JPH07263186A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH07263186A JPH07263186A JP6046821A JP4682194A JPH07263186A JP H07263186 A JPH07263186 A JP H07263186A JP 6046821 A JP6046821 A JP 6046821A JP 4682194 A JP4682194 A JP 4682194A JP H07263186 A JPH07263186 A JP H07263186A
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- JP
- Japan
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- plasma
- microwave
- microwaves
- processing apparatus
- plasma processing
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【構成】マイクロ波を利用したプラズマ処理装置におい
て、導波管５内のマイクロ波が伝送される方向と垂直な
断面全部あるいは該断面の一部に、比誘電率εrが１よ
り大きい誘電体９を設けるよう構成した。 【効果】誘電体内でのマイクロ波の波長は空気中のマイ
クロ波の波長の１／√εr倍となるので、マイクロ波の
伝送部を小型化することが可能になった。
て、導波管５内のマイクロ波が伝送される方向と垂直な
断面全部あるいは該断面の一部に、比誘電率εrが１よ
り大きい誘電体９を設けるよう構成した。 【効果】誘電体内でのマイクロ波の波長は空気中のマイ
クロ波の波長の１／√εr倍となるので、マイクロ波の
伝送部を小型化することが可能になった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理装置に係
り、特に半導体素子基板等の試料をプラズマを利用して
エッチング処理及び成膜処理等するのに好適なプラズマ
処理装置に関するものである。
り、特に半導体素子基板等の試料をプラズマを利用して
エッチング処理及び成膜処理等するのに好適なプラズマ
処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】工業周波数に指定されているためよく使
用される２．４５ＧＨｚの周波数よりも低い周波数のマ
イクロ波を利用したプラズマ処理装置は、例えば、特開
平３−２３８８００号公報に記載のように、空洞の導波
管によりマイクロ波を処理室内に導入し、プラズマを生
成するよう構成されていた。
用される２．４５ＧＨｚの周波数よりも低い周波数のマ
イクロ波を利用したプラズマ処理装置は、例えば、特開
平３−２３８８００号公報に記載のように、空洞の導波
管によりマイクロ波を処理室内に導入し、プラズマを生
成するよう構成されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、導波
管内を伝播するマイクロ波の波長の大きさ、及びマイク
ロ波を伝送する導波管のマイクロ波伝送方向に垂直な断
面の大きさの点について配慮がされていなかった。通常
使用される２．４５ＧＨｚの周波数よりも低い周波数の
マイクロ波を使用した場合、導波管内を伝播するマイク
ロ波の波長は、２．４５ＧＨｚの周波数のマイクロ波の
波長よりも長くなる。このため、装置がマイクロ波の伝
送方向に大きくなるという問題点があった。また、２．
４５ＧＨｚの周波数よりも低い周波数のマイクロ波を使
用した場合、マイクロ波を伝送する導波管のマイクロ波
の伝送方向に垂直な断面の大きさは、２．４５ＧＨｚの
周波数のマイクロ波を伝送する導波管の場合と比較し
て、大きくなるという問題点があった。
管内を伝播するマイクロ波の波長の大きさ、及びマイク
ロ波を伝送する導波管のマイクロ波伝送方向に垂直な断
面の大きさの点について配慮がされていなかった。通常
使用される２．４５ＧＨｚの周波数よりも低い周波数の
マイクロ波を使用した場合、導波管内を伝播するマイク
ロ波の波長は、２．４５ＧＨｚの周波数のマイクロ波の
波長よりも長くなる。このため、装置がマイクロ波の伝
送方向に大きくなるという問題点があった。また、２．
４５ＧＨｚの周波数よりも低い周波数のマイクロ波を使
