JP2008507153A - 処理ツール内のウエハハンドリングシステム - Google Patents
処理ツール内のウエハハンドリングシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008507153A JP2008507153A JP2007522619A JP2007522619A JP2008507153A JP 2008507153 A JP2008507153 A JP 2008507153A JP 2007522619 A JP2007522619 A JP 2007522619A JP 2007522619 A JP2007522619 A JP 2007522619A JP 2008507153 A JP2008507153 A JP 2008507153A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- load lock
- chamber
- lock chamber
- gate valve
- port
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 29
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 145
- 230000008569 process Effects 0.000 description 26
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- 210000001520 comb Anatomy 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
Claims (32)
- 第1のポートおよび第2のポートを有し、第1の軸線が前記第1のポートに垂直であり、かつ第2の軸線が前記第2のポートに垂直であり、また前記第1の軸線と前記第2の軸線とが鈍角を形成する、第1のロードロックチャンバと、
第3のポートおよび第4のポートを有し、第3の軸線が前記第3のポートに垂直であり、かつ第4の軸線が前記第4のポートに垂直であり、前記第3の軸線と前記第4の軸線とが鈍角を形成する第2のロードロックチャンバと、
前記第1のポートから前記第2のポートへの第1のウエハ通路であって、前記第1のポートと第2のポートの少なくとも1つのポートを通る前記第1のウエハ通路の中心が、前記第1のポートと第2のポートの少なくとも1つのポートの側壁に対してずらされている第1のウエハ通路と、
前記第3のポートから前記第4のポートへの第2のウエハ通路であって、前記第3のポートと第4のポートの少なくとも1つのポートを通る前記第2のウエハ通路の中心が、前記第3のポートおよび第4のポートの少なくとも1つのポートの側壁に対してずらされている第2のウエハ通路と、
を備えるロードロックシステム。 - 前記第1のロードロックチャンバは、前記第2のロードロックチャンバに隣接する請求項1に記載のロードロックシステム。
- 前記第1のロードロックチャンバおよび第2のロードロックチャンバに結合され、前記第1のロードロックチャンバおよび第2のロードロックチャンバ内において基板にアクセスし得るロボットを有する、ウエハハンドリングチャンバをさらに備える請求項2に記載のロードロックシステム。
- 前記ウエハハンドリングチャンバは、前記第1のロードロックチャンバおよび第2のロードロックチャンバに隣接する請求項3に記載のロードロックシステム。
- 前記第1のロードロックチャンバおよび第2のロードロックチャンバから前記ウエハハンドリングチャンバを選択的に密閉するように、前記ウエハハンドリングチャンバの壁に装着される、ゲートバルブをさらに備える請求項3に記載のロードロックシステム。
- 前記各ゲートバルブは、
前記ウエハハンドリングチャンバの壁内に装着された少なくとも1つのインサートと、
前記ウエハハンドリングチャンバ内に配置され、選択的に密閉可能な開口部を有し、前記少なくとも1つのインサートに装着されるバルブライナーと、
を備える請求項5に記載のロードロックシステム。 - 相互に角度がつけられた入口ゲートバルブおよび出口ゲートバルブを有する第1のロードロックチャンバと、
相互に角度がつけられた入口ゲートバルブおよび出口ゲートバルブを有する第2のロードロックチャンバであって、当該第2のロードロックチャンバの前記ゲートバルブのすぐ隣に前記第1のロードロックチャンバのゲートバルブがある第2のロードロックチャンバと、
を備えるロードロックシステム。 - 少なくとも1つのゲートバルブを通るウエハ通路の中心が、前記少なくとも1つのゲートバルブの幅に対してずらされている請求項7に記載のロードロックシステム。
- 前記第1のロードロックチャンバおよび第2のロードロックチャンバの出口ゲートバルブを通って基板にアクセスし得るロボットを有するウエハハンドリングチャンバをさらに備える請求項7に記載のロードロックシステム。
- 前記第1のロードロックチャンバは、前記入口ゲートバルブから前記出口ゲートバルブへ通じるウエハ通路を有し、前記入口ゲートバルブを通る前記ウエハ通路は、第1の軸線に沿って第1の方向にあり、前記出口ゲートバルブを通る前記ウエハ通路は、第2の軸線に沿って第2の方向にあり、前記第1の軸線と前記第2の軸線とが、鈍角を形成する請求項7に記載のロードロックシステム。
- 両方のロードロックチャンバの幅を約32インチと38インチとの間に定める請求項7に記載のロードロックシステム。
- 半導体基板を搬送するためのロードロックチャンバであって、
左側の壁および右側の壁を有する入口ポートと、
左側の壁および右側の壁を有する出口ポートと、
前記基板が移動する、前記ロードロックチャンバを通る前記入口ポートから前記出口ポートへの通路であって、当該通路は、前記入口ポートを通る通路が前記出口ポートを通る通路と鈍角を形成するように角度をつけられ、かつ前記入口ポートおよび出口ポートの少なくとも1つのポートの前記左側の壁および前記右側の壁に対して中心がずらされる、通路と、
を備えるロードロックチャンバ。 - 前記入口ポートおよび前記出口ポートは、前記ロードロックチャンバを隔てるように選択的に密閉可能である請求項12に記載のロードロックチャンバ。
- 各前記入口ポートおよび前記出口ポートは、ゲートバルブを備える請求項12に記載のロードロックチャンバ。
- 前記通路は、前記右側の壁および左側の壁の一方の壁に対して0.15インチと0.35インチとの間の隙間を伴って、かつ前記右側の壁および左側の壁の他方の壁に対して0.8インチと1.2インチとの間の隙間を伴って、前記基板を通過させるように配置される請求項12に記載のロードロックチャンバ。
- 基板処理用半導体処理ツールであって、
ロボットを有する大気圧フロントエンドチャンバと、
前記大気圧フロントエンドチャンバに結合された少なくとも1つのロードロックチャンバであって、前記少なくとも1つのロードロックチャンバは、入口および出口と、入口に垂直な第1の軸線、および前記出口に垂直な第2の軸線とを有し、前記第1の軸線および前記第2の軸線は、鈍角を形成し、前記入口および出口の少なくとも1つを通る基板通路は、前記入口および出口の少なくとも1つの幅に対して片寄せられるロードロックチャンバと、
前記ロードロックチャンバに結合され、ロボットを有するウエハハンドリングチャンバと、
