KR900013579A - 마이크로파 플라즈마 처리방법 및 장치 - Google Patents

마이크로파 플라즈마 처리방법 및 장치 Download PDF

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세이이찌 와다나베
마고또 나와다
료우지 후꾸야마
유따가 가께히
사브로우 가나이
게이지 우에야마
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미다 가쓰시게
가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음

Description

마이크로파 플라즈마 처리방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예인 마이크로파 플라즈마 처리장치를 나타낸 개략도,
제2도는 본 발명에 의한 에칭속도 분포를 나타낸 도,
제3도는 종래의 에칭속도 분포를 나타낸 도.

Claims (20)

  1. 마이크로파를 사용하여 플라즈마 발생실내에서 처리가스를 플라즈마화하는 공정과, 그 플라즈마에 의하여 시료를 처리하는 공정과, 상기 플라즈마 발생실내에서 플라즈마 밀도의 불균일부를 형성하는 마이크로파의 일부를 제외함으로써, 플라즈마 발생실내에서의 마이크로파의 전잔계 강도분포를 균일화시키는 공정을 가지는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  2. 도파관내에 고정시켜 설치되고, 플라즈마 발생실내에 입사 및 난반사하여 재입사하는 마이크로파의 플라즈마, 발생실 내에서의 전자계 강도분포를 균일화시키는 균일화 수단을 가진 마이크로파를 사용하여 처리가스를 플라즈마화하고 그 플라즈마에 의하여 시료를 플라즈마 처리하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 균일화의 수단은, 마이크로파를 흡수하는 부재, 또는 반사하는 부재 다시 이들을 조합한 것으로 이루어진 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 마이크로파 흡수부재는 저항막인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 마이크로파 흡수부재는 필름위에 저항막을 설치한 도전 필름인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 저항막이 시이트 저항 377Ω/□ 및 그 근방의 저항치를 가지는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 저항막이 산화주석, 산화인듐, 카본 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  8. 제3항에 있어서, 상기 마이크로파 흡수부재의 상단이 적어도 플라즈마 발생영역의 상방 계면보다 상방에 설치되어 있는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  9. 제3항에 있어서, 상기 마이크로파 흡수부재가, 도파관 측벽 내벽면에 설치되는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  10. 제3항에 있어서, 상기 마이크로파 흡수부재가 도파관 측벽 내벽면으로부터 마이크로파의 관내 파장의 1/4의 거리까지의 사이에 설치되는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  11. 제3항에 있어서, 상기 마이크로파 흡수부재가, 도파관측벽 내벽면으로부터 마이크로파의 관내파장의 1/4의 거리 또는 그 근방에 설치되는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  12. 제3항에 있어서, 상기 마이크로파 반사부재가 접지되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  13. 플라즈마 발생실과, 상기 플라즈마 발생실내를 감압 배기하는 배기수단과, 상기 플라즈마 발생실내에 처리가스를 공급하는 가스공급수단과, 상기 플라즈마 발생실내에 공급된 처리가스를 플라즈마화 하는 플라즈마화 수단과, 플라즈마 발생실내에서 플라즈마 밀도의 불균일부를 형성하는 마이크로파의 일부를 제외하는 수단을 가지는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  14. 도파관과 방전관과의 사이의 마이크로파 전파공간에서 또 마이크로파 전파방향의 시료면 위치보다 전방에 마이크로파 흡수수단을 가진, 마이크로를 사용하여 처리가스를 플라즈마화하여 시료를 플라즈마 처리하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 마이크로파 흡수수단은 링형상인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 마이크로파 흡수수단은 방전관의 외표면에 막으로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 마이크로파 흡수수단은, 방전관을 둘러싸는 도파관 측벽 내벽면에 막으로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  18. 도파관과 방전관과의 사이의 마이크로파 전파 공간내에서 또한 마이크로파 전파방향의 시료면 위치보다 전방에 마이크로파 반사수단을 가진 마이크로파를 사용하여 처리가스를 플라즈마화 하여 시료를 플라즈마 처리하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 마이크로파 반사수단은, 원추상의 관인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  20. 제18항에 있어서, 상기 마이크로파 반사수단은 방전관을 둘러싸는 도파관 내벽면에 설치된 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900001573A 1989-02-15 1990-02-09 마이크로파 플라즈마 처리방법 및 장치 KR900013579A (ko)

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