用した場合、マイクロ波を伝送する導波管のマイクロ波
の伝送方向に垂直な断面の大きさは、２．４５ＧＨｚの
周波数のマイクロ波を伝送する導波管の場合と比較し
て、大きくなるという問題点があった。
【０００４】本発明は、マイクロ波の伝送部を小型にす
ることが可能なプラズマ処理装置を提供することを目的
とする。
ることが可能なプラズマ処理装置を提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、導波管内のマイクロ波が伝送される方向と垂直な断
面全部あるいは該断面の一部に、比誘電率が１より大き
い誘電体を設けたものである。
に、導波管内のマイクロ波が伝送される方向と垂直な断
面全部あるいは該断面の一部に、比誘電率が１より大き
い誘電体を設けたものである。
【０００６】
【作用】導波管内に設けた誘電体の比誘電率をεrとす
ると、誘電体内でのマイクロ波の波長は、空気中のマイ
クロ波の波長の１／√εr倍となる。したがって、εr＞
１の誘電体を導波管内に設けることにより、マイクロ波
の伝送部を小型化することが可能である。
ると、誘電体内でのマイクロ波の波長は、空気中のマイ
クロ波の波長の１／√εr倍となる。したがって、εr＞
１の誘電体を導波管内に設けることにより、マイクロ波
の伝送部を小型化することが可能である。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。図１は、本発明の一実施例である有磁場マイクロ波
ドライエッチング装置を示す。容器１ａ，放電管１ｂ及
び石英窓２で区画された処理室１の内部を真空排気装置
（図示省略）により減圧した後、ガス供給装置（図示省
略）によりエッチングガスを処理室１内に導入し、所望
の圧力に調整する。また、処理室１はコイル３により生
成される磁場領域内にある。マグネトロン４より発し
た、例えば、０．９１５ＧＨｚのマイクロ波は導波管５
ａ，５ｂ，５ｃ内を伝播し、石英窓２を透過して処理室
１内に入射される。このマイクロ波によって生成された
プラズマにより、試料台６に載置された被処理材のウエ
ハ７がエッチング処理される。また、ウエハ７のエッチ
ング形状を制御するため、試料台６には、整合器（図示
省略）を介して高周波電源８が接続され、高周波電圧が
印加される。
る。図１は、本発明の一実施例である有磁場マイクロ波
ドライエッチング装置を示す。容器１ａ，放電管１ｂ及
び石英窓２で区画された処理室１の内部を真空排気装置
（図示省略）により減圧した後、ガス供給装置（図示省
略）によりエッチングガスを処理室１内に導入し、所望
の圧力に調整する。また、処理室１はコイル３により生
成される磁場領域内にある。マグネトロン４より発し
た、例えば、０．９１５ＧＨｚのマイクロ波は導波管５
ａ，５ｂ，５ｃ内を伝播し、石英窓２を透過して処理室
１内に入射される。このマイクロ波によって生成された
プラズマにより、試料台６に載置された被処理材のウエ
ハ７がエッチング処理される。また、ウエハ７のエッチ
ング形状を制御するため、試料台６には、整合器（図示
省略）を介して高周波電源８が接続され、高周波電圧が
印加される。
【０００８】本実施例の場合、導波管５ｃ内に比誘電率
εr＝２．１のテフロンを用いた誘電体９を設けてい
る。導波管５ｃに誘電体９を設けない場合と比較して、
誘電体９中でのマイクロ波の波長は１／√εr＝０．６
９倍になる。このため、導波管５ｃ内に誘電体９を設け
ることにより導波管５ｃの大きさ（この場合マイクロ波
の進行方向の長さ）を０．６９倍に短縮できる。テフロ
ン以外にも比誘電率が１より大きい誘電体９、例えば、
アルミナセラミックス（εr＝８．５）や石英（εr＝
３．８）を用いてもよい。本実施例によれば、導波管内
に比誘電率εrが１より大きい誘電体を設けたことによ
り、誘電体内でのマイクロ波の波長が１／√εr倍にな
るので、それだけマイクロ波の伝送部を小型にすること
ができるという効果がある。
εr＝２．１のテフロンを用いた誘電体９を設けてい
る。導波管５ｃに誘電体９を設けない場合と比較して、
誘電体９中でのマイクロ波の波長は１／√εr＝０．６
９倍になる。このため、導波管５ｃ内に誘電体９を設け
ることにより導波管５ｃの大きさ（この場合マイクロ波
の進行方向の長さ）を０．６９倍に短縮できる。テフロ
ン以外にも比誘電率が１より大きい誘電体９、例えば、
アルミナセラミックス（εr＝８．５）や石英（εr＝
