KR950034579A - 플라즈마 처리방법 및 장치 - Google Patents

플라즈마 처리방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR950034579A
KR950034579A KR1019950005081A KR19950005081A KR950034579A KR 950034579 A KR950034579 A KR 950034579A KR 1019950005081 A KR1019950005081 A KR 1019950005081A KR 19950005081 A KR19950005081 A KR 19950005081A KR 950034579 A KR950034579 A KR 950034579A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
microwave
plasma processing
microwaves
processing apparatus
plasma
Prior art date
Application number
KR1019950005081A
Other languages
English (en)
Inventor
세이이찌 와따나베
무네오 후루세
시게루 시라요네
데쯔노리 가지
Original Assignee
가나이 쯔도무
가부시끼가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가나이 쯔도무, 가부시끼가이샤 히다찌 세이사꾸쇼 filed Critical 가나이 쯔도무
Publication of KR950034579A publication Critical patent/KR950034579A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/3222—Antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32293—Microwave generated discharge using particular waveforms, e.g. polarised waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means
    • H01J37/32678—Electron cyclotron resonance

Abstract

본 발명은 특히 반도체소자기판등의 시료를 마이크로파 플라즈마를 이용하여 에칭 및 성막등의 처리를 실시 하는데 적합한 플라즈마 처리방법 및 장치에 관한 것으로, 마이크로파를 이용한 플라즈마 장치에 있어서 마이크로파를 방사하는 평판안테나와 감압가능한 처리실(1)의 일부이고 마이크로파를 처리실(1)내에 도입하는 석영창(2)과의 사이에 공간을 설치하도록 구성하므로서, 평판안테나로부터 방사된 국부적으로 전계가 강한 마이크로파가, 공간을 전파하는 사이에 퍼져 소망의 모드로 형성되어, 특정모드의 마이크로파를 처리실(1)내에 도입할 수 있으므로, 더욱 균일한 플라즈마를 생성할 수가 있다는 것이다.

Description

플라즈마 처리방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1의 실시예인 유자장 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 나타낸 종단면도.

Claims (23)

