상으로 한 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  14. 제9항에 있어서, 상기 방전수단의 플라즈마 생성영역에 인가되는 자계를 발생하는 수단을 설치하고, 상기 시료의 피처리된 근방의 자계를 보정하는 수단을 설치한 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  15. 마이크로파를 발진하는 수단과, 그 마이크로파를 전파하는 수단과, 그 마이크로파 전파수단이 연결되는 폐지단벽을 가지는 대략 원통형의 도파관과, 마이크로파 불투과재제의 중공원통형이고, 그 중공부에 마이크로파 투과창이 설치됨 면과 상기 폐지 단벽과의 사이에서 공간을 형성하여 상기 도파관내에 설치된 방전수단과, 시료 설치면을 상기 중공부에 대응하여 가지는 시료대와, 상기 중공부에 연통하여 상기 시료대가 설치되는 공간을 감압 배기하는 수단과, 그 감압 공간에 처리가스를 도입하는 수단을 구비한 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 방전수단으로서 도전재료로 중공원통형으로 형성한 방전블럭을 상용한 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  17. 제15항에 있어서, 상기 중공부에 인가되는 자계를 발생하는 수단을 가지고, 상기 방전수단으로서, 비자성 도전재료로 중공원통형으로 형성한 방전블럭을 사용한 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  18. 제16,17항에 있어서, 상기 방전 블럭의 마이크로파 투과창이 설치된 면과 상기 도파관의 폐지단 백과의 사이를 임피던스 매칭이 가능한 공간으로 한 마이크로파 플라즈마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4217900A1 (de) * 1992-05-29 1993-12-02 Leybold Ag Anordnung einer mikrowellendurchlässigen Scheibe in einem Hohlleiter und Verfahren zur Einbringung dieser Scheibe
GB9311186D0 (en) * 1993-05-29 1993-07-14 Tbs Eng Ltd Loading apparatus and methods
JPH07142444A (ja) * 1993-11-12 1995-06-02 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ処理装置および処理方法
JP3768575B2 (ja) * 1995-11-28 2006-04-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Ｃｖｄ装置及びチャンバ内のクリーニングの方法
KR100293034B1 (ko) * 1996-03-28 2001-06-15 고지마 마타오 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
US6039834A (en) 1997-03-05 2000-03-21 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for upgraded substrate processing system with microwave plasma source
US6029602A (en) * 1997-04-22 2000-02-29 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for efficient and compact remote microwave plasma generation
US6026762A (en) * 1997-04-23 2000-02-22 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved remote microwave plasma source for use with substrate processing systems
EP1189493A3 (en) * 1997-05-22 2004-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus provided with microwave applicator having annular waveguide and processing method
JPH10335314A (ja) * 1997-06-05 1998-12-18 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置及び基板処理方法
US6274058B1 (en) 1997-07-11 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Remote plasma cleaning method for processing chambers
JPH1180975A (ja) 1997-09-04 1999-03-26 Speedfam Co Ltd プラズマエッチング装置の耐食システム及びその方法
US6183655B1 (en) * 1997-09-19 2001-02-06 Applied Materials, Inc. Tunable process for selectively etching oxide using fluoropropylene and a hydrofluorocarbon
KR100311487B1 (ko) * 1997-12-16 2001-11-15 김영환 산화막식각방법
US6133153A (en) * 1998-03-30 2000-10-17 Lam Research Corporation Self-aligned contacts for semiconductor device
JP3501715B2 (ja) * 2000-03-21 2004-03-02 シャープ株式会社 プラズマプロセス装置
JP2002134417A (ja) * 2000-10-23 2002-05-10 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US20040221800A1 (en) * 2001-02-27 2004-11-11 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for plasma processing
JP3893888B2 (ja) * 2001-03-19 2007-03-14 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
JP5138131B2 (ja) * 2001-03-28 2013-02-06 忠弘 大見 マイクロ波プラズマプロセス装置及びプラズマプロセス制御方法
US20030066486A1 (en) * 2001-08-30 2003-04-10 Applied Materials, Inc. Microwave heat shield for plasma chamber
JP3969081B2 (ja) * 2001-12-14 2007-08-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2003323997A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Lam Research Kk プラズマ安定化方法およびプラズマ装置
US7038389B2 (en) * 2003-05-02 2006-05-02 Applied Process Technologies, Inc. Magnetron plasma source
KR100520635B1 (ko) * 2003-12-10 2005-10-13 삼성전자주식회사 플레어 각이 변화하는 혼 안테나를 구비하는 전자사이클로트론 공명 장비
KR20050079860A (ko) * 2004-02-07 2005-08-11 삼성전자주식회사 마이크로 웨이브 공급장치, 이를 이용한 플라즈마공정장치 및 플라즈마 공정방법
JP4576291B2 (ja) * 2005-06-06 2010-11-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP5213150B2 (ja) * 2005-08-12 2013-06-19 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた製品の製造方法
US20100059508A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Atmel Corporation Semiconductor processing
JP5107842B2 (ja) * 2008-09-12 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
GB201021865D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
GB201021853D0 (en) * 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
US8653911B2 (en) * 2011-07-22 2014-02-18 Triple Cores Korea Atmospheric plasma equipment and waveguide for the same
US9269544B2 (en) 2013-02-11 2016-02-23 Colorado State University Research Foundation System and method for treatment of biofilms
JP2014154421A (ja) * 2013-02-12 2014-08-25 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および高周波発生器
US20140262040A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Tokyo Electron Limited Method and system using plasma tuning rods for plasma processing
DE102018113443A1 (de) * 2018-06-06 2019-12-12 Meyer Burger (Germany) Gmbh Plasmabehandlungsvorrichtung mit einer linearen Mikrowellen-Plasmaquelle und einer Gasleitvorrichtung

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0612767B2 (ja) * 1984-01-25 1994-02-16 株式会社日立製作所 溝およびそのエッチング方法
US4493745A (en) * 1984-01-31 1985-01-15 International Business Machines Corporation Optical emission spectroscopy end point detection in plasma etching
JPS6127634A (ja) * 1984-07-18 1986-02-07 Hitachi Ltd ドライエツチング方法
US5364519A (en) * 1984-11-30 1994-11-15 Fujitsu Limited Microwave plasma processing process and apparatus
JPS62208635A (ja) * 1986-03-07 1987-09-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエツチング終点検出方法
JPS6381929A (ja) * 1986-09-26 1988-04-12 Anelva Corp ドライエッチング終点検出方法
US4842683A (en) * 1986-12-19 1989-06-27 Applied Materials, Inc. Magnetic field-enhanced plasma etch reactor
JPS63175426A (ja) * 1987-01-14 1988-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエツチング装置
JPS63211628A (ja) * 1987-02-26 1988-09-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
JPS63299343A (ja) * 1987-05-29 1988-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd エッチング方法
JPS63318127A (ja) * 1987-06-19 1988-12-27 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマプロセス装置
US4866346A (en) * 1987-06-22 1989-09-12 Applied Science & Technology, Inc. Microwave plasma generator
JPS6417428A (en) * 1987-07-10 1989-01-20 Sumitomo Metal Ind Plasma device
US4923562A (en) * 1987-07-16 1990-05-08 Texas Instruments Incorporated Processing of etching refractory metals
KR920002864B1 (ko) * 1987-07-20 1992-04-06 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 플라즈마 처리방법 및 그 장치
JPH0644558B2 (ja) * 1987-11-04 1994-06-08 住友金属工業株式会社 マイクロ波プラズマ発生装置
US4970435A (en) * 1987-12-09 1990-11-13 Tel Sagami Limited Plasma processing apparatus
JPH01184828A (ja) * 1988-01-12 1989-07-24 Sharp Corp ドライエッチング装置
US5024716A (en) * 1988-01-20 1991-06-18 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus for etching, ashing and film-formation
US5146138A (en) * 1988-04-05 1992-09-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Plasma processor
US5115167A (en) * 1988-04-05 1992-05-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Plasma processor
JPH0216732A (ja) * 1988-07-05 1990-01-19 Mitsubishi Electric Corp プラズマ反応装置
JPH0217636A (ja) * 1988-07-06 1990-01-22 Hitachi Ltd ドライエッチング装置
JPH0265129A (ja) * 1988-08-31 1990-03-05 Hitachi Ltd フイクロ波プラズマ処理装置
JP2670623B2 (ja) * 1988-09-19 1997-10-29 アネルバ株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
JPH0281434A (ja) * 1988-09-19 1990-03-22 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP2993675B2 (ja) * 1989-02-08 1999-12-20 株式会社日立製作所 プラズマ処理方法及びその装置
KR900013579A (ko) * 1989-02-15 1990-09-06 미다 가쓰시게 마이크로파 플라즈마 처리방법 및 장치
US4943345A (en) * 1989-03-23 1990-07-24 Board Of Trustees Operating Michigan State University Plasma reactor apparatus and method for treating a substrate
JP2581255B2 (ja) * 1990-04-02 1997-02-12 富士電機株式会社 プラズマ処理方法
JP3039973B2 (ja) * 1990-09-19 2000-05-08 株式会社日立製作所 プラズマエッチング装置
JP2595128B2 (ja) * 1990-10-31 1997-03-26 株式会社日立製作所 マイクロ波プラズマ処理装置
JPH04209528A (ja) * 1990-12-06 1992-07-30 Sony Corp プラズマ処理装置
EP0502269A1 (en) * 1991-03-06 1992-09-09 Hitachi, Ltd. Method of and system for microwave plasma treatments

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