３．８）を用いてもよい。本実施例によれば、導波管内
に比誘電率εrが１より大きい誘電体を設けたことによ
り、誘電体内でのマイクロ波の波長が１／√εr倍にな
るので、それだけマイクロ波の伝送部を小型にすること
ができるという効果がある。
【０００９】本発明の第２の実施例を図２により説明す
る。本実施例では、比誘電率εrが１より大きいテフロ
ンを用いた誘電体９を導波管５ａ及び５ｂ内に設けてい
る。これにより、第１の実施例と同様にマイクロ波の伝
送部を小型にすることができるという効果がある。ま
た、誘電体９を導波管５ａ，５ｂ内に設けることにより
導波管の遮断周波数を小さくすることがてきる。例え
ば、導波管５ａ，５ｂの断面の各辺の長さがａ，ｂであ
る矩形導波管におけるＴＥnmモードのマイクロ波の遮断
周波数ｆcは以下のように記述される。
る。本実施例では、比誘電率εrが１より大きいテフロ
ンを用いた誘電体９を導波管５ａ及び５ｂ内に設けてい
る。これにより、第１の実施例と同様にマイクロ波の伝
送部を小型にすることができるという効果がある。ま
た、誘電体９を導波管５ａ，５ｂ内に設けることにより
導波管の遮断周波数を小さくすることがてきる。例え
ば、導波管５ａ，５ｂの断面の各辺の長さがａ，ｂであ
る矩形導波管におけるＴＥnmモードのマイクロ波の遮断
周波数ｆcは以下のように記述される。
【００１０】
【数１】
【００１１】ここで、εは誘電率、μは透磁率である。
真空中での誘電率をε0とするとε＝ε0・εrであるの
で、導波管内に比誘電率εrの誘電体を設けると、遮断
周波数ｆcは１／√εr倍になる。したがって、誘電体を
設けない場合には、遮断周波数より小さい周波数である
ため伝送できないマイクロ波でも、誘電体を設けること
により遮断周波数が１／√εr倍となるため、マイクロ
波を伝送できる場合があり、すなわち導波管の遮断も誘
電体を設けることにより小さくできる。円形導波管等各
種導波管でも、矩形導波管と同様に誘電体を設けること
により導波管の断面を小さくすることができる。また、
前述の例では、導波管内のマイクロ波が伝送される方向
と垂直な断面全部に誘電体を設ける場合について述べた
が、該断面の一部のみに誘電体を設けてもよい。さら
に、前述の例では固体の誘電体を使用していたが、非分
極性の液体の誘電体、例えばシリコンオイル（εr＝
２．２）を使用してもよい。３スタブチューナあるいは
ＥＨチューナ等可動部がある部分には、液体の誘電体を
使用するのが便利である。
真空中での誘電率をε0とするとε＝ε0・εrであるの
で、導波管内に比誘電率εrの誘電体を設けると、遮断
周波数ｆcは１／√εr倍になる。したがって、誘電体を
設けない場合には、遮断周波数より小さい周波数である
ため伝送できないマイクロ波でも、誘電体を設けること
により遮断周波数が１／√εr倍となるため、マイクロ
波を伝送できる場合があり、すなわち導波管の遮断も誘
電体を設けることにより小さくできる。円形導波管等各
種導波管でも、矩形導波管と同様に誘電体を設けること
により導波管の断面を小さくすることができる。また、
前述の例では、導波管内のマイクロ波が伝送される方向
と垂直な断面全部に誘電体を設ける場合について述べた
が、該断面の一部のみに誘電体を設けてもよい。さら
に、前述の例では固体の誘電体を使用していたが、非分
極性の液体の誘電体、例えばシリコンオイル（εr＝
２．２）を使用してもよい。３スタブチューナあるいは
ＥＨチューナ等可動部がある部分には、液体の誘電体を
使用するのが便利である。
【００１２】本発明の第３の実施例を図３及び図４によ
り説明する。周波数０．２〜１．２ＧＨｚのマイクロ波
を使用する場合には、マイクロ波の波長は２．４５ＧＨ
ｚの場合より長くなる（無限空間での波長の場合、０．
２ＧＨｚでは２２倍、１．２ＧＨｚでは２．０４倍とな
る。）ので、マイクロ波伝送部の小型化が実用上重要で
ある。また、周波数０．２ＧＨｚ以下では減衰が大きい
ためマイクロ波を導波管を用いて伝送することが難し
く、実用上、（均一性を得る上で）放電管１ｂの径より
もウエハ７の径が小さい方が望ましい。
り説明する。周波数０．２〜１．２ＧＨｚのマイクロ波
を使用する場合には、マイクロ波の波長は２．４５ＧＨ
ｚの場合より長くなる（無限空間での波長の場合、０．
２ＧＨｚでは２２倍、１．２ＧＨｚでは２．０４倍とな
る。）ので、マイクロ波伝送部の小型化が実用上重要で
ある。また、周波数０．２ＧＨｚ以下では減衰が大きい
ためマイクロ波を導波管を用いて伝送することが難し
く、実用上、（均一性を得る上で）放電管１ｂの径より
もウエハ７の径が小さい方が望ましい。
【００１３】円形導波管の場合、遮断周波数ｆcは、導
波管の半径をａ、光速をｃとして、下記のように表され
る。
波管の半径をａ、光速をｃとして、下記のように表され
る。
【００１４】
【数２】
【００１５】ここで、ＴＥ11モードの場合ｕnm’＝１．
８４１である。ウエハ７の直径を６インチとし、放電管
１ｂの直径が６インチ相当以上とすると、円形ＴＥ11モ
ードしか伝播できないマイクロ波は、周波数が１．２Ｇ
Ｈｚ以下である必要がある。したがって、周波数０．２
〜１．２ＧＨｚのマイクロ波を使用することが望まし
い。
８４１である。ウエハ７の直径を６インチとし、放電管
１ｂの直径が６インチ相当以上とすると、円形ＴＥ11モ
ードしか伝播できないマイクロ波は、周波数が１．２Ｇ
Ｈｚ以下である必要がある。したがって、周波数０．２
〜１．２ＧＨｚのマイクロ波を使用することが望まし
い。
【００１６】本実施例の場合、マグネトロン４から発振
された、例えば、周波数０．９１５ＧＨｚのマイクロ波
は、導波管５ａ，５ｂ内を伝播し、共振器９に導入され
る。共振器９の底面に図４に示すスロットアンテナ１０
が設けられている。スロットアンテナ１０より放射され
たマイクロ波が導波管５ｄ及び石英窓２を通過し、処理
室１内に入射されプラズマが生成される。本実施例の場
合、共振器９構造を有しているので、マイクロ波の伝送
方向に対して装置を小型化できるという効果がある。ま
た、同じく共振器９構造でスロットアンテナ１０により
マイクロ波を放電するため、安定にマイクロ波を供給で
き、その結果安定にプラズマを生成できるという効果が
ある。さらに、共振器９を円形ＴＥ01モード用共振器と
し、図４に示すように放射状の円形ＴＥ01モード用スロ
ットアンテナ１０を使用し、スロットアンテナ１０と石
英窓２の間に一定間隔を設けることにより、円形ＴＥ01
モードのマイクロ波を処理室１内に入射できるので、よ
り均一なプラズマを生成することも可能である。
された、例えば、周波数０．９１５ＧＨｚのマイクロ波
は、導波管５ａ，５ｂ内を伝播し、共振器９に導入され
る。共振器９の底面に図４に示すスロットアンテナ１０
が設けられている。スロットアンテナ１０より放射され
たマイクロ波が導波管５ｄ及び石英窓２を通過し、処理
室１内に入射されプラズマが生成される。本実施例の場
合、共振器９構造を有しているので、マイクロ波の伝送
方向に対して装置を小型化できるという効果がある。ま
た、同じく共振器９構造でスロットアンテナ１０により
マイクロ波を放電するため、安定にマイクロ波を供給で
き、その結果安定にプラズマを生成できるという効果が
ある。さらに、共振器９を円形ＴＥ01モード用共振器と
し、図４に示すように放射状の円形ＴＥ01モード用スロ
ットアンテナ１０を使用し、スロットアンテナ１０と石
英窓２の間に一定間隔を設けることにより、円形ＴＥ01
モードのマイクロ波を処理室１内に入射できるので、よ
り均一なプラズマを生成することも可能である。
【００１７】本発明の第４の実施例を図５により説明す
る。本実施例では、先の実施例でマイクロ波の伝送方向
を変更するため使用していた導波管５のコーナ部をなく
し、共振器９と導波管５ａとの間に結合窓１１を設け、
マイクロ波を伝送するようにしたものである。本実施例
によれば、導波管５のコーナ部をなくすことができるの
でさらに装置の小型化が可能であるという効果がある。
る。本実施例では、先の実施例でマイクロ波の伝送方向
を変更するため使用していた導波管５のコーナ部をなく
し、共振器９と導波管５ａとの間に結合窓１１を設け、
マイクロ波を伝送するようにしたものである。本実施例
によれば、導波管５のコーナ部をなくすことができるの
でさらに装置の小型化が可能であるという効果がある。
【００１８】本発明の第５の実施例を図６により説明す
る。本実施例では、高周波電源１２により生成された高
周波電圧を整合器１３を介して共振器９に供給してい
る。高周波電源１２には０．５ＧＨｚの周波数を使用し
ており、高周波電源１２と整合器１３及び整合器１３と
共振器９とは同軸構造１４（本実施例の場合同軸ケーブ
ル）により接続されている。また、同軸構造１４により
伝送された高周波電圧は、アンテナ１５により共振器９
と結合され、マイクロ波に変換された後、処理室１内に
入射される。本実施例では、さらに装置を小型化できる
という効果がある。
る。本実施例では、高周波電源１２により生成された高
周波電圧を整合器１３を介して共振器９に供給してい
る。高周波電源１２には０．５ＧＨｚの周波数を使用し
ており、高周波電源１２と整合器１３及び整合器１３と
共振器９とは同軸構造１４（本実施例の場合同軸ケーブ
ル）により接続されている。また、同軸構造１４により
伝送された高周波電圧は、アンテナ１５により共振器９
と結合され、マイクロ波に変換された後、処理室１内に
入射される。本実施例では、さらに装置を小型化できる
という効果がある。
【００１９】本発明の第６の実施例を図７により説明す
る。本実施例では、マグネトロン４より発したマイクロ
波を一度、同軸構造１４（本実施例の場合同軸ケーブ
ル）により伝送し、再び共振器９内でアンテナ１５によ
りマイクロ波に変換し、処理室１内に入射している。本
実施例においても装置を小型化できるという効果があ
る。
る。本実施例では、マグネトロン４より発したマイクロ
波を一度、同軸構造１４（本実施例の場合同軸ケーブ
ル）により伝送し、再び共振器９内でアンテナ１５によ
りマイクロ波に変換し、処理室１内に入射している。本
実施例においても装置を小型化できるという効果があ
る。
【００２０】また上記各実施例では、有磁場ドライエッ
チング装置について述べたが、その他のマイクロ波を利
用したドライエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置、ア
ッシング装置等のプラズマ処理装置についても、同様の
作用効果が得られる。
チング装置について述べたが、その他のマイクロ波を利
用したドライエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置、ア
ッシング装置等のプラズマ処理装置についても、同様の
作用効果が得られる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、マイクロ波の伝送部を
小型にすることが可能なプラズマ処理装置を提供できる
という効果がある。
小型にすることが可能なプラズマ処理装置を提供できる
という効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の有磁場マイクロ波ドラ
イエッチング装置の処理室部の縦断面図である。
イエッチング装置の処理室部の縦断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の有磁場マイクロ波ドラ
イエッチング装置の処理室部の縦断面図である。
イエッチング装置の処理室部の縦断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例の有磁場マイクロ波ドラ
イエッチング装置の処理室部の縦断面図である。
イエッチング装置の処理室部の縦断面図である。
【図４】図３のスロットアンテナを上部より見た図であ
る。
る。
【図５】本発明の第４の実施例の有磁場マイクロ波ドラ
イエッチング装置の処理室部の縦断面図である。
イエッチング装置の処理室部の縦断面図である。
【図６】本発明の第５の実施例の有磁場マイクロ波ドラ
イエッチング装置の処理室部の縦断面図である。
イエッチング装置の処理室部の縦断面図である。
【図７】本発明の第６の実施例の有磁場マイクロ波ドラ
イエッチング装置の処理室部の縦断面図である。
イエッチング装置の処理室部の縦断面図である。
１…処理室、１ａ…容器、１ｂ…放電管、２…石英窓、
３…コイル、４…マグネトロン、５ａ、５ｂ、５ｃ、５
ｄ…導波管、６…試料台、７…ウエハ、８…高周波電
源、９…誘電体、１０…スロットアンテナ、１１…結合
窓、１２…高周波電源、１３…整合器、１４…同軸構
造、１５…アンテナ。
３…コイル、４…マグネトロン、５ａ、５ｂ、５ｃ、５
ｄ…導波管、６…試料台、７…ウエハ、８…高周波電
源、９…誘電体、１０…スロットアンテナ、１１…結合
窓、１２…高周波電源、１３…整合器、１４…同軸構
造、１５…アンテナ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 21/31 Ｈ０１Ｐ 7/06 Ｈ０１Ｑ 13/10
Claims (9)
- 【請求項１】マイクロ波を利用したプラズマ発生装置と
減圧可能な処理室とガス供給装置と真空排気装置より成