  1. 평판안테나에 마이크로파를 전파시키는 공정과, 상기 평판안테나로부터 상기 플라즈마 방전실까지의 사이에 특정 모드의 마이크로파를 형성하는 공정과, 상기 플라즈마 방전실내에 마이크로파 투과창을 거쳐 상기 특정 모드의 마이크로파를 전파시키는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  2. 제1항에 있어서, 소정모드로 공진시킨 마이크로파를 상기 평판안테나로부터 방사시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 마이크로파가 전파되는 개구단면을 상기 마이크로파의 전파 방향에 대하여 서서히 축소시켜 특정모드의 마이크로파를 형성시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  4. 평판안테나로부터 방사되는 마이크로파를 플라즈마 영역으로 입사시키기 까지, 상기 평판안테나로부터 방사된 마이크로파가 특정의 마이크로파 모드가 되는데 필요한 거리를 전파시키고, 상기 특정의 마이크로파 모드가 된 마이크로파에 의하여 플라즈마를 발생시키고, 그 플라즈마에 의하여 시료를 처리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  5. 내부에 방전가스가 공급됨과 동시에 소정압력으로 감압배기되는 방전실과, 상기 방전실의 일부를 형성하고 마이크로파를 투과 가능한 마이크로파 투과창과, 마이크로파를 방사하는 평판안테나와, 상기 평판안테나와 상기 마이크로파 투과창과의 사이에 공간을 가지는 마이크로파 전파수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 평판안테나가 슬롯안테나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 슬롯안테나가 마이크로파 공동진공기를 형성하는 마이크로파의 반사단의 벽면에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 마이크로파 공동공진기가 원형 TE1모드의 공진기인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 슬롯안테나가 상기 마이크로파 공동공진기의 저면내에서, 축중심에 대하여 방사상으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 마이크로파 공동공진기의 축중심과 상기 마이크로파 전파수단인 원형도파관의 중심축을 동일하게 한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 원형도파관의 내경이 기본모드인 원형 TE11모드의 마이크로파만을 전파가능한 크기로 한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  12. 제7항에 있어서, 상기 마이크로파 공동공진기가 원형 TE11모드의 마이크로파를 도입하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  13. 제7항에 있어서, 상기 마이크로파 공동공진기의 원형파의 마이크로파를 도입하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  14. 제7항에 있어서, 상기 슬롯안테나가 상기 마이크로파 공동공진기의 저면내에서, 축중심에 대하여 방사상으로 배치되고, 또한 중심축을 가지는 원형도파관을 접속한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  15. 제7항에 있어서, 상기 마이크로파 공동공진기가 리에트렌트형 공진기인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  16. 제7항에 있어서, 상기 마이크로파 공동공진기 내부에 모드패스 필터를 설치한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  17. 제7항에 있어서, 상기 슬롯안테나와 상기 투과창과의 사이에 모드패스 필터를 설치한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  18. 제7항에 있어서, 상기 슬롯안테나와 상기 투과창과의 사이에 공간의일부에 유전체를 설치한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  19. 제7항에 있어서, 마이크로파 투과창이 유전체 재료로 이루어지고, 진공밀봉을 위한 O링용 홈을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  20. 내부에 방전가스가 공급됨과 동시에 소정압력으로 감압배기되는 방전실과, 상기 방전실의 일부를 형성하고 마이크로파를 투과 가능한 마이크로파 투과창과, 마이크로파를 방사하는 평판안테나를 구비하고, 상기 마이크로파 투과창을 상기 안테나로부터 거리를 두어 배치한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  21. 마이크로파 발생원과, 대략 동일 직경의 마이크로파 투과창을 가지는 방전실과, 상기 마이크로파 투과창을 거쳐 접속되어 상기 방전실의 내부직경과 대략 동일 직경의 내경을 가지는 확대도파관과, 상기 마이크로파 발생원과 발생원과 상기 확대도파관을 접속하는 도파관과, 상기 확대도파관 내부를 상기 마이크로파 발생원측의 공간과 상기 방전실측의 공간으로 간막이하는 슬롯안테나를 구비하고, 상기 슬롯안테나로 간막이된 상기 마이크로파 발생원측의 공간을 공진공간으로 하고, 상기 방전실측의 공간을 마이크로파의 전파공간으로 한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  22. 마이크로파 발생원과, 마이크로파 투과창을 가지는 처리실과, 상기 마이크로파 투과창을 거쳐 접속된 도파관과, 상기 도파관에 평판안테나를 거쳐 접속한 공진기와, 상기 공진기에 접속되는 마이크로파 발생수단과, 상기 처리실내에 전자사이크로톤 공명조건이 생기게 하는 자계를 발생시키는 자장발생수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  23. 마이크로파 발생원과, 마이크로파 투과창을 가지는 처리실과, 상기 마이크로파 투과창을 거쳐 접속된 도파관과, 상기 도파관에 평판안테나를 거쳐 접속한 공진기와, 상기 공진기에 접속되는 마이크로파 발생수단과, 상기 처리실내에 전자사이크로톤 공명조건이 생기게 하는 자계를 발생시키는 자장발생수단과, 상기 처리실내의 전자사이크로톤 공명을 발생시키는 면과 상기 처리실내에 배치되는 피처리재와의 사이의 위치에 대응하는 상기 처리실 측벽에 설치한 마이크로파 투과창과, 상기 투과창을 거쳐 상기 처리실내에 마이크로파를 도입하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950005081A 1994-03-18 1995-03-13 플라즈마 처리방법 및 장치 KR950034579A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6048287A JPH07263187A (ja) 1994-03-18 1994-03-18 プラズマ処理装置
JP94-048287 1994-03-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR950034579A true KR950034579A (ko) 1995-12-28

Family

ID=12799229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950005081A KR950034579A (ko) 1994-03-18 1995-03-13 플라즈마 처리방법 및 장치