前記ウエハハンドリングチャンバに結合された少なくとも1つの基板処理チャンバと、
を備える半導体処理ツール。 - 2つのロードロックチャンバを備え、前記2つのロードロックチャンバは、相互に隣接して並べて配置される請求項16に記載の半導体処理ツール。
- 前記ロードロックチャンバから前記ウエハハンドリングチャンバを選択的に密閉するためのゲートバルブをさらに備え、前記ゲートバルブは、前記ウエハハンドリングチャンバの壁に装着される請求項16に記載の半導体処理ツール。
- 前記ウエハハンドリングチャンバは、前記ロードロックチャンバのすぐ隣にあり、前記ゲートバルブ用の開口部を囲むライナーを含み、前記ライナーは、前記ウエハハンドリングチャンバ内に突出する請求項18に記載の半導体処理ツール。
- 前記ライナーは、インサートに直接装着され、当該インサートは、前記ウエハハンドリングチャンバを前記ロードロックチャンバから隔てる壁内にはめ込まれる請求項19に記載の半導体処理ツール。
- 半導体基板搬送方法であって、
前記基板を、カセットローディングドックから、第1のゲートバルブを通ってロードロックチャンバに搬送するステップと、
前記基板を、前記ロードロックチャンバから、第2のゲートバルブを通って搬送チャンバに搬送するステップと、
を含み、
前記ロードロックチャンバは、前記第1のゲートバルブから前記第2のゲートバルブに前記基板が移動する基板通路を有し、前記ゲートバルブの少なくとも1つを通る前記基板通路は、前記ゲートバルブの開口部の幅に対して中心がずらされている、半導体基板搬送方法。 - 前記基板が、前記大気圧のフロントエンドチャンバから弓形の通路に沿って前記ロードロックチャンバに搬送される請求項21に記載の方法。
- 前記基板が、前記ロードロックチャンバから一直線の通路に沿って前記搬送チャンバに搬送される請求項21に記載の方法。
- 前記基板通路は、前記第1のゲートバルブを通る第1の軸線に沿った前記基板通路が、前記第2のゲートバルブを通る第2の軸線に沿った前記基板通路に対して鈍角を形成するようなものである請求項21に記載の方法。
- 少なくとも1枚の基板を輸送し得る第1のロボットを有する搬送チャンバと、
前記搬送チャンバと隣接し選択的に連通するロードロックチャンバと、
開口部を有し、前記ロードロックチャンバを前記搬送チャンバから隔てる壁と、
前記壁の開口部内に一直線上に配置されるインサートと、
前記インサートに装着され、前記インサートから前記搬送チャンバに延びるゲートバルブライナーと、
を備える半導体処理ツール。 - 前記ロードロックチャンバは、角度をつけられた基板通路を有する請求項25に記載の半導体処理ツール。
- 前記インサートおよびライナーは、ゲートバルブの開口部を画定し、ゲートバルブの内側の壁およびゲートバルブの外側の壁を含み、前記内側の壁および外側の壁の一方の方へ片寄せられた基板通路を有する請求項25に記載の半導体処理ツール。
- 前記基板通路は、前記第1のロボットと、前記ロードロックチャンバと連通するフロントエンドインターフェース内の第2のロボットとにより部分的に画定される請求項27に記載の半導体処理ツール。
- 前記基板通路は、前記フロントエンドインターフェースと前記ロードロックチャンバとの間の第1の脚部と、前記ロードロックチャンバと前記搬送チャンバとの間の第2の脚部とを含み、前記第1の脚部は、前記第2の脚部に対して角度をつけられる請求項28に記載の半導体処理ツール。
- 前記ロードロックチャンバに隣接し前記搬送チャンバと連通し、前記ロードロックチャンバの鏡像である第2のロードロックチャンバをさらに備える請求項29に記載の半導体処理ツール。
- 前記インサートは、前記壁と面一である請求項25に記載の半導体処理ツール。
- 前記インサートは、前記壁の開口部の段状部と嵌合するL字状の断面である請求項25に記載の半導体処理ツール。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US58941204P | 2004-07-19 | 2004-07-19 | |
PCT/US2005/025421 WO2006020220A1 (en) | 2004-07-19 | 2005-07-19 | System for handling of wafers within a process tool |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008507153A true JP2008507153A (ja) | 2008-03-06 |
JP2008507153A5 JP2008507153A5 (ja) | 2008-09-04 |
Family
ID=35266956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007522619A Withdrawn JP2008507153A (ja) | 2004-07-19 | 2005-07-19 | 処理ツール内のウエハハンドリングシステム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060045668A1 (ja) |
EP (1) | EP1774574A1 (ja) |
JP (1) | JP2008507153A (ja) |
KR (1) | KR20070028525A (ja) |
CN (1) | CN1985350A (ja) |
WO (1) | WO2006020220A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009239085A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Foi:Kk | 半導体ウェハ搬送装置および半導体ウェハ搬送方法 |
JP2018189218A (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-29 | 東京エレクトロン株式会社 | ゲートバルブ装置及び基板処理システム |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4098338B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2008-06-11 | 川崎重工業株式会社 | ウェハ移載装置および基板移載装置 |
US20080025835A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-01-31 | Juha Paul Liljeroos | Bernoulli wand |
KR100847888B1 (ko) | 2006-12-12 | 2008-07-23 | 세메스 주식회사 | 반도체 소자 제조 장치 |
KR101522324B1 (ko) * | 2007-05-18 | 2015-05-21 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 로드 락 빠른 펌프 벤트 |
US10541157B2 (en) | 2007-05-18 | 2020-01-21 | Brooks Automation, Inc. | Load lock fast pump vent |
US7668615B2 (en) * | 2007-10-02 | 2010-02-23 | GlobalFoundries, Inc. | Method and apparatus for randomizing dispatch order for single wafer processing |
GB2469112A (en) * | 2009-04-03 | 2010-10-06 | Mapper Lithography Ip Bv | Wafer support using controlled capillary liquid layer to hold and release wafer |
JP6063776B2 (ja) * | 2013-03-04 | 2017-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送経路の決定方法、基板搬送装置、基板処理装置及びプログラム |
JP6128050B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2017-05-17 | トヨタ自動車株式会社 | 非接触型搬送ハンド |
TW201639063A (zh) | 2015-01-22 | 2016-11-01 | 應用材料股份有限公司 | 批量加熱和冷卻腔室或負載鎖定裝置 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4917556A (en) * | 1986-04-28 | 1990-04-17 | Varian Associates, Inc. | Modular wafer transport and processing system |
JPH0793348B2 (ja) * | 1989-05-19 | 1995-10-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド | 多重チャンバ真空式処理装置及び多重チャンバ真空式半導体ウェーハ処理装置 |
JP2986121B2 (ja) * | 1991-03-26 | 1999-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | ロードロック装置及び真空処理装置 |
US5516732A (en) * | 1992-12-04 | 1996-05-14 | Sony Corporation | Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus |
US5387067A (en) * | 1993-01-14 | 1995-02-07 | Applied Materials, Inc. | Direct load/unload semiconductor wafer cassette apparatus and transfer system |
KR100261532B1 (ko) * | 1993-03-14 | 2000-07-15 | 야마시타 히데나리 | 피처리체 반송장치를 가지는 멀티챔버 시스템 |
US5588789A (en) * | 1995-07-06 | 1996-12-31 | Brooks Automation | Load arm for load lock |
US5908281A (en) * | 1996-09-20 | 1999-06-01 | Brooks Automation Inc. | Coaxial drive loader arm |
US5997235A (en) * | 1996-09-20 | 1999-12-07 | Brooks Automation, Inc. | Swap out plate and assembly |
JP3936030B2 (ja) * | 1997-06-23 | 2007-06-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の回収方法 |
US6517303B1 (en) * | 1998-05-20 | 2003-02-11 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Substrate transfer shuttle |
WO2000028587A1 (fr) * | 1998-11-09 | 2000-05-18 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement |
US6347918B1 (en) * | 1999-01-27 | 2002-02-19 | Applied Materials, Inc. | Inflatable slit/gate valve |
US6092981A (en) * | 1999-03-11 | 2000-07-25 | Applied Materials, Inc. | Modular substrate cassette |
TW484170B (en) * | 1999-11-30 | 2002-04-21 | Applied Materials Inc | Integrated modular processing platform |
US20020061248A1 (en) * | 2000-07-07 | 2002-05-23 | Applied Materials, Inc. | High productivity semiconductor wafer processing system |
US6553280B2 (en) * | 2000-07-07 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Valve/sensor assemblies |
US6918731B2 (en) * | 2001-07-02 | 2005-07-19 | Brooks Automation, Incorporated | Fast swap dual substrate transport for load lock |
US6729824B2 (en) * | 2001-12-14 | 2004-05-04 | Applied Materials, Inc. | Dual robot processing system |
JP2004006665A (ja) * | 2002-02-20 | 2004-01-08 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
US6935828B2 (en) * | 2002-07-17 | 2005-08-30 | Transfer Engineering And Manufacturing, Inc. | Wafer load lock and magnetically coupled linear delivery system |
US7458763B2 (en) * | 2003-11-10 | 2008-12-02 | Blueshift Technologies, Inc. | Mid-entry load lock for semiconductor handling system |
US7246985B2 (en) * | 2004-04-16 | 2007-07-24 | Axcelis Technologies, Inc. | Work-piece processing system |
-
2005
- 2005-07-18 US US11/184,511 patent/US20060045668A1/en not_active Abandoned
- 2005-07-19 EP EP05773790A patent/EP1774574A1/en not_active Withdrawn
- 2005-07-19 WO PCT/US2005/025421 patent/WO2006020220A1/en active Application Filing
- 2005-07-19 CN CNA2005800194684A patent/CN1985350A/zh active Pending
- 2005-07-19 KR KR1020077000509A patent/KR20070028525A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-07-19 JP JP2007522619A patent/JP2008507153A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009239085A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Foi:Kk | 半導体ウェハ搬送装置および半導体ウェハ搬送方法 |
JP2018189218A (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-29 | 東京エレクトロン株式会社 | ゲートバルブ装置及び基板処理システム |
TWI759470B (zh) * | 2017-05-11 | 2022-04-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 閘閥裝置及基板處理系統 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1774574A1 (en) | 2007-04-18 |
WO2006020220A1 (en) | 2006-02-23 |
KR20070028525A (ko) | 2007-03-12 |
CN1985350A (zh) | 2007-06-20 |
US20060045668A1 (en) | 2006-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008507153A (ja) | 処理ツール内のウエハハンドリングシステム | |
US6696367B1 (en) | System for the improved handling of wafers within a process tool | |
KR102360219B1 (ko) | 인덱서블 측면 저장 포드 장치, 가열식 측면 저장 포드 장치, 시스템들, 및 방법들 | |
US20190145641A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor | |
JP6582676B2 (ja) | ロードロック装置、及び基板処理システム | |
US8375998B2 (en) | Lid opening/closing system of an airtight container | |
JP4531557B2 (ja) | 半導体処理ツール内チャンバ間の相互汚染の減少 | |
US20070209593A1 (en) | Semiconductor wafer cooling device | |
KR20180045316A (ko) | 설비 전방 단부 모듈 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치 | |
US20030077150A1 (en) | Substrate processing apparatus and a method for fabricating a semiconductor device by using same | |
US11501987B2 (en) | Loadlock module and semiconductor manufacturing apparatus including the same | |
US7371683B2 (en) | Method for carrying object to be processed | |
US11688619B2 (en) | Vacuum processing apparatus and substrate transfer method | |
JP2011124564A (ja) | 半導体被処理基板の真空処理システム及び半導体被処理基板の真空処理方法 | |
US7416405B2 (en) | Vertical type of thermal processing apparatus and method of using the same | |
US20210257233A1 (en) | Oxidation inhibiting gas in a manufacturing system | |
JP2000058619A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP4359109B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2004119627A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP3665452B2 (ja) | 被処理体中継装置 | |
JP2004311781A (ja) | 処理装置 | |
TW202433648A (zh) | 搬運模組及搬運方法 | |
KR20230111298A (ko) | Efem의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치 | |
KR20230063970A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JPH05319513A (ja) | 搬送装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080717 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080717 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090703 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090703 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090917 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091208 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091208 |