るプラズマ処理装置において、導波管内のマイクロ波が
伝送される方向と垂直な断面全部あるいは該断面の一部
に、比導電率が１より大きい誘電体を設けたことを特徴
とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】請求項１記載のプラズマ処理装置におい
て、誘電体が液体あるいは流動性の固体であるプラズマ
処理装置。 - 【請求項３】請求項１記載のプラズマ処理装置におい
て、マイクロ波を利用したプラズマ発生装置におけるマ
イクロ波の周波数を０．２〜１．２ＧＨｚとしたプラズ
マ処理装置。 - 【請求項４】マイクロ波を利用したプラズマ発生装置と
減圧可能な処理室とガス供給装置と真空排気装置より成
るプラズマ処理装置において、プラズマ発生に使用する
周波数のマイクロ波を伝送できない大きさの空洞の導波
管内に比誘電率が１より大きい誘電体を設け、導波管内
をマイクロ波が伝送できるようにしたことを特徴とする
プラズマ処理装置。 - 【請求項５】請求項４記載のプラズマ処理装置におい
て、誘電体が液体あるいは流動性の固体であるプラズマ
処理装置。 - 【請求項６】請求項４記載のプラズマ処理装置におい
て、マイクロ波を利用したプラズマ発生装置におけるマ
イクロ波の周波数を０．２〜１．２ＧＨｚとしたプラズ
マ処理装置。 - 【請求項７】周波数０．２〜１．２ＧＨｚのマイクロ波
を利用したプラズマ発生装置と減圧可能な処理室とガス
供給装置と真空排気装置より成るプラズマ処理装置にお
いて、マイクロ波空洞共振器の壁面の一部にスロットア
ンテナが設けられ、該スロットアンテナより放射される
マイクロ波によりプラズマが生成されることを特徴とす
るプラズマ処理装置。 - 【請求項８】周波数０．２〜１．２ＧＨｚのマイクロ波
を利用したプラズマ発生装置と減圧可能な処理室とガス
供給装置と真空排気装置より成るプラズマ処理装置にお
いて、ＴＥ01モードのマイクロ波を処理室内に導入し、
プラズマを生成することを特徴とするプラズマ処理装
置。 - 【請求項９】周波数０．２〜１．２ＧＨｚのマイクロ波
を利用したプラズマ発生装置と減圧可能な処理室とガス
供給装置と真空排気装置より成るプラズマ処理装置にお
いて、処理室に接続された導波管または共振器と整合器
との間を同軸構造で接続すること、あるいは該整合器と
マイクロ波を発生させる電源との間を同軸構造で接続す
ることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6046821A JPH07263186A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6046821A JPH07263186A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263186A true JPH07263186A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=12758008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6046821A Pending JPH07263186A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263186A (ja) |
Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2010045037A (ja) * | 1997-10-01 | 2010-02-25 | Energy Conversion Devices Inc | 適合可能なアプリケータを備えた大面積マイクロ波プラズマ装置 |
| CN113454760A (zh) * | 2020-01-27 | 2021-09-28 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理装置 |
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-
1994
- 1994-03-17 JP JP6046821A patent/JPH07263186A/ja active Pending
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