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0674334A1 (ko)
JP (1) JPH07263187A (ko)
KR (1) KR950034579A (ko)
TW (1) TW265508B (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6473609B1 (en) 1995-12-11 2002-10-29 Openwave Systems Inc. Method and architecture for interactive two-way communication devices to interact with a network
US6742022B1 (en) 1995-12-11 2004-05-25 Openwave Systems Inc. Centralized service management system for two-way interactive communication devices in data networks
US5809415A (en) 1995-12-11 1998-09-15 Unwired Planet, Inc. Method and architecture for an interactive two-way data communication network
JP3739137B2 (ja) * 1996-06-18 2006-01-25 日本電気株式会社 プラズマ発生装置及びこのプラズマ発生装置を使用した表面処理装置
US6534922B2 (en) 1996-09-27 2003-03-18 Surface Technology Systems, Plc Plasma processing apparatus
EP0838839B1 (en) * 1996-09-27 2008-05-21 Surface Technology Systems Plc Plasma processing apparatus
WO1999012184A2 (en) * 1997-09-05 1999-03-11 Alcad Pro, Inc. Microwave power applicator for generating reactive chemical species from gaseous reagent species
JP4593741B2 (ja) 2000-08-02 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 ラジアルアンテナ及びそれを用いたプラズマ処理装置
JP3625197B2 (ja) * 2001-01-18 2005-03-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ装置およびプラズマ生成方法
JP4163432B2 (ja) * 2002-03-26 2008-10-08 矢崎総業株式会社 プラズマ処理装置
US7603963B2 (en) * 2006-05-02 2009-10-20 Babcock & Wilcox Technical Services Y-12, Llc Controlled zone microwave plasma system
JP2010140679A (ja) * 2008-12-09 2010-06-24 Tohoku Univ 金属表面波計測装置および金属表面波計測方法
JP5667368B2 (ja) * 2010-02-24 2015-02-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP5255024B2 (ja) * 2010-07-23 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 ラジアルアンテナ及びそれを用いたプラズマ処理装置
JP6700127B2 (ja) * 2016-07-07 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
CN112967920B (zh) * 2021-02-01 2022-07-19 湖南红太阳光电科技有限公司 一种微波等离子体刻蚀装置及方法
CN113193312B (zh) * 2021-04-25 2022-05-03 电子科技大学 圆波导TE0n模式超宽带输出窗结构

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5134965A (en) * 1989-06-16 1992-08-04 Hitachi, Ltd. Processing apparatus and method for plasma processing
FR2693619B1 (fr) * 1992-07-08 1994-10-07 Valeo Vision Dispositif pour le dépôt de polymère par l'intermédiaire d'un plasma excité par micro-ondes.
JPH07142444A (ja) * 1993-11-12 1995-06-02 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ処理装置および処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07263187A (ja) 1995-10-13
EP0674334A1 (en) 1995-09-27
TW265508B (ko) 1995-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950034579A (ko) 플라즈마 처리방법 및 장치
KR100291152B1 (ko) 플라즈마발생장치
KR970071945A (ko) 플라즈마처리방법 및 장치
JP2004014262A (ja) プラズマ処理装置
JPWO2009101927A1 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置の天板、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR950010714A (ko) 플라즈마 생성방법 및 장치와 그것을 사용한 플라즈마 처리방법 및 장치
JP3960775B2 (ja) プラズマプロセス装置および処理装置
KR940023322A (ko) 마이크로파 플라즈마 처리장치
JPH09148097A (ja) プラズマ生成装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法、半導体素子
WO2021220459A1 (ja) プラズマ処理装置
JPH01184923A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JPH1167492A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20060065195A1 (en) Microwave plasma generating device
JPH05129095A (ja) プラズマ処理装置
JP2595128B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH0217636A (ja) ドライエッチング装置
JPH07263186A (ja) プラズマ処理装置
JP2001058127A (ja) マイクロ波を励起することによってチャンバ中でプラズマを発生させる装置。
JPH10294199A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP2646853B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP3981240B2 (ja) マイクロ波プラズマ発生装置及び方法
JP2004259581A (ja) プラズマ処理装置
JP4514291B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2018006256A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP2972507B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid