KR970023771A - 마이크로파 여기 플라즈마 처리장치 - Google Patents

마이크로파 여기 플라즈마 처리장치 Download PDF

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가츠아키 아오키
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니시무로 다이조
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

본 발명은 반도체장치의 제조 등에 있어서의 에칭이나 애싱에 사용되는 마이크로파 여기 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 마이크로파 여기 플라즈마 처리장치는 상부에 플라즈마 생성실 및 이 플라즈마 생성실의 아래쪽에 형성되고, 피처리 부재가 배치되는 처리실을 갖는 진공용기와, 상기 플라즈마 생성실내에 처리가스를 공급하기 위한 가스공급관과, 상기 채임버의 상벽부의 개구에 배치된 유전체창과, 상기 유전체창을 포함하는 상기 진공용기의 상벽부에 배치되며, 마이크로파의 전계방향에 수직인 면(H면)이 상기 유전체창에 대향하고, 마이크로파의 전계방향에 평행인 면(E면)이 상기 H면에 대해서 수직방향으로 연장되고, 또한 마이크로파 도입측과 반대측에 상기 H면 및 E면에 대해서 수직으로 설치된 마이크로파를 반사하는 반사면을 갖는 직사각형 상의 도파관과, 상기 도파관에 마이크로파를 도입하기 위한 마이크로파 도입수단을 구비하며, 상기 도파관은 상기 E면 근방의 상기 H면에 2개의 슬릿이 상기 E면을 따라 평행 또는 거의 평행하게 각각 개구되며, 또한 상기 슬릿은 상기 반사면측만큼 좁은 폭을 갖고, 이 마이크로파 여기 플라즈마 처리장치는 마이크로파 출력 및 압력이 모두 넓은 범위에서 안정된 플라즈마를 진공용기의 플라즈마 생성실내에 발생시킬 수 있으며, 또한 균일한 플라즈마를 상기 플라즈마 생성실내에 발생시켜 상기 생성실의 아래쪽에 위치하는 처리실내의 피처리부재의 에칭 또는 애싱을 효율좋게 실시하는 것이 가능하게 되는 것을 특징으로 한다.

Description

마이크로파 여기 플라즈마 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예 1의 마이크로파 여기 플라즈마 처리장치를 나타내는 개략도.

Claims (9)

  1. 상부에 플라즈마 생성실 및 이 플라즈마 생성실의 아래쪽에 형성되고 피처리부재가 배치되는 처리실을 갖는 진공용기; 상기 플라즈마 생성실내에 처리 가스를 공급하기 위한 가스 공급관; 상기 진공용기의 상벽부의 개구에 배치된 유전체창; 상기 유전체창을 포함하는 상기 진공용기의 상벽부에 배치되고, 마이크로파의 전제방향에 수직인 면(H면)이 상기 유전체창에 대향하고. 마이크로파의 전제방향에 평행인 면(E면)이 상기 H면에 대해서 수직방향으로 연장되고, 또한 마이크로파 도입측과 반대측에 상기 H면 및 E면에 대해서 수직으로 설치된 마이크로파를 반사하는 반사면을 갖는 직사각형상의 도파관; 및 상기 도파관에 마이크로파를 도입하기 위한 마이크로파 발진기를 구비하며 상기 도파관은 상기 E면 근방의 상기 유전체창측의 상기 H면에 2개의 슬릿이 상기 E면을 따라 평행 또는 거의 평행하게 각각 개구되고, 또한 상기 슬릿은 상기 반사면측만큼 좁은 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로파 여기 플라즈마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 진공용기는 상기 플라즈마 생성실과 상기 처리실이 수평방향으로 배치한 확산판에 의해 구획되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 여기 플라즈마 처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 처리가스는 산소가스 단독 또는 산소가스와 불활성 가스의 혼합가스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로파 여기 플라즈마 처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 처리가스는 CF4가스 또는 SF6가스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로파 여기 플라즈마 처리장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유전체창은 석영 유리로 만들어지는 것을 특징으로하는 마이크로파 여기 플라즈마 처리장치.
  6. 제1항에 있어서 상기 슬릿은 그 폭이 상기 도파관의 반사면을 향하여 좁아지도록 계단형상으로 변화한 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로파 여기 플라즈마 처리장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 슬릿은 그 폭이 상기 도파관의 반사면을 향하여 좁아지도록 테이퍼형상으로 변화한 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로파 여기 플라즈마 처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 슬릿의 길이는 상기 도파관내에 도입되는 마이크로파의 파장(λg)의 n/2(n은 정수)에서 λg×(n/2)+λg/8의 범위인 것을 특징으로 하는 마이크로파 여기 플라즈마 처리장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 슬릿의 길이 방향의 중심위치는 상기 반사면을 기준으로 하여 도파관내에 도입되는 마이크로파의 파장(λg)에 상당하는 길이만큼 떨어진 위치인 것을 특징으로 하는 마이크로파 여기 플라즈마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960045179A 1995-10-30 1996-10-11 마이크로파 여기 플라즈마 처리장치 KR100234813B1 (ko)

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